JPS585002A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
- Publication number
- JPS585002A JPS585002A JP6912382A JP6912382A JPS585002A JP S585002 A JPS585002 A JP S585002A JP 6912382 A JP6912382 A JP 6912382A JP 6912382 A JP6912382 A JP 6912382A JP S585002 A JPS585002 A JP S585002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- conductive patterns
- recessed groove
- high frequency
- frequency circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高周波回路装置に関する。
一般に高周波帯域特に超高周波領域で使用される回路装
置では信号伝送路における浮遊容量、容龜イ３／ＩＩタ
ンス１１ｍ！１）岬によ為−１Ｉボ大自Ｖ％ためストν
ツツティンによりてＩｌ夛Ｏｆｃ違會行なうヒとが一毅
に行なわれて−１・′ス１ツ１ツィｙは周知Ｏ如＜５ｖ
ｉａ板Ｏ哀漏金体に綾總導体を被着ｊＩ！威し％総ａ基
板の表−儒に或為巾を有する導電Ａ／−ンを瀞威し％と
のｉ電パターンｋｌＩ地導体とｋようて或り伝道インビ
ーメｙスを有するスト曹ツプツイｙがＩＩＩ成されるも
のであｈｅｍ ｔｏ伝道イシビーダｙｘ捻導電バターｙ
ｏ巾及び絶縁基板の厚１及び七〇ＩＮ電率喀によ妙決ま
伽１他〇−路とイｙビーメンス馨合がとれ良状態では損
失なく高肩波儒ｔｏ伝送が行なわれ為。
置では信号伝送路における浮遊容量、容龜イ３／ＩＩタ
ンス１１ｍ！１）岬によ為−１Ｉボ大自Ｖ％ためストν
ツツティンによりてＩｌ夛Ｏｆｃ違會行なうヒとが一毅
に行なわれて−１・′ス１ツ１ツィｙは周知Ｏ如＜５ｖ
ｉａ板Ｏ哀漏金体に綾總導体を被着ｊＩ！威し％総ａ基
板の表−儒に或為巾を有する導電Ａ／−ンを瀞威し％と
のｉ電パターンｋｌＩ地導体とｋようて或り伝道インビ
ーメｙスを有するスト曹ツプツイｙがＩＩＩ成されるも
のであｈｅｍ ｔｏ伝道イシビーダｙｘ捻導電バターｙ
ｏ巾及び絶縁基板の厚１及び七〇ＩＮ電率喀によ妙決ま
伽１他〇−路とイｙビーメンス馨合がとれ良状態では損
失なく高肩波儒ｔｏ伝送が行なわれ為。
とζろで共通Ｏ絶縁基板上Ｋ１１ｌ歇のスジリップツイ
ンを形成すると、絶縁基板ｏ＊＊ｗｃｙｓ成し九値歇の
導電パターンの榴互間において寄生容量が生じ１ζＯｗ
生宴量によりて偏量Ｏ―誦或は減衰がｇ＊為欠点がある
。ζＯため従来は複数の導電パターンＯＩ互聞の対崗距
■を大自（動機にしてこＯｓ間寄生容量が充分小１（な
為ようにしているがこのようＫし丸場舎には鉋着基ＷＯ
脂穂が大量（な艶小濡化の一書となりてい為・ 第１ｍはとの従来―奄示し寓この例で嬬高肩波用トチｙ
ジス−の客１１にクーて諷−す為も１閣中１紘偶見ば竜
ツ者ツク等の絶縁基Ｉ［％意はζＯ總拳基板１の哀聞Ｏ
金体に被着し大ストリクプツイｙｅｓ地導体ｔｉｓ威す
為メタライズ層ｓ ｇ” ６ ｇ” ＠ｒは絶輪基１ｉ
ｔＯ表側Ｋｍｌ成し良導電パターンで６ ｈ ｅこれら
の導電パターン２’、２＠、ｒと裏傭Ｏメタライズ層２
とＫよ勤夫々がストリップツインな構成し１！Ｉ電パタ
ーンＶ上に半導体重子％例えはパイポーラトランジスタ
３を取付け％ζａｙｓ電Ａターｙｒを璽しタタ電極とな
し−こｅ＊ｗパターｙｖ會這じてトランジスタ畠のツレ
タタに１１６れる信号を伝送し、叉はツレフタＫ１ｔ号
を供給する如くなし１壕九導電パターン！”、！！”Ｋ
は夫々トランジスタ３の導電ツタとペースをＩｙデｙｌ
＠４に′Ｃ綾絖し１導電パターン２＠＃ｆを道じてトラ
ンジスタＩＫｍする信号の授受を行なうようにして％／
％為。従うてストリップラインを進じてトランジスタ３
ボ動作するようにしトツｙｉＰメタ３に対する信号路の
インピーダンス益金を採るようにしてい為。
ンを形成すると、絶縁基板ｏ＊＊ｗｃｙｓ成し九値歇の
導電パターンの榴互間において寄生容量が生じ１ζＯｗ
生宴量によりて偏量Ｏ―誦或は減衰がｇ＊為欠点がある
。ζＯため従来は複数の導電パターンＯＩ互聞の対崗距
■を大自（動機にしてこＯｓ間寄生容量が充分小１（な
為ようにしているがこのようＫし丸場舎には鉋着基ＷＯ
脂穂が大量（な艶小濡化の一書となりてい為・ 第１ｍはとの従来―奄示し寓この例で嬬高肩波用トチｙ
ジス−の客１１にクーて諷−す為も１閣中１紘偶見ば竜
ツ者ツク等の絶縁基Ｉ［％意はζＯ總拳基板１の哀聞Ｏ
金体に被着し大ストリクプツイｙｅｓ地導体ｔｉｓ威す
為メタライズ層ｓ ｇ” ６ ｇ” ＠ｒは絶輪基１ｉ
ｔＯ表側Ｋｍｌ成し良導電パターンで６ ｈ ｅこれら
の導電パターン２’、２＠、ｒと裏傭Ｏメタライズ層２
とＫよ勤夫々がストリップツインな構成し１！Ｉ電パタ
ーンＶ上に半導体重子％例えはパイポーラトランジスタ
３を取付け％ζａｙｓ電Ａターｙｒを璽しタタ電極とな
し−こｅ＊ｗパターｙｖ會這じてトランジスタ畠のツレ
タタに１１６れる信号を伝送し、叉はツレフタＫ１ｔ号
を供給する如くなし１壕九導電パターン！”、！！”Ｋ
は夫々トランジスタ３の導電ツタとペースをＩｙデｙｌ
＠４に′Ｃ綾絖し１導電パターン２＠＃ｆを道じてトラ
ンジスタＩＫｍする信号の授受を行なうようにして％／
％為。従うてストリップラインを進じてトランジスタ３
ボ動作するようにしトツｙｉＰメタ３に対する信号路の
インピーダンス益金を採るようにしてい為。
このように間−の絶縁基板ＩＫ！シツツ１ラインを構成
すみ複数の導電パターンｚ”、ｘ”、ｇ”を形成すると
、ヒれら導電パターンｘ＊ ＋ １ｍ、雪０−ｒ及び亀
１−ｒ闇に夫々寄生容量０１＊Ｏ１＊０１が生じ、従っ
てトランジスタの＝レフターエミッタ閾、；シタターペ
ース間或はペースーエ建ツタＩＱＩＫヒれら０１１＆容
量’１ ｗ ａ、 Ｉ ａｍが付加され亀高肩波域Ｋｓ
Ｐけるトランジスタの動作を阻害し１正常に動作する周
波数が低く抑えちれてしまう欠点が番るΦこの丸め書生
容量’ｌ ｍ ０１＊ ０１を小さくする友めには導電
パターン２＠、？！”、ｔ”０対向間−を大暑くす為こ
とも考えられるが１基板厚状が大暑くなりてしｔう・こ
れを避叶ゐ−っ０７法として従来では例えば第意図に示
す如く、各導電バターｙ ｔ ＃８１及び２”−１”の
夫々０間に接地導体ｓ 、 ｓ”を設けることが考えら
れているが−このようにしても先ＫＩＩＩＩＬ丸寄生賽
量０＊ ｅ （ｈ ＊ Ｏｎ ＃＠となることはなく１
然も基ｗｔｏ屋状４小身化で會ない欠点がある。
すみ複数の導電パターンｚ”、ｘ”、ｇ”を形成すると
、ヒれら導電パターンｘ＊ ＋ １ｍ、雪０−ｒ及び亀
１−ｒ闇に夫々寄生容量０１＊Ｏ１＊０１が生じ、従っ
てトランジスタの＝レフターエミッタ閾、；シタターペ
ース間或はペースーエ建ツタＩＱＩＫヒれら０１１＆容
量’１ ｗ ａ、 Ｉ ａｍが付加され亀高肩波域Ｋｓ
Ｐけるトランジスタの動作を阻害し１正常に動作する周
波数が低く抑えちれてしまう欠点が番るΦこの丸め書生
容量’ｌ ｍ ０１＊ ０１を小さくする友めには導電
パターン２＠、？！”、ｔ”０対向間−を大暑くす為こ
とも考えられるが１基板厚状が大暑くなりてしｔう・こ
れを避叶ゐ−っ０７法として従来では例えば第意図に示
す如く、各導電バターｙ ｔ ＃８１及び２”−１”の
夫々０間に接地導体ｓ 、 ｓ”を設けることが考えら
れているが−このようにしても先ＫＩＩＩＩＬ丸寄生賽
量０＊ ｅ （ｈ ＊ Ｏｎ ＃＠となることはなく１
然も基ｗｔｏ屋状４小身化で會ない欠点がある。
ζＯ１ａ＠０＠的は寄生容量０値ｔ＋−ｇ ＜然４ＩＩ
％―化が可能なこの穂高周波−路装置を提案するもので
ある。
％―化が可能なこの穂高周波−路装置を提案するもので
ある。
即ちζＯＩＩ＠では共通の絶縁基板上Ｋｌｔ黴の導電バ
ターｙを形威し、この導電Ａ声−ｙを高周波儒号Ｏ伝送
路として使用する高肩波麿踏装置にお−て、ＩＬＫＩＩ
Ｉ！して＾な為電位関係に−１導電バターｙ６間に！＃
を１１５１１１夏ｘｓ＊＊ｔｉ導電パｔのであ為・ 以下ζＯ幾−の一夷總偶をｍ５ｓｘ下を眉いて１１ＦＩ
ＩＫＩＩ−する・ 嬉ｓＩＩの偶は第１ｍ１（＞場合とＭ榔に亭導体装置Ｍ
ｅ）！ＩＮＫ遺Ｍしｆ１３舎を示Ｌ、ｊｌｌｌｌと対応
する部分には同−ｌｆ号を付し１そ０１１１１１１１−
は噛略す為も％ｌは絶１１！ｉｌＥ、 ！はストリップ
ティ）１０皺地導体％露”＊ｆｌ’ｅｔ”は夫々ストリ
ップツインの偏量伝送路を榔鴫する導電パターン１ｓは
半導体素子、例えばトランジスタである。トランジスタ
３は導電パターン２・上にマクントされ一ヒＯ導電パタ
ーン２−をツレタり電櫃とし電値の導電パターン雪・、
Ｖ謔夫々ボンデ）／／ＩＩ４にてトツｙジスタ識子３０
工電ツタとベースＫｌ！続する・従りてこれら複数の導
電パターン意・、２・、ｒ紘トツｙ？スー３の動作状態
においては夫々異なりえ電位関係に保持１れる。
ターｙを形威し、この導電Ａ声−ｙを高周波儒号Ｏ伝送
路として使用する高肩波麿踏装置にお−て、ＩＬＫＩＩ
Ｉ！して＾な為電位関係に−１導電バターｙ６間に！＃
を１１５１１１夏ｘｓ＊＊ｔｉ導電パｔのであ為・ 以下ζＯ幾−の一夷總偶をｍ５ｓｘ下を眉いて１１ＦＩ
ＩＫＩＩ−する・ 嬉ｓＩＩの偶は第１ｍ１（＞場合とＭ榔に亭導体装置Ｍ
ｅ）！ＩＮＫ遺Ｍしｆ１３舎を示Ｌ、ｊｌｌｌｌと対応
する部分には同−ｌｆ号を付し１そ０１１１１１１１−
は噛略す為も％ｌは絶１１！ｉｌＥ、 ！はストリップ
ティ）１０皺地導体％露”＊ｆｌ’ｅｔ”は夫々ストリ
ップツインの偏量伝送路を榔鴫する導電パターン１ｓは
半導体素子、例えばトランジスタである。トランジスタ
３は導電パターン２・上にマクントされ一ヒＯ導電パタ
ーン２−をツレタり電櫃とし電値の導電パターン雪・、
Ｖ謔夫々ボンデ）／／ＩＩ４にてトツｙジスタ識子３０
工電ツタとベースＫｌ！続する・従りてこれら複数の導
電パターン意・、２・、ｒ紘トツｙ？スー３の動作状態
においては夫々異なりえ電位関係に保持１れる。
ヒＯ発ｍＫｋいてはこのように共過Ｏ絶縁基板上ＫＴｈ
いて瓦Ｋ１４なつえ電位関係に番）１この間溝を示し１
凹濤・はこの例で杜導電パターン＝１−このようＫＩ！
！＄６を形成することｋよ勤導電パｐ −ｙ ２” −
ｔ＠ｚびｚ’−ｒｍｏｍ電皐は凹溝６内の空気によって
激減し１（空気Ｏ鱒電串は略々１でこれに対しセラミツ
タのそれは１０〜・）従ってこれら導電パターン２＠、
−２ｍ及びＺ＠−’ＩＰ’１Ａｃ）静電容量を充分養畜
（することがでＩＩＩ箋導電バターｙｖ−意１及び雪１
−ｒ間の夫々の対向間−を小さくしてもＩｌ来の場合よ
妙靜電容量を小さくできるから１それにけ壕九ボンデｙ
ダー４ｔ！ＩＩか（で亀１これによるインダタタンス成
分を小１〈で龜る。よって小身、でかり高ｊｌＩ波時性
に優れた高周波園路装置をＷ＊することがで自る。
いて瓦Ｋ１４なつえ電位関係に番）１この間溝を示し１
凹濤・はこの例で杜導電パターン＝１−このようＫＩ！
！＄６を形成することｋよ勤導電パｐ −ｙ ２” −
ｔ＠ｚびｚ’−ｒｍｏｍ電皐は凹溝６内の空気によって
激減し１（空気Ｏ鱒電串は略々１でこれに対しセラミツ
タのそれは１０〜・）従ってこれら導電パターン２＠、
−２ｍ及びＺ＠−’ＩＰ’１Ａｃ）静電容量を充分養畜
（することがでＩＩＩ箋導電バターｙｖ−意１及び雪１
−ｒ間の夫々の対向間−を小さくしてもＩｌ来の場合よ
妙靜電容量を小さくできるから１それにけ壕九ボンデｙ
ダー４ｔ！ＩＩか（で亀１これによるインダタタンス成
分を小１〈で龜る。よって小身、でかり高ｊｌＩ波時性
に優れた高周波園路装置をＷ＊することがで自る。
＆４４益 −
丈１′−
１ｍ ！！Ｉ ＠ ６ ｔＤ低−Ｋｍｌ電層７を形１１
１Ｌ１ｅ０１１１電ら 鵞た回連・の形成方法としては第１図に示す如く例えｄ
ｃ１２ｋｌｌｌ＋７Ｎ廖のアルセナグリーンシートｌの
裏向金体に導電層２を形成すると共Ｋ（Ｌ雪暴ψ厚のア
ル建ナグリーンシート１°に孔・′を形成し１孔ｖｔ挾
んでその両傭に導電バターｙ ｇＩ−ｇｌ管形成し、こ
の例ではこれら導電パターンｆｉｔ−１１０阿伽に導電
パターンｒを＃或し％ｉＩＷ者を重ねて例えば１＠ｌｓ
Ｏ”４０４元雰囲気で焼結することくよ抄シート１及び
１８を一体化し１孔６′にて回連６を −■ 形成するようにしてもよい。そして第一図に示す□如く
トランジスタ素子３を導電パターン２” 上Ｋ ｆｆウ
ントし、ボンデング−４にて例えば工ｔツタを導電パタ
ーン２”Ｋ ｇＩ絖し１ベースを導電パターンこのよう
にして得られた高層波層トランジスタＯＮ特性を測定し
九ところ１！！Ｉ壽６を形成しないセラミツタ基板によ
ってＩＩ痕し九トランジスタと比較してａパラメータに
おいてｌ １ｉｓｔ ｌ” ｄ本発明を適用することｋ
よ抄釣２０％の利得増が舅められ、且つコレタタとベー
ス間の容量は約４０％減少した事が分つ良、を良導電パ
ターン２＠−１”１％２１０距聰紘ｌ！Ｉ霞６かない場
合と岡等の容量値にするには回連６を設けることによっ
て約丁に縮めることがで自る。従ってトランジスタ素子
３と導電パターｙ ｆｌ＠との間を結ぶボンデング１１
１４は短かくでき一仁の間のイシ〆クタンスを減少させ
ることができ、それだけ損失を小さくで會ることがＩｉ
＠され九。
１Ｌ１ｅ０１１１電ら 鵞た回連・の形成方法としては第１図に示す如く例えｄ
ｃ１２ｋｌｌｌ＋７Ｎ廖のアルセナグリーンシートｌの
裏向金体に導電層２を形成すると共Ｋ（Ｌ雪暴ψ厚のア
ル建ナグリーンシート１°に孔・′を形成し１孔ｖｔ挾
んでその両傭に導電バターｙ ｇＩ−ｇｌ管形成し、こ
の例ではこれら導電パターンｆｉｔ−１１０阿伽に導電
パターンｒを＃或し％ｉＩＷ者を重ねて例えば１＠ｌｓ
Ｏ”４０４元雰囲気で焼結することくよ抄シート１及び
１８を一体化し１孔６′にて回連６を −■ 形成するようにしてもよい。そして第一図に示す□如く
トランジスタ素子３を導電パターン２” 上Ｋ ｆｆウ
ントし、ボンデング−４にて例えば工ｔツタを導電パタ
ーン２”Ｋ ｇＩ絖し１ベースを導電パターンこのよう
にして得られた高層波層トランジスタＯＮ特性を測定し
九ところ１！！Ｉ壽６を形成しないセラミツタ基板によ
ってＩＩ痕し九トランジスタと比較してａパラメータに
おいてｌ １ｉｓｔ ｌ” ｄ本発明を適用することｋ
よ抄釣２０％の利得増が舅められ、且つコレタタとベー
ス間の容量は約４０％減少した事が分つ良、を良導電パ
ターン２＠−１”１％２１０距聰紘ｌ！Ｉ霞６かない場
合と岡等の容量値にするには回連６を設けることによっ
て約丁に縮めることがで自る。従ってトランジスタ素子
３と導電パターｙ ｆｌ＠との間を結ぶボンデング１１
１４は短かくでき一仁の間のイシ〆クタンスを減少させ
ることができ、それだけ損失を小さくで會ることがＩｉ
＠され九。
またこの場合に第虜図に示す如く四−６の底暉′［１１
電層を形成し、この導電層をスルーホールにて裏＠０＊
地導体２に接続することにより％１パラメータの１８ｔ
ｔｌ”においてＩｌ！に１０％の利得増がある事が分っ
た。
電層を形成し、この導電層をスルーホールにて裏＠０＊
地導体２に接続することにより％１パラメータの１８ｔ
ｔｌ”においてＩｌ！に１０％の利得増がある事が分っ
た。
一方上述においてはこの発明をトランジスタの容器に適
用した場合について説明したが、他の応用例として、例
えば第８図に示す如く、同一絶縁基板１に多数のストリ
ップライン用導電パターン２′、２″、２″′、２″″
が互に平行して形成されているような場合には各導電パ
ターン２′、２″、２″′、２″″の夫々の間に凹溝６
を形成すれば、各導電パターン２′、２″、２″′、２
″″の相互間の結合を小さくできる。勿論溝内にはしゃ
へい導体を設ける方がよい。
用した場合について説明したが、他の応用例として、例
えば第８図に示す如く、同一絶縁基板１に多数のストリ
ップライン用導電パターン２′、２″、２″′、２″″
が互に平行して形成されているような場合には各導電パ
ターン２′、２″、２″′、２″″の夫々の間に凹溝６
を形成すれば、各導電パターン２′、２″、２″′、２
″″の相互間の結合を小さくできる。勿論溝内にはしゃ
へい導体を設ける方がよい。
尚ストリップラインに限らず例えば高周波回路用プリン
ト基板等において信号線と接地線とが平行して形成され
る場合に、この信号線と接地線との間に凹溝６を形成し
しゃへいすることにより、これら間の寄生容量を小さく
できる。本発明はこのような場合にも適用できること容
易に理解できよう。
ト基板等において信号線と接地線とが平行して形成され
る場合に、この信号線と接地線との間に凹溝６を形成し
しゃへいすることにより、これら間の寄生容量を小さく
できる。本発明はこのような場合にも適用できること容
易に理解できよう。
第１図はこの発明を適用して好適な従来の高周波回路装
置の一例を示す断面図、第２図は従来の高周波回路装置
において電極間寄生容量を除去する手段の一例を示す断
面図、第３図はこの発明の一実施例を示す断面図、第４
図乃至第５図はこの発明の他の実施例を示す断面図、第
６図はこの発明を適用した高周波回路装置の製法の一例
を説明するための分解斜視図、第７図はこれによって得
られた高周波回路装置の断面図、第８図はこの発明の更
に他の実施例を示す斜視図である。 １：絶縁基板、２：ストリップラインの接地導体、２′
、２″、２″′、２″″：ストリップラインの信号伝送
用導電パターン、３：半導体素子、６：凹溝。 第 ４ 目 輩 ５ 目 １ 第 ６ 問
置の一例を示す断面図、第２図は従来の高周波回路装置
において電極間寄生容量を除去する手段の一例を示す断
面図、第３図はこの発明の一実施例を示す断面図、第４
図乃至第５図はこの発明の他の実施例を示す断面図、第
６図はこの発明を適用した高周波回路装置の製法の一例
を説明するための分解斜視図、第７図はこれによって得
られた高周波回路装置の断面図、第８図はこの発明の更
に他の実施例を示す斜視図である。 １：絶縁基板、２：ストリップラインの接地導体、２′
、２″、２″′、２″″：ストリップラインの信号伝送
用導電パターン、３：半導体素子、６：凹溝。 第 ４ 目 輩 ５ 目 １ 第 ６ 問
Claims (1)
- 絶縁基板上に導電性パターンを被着形成し、該導電性パ
ターンを高周波信号の伝導路として使用するようにした
高周波回路装置において、上記導電値パターンの内の少
なくとも互に異なる電位関係にある導電性パターンの間
に凹溝を形成し、この凹溝内に前記少なくとも互に異な
る電位関係にある導電性パターンの間をしゃへいする電
位が与えられた導体層を形成したことを特徴とする高周
波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6912382A JPS5840361B2 (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6912382A JPS5840361B2 (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 高周波回路装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49058959A Division JPS50151445A (ja) | 1974-05-24 | 1974-05-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585002A true JPS585002A (ja) | 1983-01-12 |
| JPS5840361B2 JPS5840361B2 (ja) | 1983-09-05 |
Family
ID=13393550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6912382A Expired JPS5840361B2 (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840361B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251902A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Junkosha Co Ltd | 伝送回路 |
| JPH0536903U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フイルタ |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP6912382A patent/JPS5840361B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251902A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Junkosha Co Ltd | 伝送回路 |
| JPH0536903U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フイルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840361B2 (ja) | 1983-09-05 |
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