JPS58501434A - 電気接点を含む装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電気接点を含む装置 本発明は、機械的に接触して閉鎖する電気接点を含む装置に関する。この種の装 置は”低電流”又はパアーク不発”式装置として特徴づけられており、従来は金 に独っていた。寸だこの種の装置としては、ワイヤ・ケーブルコネクタ、プリン ト配線板、及び集積回路がある。

２　先行技術の説明 電気技術における全接触面の独自の地位は当初からゆるぎのないものであった。

金は“貴金属”類として分類されているが、単独では通常直面する周囲成分と反 応しない。所望の接触特性の保全性は、この非反応性によってのみ維持されて来 た。近年の価格の高騰に伴い、金に代わるものの開発がさかんになっている。一 般に、金を全廃するのではなく、その使用量を低減するという点では、これまで の研究は成功している。例えば全めっき具合等に係る蒸着技術及び基板表面の組 成と状態に着目して金属の厚みを低減した結果経費がかなり節減できる様になっ た。

金をその他の゛貴金属”で置き換えて構成された電気接点は、ある程度の成功を おさめている。場合によっては致と合金にした例えば白金族金属、白金及びパラ ジウム等が、その−例であるが、この棟の材料でさえ、通常の周囲成分と若干反 応することが判った。パラジウム・調合金製の接点を、非常に薄い金属で被覆し て信順性を高めようとしている近年の開発をみても、金の必然性はいなめない。

開閉の際にアーク発生する環境では、特にＣｕを含有する合金等の、種々の非貴 金属類が使用されている。この場合、周囲成分との反応により生成される高抵抗 表面の化合物を”さん孔”するには、アーク発生に頼ることができる。

金属又は金属に近い導電性を特徴とする多くの化学化合物が文献に報告されてい る。この種の材料で造られるフィルムは、例えばスパッタリング等により、化合 物を蒸着させることによって形成されている。例えばプロシーデイングスオブジ 　エレクトロケミカル　ソサイアテイＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　８０（１９７９）の第２１ ６ページ目を参照されたい。観察された電気的特性については様々にとりざたさ れて来たが、一般にこの種の仕事は、基礎舒ｆ究的性質のものであ本発明は、そ の電気的特性からして、主に化学化合物に籾る接触面を提供している。一般に文 献にこの棟のものとして記載されている例証Ｂう化合物は、ケイ仕切、炭化物、 窒化物、リン化物、ホウ化物、ヅを化物及びセレン化物として化学的に分類され ている。本発明の主要目的は経済性の確保にあるため、高価な金属類（ルテニウ ムロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、イリジウム、白金及び金）と共に、 白金族金属類に属する化合物は除外される。

熱力学的綾点から見て、本発明による適切な化合物法概して金に匹敵する特性を 備えている。通常の周囲環境下において、本発明による化合物は、少くとも長時 間外気にさらしても周囲の成分と反応しないため、自由接触面が化学的に変化し ない。

一方電気的観点から見ると、本発明による接点の接触抵抗は、低い。四点探針で 測定される抵抗率は、約１０−３オームセンチ（Ωｃｎ１）未満である。通常の 構成の場合、接触抵抗は一般に約１０ミリオーム以下である。この抵抗レベルは 電話設備の品質評価に使用さｎる、試験的条件下における高温多湿サイクリング 後に観測される。

本発明は、基板材料との原位置反応によって得られる、化合物接点材料の薄層（ １０マイクロメートル以下程度の厚さ）を形成しようとするものである。川」ち 、気相又は液相反応物によって、基板の少くとも１成分−通常は金属成分−と反 応させることを意図している。本発明の重要な様相は、例えば電気めっき、スパ ッタリング等により魚屑される金属を、この種の原位置形成される層で直接置換 できる点にある。従って本発明は、未完敗又は児成さ力、た装置」−に、接触層 を形成しようとするものである。

本発明による薄膜化合物接点は、従来は金が使用されていたアーク不発用途に有 効である。例えば硫化物及びセレン化物等の低融点化合Ｗは、一般にこの棟の用 途に限定されるが、他の化合物にはこの様な制限がない。

特徴的に、１０−３Ω備以下の体積抵抗率を有する原位置形成される物質を指す 。この種の化合物は全て一般に、関連する金製装置に適用される試験条件下で、 抵抗率が上記の最大値を越えない程度の安定性を有している。原位置形成には、 層が形成される基板に含まれる少くとも１種の成分−通常は金属元素−が関与す る。適切な成分には、白金族金属類又はその他の高価な金属類（禁止元素として は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、イリジウム、白金及 び金がある）は含捷れ接点開閉の際の通常の作動により、接点に発光領域が形成 されない点で、通常理解されているものと同僚の現象を指す。特徴が光分発揮さ れる条件は、“乾式回路”条件である。本発明が意図する装置は、意図される作 動条件下で一般にアークを発生しない。

Ｃ１電子装置 一般に、１＋ＩＩえば通信用コンピュータ等に使用さｎｌがつ電力印加に用いら れる大電流装置とは異なる、−子管、トランジスタ等の小電流装置を指す。

隻−±ミニ 通常、化合物接触Ｊｆ４及びこれに相対する表面を通過して回路を閉じる、回路 電流を指し、５０ミリボルト以下の市回路電圧に相当する。意図される装置には 、連続閉鎖が央求される装置が含まれるので、この用語を使用するについては、 上記の様な実測可能な開路電圧を必要としない。得られる電流（ｄ通常１００ミ リアンペア以下であり、多くの装置でＵ５０ミリアンペア以下である。

Ｅ、接触化合物層 １０μｍ以下程度の厚みを翁する層として原位置形成される接触化合物を指す。

１００グラムの負荷をかけた場合の接触抵抗は、例えばある種の目的のために、 −４０°Ｃ乃至」１４０°Ｃ範囲で周期変化する、高温多湿（９０下で９０係の 相対湿度を有する空気）条件下における適切な試験の前後において一般に１００ ミリオーム従来のものを指すが、歳械Ｈ９意味における、接触化合物の自由面を 意図している。普通に開閉する接点状態を意図しているが、継続閉鎖式のものも 含まれる。閉鎖時の圧力は通常１００グラム以下である。通常の炭素粒送信器の 両面電極は、常態閉鎖式接点の一例である。

２、実験例 甜似又は同一形状の構成体に対して、以下の笑綬乞笑施しだ。これらの構成体は 、半円形探釧を接触させた、平形の化合物接点である。探針の表面を、軟性金（ ９９，９９重量パーセント）で包囲しである。化合物接点材料を用いた実験では 、はぼ同一の接触抵抗測定値が得られた。開路電圧を２０ミリボルト以下にした 結果、閉路時に、１０ミリアンペア以下の電流か測定された。

探針の断面形状は放物線形であり、接触領域は１ミリ直径のおおむね半円形状を 呈している。

室温の通常大気中で試験した。

電気量の測定については、電流及び電圧接点を探針及び平形接点に接触させて、 従来の四点測定法で行った。

各側において１００グラムの負荷下で行った測定結果は、確実に再現されると共 に、多くの装置設計に要求される範囲に入るものであった。比較するため、共に ９９９９重量パーセントの金を含有する平形及びドーム形接点に対する測定では 、試験条件下の抵抗値は０．７ミリオームであった。重量利得から層の厚さを概 算すると共に、Ｘ線分析で組成を定量した。

約５μｍの厚さの化合物層を形成した。

準備−チタンを１１０°Ｃで１時間アンモニアカスにさらして、約８μｍの厚さ の化合物１−を形成した。

抵抗値−１００グラムで５０ミリオーム。

組成−タンタルを１１００℃で１時間アンモニア中で反応させて、約１０μｍ厚 さの層を形成した。

抵抗値−１００グラムで１５０乃至２００ミリオーム。

実験例４ 組成−炭化チタン、ＴｉＣ０ 準備−チタンを９５０°Ｃで１時間アセチレンにさらして、約２μｍ厚さの層を 形成した。

１７９℃で１０分間、０３Ｌ６のセレンを含有するジクロロベンゼン溶液にさら して５μｍ厚さの被膜を形成した。

を、１８７℃で２時間半、窒素キャリヤカスを用いて、硫酸蒸気にさらして、１ ０μｍ厚さの被膜を形成した。

７．８ミリオーム。

変形実、験例では、反応物の状態を変えた。例えば、実験例５のＣｕｂｅ　につ いては窒素キャリヤを用いて類似の表面をセレン蒸気と反応させて、再現するこ とにより、実質的に等価の電気特性を得た。実験例６の物質については、ジクロ ロベンゼン溶液を用いて、融解硫黄と反応させる代替法によって再現することに より、実質的に等価の電気的特性を得た。

ンと９０４のＮ２ガスから成る雰囲気にさらして、約３５μｍ厚さの被膜を形成 した。

本発明による接点組底により、金、銀及び白金族金属類（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ　）の使用が回避されると説明したが、一般に、排他原理 は、とりわけ発明の主要目標である経済性に基づいている。本発明による機能物 質は、基体成分として存在する少くとも１種の反応物と、外部から導入される別 の反応物との原位置反応により生成される。外部から導入される反応物は、一般 に蒸気又は液体といった流体物質である。例えば、気相に夕１部反応物を導入し て、しかもその気化温度以下の温度で反応させるには、キャリヤを用いることが できる。

本発明の教示的様相は、従来の接点材料−一般に金−の薄ｊ→を、化合物ｌ＠で 置換するという着想によるものである。重要な教示により、ある層を別の層で代 用できると共に、これによって装置の再設計を最少又は回避することができる。

従来装置の金層又は含金層は、例えば電気めっき等の蒸着法により形成されてい るが、本発明による化合物は原位置反応により形成される。

本発明は、化合物組成の選定いかんで定まるものではない。技術文献には、ある 周囲環境における化合物の電気的特性の測定結果及び既知の安定性について報告 されている。例えば、窒化チタンに関する研究結果についてｔｆ’ｉ、ｌ　９８ ０　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｒｎｉｃａ ｌＳｏｃｉｅｔｙプロシーデイングスオブジェレクトロケミ力ル　ンサイアテイ （１９７９）の第３１６ページを見ると、体積抵抗率は、５０μΩｍであると報 告されている。この化合物は、通常の大気中において、通常の規定作動温度範囲 に亘って安定していることが知られている。

例えば、ＴｉＳｉ２　、ＴｉＳｉ　、ＺｒＳｉ　、ＶＳｉ２　、ＮｂＳｉ２　、 ＴａＳｉ２　。

ＦｅＳｉ　、ＣｏＳｉ□等の、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タ ンタル、鉄、コバルトのケイ化物、例えばＴ　ｉ　Ｃ、Ｔａ　Ｃ、ＷＣ、Ｗ２Ｃ 、ＭｏＣ、ＭＯ２Ｃ、Ｃｒ３Ｃ２，ＮｂＣ、ＶＣ、Ｈｆ　Ｃ。

ＺｒＣ，ＶＣ２、ＬａＣ２、ＰｒＣ２、ＮｄＣ２、ＳｍＣ２、Ｇｄ（４、ＴｂＣ ２。

Ｄ　ｙ　Ｃ２ｒ　Ｅ　ｒ　Ｃ２＋　Ｙ２　Ｃ３）　Ｌ　ａ　２　Ｃ３＋　ＣＣ２ Ｃ３＋　Ｎ　ｄ　２　Ｃ３等のチタン、タングステン、モリブデン、クロム、ニ オブ、パラジウム、ハフニウム、ジルコニウム、ランタン族金属類の炭化物、例 えばＴｉＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、Ｔａ２Ｎ、Ｃｒ２Ｎ、ＣｒＮ。

ＷＮ２．ＨｆＮ等のチタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、クロム、タング ステン、ハフニウムの窒化物、例えばＴｉＢ、ＴｉＢ２　、ＺｒＢ２．ＨｆＢ２ 　、Ｖ３Ｂ２　、Ｖ３Ｂ４　、ＮｂＢ、ＮｂＢ２　。

ＴａＢ、ＴａＢ４　、Ｃｒ３Ｂ２　、ＣｒＢ２　、Ｍｏ２Ｂ、ＭｏＢ２　等のチ タン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モ リブデンのホウ化物、及び種々のリン化物を含めた種々の化合物についでも、類 イυの情報を入手できる。

必要な電気的特性を有する化合物は、一般に、大気中即ち０２　＋　Ｂ２及びＢ ２０中では安定していることが知られているが、その他の考慮事項についても、 審議する必要がある。本発明を開示するに至った研究の過程で試験した化合物は 、Ｃ２及びＨＣｌと共に、硫黄を含むＢ２０゜８０２　、ｓｏ３．Ｈ２Ｓ等の周 囲物質の存在下で安定性を示した。

概して、本発明によって生成される接点の電気的特性は、上記化合物によるとこ ろが犬である。例えば１種の外部反応物と、例えば共に、異なる状態で本発明の 実施に適切な化合物を生成する２種以上の基体成分とを反応させるなどして、２ 種を越える反応物を用いて反応させることができる。本発明によって形成される 接点は、意図する化合物の他に何らかの物質を含有しているにせよ、少くとも初 期段階ではわずかじか含有していないと思われる。しかし構成体に意図しない物 質が含１八でいるかも知れない。実験例には、製造条件下で化合物層の自由接触 面に移動する基体原料が含捷れている。得られた混合物は、これ捷での経験に基 づく知識にたがわず、結果的に接触面の特性を高めているものと推測される。実 験例６によると、自由接触面を分析したところ、２重量パーセントのコバルトが 存在していることが判った。研死結果によると、表記の組成ＣｕＳの抵抗率は、 すす、鉄、亜鉛、マンガン、チタン、クロム、ニッケル、アルミニウム、シリコ ン、アンチモニ、及びコバルトが固溶体に含捷れる（１乃至１５重量パーセント の範囲）際に、増加した。

接触化合物を多量に含む相は、本発明の教示によると少くとも８５重量パーセン トの化合物で構成されていることが望ましい。一方、接触化合物を多量に含む相 に溶解しない程度の元素又は化合物を含む第２相を変化させても、接触抵抗に対 して直線的に作用するだけであるため、大男黙認できる。この種の第２相は、意 図的でなくとも良いし、寸だ物理的特徴を改変する目的で計画的に導入されたも のでも艮い。一般にこの種の第２相については、自由表面領域の３０壬までを占 める量に制限する必要がある。この限定量は、通常の環境下における最初の近似 値に対する重量パーセントとして表わされる。

組成の意図的変更には、化合づの形成後に添加される成分が含まれる。

実施ｉ＝では、金拡散によって、電気的及び機械的特性に優れた格付構造を得て いるが、反応中に反応物の組成を変えることによっても可能である。

４　手１１＠ 本発明の実施に適する化合物を形成する手順については実験例に示されている。

一般に外部反応物は流体状−蒸気又は液体の何れか−の基体反応物と接触される 。例えば結果的に所望の層厚が得られる適宜処理は、場合によってはキャリヤを 用いることで、外部反応物が流体又は蒸気状態でない温度で反応させ得ることを 示役している。

化合物の形成を約２５μｍ未満の厚さの層に限定するのが望ましいことが判って いる。電気的見地から、上記の様な性質の化合物は、通常化合物が形成される基 体より大きい体積抵抗率を有しているため、層厚が増す程直列抵抗が不必要に大 きくなる。さらに、ある種の含有組成の化合物層は、基板に対する密着性エリ小 さい凝集値を示し、現象的には層厚として逆変化する効果的な保全性が観察でき る。

ＣｕＳ及びＣｕ５ｅ　を除く全ての化合物は、試験の結果、反応物たけで偏成さ れる基板との反応により形成さ肛る様な所望の装置の作動を得るに充分な密層性 を備えていた。しかしＣｕＳおよびＣｕ５ｅ　の密層性は、付加的原料を含有す る基板上に形成される際に、実質的に同上した。

実験例５及び６は満足のいく装置要件を例示している。

ＣｕＳの密着性は、１５重量パーセント以上のコノＮルトを含有する基板に形成 される際に向上した。Ｃｕ５ｅの密層性は、例えば銅・ニッケル合金製の基板を 用いる、実験５１ｊ　６の変形例によって増加される。

同様に、例えば温度、圧力変動等の処理条件の変動により、組成が格付けされて 所望の構造となる。

上記の通り、主に接触面の形成に限定して訣、明したが、装置全体の構造にはＬ 把取外のものが要求されるため、延性を目安として基板組成を選ぶことによって 、冷間加工法による製造が可能になる。最少厚さについては基板の保護に基づい て決定する。単層構造は一般に不適切である。基板の保護度は、約３マイクロメ ータ１での層厚に対して著しく向上する。

図面の簡単な説明 第１Ａ、ＩＢ、２Ａ、、２Ｂ、３及び４図は、原位置形成された本発明による化 合物接触層を組入れた、アーク不発性型接点の斜視図である。

詳細な説明 第１Ａ図及び第１Ｂ図は、電話の受話器の相互接続に使用される構成−を有する ワイヤコネクタの横断面図及び側面図である。コネクタは、くほみ１１に収容さ れると共に、部品１２内で成形され、本発明により形成された接触面１４を備え るバネ部１３で終結するワイヤ１０で構成されている。相対ワイヤ１５は、埋金 １６及び１７をロックすることにより機械的に定置固定されており、同様に本屍 明による化合物接触層で被覆した、バネ部１８で終結している。部分１Ｂを矢印 １９で示す様に部分１Ａに挿入すると、バネ部１４及び１８は機械的かつ電気的 に接触する。

第２Ａ図及び第２Ｂ図に、回路板コネクタの断面図及び側面図である。第２Ａ図 には、基体２２及び接触層２３を有する本発明によるバネ接点２１を備えた、プ リント回路板のレセプタクル２０が示されている。設置の際は、第２Ｂ図の回路 板２５をレセプタクル２０のくほみ２４に挿入する。化合物接触面２６が接触層 ２３と係合すると接触が完了する。接触面２６は、基体２７との原位置反応によ り形成される。

第３図は、瞬間開閉接点の側面図である。基体３２及び３４上に形成された化合 物接触領域３０及び３１は、素子３３が実線で示す形状から点線で示す形状にゆ がむ際に、圧着される。

第４図は、化合物接触層４１を備える柱４０で構成されるワイヤ巻付式コネクタ である。ワイヤ４２は、従来の金めつきワイヤ又は本発明による層で表面を被覆 したワイヤである。

ＦＩＧ、　／ Ｆｌに、　Ｊ 補正書の写しく翻訳文）提出帯 （特許法第１８４条の７第１項） 昭和５８月　５月１１日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １特許出願の表示 ｐ　ＣＴ　／　Ｕ　Ｓ　８２　／　０１１５６２、発明の名称 電気接点を含む装置 ろ特許出願人 住　所　アメリカ合衆国　１００３８　ニューヨーク。

ニューヨーク、ブロードウェー　２２２５補正書の提出年月日　１９８６年１月 １７日６添付書類の目録 ７勺 特許請求の範囲 １　（補正後）少くとも一方が基体と前記基体と密接すると共に、第１相対而を 有する接触層とを備える、乾式回路作動条件用の相対電気接点から成り、前記相 対面と物理的に接触して電気的接続を行ら装置であって、前記接触層か、その第 １絵晶学的相を構成する化合物を生成すると共に、前記基体の一体部分であり、 かつ基体反応物と呼称される第１反応物かび反応中に導入される第２反応物を含 み、何れも白金族金属類、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム 、イリジウム、白金及び金で構成される群Ｚ・ら選択さｆ′ｌない反応物を用い る原位置反応から成る処理によって生成される第１絵晶学的相から成ることを特 徴とする。

２　請求の範囲第１項に記載の装置であって、前記第１結晶学的相が、前記化合 物の少くとも８５重量パーセントを構成することを特徴とする。

３　請求の範囲第２項に記載の装置であって、前記第１結晶学的相が、前記夷１ 相対面の面積の少くとも５０パーセントを占めることを特徴とする。

４、請求の範囲第３項に記載の装置であって、前記接触層が、前記反応に続いて 導入されるｖｌ質を含有する第２相を含むことを特徴とする。

５、請求の範囲第２項に記載の装置であって、前記結晶学的相が、実質的に前記 面積全体を占めること乞特徴とする。

６　請求の範囲第１．２．３．４あるいｔＩｉ５項の何れかにｄ己載の装置であ って、 前記化合物が、硫化物、セレン化物、炭化物、屋化物、ホウ化物、リン化物及び ケイ化物で構成される群から選択されることを特徴とする。

７　請求の範囲第６項に記載の装置であって、前記基体反応物が、銅、チタン、 タンタル、モリブデン、クロム、ニオブ、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウ ム、イツトリウム、ランタン族金属類、コバルト、ニッケル、及び鉄で構成され る群から選択される元素であることを特徴とする。

８、請求の範囲第６項に記載の装置であって、前記接触層の平均厚さが、１２０ マイクロメータ以下であることを特徴とする。

９、請求の範囲第８項に記載の装置であって、前記接触層の最大体積抵抗率がｌ Ｘｌ０−３０（７）であることを特徴とする。

１０誼求の範囲第５項に記載の装置であって、前記化合物が、銅、チタン、タン タノ呟モリブデン、クロム、ニオブ、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウム、 イツトリウム、ランタン族金属類、コバルト、ニッケル、及び鉄の、硫化物、セ レン化物、炭化物、呈化弘ホウ化物、リン化物、及びケイ化物で構成される群か ら選択されることを特徴とする。

１１　請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常の作動で前記相対面間を縦 続的に閉鎖することを特徴とする。

１２　請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常の作動で前記相対面間を間 欠的に閉鎖することを特徴とする。

１３島求の範囲第１項に記載の装置であって、通常の作動で、５０ミリアンペア の最高値を有する電気接触電流を流すことを特徴とする。

１４　請求の範囲第１１項に記載の装置であって、前記電流が２０ミリアンペア を越えないことを特徴とする。

１５、請求の範囲第１２項に記載の装置であって、前記電流が１０ミリアンペア を越えないことを特徴とする。

１６、請求の範囲第１項に記載の装置であって、前記第２反応物が、気相に導入 されることを特徴とする。

１７、請求の範囲第１５項に記載の装置であって、前記第２反応物が、その気化 温度以上であることを特徴とする。

１８、請求の範囲第１５項に記載の装置であって、前記第２反応−物が、その気 化温度以下であり、キャリヤで導入されることを特徴とする。

１９、請求の範囲第１項に記載の装置であって、前記第２反応物が液相状態で導 入さｎることを特徴とする。

２０９闇求の範囲第１８項に記載の装置であって、前記第２反応物が、融解して いることを特徴とする。

２］請求の範囲第１８項に記載の装置であって、前記第２反応物が溶液内にある ことを特徴とする。

２２　請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常に行われる作動でアーク元 止しないことを特徴とする特 許

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 】　少くとも一方が、基体と、該基体と密接すると共に第１相対面を備える接触 層とを有する相対電気接点から成す、＠記相対面との物理的接触により電気的接 続がなされる装置であって、 ＠記接触層は、従来の周囲に伴うエネル千−を用いてその第１結晶学的相を構成 する化合物を生成すると共に、前記基体の一体部分てあり、かつ基体反応物と呼 称される第１反応物と、反応時に導入される第２反応物を含む反応物を伴う原位 置反応から成る処理で生成される第１結晶学的相から成ることを特徴とする。 ２、請求の範囲第１項に記載の装置でろって、前記第１結晶学的相が、前記化合 物の少くとも８５重ｈ；−パーセントを構成することを特徴とする。 ３　請求の範囲第２項に記載の装置であって、前記第１結晶学的相が、前記第１ 相対面の面積の少くとも５０パーセントを占めることを特徴とする。 ４、請求の範囲第３項に記載の装置であって、前記接触層が、前記反応に続いて 導入される吻質を含有する第２相を含むことを特徴とする。 ５、請求の転回ｆ２項に記載の装置であって、前記結晶学凶相が、実質的に前記 面積全体を占めることを特徴とする。 ６、請求の範囲第１．２．３．４あるいは５項の何れ刀・に：ａｅ、の装置であ って、 前記化合物が、硫化物、セレン化物、炭化物、窒化物、ホウ化物、リン化物及び ケイ化物で構成される群から選択されることを特徴とする。 ７、請求の範囲第６項に記載の装置であって、前記基体反応物が、銅、チタン、 タンタル、モリブデン、クロム、ニオブ、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウ ム、イツトリウム、ランタン族金属類、コバルト、ニッケル、及び鉄で構成され る群から選択される元素であることを特徴とする。 ８、請求の範囲第６項に記載の装置であって、前記接触層の平均厚さが、１２０ フイクロメータ以下であることを特徴とする。 ９、請求の範囲第８項に記載の装置であって、前記接触層の最大体積抵抗率がｌ Ｘｌ０−３Ωのであることを特徴とする。 １０、請求の範囲第５項に記載の装置であって、前記化合物が、銅、チタン、タ ンタル、モリブデン、クロム、ニオブ、バナジウム、ハフニウム、ジルコニウム 、イツトリウム、ランタン族金属類、コバルト、ニッケル、及び鉄の、硫化物、 セレン化物、炭化物、窒化物、ホウ化物、リン化物、及びケイ化物で構成される 群から選択されることを特徴とする。 １１　請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常の作動で前記相対面間を継 続的に閉鎖することを特徴とする特 １２　請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常の作動で前記相対面間を間 欠的に閉鎖することを特徴とする。 １．３．　請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常の作動で、５０ミリア ンペアの最高値を有する電気接触電流を流すことを特徴とする◎ １４、請求の範囲第１１項に記載の装置であって、前記電流が２０ミリアンペア を越えないことを縛徴とする。 １５、　請求の範囲第１２項に記載の装置であって、前記電流がｌＯミリアンペ アを越えないことを特徴とする。 １６、請求の範囲第１項に記載の装置であって、前記第２反応物が、気相に導入 されることを特徴とする。 １７、請求の範囲第１５項に記載の装置であって、前記第２反応物が、その気化 温度以上であることを特徴とする。 １８　請求の範囲第１５項に記載の装置であって、前記第２反応物が、その気化 温度以下であり、キャリヤで導入されることを特徴とする。 １９、請求の範囲第１項に記載の装置であって、前記第２反応物が液相状態で導 入されることを特徴と２０　請求の範囲第１８項に記載の装置であって、前記第 ２反応物が、融解していることを特徴とする。 ２、特許請求の範囲第１８項に記載の装置であって、前記第２反応物が溶液内に あることを特徴とする。 ２２、請求の範囲第１項に記載の装置であって、通常に行われる作動でアーク発 生しないことを特徴とする。