JPS58500456A - 薄膜ストレーンゲージおよびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜伸び測定ストリップおよびその製造法技術水準 本発明は、請求の範囲第１項の種類による薄膜伸び測定ストリップから出発する 。このような伸び測定ストリップは、線状またはシート状の抵抗素子を有する慣 用の構造ならびに薄膜技術において公知である。この場合、弾性変形可能なばね 要素として、公知方法で片側または半径方向に変位可能、長手方向に伸長可能ま たは他の形式で変形可能のばね要素が、少なくとも１つの伸び感性抵抗と結合し て使用される。測定精度を高めるために、しばしば４つの伸び感性抵抗が一緒に 接続されて１つのホイートストンブリツノを形成している。

さらに、伸び測定ス）　ＩＪツブの抵抗素子を電気抵抗の温度係数の小さい材料 または組合せ材料から製造して、該素子の変位と同じ方法で認めうる温度変化に よる測定誤差をなくすることも公知である。慣用技術において、抵抗素子ならび にリード線の一部がコンスタンタンから製造されている伸び測定スリップは既に 使用されているが、この場合リード線において測定信号のロスが生じた。

本発明の利点 それに対して、請求の範囲第１項の特徴を有する本発明による薄膜伸び測定ス） 　ＩＪツブは多数の重大な利点を有する。殊に、リード線および抵抗領域の異な る温度係数によって生じる温度誤差は十分にさけられる。

この場合、実際に高い導体路抵抗を甘受する必要はなく、それとともに抵抗また はブリッジの測定感度の減小を甘受する必要もない。

種々の抵抗領域の間の低抵抗結線もそれに所属する接続線も同じ材料から製造で きるので、双方の誤差源はなくすことができる。熱による蒸着または陰極ス・ξ ツタを用いる種々の要素の製造によって、殊に薄膜技術で裁断しかつ同じ基板上 の他の薄膜回路に困難なしに集積可能である手段が得られる。製造工程はとくに 簡単である。外部の電気接続のための接続導体路の構造はその任意の形態を許容 するので、薄膜伸び測定ストリップの接触形式の変更可能性、たとえば接続に対 しては測定ブリッジの使用条件に応じてはんだ付け、接着または溶接による接触 形式も維持されている。

本発明による提案によって、とくに合理的な製造の範囲内で、薄膜伸び測定ス） 　ＩＪツゾおよび薄膜回路用の、強固に付着し、錫めっきおよび／または鉛めっ き可能および／またはめつきにより補強可能の金属化系からなる構造が得られる 。弾性変形可能のばね要素の表面の高価な前処理は、殊に２つの別個の工程でプ リントされた薄い高抵抗のガラス絶縁層を使用する場合には不要である。２重プ リントによって細孔を有しない絶縁層が得られ、この場合個々の暖は有利にそれ ぞれ焼付けられる。この焼付は工程は、付加的費用なし７８表昭５８−５００４ ５Ｇ（３） に、たとえばＣｕ、Ｂｅばね要素基板を同じ工程で硬化するために利用すること ができる。

図面 本発明の２つの実施例が図面に略示されがっ下記において詳述されている。第１ 図は伸び測定ストＩＪッゾヲ有するホイートストンブリツノの接続原理を示し、 第２図は薄膜伸び測定ス）　ＩＪツブブリッジの一方向に変位可能の構造を示し 、第３図は膜状のばね要素上の半径方向に変位可能の構造を示し、第４図は第２ 図のｒＶ−ＩＶ線による断面を示し、第５図は個々の要素に分割する前の、薄膜 測定ス）　ＩＪツブを有する多数のばね要素を有する構造を示す。

実施例の説明 第１図は、４つの伸び感性抵抗Ｒ，，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４を有するブリッジ回 路を示す。これらの抵抗は、低抵抗の短い結線Ｌ　１．　Ｉ　、　Ｌ　］、　２ 　、　Ｌ　２　］　、　Ｌ　２２　、　Ｌ　３１、Ｒ３２，Ｒ４１およびＲ４２ によって互いに電気的に接続されている。接続点がらは接続導体路Ｌ５゜Ｒ６， Ｒ７およびＲ８が外側の接触点に５．Ｒ６，に７およびに８に通じている。供給 型ＩＥＵは点に５およびに７に印加され、測定信号はブリッジの対角線上の接触 個所に６およびに８がら取出される。

抵抗Ｒ１〜Ｒ４は薄膜伸び測定ス）　ＩＪツブを形式し、これらはホイートスト ンブリツノ内に配置される；もちろん測定を個々の抵抗Ｒを用いて行なうことも でき、この場合測定信号は電圧変化としてこの抵抗から取出される。本発明によ る装置を用いると、殊に薄膜回路に集積可能で、たとえば力、圧力、道程１重さ または加速間の測定のために使用できる精密薄膜伸び測定装置が製造できる。測 定信号を弱めないために１種々の抵抗Ｒ１〜Ｒ４が低抵抗で互いに接続されてい てかつ接触個所に５〜に８への接続導体路Ｌ５〜Ｌ８もできるだけ低抵抗である べきである。しかし、低抵抗接続の要求とともに、温度変化の際にばね要素の見 掛けの伸張に相応する測定誤差が生じないようにするため、電気結線は、抵抗領 域の温度係数と実際に相違しない材料あるいは電気抵抗の温度係数を有する組合 せ材料からなるべきであるという極めて重要な要求が存在する。これは殊に、た とえば接着の理由から直接に伸張したばね要素領域中でブリッジの接触を行なう ことはできないので、長い導体路が必要であるときがそれである。この目的のた めに、抵抗Ｒ１〜Ｒ４だけでなく、低抵抗結線ＬＬｌ〜Ｌ４２および接続導体路 Ｌ５〜Ｌ８も１本来の抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗材料と異なる抵抗材料から製造され ている。銅、ニッケルまたは金のようなすべての常用の薄膜接触金属化材料ある いは良導電性金属の組合せ層も、これらが抵抗層の温度係数よりも１０００倍大 きい温度係数を有し、従って許容できない誤差を生じるので、精密薄膜伸び測定 ストリップには適当でない。

第２図は１本発明の第１の実施例を示し、この場合低抵抗結線Ｌｌｌ〜Ｌ４２な らびに種々の抵抗領域Ｒ１〜Ｒ４および所属する接読導体路Ｌ５〜Ｌ８は陰極ス ノξツタにより薄膜として設けられている。第２図による伸び測定ス）　ＩＪツ ゾは、図の右側部分で一方向に変位可能な装置として製造されており、これによ って抵抗Ｒ１およびＲ３の伸びが生じ、抵抗Ｒ２およびＲ４は変位の際大体にお いて不変のままである。

第３図は、半径方向の変位のために適当でありがったとえば破線で限られた範囲 が伸張可能な膜として構成されている、対称構造を有する薄膜伸び測定ス）　Ｉ Ｊタンプ造を表わす。第１図および第２図におけると同じ部分は同じ参照記号を 有する。この構造の場合、ブリッジ回路の４つの伸び測定ストリップは接線方向 に伸びる２つの抵抗Ｒ１およびＲ３ならびに半径方向に伸びる抵抗Ｒ２およびＲ ４から形成される。低抵抗の結ｉＬ１．１〜Ｌ４２および接続導体路Ｌ５〜Ｌ８ は別種の幾何学的形態に適合されかつ２つの異なる側へ導出されている。これら は、対称構造によってｆＭ定誤差を惹起しない。

第２図および第３図による構造の場合、伸び、感性抵抗Ｒ１〜Ｒ４，低抵抗結線 Ｌ　１１　＝Ｌ　４２および接続導体路Ｌ５〜Ｌ８に対する使用された抵抗材料 の抵抗温度係数（ＴＫＲ）は同じ程匣である。この場合、低抵抗結線Ｌｌｌ〜Ｌ ４２および接続導体路Ｌ５〜Ｌ８は、ス・ξツタまたは蒸着の際に残ガスから窒 素および／または空気が導入されているフンスタンタンからなる。伸び感性抵抗 Ｒ１〜Ｒ４には、同様にタンタルのス・ぐツタまたは蒸着の際に残ガス中の窒素 および／または空気との反応によって製造されかつドーピングされたフンスタン タンとほぼ同じ温度係数を有する窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ、　ＴａＮ）および／ または酸窒化タンタル（Ｔａ０ｘＮｙ　）　がとくに適当である。伸び感性抵抗 Ｒ１〜Ｒ４は薄い有機シート上に設けられていてもよく、該シートは殊に平らで ない表面を有するばね要素である場合、弾性変形可能のばね要素上に接着される 。第２図および第３図には、ばね要素の図示は省略されており、たとえば第２図 による構造に対し使用可能であるようなばね要素の形態は、あとでなお詳述する 第５図が示す。

被覆されたシートを用いてばね要素上に薄膜伸び測定ストリップを設けるよりも なお有利なのは、あらかじめ既に絶縁層を備えねばならないばね要素上へ直接に 蒸着またはスノξツタすることであり、とくに湾曲していない表面を有するばね 要素の場合に有利な方法である。この絶縁層は第４図から明らかであり、工で示 されている。第２図の線ＩＶ−ＩＶによる断面図から第４図による配置が生じ、 この場合基板として役立つばね要素はＳで示されている。ばね要素Ｓ上に絶縁層 重が強固に付着しており、その上に抵抗材料Ｒ，Ｒ３および該抵抗材料上に接続 導体路Ｌ７（この場合、接続線路に対する十分に低い抵抗を得るために相応する 幅および厚さのコンスタンタンから製造されている）が存在する。絶縁層Ｔは、 直接にばね要素Ｓ、殊に銅ベリリウム（ＣｕＢｅ）ばね板上に設けられている細 孔を有しない、薄い、高抵抗のガラス絶縁層からなる。

第５図は、第２図による個々の薄膜伸び測定要素の製造を説明する。個々の要素 は板１１から切取られ、この板は差当り大きい製造ユニットである。板１はＣｕ Ｂｅ　ばね材料からなりかつ第５図に示した構造においては、薄膜金属化技術お よび光エツチング技術で常用である約７．６　ｔｘ　Ｘ　７．６　ｃｍ　（３Ｚ ｏｌｌＸ　３　Ｚｏｌｌ）の大きさを有する。この板１１から、たとえばほぼ三 角形のはね要素１０１６個が製造できる。個々の要素１ｏを互いに分離するのは 、従来常用の分離エツチングとは異なり、分離押抜きの経済的方法によって行な われ、該方法は原則としては公知であるが、このような薄膜構造体の分離の際に はその脆性のためおよび分離の際の損傷による廃品のためにその方法による利点 にも拘らずこれまで使用されなかった。殊に分離押抜きの際には、さらにマスク エツチング法のための作業工程は不要であり、このマスクエツチング法は分離エ ツチングの場合多大の経費を表わす。分離押抜きは測定ブリッジ完成のためのす べての加工工程の実施後に行なわれる。この場合にはたんに、ガラス絶縁層■で 覆われた面およびそれとともに薄膜金属化部も押抜かれたすべての縁から少なく ともｔ　ｍ１ｔｔ除去されていることが重要であるにすぎず、これはスクリン印 刷法において何の困難も惹起しない。

方法によれば、薄膜伸び測定ス）　ＩＪツブの製造の場合に、ばね要素Ｓ上に設 けられた絶縁中間層■上に全面的に差当り抵抗層Ｒを設け、引続き抵抗材料、有 利にフンスタンタンからなる導電性層りを設けるノカトくに有利であることが立 証された。これらの層は蒸着またはス・ξツタすることができ、明細書の下記の 記載は陰極スーぐツタによって製造した層に関する。さらに、第２図または第３ 図による完成せる伸び測定ストリップに加工する場合、差当り第１エツチング工 程で抵抗領域および導体路領域の全体構造をつくり、引続き第２エツチング工程 で導体路材料を選択的に抵抗領域からエツチング除去する。基板が、ばね要素上 へあとから設けられるシートである場合には、このシートを金属化前に、可逆的 に安定な支持体、たとえばガラス板上に設けて、金属死後簡単に光エツチング工 程を実施することができるようにすることが推奨される。導体路領域Ｌｌｌ〜Ｌ ４２およびＬ５〜Ｌ８は、窒素および／または空気でドーピングされたコンスタ ンタンから、放電ガスとして窒素および／または空気が混和されているアルゴン 雰囲気中での反応ス・ξツタ法で設は化タンタル（Ｔａ２Ｎ、　ＴａＮ）または 場合により、抵抗層を形成する酸窒化タンタルへの変換が行なわれ、さらに引続 き窒素および／または空気でドーピングされた同じ雰囲気中で、導体路区間の製 造が行なわれる。後者の導体路区間は窒素および／または空気でドーピングされ 、この方法で抵抗層の温度係数とほぼ等しい温度係数を有するフンスタンタンか らなる。純粋なフンスタンタンは約−１０ｐｐｍ／’にの温度係数を有するが。

たとえば窒素１％を有する放電ガス中でスパッタされたコンスタンタンは−８０ ｐｐｔｎ／’にの温度係数ヲ有し、これはこの放電ガス組成下にス・ξツタされ た、抵抗用窒化タンタル層の温度係数に一致する。従って、抵抗層Ｒおよび導体 路層りを設けるのは同じ反応真空サイクル中で行なわれる。たとえば高周波ス・ ξツタ装置中の、タンタルおよびコンスタンタンからなる２つの異なる陰極を同 時にス・ξツタし、被覆すべきばね要素を運搬機構を用いてまずタンタル陰極、 次いでコンスタンタン陰極の傍を通過させることができる。

陰極の大きさおよびそれとともに異なるスノξツタ速度およびス・ξツタ時間を 用いて所望の厚さが実現され。

この場合フンスタンタン層のスノξツタと同時に、窒化タンタルまたは酸窒化タ ンタルからなる抵抗層の予備工−ノングが行なわれる。

絶縁層■は、スクリン印刷法で多重印刷の形式に従って順次に設けられ、引続き 焼付けられた少なくとも２つのガラス層からつくられる。２つまたは若干の別個 のスクリン印刷工程によって細孔を有しない絶縁層１が、その上にあるばね要素 Ｓの前処理なしに得られる。さらに、ガラス絶縁層■を焼付ける場合、多額経費 なしにばね要素Ｓの硬化が達成される。

導体路領域Ｌｌｌ〜Ｌ４２およびＬ５〜Ｌ８のコンスタン層は、必要な導電率を 確保するために十分な横断面を有する。第４図における構造は大きさの割合を略 示する：数１００μ程度の厚さを有する弾性変形可能の基板上に、差当り厚さ１ ５〜５０μのガラス絶縁層Ｉを強固に付着するようにプリントする。たとえば窒 化タンタルからなる抵抗層はく０１μの厚さ範囲内、有利に約０５μであり、そ の上にあるコンスタンクン層は約０２〜０５μの厚さを有する。この大きさは、 もちろんそのつどの使用事例に適合させねばならない。

従って１本発明による薄膜伸び測定ス）　ＩＪツブの構造によって、可変温度に おける測定抵抗の見掛けの伸びが抑圧される。さらに、測定ブリッジ中に種々の 抵抗を接続することによって、専らばね要素の熱膨張によって惹起され、従って 誤差を伴なう抵抗の変化が補償される。

最後に、提案された組合せ層の既述した利点とともになお非常に有利であるとし て強調されるのは、測定抵抗層上にコンスタンクン層のエツチング残分（たとえ ば光エッチングの際露光マスクにおける欠陥によって惹起される）がある場合、 測定抵抗はその温度係数が他の残分のないブリッジ抵抗と偶奇しないことである 。従来使用された接触層では、ブリッジ抵抗が補償されているにも拘らず、可変 の環境温度においてブリッジが精密測定から除外されるに到った。

ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、　３ ＦＩＧ、　５ 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８）昭和５７年１２月３日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、国際出願番号 ＰＣＴ／ＤＥ　８１１００２２８ ２　発明の名称 薄膜伸び測定ストリップおよびその製造法３、特許出願人 住　所　ドイツ連邦共和国　Ｄ−７０００ンユツットガルト　１１　ボストファ ソハ　５０ 名称　ローベルト　ゼツシュ　ゲゼルシャフト　ミツト　ペシュレンクテルハフ ツング 代表者　ラントンユトルフエル、　ルードルフ昭和５７年９月９日 ６　添付書類の目録 薄膜伸び測定ス）　ＩＪツブおよびその製造法技術水準 本発明は、請求の範囲第１項の種類による薄膜伸び測定ストリップから出発する 。このような伸び測定ストリップは、線状またはシート状の抵抗素子を有する慣 用の構造ならびに薄膜技術において公知である。この場合、弾性変形可能なばね 要素として、公知方法で片側または半径方向に変位可能、長手方向に伸長可能ま たは他の形式で変形可能のばね要素が、少なくとも１つの伸び感性抵抗と結合し て使用される。測定精度を高めるために、しばしば４つの伸び感性抵抗が一緒に 接続されて１つのホイートストンブリッジを形成している。

フランス国特許第２０５７２１５号から、種々の抵抗および低抵抗結線が同じ抵 抗材料から真空中でばね板上ヘスバッタされている薄膜伸び測定ス）　ＩＪツゾ は公知である。このような構造においては、連絡線および／または接続導体路の 電気抵抗は比較的高い。

スノξツタによってつくられる薄膜抵抗器はたとえばヨーロッパ公開特許第１６ ２５１号から公知である。

、ｍ　ノ刊行物には、タンタルとニッケルからなる温度依存性抵抗およびタンタ ルからなる温度非依存性抵抗が記載されている。

請　求　の　範　囲 １　少なくとも１つの伸び感性抵抗、有利にホイートストンブリッジ（第１図） に接続された４つの伸び感性抵抗（Ｒ，１〜Ｒ４）と結合している弾性変形可能 のばね要素（１０，Ｓ）を有し、その際抵抗器（Ｒ１−Ｒ４）および／または種 々の抵抗の間の低抵抗結線（Ｌ１１〜Ｌ４２）および／または所属する接続導体 路（Ｌ５〜Ｌ８）が熱による蒸着または陰極ス・ξツタによって設けられ、かつ 抵抗器（Ｒ１−Ｒ４）および／または低抵抗結線（Ｌ１１〜Ｌ４２）および／ま たは接続導体路（Ｌ５〜Ｌ８）に使用した抵抗材料の抵抗温度係数（ＴＫＲ）が 同じ程度の大きさである、力、圧力、道程、重さまたは加速度を測定するための 薄膜伸び測定ストリップ、殊に薄膜回路に集積可能な精密薄膜伸び測定ストリッ プにおいて、低抵抗結線（Ｌ１１〜Ｌ４２）および／または接続導体路（Ｌ５〜 Ｌ８）が、本来の抵抗器（Ｒ１−Ｒ４）′の抵抗材料と異なる抵抗材料からなる ことを特徴とする薄膜伸び測定ストリップ。

国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｉ　少なくとも１つの伸び感性抵抗、有利にホイートストンブリッジ（第１図） に接続された４つの伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）と結合している弾性変形可能の ばね要素（１０，Ｓ）を有する、力、圧力、道程、重さまたは加速麿を測定する ための薄膜伸び測定ス）　ＩＪツブ、殊に薄膜回路に集積可能な精密薄膜伸び測 定ストリップにおいて、抵抗器（Ｒ１−Ｒ４）および／または種々の抵抗領域の 間の低抵抗結線（ＬＬＩ−Ｌ４２）および／または所属する接続導体路（Ｌ５〜 Ｌ８）が熱による蒸着または陰：訴ス・ξツタによって設けられ、抵抗領域（Ｒ １−Ｒ４）以外に低抵抗結線（Ｌｌｌ、−Ｌ４２）および／または接続導体路（ ｒ、ｓ〜Ｌ８）も、本来の抵抗領域（Ｒ１−Ｒ４）の抵抗材料と異なる抵抗材料 からなり、かつ伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）および／または低抵抗結線（Ｌ１１ 〜Ｌ４２）および／または接続導体路（Ｌ５〜Ｌ８）に使用した抵抗材料の抵抗 温度係数（ＴＫＲ）は同程度の大きさであることを特徴とする薄膜伸び測定スト リップ。 ２　低抵抗結線（Ｌ１１〜Ｌ４２）および／または接続導体路（Ｌ５〜Ｌ８）が 窒素をトーラダせるコンスタンクンからなる、請求の範囲第１項記載の伸び測定 ストリッジ。 ３、伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）が窒化タンタル（Ｔａ　２Ｎ　。 ＴａＮ　）　および／または酸窒化タンタル（Ｔａ、Ｏｘ　Ｎｙ）からなる、請 求の範囲第１項または第２項記載の伸び測定ストリップ。 ４　伸び感性抵抗（Ｒ，］〜Ｒ４）が、弾性変形可能のばね要素（１０）上に接 着された薄い有機シート上に設けられている、請求の範囲第１項〜第３項のいず れか１項記載の伸び測定ス）　ＩＪツブ。 ５　伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）が、絶縁層（Ｉ）の挿入下にばね要素（１０， Ｓ）上に蒸着またはス・ξツタされている、請求の範囲第１項〜第３項のいずれ か１項記載の伸び測定ストリップ。 ６２つの伸張可能な抵抗領域（Ｒ１，Ｒ３）および２つの伸張しない抵抗領域（ Ｒ２，Ｒ４）を有する長方形配置のホイートストンブリッジの伸び感性抵抗（Ｒ １−Ｒ４）が、一方向に変位可能なばね要素（１０）上に設けられている（第２ 、特許請求の範囲第１項〜第５項のいずれか１項記載の伸び測定ストリ゛ンプ。 ７２つの接線方向に変位可能なほぼ半円形の抵抗領域（Ｒ１，Ｒ３）および２つ の半径方向に伸張可能なほぼＵ字形の抵抗領域（Ｒ２，Ｒ４）を有するホイート ストンブリンクの伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）が円形膜上に設けられている（第 ３図）、請求の範囲第１項〜第６項のいずれか１項記載の伸び測定ストリップ。 ８　伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）が、細孔を有しない高抵抗のガラス絶縁層（Ｉ ）を間挿して、ばね要素（Ｓ）、殊にＣｕ　Ｂｅばね板上に設けられている。請 求の範囲第１項〜第７項のいずれか１項記載の伸び測定ストリップ。 ９　少なくとも１つの伸び感性抵抗、有利にホイートストンブリツノに接続され た４つの伸び感性抵抗（Ｒ１−Ｒ４）と結合している弾性変形可能のばね要素（ １０，Ｓ）を有する、力、圧力、道程、重さまたは加速度を測定するための薄膜 伸び測定ス）　ＩＪタンプ殊に薄膜回路に集積可能な精密薄膜伸び測定ストリッ プの製造法において、ばね要素（Ｓ）上に設けられた絶縁中間層（Ｉ）上に、全 面的にまず１つの抵抗層（Ｒ，Ｒ１−Ｒ４）、引続き抵抗材料、有利にコンスタ ンタンからなる１つの良導電性層（Ｌ、Ｌ１１〜Ｌ４２　、Ｌ５〜Ｌ８）を蒸着 またはス・々ツタし、第１エツチング工程でまず抵抗領域および導体領域の全体 構造をつくり、引続き第２エツチング工程で良導電性材料（Ｌ）を抵抗領域（Ｒ １−Ｒ４）から選択的に腐食することを特徴とする薄膜伸び測定ストリップの製 造法。 １０　導体路領域（Ｌ１１〜Ｌ４２．Ｌ５〜Ｌ８）を、窒素および／または空気 をドーピングせるコンスタンクンから、窒素および／または空気を混和せる放電 ガス中で反応スノξツタ法で設け、この場合放電ガ特表昭５８−５００４５６（ ２） スト−ピングを、適当な分量の窒素および／または空気がコンスタンクン層中へ 導入されるように調節し、窒素および／または空気をドーピングしたコンスタン タン層の抵抗温度係数を、その下にある抵抗層の抵抗温度係数にほぼ等しくする 、請求の範囲第９項記載の方法。 １１、抵抗層（Ｒ）を、窒素および／または空気を添加した雰囲気中でのタンタ ルの反応性蒸着またはス・ξツタによって窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ、　ＴａＮ） または酸窒化タンタル（Ｔａ、Ｏｘ　Ｎｙ）としてつくり、熱処理工程で予備エ ージングする、請求の範囲第１０項記載の方法。 １２　抵抗層（Ｒ）および導体路層（Ｌ）を設けるのを、２つの異なる陰極およ び異なるス・ξツタ速度を有する同じ高周波ス・ξツタの反応真空サイクルで行 なう、請求の範囲第１０項または第１１項記載の方法。 １３　絶縁層が多重印刷の形式によりスクリン印刷法で順次に設けられ、引続き 個々に焼付けられた２つのガラス層からつくる請求の範囲第１０項〜第１２項の いずれか１項記載の方法。 １４　ばね要素（１０，Ｓ）を、ガラス絶縁層（１）を焼付ける際に硬化させる 、請求の範囲第１３項記載の方法。 １５　標準基板（１１）上につくられた若干・の個々の要素（１０）の分離を、 すべての加工工程の実施後押抜きによって行なう、請求の範囲第９項〜第１４項 のいずれか１項記載の方法。