JPS58500020A - 半導体化合物単結晶の形成と生長を行うための方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体化合物単結晶の形成と 生長と容行うための方法と装置 本発明は、半導体単結晶を生成させるだめの方法と装置とに関し、特に化合物か ら成立つ元素反応物と化合物の種結晶とを採用して形成したｍ−ｖ族、あるいは ＩＩ−Ｖｌ族の化合物を生長させる方法に関する。

発光ダイオード、トランジスタ、ダイオード、ならびに同様なデバイスの基板と して使用されるべき単結晶半導体化合物を生成するためには、さまざまな試みが なされている。これらの化合物は、周期率表の■族の元素と■族の元素、あるい は夏族の元素と■族の元素の組合わせにより形成される。これらの元素は、与え られた温度で全く異なった蒸気圧を有するだめ、特に市販の量産半導体デバイス 用の基板として使用するに十分な大きさの化合物単結晶を形成することは極めて 困難である。さらに、先行技術のプロセスでは再現性がほとんどない。

垂直形温度勾配式凍結法によるほか、ツオクラルスキーＣｚｏｃｈｒａ　ｌ　ｓ ｋ　ｉ結晶生長法とブリッジマン−ストックバーガーＢ口ｄｇｅｍａｎ　−Ｓｔ ｏｃｋｂａｒｇｅｒ法とを含む種々の技術が結晶の生長に採用されている。

米国特許第３，６１５，２０３号では、ｌ−■族化合物単結（２） 晶の形成と生長の方法を開示している。しかしながら、１−Ｖ族化合物の単結晶 種材料は採用されていなく、この方法を使って得られた単結晶の方位は予知でき ない。結晶の種の材料から予知できる方位を有する単結晶においては、その元素 から希望する化合物を形成できる技術が希望される。

１−Ｖ族、あるいはＩＩ−Ｖｌ族の単結晶を生長させるだめのツオクラルス牛− Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法では、これらの化合物の組成と、それらの構成元素の 蒸気圧の相違とにより、ある範囲内で成功を納めているにすぎない。

米国特許第４　、０Ｂ３　、７４８号では、希望する半導体化合物を同時に合成 し、Ｉｔ−Ｖｌ族、あるいはＩ−Ｖ族から成立つ半導体化合物単結晶を生長させ るための方法と装置とを記載したものである。ここに開示した方法は■族あるい は■族から成立つ牙１の反応物の近傍に半導体化合物単結晶の種を配置して成立 つものである。

■族あるいはＶ族の元素の矛２の反応物から得られた保護ブランケットは、矛１ の反応物から溶解した結晶の種を保護するための温度領域の範囲内で結晶の種全 体にわたって形成されでいる。上記温度領域の範囲内で矛１の温度における融成 物を形成するため、ならびに上記温度領域の範囲内で矛２の温度における結晶の 種の上の融成物から単結晶を合成して成長させるために反応物に！合している。

この方法により、予知可能（３） な方位を有する単結晶を合成して成長させることができる。しかしながら、不完 全な合成は出発材料の浪費を招き、例えばガリウム燐の場合には、成長された結 晶に散乱された金属状ガリウムが組合さることが、数限られた結果から示されて いる。

本発明は従来方式の装置を変え、比較的転位密度が低く、多くの実例では広面積 に転位が本質的に全く存在しないＩＮ−Ｖ族、ならびにＩＩ−Ｖｌ族化合物の単 結晶を得るために使用される熱プロフィールを変えるものである。捷だ、この新 技術は単結晶を成長させるのに使用されるが、化合物の合成には使用されないも のであり、従来技術よりもさらに再現性に優れ、少なくとも最初ツロ時間の後に 完了に至らしめることができる。

半導体化合物は種づけ法による垂直傾斜式凍結法によって成長される。この技術 によれば、るつぼは床面に結晶種の井戸を有し、結晶種の井戸から傾斜円錐状の 首部が延伸しており、首部領域の頂部から主円筒部分が延伸している。支持部は 円錐状の首部に沿ってるつぼを支持している。結晶種の井戸の領域、ならびに生 長用るつぼの首部領域における垂直方向、あるいは軸方向への熱流を強めながら 、半径方向への熱流を弱めるため、事実上、結晶種の井戸の底の近傍の深さにま で、頂部から延伸した少くともひとつの軸方向同心円垂直状スロットの形で支持 部の手段が具備されてい賛表昭５８−５０００２０（３） る。

上に示したように支持脚を崩する装置、ならびに希望するヒータ構成を採用する ことにより、結晶種の井戸の領域においてプロフィールは最も大きな温度勾配を 有し、傾斜した円錐状首部、すなわち遷移領域においてはこれより小さな温度勾 配を有し、生成結晶の主円筒部分においては、さらに小さな温度勾配を有するが 、ここで結晶成長に対して希望する非線形垂直温度プロフィールを得ることがで きる。この形の熱プロフィールを保有することにより、るつぼの絶対温度をゆっ くり減少させながら改良された結晶成長法を保有することができる。

通常のメニスカスの形状を反転するか、あるいは平滑化するために種となる結晶 と液体との境界で初期溶解を制御することにより、あるいは遷移領域における平 滑化あるいは反転されたメニスカスの形状を保有しながら制御冷却して単結晶を 生長せしめることにより希望する結果を得ることができる。

図面の簡単な説明 矛１図は本発明による単結晶半導体化合物を生長させるための装置の部分的等軸 図である；牙２図は第１図の装置の容器部分を上げた断面図である； 牙ろ図は本発明の新しい方法に採用されている典型（５） 的な熱プロフィールを示す図である； そして、 ３・４図は新しい装置において採用されている新しいヒータを上げた断面図であ る。

本発明は主としてＧａＰを生長させる見地から記述する。しかしながら、かかる 記述は単に典型であることにとどめ、記述しである発明の考え方は他の■−Ｖ族 化合物、あるいはＩＩ−Ｖｌ族化合物の生長に等しく適用されるものと理解され る。本発明の装置は上記米国特許子４，０８５，７４８号に記載されている装置 と類似しているが、その装置に比べていくつかの改良点を有するものであること も注目できる。

いま、牙１図を参照すれば、対象とする発明を実現するために有用な装置を示す ものである。装置はオートクレーブ１０に含まれている元素に必要な貫通体と共 に、スタンド１１上にセットされている適当な高温オートクレーブ１０から成立 つ。典型的には、オートクレーブ１０は強度の大きいステンレス鋼ライナ１３を 具備した鋼製のシェル１２から成立つものである。

取水口１５と排水口１６とをそれぞれ具備した水冷チャネル１４を与えるように 、ステンレス鋼ライナ１３は形成されている。取水口１５と排水口１６とは鋼製 のシェル１２を通って延伸し、チャネル１４に通じている。チャネル１４は取入 口１５から排水口１６の方（６） 向へ下方にライナ１３の周囲に螺旋状に延伸している。

オートクレーブ１０は頂部と底部とにキャンプ１７゜１８を備えである。頂部子 ヤツプ１７はそれぞれ取入口１９と排水口２０を介して供給されている内部流水 チャネル（図示されていない〕により冷却されている。

オートクレーブ１０の内側と通ずるように、圧力真空バルブ２１も頂１部キャッ プを貫通して具備しである。

調整可能な複数の直立支持棒２２はオートクレーブ１０の府に具備しである。支 持棒２２は、どちらかというと揮発性の■族あるいは■族の元素を加熱するため の矛１のヒータ２ろを支持するものである。このヒータ２３はベース２４と、ベ ース２４に据えである円筒状容器２５とから成立つ。中央に貫通孔を有するセラ ミック絶縁物２６が容器２５の内部の中央にあって、ベース２４へ据えである。

円筒状のグラファイトの加熱コア２７は絶縁物２６上に支持されている。加熱コ ア２７は、コア２７の長手方向に沿って軸方向に延びている溝の状態で、熱電対 源２８と共に具備されている。

加熱素子２９．５０はグラファイトの加熱コア２７の周囲を取巻いている。この ヒータ２３の個々の加熱素子２９．３０により、ヒータ２６に近接した異なった 領域は異なった温度にすることができる。カーポランダム　カンパニー（Ｃａｒ ｂｏｒｕｎｄｕｍ　Ｃｏｍｐａｎｙ　）により製造されたフィーバフラックス（ Ｆｉｂｅｒｆｒａｘ［Ｆ］〕のよう（７） た絶縁物３１は抵抗加熱素子２９と容器２５との間に具備されている。頂部にグ ラファイトの脚ろ６を有する圧力封止した回転、ならびに軸方向移動が可能な棒 ３２はオートクレーブ１ｏの底から圧力／真空形ブッシング（図示されていない ）を通り、オートクレーブの内部に延び、下側ヒータ２３の絶縁物２６に具備さ れた孔を通って行くものである。ベース板２４の孔は電力を抵抗加熱素子に加え るため、抵抗加熱素子用電線３４のために具備されたものである。

容器ろ５は脚ろ３の上に据置しである。矛２図を参照すれば、容器ろ５をよく見 ることができる。■−■族あるいは四〜■族化合物の合成や単結晶成長をするた めに採用すべき温度と圧力とにおいて、たとえば、ガリウムと燐、亜鉛と硫黄、 インジウムと燐などの反応性物気、ならびにその結果生成され−る、たとえば、 ＧａＰ、　ＺｎＳ、　ＩｎＰなどの化合物に対して不活性な材料から容器６５が 成立っている。容器３５に適した好ましい材料は熱分解、去による窒化硼素、あ るいは水晶である。容器３５は外室ろ６と、外室６６の上部で支持された結晶生 長用るつぼ３７とから成立ち、画室３６゜ろ７とも熱分解法による窒化硼素から 成立つことが好ましい。成長用るつぼ６７はその頂部近傍で支持円板３８により 支持されている。熱分解法による窒化硼素で作られることが好ましい成長用るつ ぼ３７は多結晶荷衣昭５８−５０００２０（４） 半導体出発材料４２を収容するものである。それは主円筒部と、傾斜円錐状首部 すなわち遷移領域と、その底部における長手状の結晶種の井戸ろ９とから成立つ 。

成長用るつぼに含まれている多結晶半導体化合物４２と通ずるだめ、ならびに成 長している結晶の化学量論係数を制御するために半導体化合物４２の融成物上に 存在する気相ブランケットを与えるために、■族あるいはＶ族の元素のような牙 ２の材料４１の蒸気を入れることができるチャネル５５を具備し、且つアルミナ あるいはＢＮから成立つ特殊に設計された不活性スペーサ支持具４０により、容 器３５の内部で成長用るつぼろ７は支持されている。

再び牙１図を参照して特殊に設計された、好ましくはグラファイトのヒータ４３ により容器３５は取巻かれている。ヒータ４３は次に、ヒータ４３の長手方向に 延び、ヒータ４３の下にある軸射シールド４４により取巻かれている。牙２の輻 射シールド４５は反応容器３５全体にわたって具備されている。反応容器３５は 、その頂部が保持ピン４７を備えたＢＮキャップ４６によりキャップされている 。複数の熱電対はヒータ４６の温度を監視するために備えである。かかるひとつ の熱電対４８は結晶種の井戸３９の頂部に近接した領域において、ヒータ４ろの 内部へ延伸しているのが示されている。熱電対の出力は動作温度を制御するだめ の（９） 温度制御装置（図示されていない〕に対して入力信号を与えるものである。ヒー タ４ろに電気的接触を与える接触体のひとつを成す電気バス棒４９はライナ１３ に近接し、しかも電気接触を与える装置１ｏの底部を介して延伸しているのが図 示しである。牙２のバス棒（図示されていない）もヒータ４５を活性化するに必 要な電気回路を完成させるために具備しである。

牙２図を参照すれば、不活性スペーサ支枝部品４゜をより詳細に見ることができ る。軸方向に延伸していて円錐状頂部５４がら素子４ｏの周囲０円周上に間隙を 保っておかれた複数のチャネル５ろと共に図示されたような支持具４ｏが具備さ れ、円錐状頂部５４には成長用るつぼ３７の円錐状部分が据えてあり、支持具４ ０の中央のくぼみの内部に据えた結晶種の井戸６９の底部の下に近接した深さ捷 で下方に据置かれている。

この支持具４０の構成は輻射熱流を弱め、成長用るつぼ５７の結晶種の井戸ろ９ と遷移領域５４とにおける垂直方向、すなわち軸方向の熱流を強める。溶融化合 物と成長単結晶との間の固体−液体境界において、溶融材料４２にょシ形成され た固体−液体境界形態５１は、チャネル５３の存在しないときに得られた牙２図 における点線として示しである通常の形態、あるいは境界の形態５２に比較して 逆であるのが図示しである。

この境界形態の逆転は温度勾配、ならびに素子４ｏに（１０） おけるチャネル５３により生成された熱流によるものである。改良されて転位密 度の低い大形の半導体化合物結晶はかかる構成を採用したときに生長することが できる。事実、ＣａＰの成長において、軸方向の熱流が希望する液体一固体の境 界形態を得るのに十分ではない場合には、多結晶の生長が観察されることが多い 。

熱流に関係し、且つ、熱流ゆえに達成しうる希望した高品質結晶を得ることの極 めて重要な点は、遷移領域における温度勾配をさげ、さらに容器３７の主部、す なわち成長部における温度勾配をさげている結晶種の井戸の領域において急峻な 温度勾配が達成されていることである。典型的にはこれらの領域のそれぞれに好 ましい温度勾配は結晶種の井戸の領域で１０［］−１３０’Ｃ，／　２．５４　 ｃｒｎ、惜移領域で８０−１００　ｃ、／２．５４ｃｍ。

ならびに前部で１５−２０　ｃ、／２．５４ｕである。一般に、各領域に有用な 温度勾配は６０−１３０　ｃ、／２．５４傭、１５−１１０Ｃ，／２．５４ぼ、 １５−５５　Ｃ，／２．５４儂であり、結晶種の井戸の領域における温度勾配は 常に首部、あるいは遷移領域における温度勾配よシも大きい。

温度勾配の好ましい極限は結晶種の井戸の領域において５ｏｃ−２ｏｏｃ、遷移 領域において５０ｃｍ１５ＤＣ１主成長領域：（おいて５ｃｍ５０Ｃである。

牙ろ図はガリウム燐を成長させるだめの成長用るっ（１１） ぼろ７の長手方向に沿った典型的な、温度プロフィールを示すものである。牙ろ 図における縦軸Ｏ高さは絶対値である必要はなく、容器全体の高さに対する相対 値であることに注意しなければならない。温度変化率の最高の値（１：、７ｃｍ 、）は結晶種の井戸の領域で起るものであり、成長用のるつぼろ７の長手方向に 行くに従って消滅するものであることを知ることができる。

グラファイト製のヒータ４６のふくらみを示す牙４図は、長手方向に清って異な った厚さを有する円筒形ヒータであることを示すものである。例えば、ヒータの 各領域６３．６４．６５．６６はそれぞれ異なった断面厚さを有するものである 。ヒータ４ろの端にばそこへ電気的接触をするようにフランジ手段６０．６１が 設けられている。さらに、ヒータ４３は典型的には゛ビケットフェンス゛構造の もので、そこへ長手方向に切込んだスロットを有するグラファイトの円筒であり 、それぞれ矛２のスロットは円筒の底部で終端している。この構造のヒータを与 え、且つ、長手方向に異なった厚さを有することにより、加熱素子４ろの異なっ た部分から、あらかじめ定められ可変できる熱流を得ることができる。次に、こ れは成長用るつほにおいて望ましい温度勾配を得るために大きな制御を行うもの である。ヒータ４ろは本質的に結晶種の井戸６９の底の近暖から容器ろ５の頂部 に至るか、これを越えて羽衣昭５８−５０００２０（５） 延伸している好ましいものでちる点に注目すべきである。

結晶種の井戸に置かれた単結晶種材料は希望する結晶軸に沿って切断し、好まし くは角部をなくし、結晶種の井戸に適したように小さくまとめられている。この 小さくまとめて形作られたものは、期待を越えて成長用結晶の品質を向上させた 。

実施例では図示したように結晶種の井戸を有するが、これを支持体４０に具備さ れた孔の内部へ延伸させて据えておき、成長用るつぼの下の部分は円錐状遷移領 域の延長であって一点で終端するようにでき、底部の近傍の領域は本発明の目的 に対して結晶種の井戸であると考えられることは注目すべきである。

さらに、スロット５ろはＧａＰの成長に対して示されているように、雰囲気ガス に対する以外空であることが好ましいが、成長用るつぼから軸方向、半径方向の いずれか、あるいは両方の熱流の量を変えることができる種々の材料でスロット を満たすことも考えられる。

例えば、希望する軸方向熱流を得るために熱特性を変化させるひとつ以上のスロ ットにおいて、ガリウムのような金属、または金属と石英との積層のような複合 物、あるいはグラファイトのような耐火物を採用することができる。

作業においては、燐のようなＶ族あるいは■族の元（１ろ） 素を室ろ５の底に置き、結晶種の井戸３９の内部へ希望する種結晶を小さくまと めて入れ、成長用るつぼの残りの部分には希望する半導体化合物の多結晶材料を 適当な量たけ入れる。そこで、牙１に真空に引き、続いてアルゴンあるいは窒素 のような不活性ガスで一般に１気圧を越える希望圧力まで加圧する装置１０の内 部へ容器を置く。次に、ヒータに電気を入れ、希望する指示温度で定常状態に至 らしめ、シャフト６２と脚５３とにより室を好ましく回転させる。ヒータに取付 けた熱電対により指示された温度は一般に成長用のるつぼの内部の実際の温度よ りも高いことは注目される。

しかしながら、指示された温度は未だ正確に温度勾配を示すものであり、成長用 るつぼの実際の温度の尺度である。

揮発性材料４１の定常温度においては、その材料が（ｊａｒ’融成物を覆う蒸気 を形成する。定常温度に至った後で、初期生長に対して清浄な表面を与えるよう に種結晶の一部分を元に溶融するため、上部ヒータ４ろの温度をわずかにあげる 。この時点で、種結晶において成長を始めるように、あらかじめ定められた冷却 速度でゆっくりと冷却をするのに続いて温度ソーキング期間を与え、さらに単結 晶材料が連続して成長するのを促進するために成長用のるつぼを自動的）で制御 している。成長が完了した時点で電源を切ればよい。

（１４） 当業者によれば、特定の温度、圧力、冷却速度等は、成長されている特定の半導 体化合物に依存するものと理解されよう。これらのパラメータは、ここに含まれ ている開示内容にもとづいて容易に確認できる。

実例 実例により、約３．８１．の種結晶の井戸と２．５１７１１．の円錐状遷移領域 を有する２　２．８６Ｃｍ、のるつぼに入れた単結晶ＧａＰを成長させるために 採用したパラメータは次のとおりである。＜１１１ン方位を有する角部のない単 結晶種を結晶種の井戸に小さく捷とめて入れ、成長用るつぼをｉ、ｏｉｏｙの多 結晶ＧａＰで満たした。赤燐（μｍ００ｇ）を外室の底に置いた。容器は装置の 中に置き、装置を封じた。

そこで、装置を７６μｍにまで真空に引き、その後、アルゴンを５５．８４７Ｘ １０’　パスカル（ａｂＳ　）にまで導入して加圧した。燐用（下部）ヒータと （）ａＰ用（上部〕ヒータとは、それぞれ５９０ごと１５２５Ｃとの指示定常温 度に達するように電力を加えた。約１／２時間にわたってこれらの温度において ソーキングを行った後、ＧａＰヒータの指示温度は１時間にわたって１５３０Ｃ にまであげ、種結晶の小部分を溶融して元にもどすだめに次の約１時間にわたっ て１５３５Ｃにしておいた。完全に種結晶が溶融してしまわないように注意しな ければならない。この時点で、ＯａＰヒータ（１５） の冷却を次の速度と次の時間間隔で開始した。すなわち、 ａ）、１５Ｃ，７時間で１１時間；次にｂ）、ａＵ、７時間で１２時間：次に ｃ）、６Ｃ，７時間でろ０時間；そして最後に ｄ）、　１００Ｃ，、７時間で　５時間その後ですべての電源を遮断した。生長 用のるつぼをゆっくりと回転させながらソーキングさせる過程を含む全成長過程 を実行した。新しい装置を使用することにより、結晶種の井戸では、井戸の底で ほぼ１７０Ｃ／　２．　ｓ　４ｃｍ、の温度勾配が存在し、遷移領域において平 均はぼ１１ｏ　Ｕ、　／’　２．５４ｃｍ０、成長用るつぼの主部で平均はぼ５ Ｄ　Ｃ，／２．５４鍋、へと下降している。

！ｌ）衣ｎ２５　Ｓ　−５［１０（１２０（６）Ｆ！Ｇ−２ ＦＩＧ、　３ ＦＩＧ、４ 手続補正書（方式） ％式％ ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 （１、発明の名称」を正確に記載した明細書の翻訳文１０を提出致します。

（２） （１） 明　細　書 半導体化合物単結晶の形成と生長を 行うための方法と装置 本発明は、半導体単結晶を生成させるための方法と装置とに関し、特に化合物か ら成立つ元素反応物と化合物の種結晶とを採用して形成したＩ−Ｖ族、あるいは ＩＩ−Ｖｌ族の化合物を生長させる方法に関する。

発光ダイオード、トランジスタ、ダイオード、ならびに同様なデバイスの基板と して使用されるべき単結晶半導体化合物を生成するためには、さまざまな試みが なされている。これらの化合物は、周期率表の■族の元素と■族の元素、あるい は■族の元素と■族の元素の組合わせ（二より形成される。これらの元素は、与 えられた温度で全く異なった蒸気圧を有するため、特に市販の量産半導体デバイ ス用の基板として使用するに十分な大きさの化合物単結晶を形成することは極め て困難である。さらに、先行技術のプロセスでは再現性がほとんどない。

垂直形温度勾配式凍結法（二よるほか、ツォクラルスキ−Ｃｚｎｃｈ　ｒ　ａ　 Ｉ　ｓｋ　ｉ結晶生長法とブリッジマン−ストックバーガーＢｒｉｄｇｅｍａｎ −８ｔｎｃｋｂａｒｇｅｒ法とを含む種々の技術が結晶の生長に採用されている 。

米国特許第３，６１５，２０３号では、Ｉ−Ｖ族化合物単結補正書の写しく翻訳 文）提出書 （特許法矛１８４条の７才１項） 昭和５７年９月　２日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １特許出願の表示 ＰＣＴ／ＵＳ８１１０１７７６ ２発明の名称 ３特許出願人 ５補正書の提出年月日　１９８２年　６　月　２　日６添付書類の目録 １衣閘５８−５ＤＯＯ２０（８） （補　正　後） 請求の範囲 １、（補正後）　オートクレーブの中で温度勾配帯凍結法によりＩＩ−Ｖｌ族、 あるいはＩ−Ｖ族の半導体化合物の単結晶を生長させるだめの方法であって、生 長用るつぼが結晶種の井戸の内部の種結−晶とるつぼの遷移領域ならびに主成長 領域の両方において種結晶を覆った化合物揮発性成分を含んだ多結晶の形の化合 物とを含有し、 種結晶のすべてから逆に溶融することなく多結晶材料を溶融し、且つ、揮発性成 分を揮発させるだめの温度に１でるつぼの内容物を加熱し、 種結晶と溶融材料との液相−固相境界において通常生起しているメニスカスが反 転、あるいは平滑化を起すように温度が制御され、且つ 種結晶と液体との境界において単結晶の生長を生起せしめ、さらに少なくとも遷 移領域を介して平滑化または反転をしたメニスカスを保有しながら、るつぼの遷 移領域と主成長領域とを介して生長を続行させるように制御した速度でるつぼが ゆっくりと冷却されることを特徴とした方法。

２、　請求の範囲第１項記載の方法であって、結晶生長期間中に、るつぼからの 軸方向熱流を強めながら、るつぼからの通常の半径方向熱流を弱めるこ（２） とにより温度制御を行うことを特徴とした方法。

６、請求の範囲第１項あるいは第２項記載の方法であって、 種結晶の井戸の領域において８０−２００℃の急峻な温度勾配、遷移領域におい て、５０−１５０℃の上記より小さな温度勾配、ならびに主成長領域において５ −５０°Ｃのさらに小さな温度勾配を形成して保持するためのるつぼを具備した ことを特徴とした方法。

４、請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 化合物の揮発性が強い成分の蒸気を含む不活性雰囲気において成長が行われるこ とを特徴とした方法。

５、請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 初期冷却速度が６℃、／時間−１５°Ｃ，／時間であることを特徴とした方法。

６、　請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 化合物がＩ−Ｖ族捷たはＩＩ−Ｖｌ族の化合物であることを特徴とした方法。

Ｚ　請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 化合物がＧａＰであることを特徴とした方法。

８、（補正後）　オートクレーブを含む温度勾配帯凍（６） 結法によりｎ、　−Ｖｌ族、あるいは■−■族半導体化合物の単結晶を生長させ るだめの装置であって、種結晶を収容するための下部結晶種井戸領域と、遷移領 域と、化合物荷電材料を収容するための遷移領域から延伸している主成長領域と を備えた成長用るつぼを具備し、且つ るつぼ（６７）を支持するための支持手段（４０）を具備し、成長期間内に少な くともるつぼの結晶種井戸（６９）の領域と遷移領域（５４）との周囲で半径方 向の熱流を弱め、軸方向の熱流を強めさせるような構成を支持手段が有すること を特徴とした装置。

９　請求の範囲第８項記載の装置であって、結晶種の井戸（６９）が円錐形遷移 領域（５４）の底から延伸している幅の狭くて長さの長い部材であることを特徴 とした装置。

１０、（補正後）　請求の範囲オ８項または牙９項記載の装置であって、 支持手段（４０）が成長用るつぼの軸に並行して延伸している少くともひとつの 垂直なスロット（５３）から成立つことを特徴とした装置。

１１、請求の範囲第１０項記載の装置であって、結晶種の井戸（６９）が支持手 段（４０）に具備された孔の中に置かれた幅の狭くて長さの長い部材であり、支 持手段の頂部表面から事実上前記結晶種の井戸（４） の底の近傍の深さまで垂直なスロット（５６）が延伸していることを％徴とした 装置。

１２、請求の範囲オ８項から第１１項までのひとつに記載の装置であって、 支持手段（４０）がグラファイトあるいは窒化硼素て成立つことを特徴とした装 置。

１３、　請求の範囲オ８項から第１２項までのひとつに記載の装置てらって、 支持手段（４０）が遷移領域においてるつぼ（３７）を支持し、その支持表面か ら下方に延伸している複数の同心円上で軸方向へ延びているスロットと共に具備 されていることを特徴とした装置。

１４、請求の範囲オ８項から第１３項までのひとつに記載の装置であって、 動作時に長手方向に沿って、あらかじめ定められた温度勾配を与えるように、長 手方向に沿って厚さの変化するグラファイトヒータ（４３）でるつぼ（６７）が 構成されていることを特徴とした装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　半導体化合物の単結晶を生長させるだめの方法であって、 成長用るつぼが結晶種の井戸の内部の種結晶とるつほの遷移領域ならびに主成長 領域の両方において種結晶を覆った多結晶の形の化合物とを含有し、種結晶のす べてから逆に溶融することなく、多結晶材料を溶融するための温度にまでるつぼ の内容物を加熱し、 種結晶と溶融材料との液体一固体境界において通常生起しているメニスカスが反 転、あるいは平滑化を起すように温度が制御され、且つ、 種結晶と液体との境界において単結晶の生長を生起せしめ、さらに少なくとも遷 移領域を介して平滑化または反転をしたメニスカスを保有しながら、るつぼの遷 移領域と主成長領域とを介して生長を続行させるように制御した速度でるつぼが ゆっくりと冷却されることを特徴とした方法。 ２、　請求の範囲第１項記載の方法であって、結晶生長期間中に、るつぼからの 軸方向熱流を強めながら、るつぼからの通常の半径方向熱流を弱めることにより 温度制御を行うことを特徴とした方法。 ６、　請求の範囲第１項あるいは第２項記載の方法であって、 （１７） 種結晶の井戸の領域において８０−２００°Ｃの急峻な温度勾配、遷移領域にお いて、５０−４５０℃の上記より小さな温度勾配、ならびに主成長領域において ５−５０℃のさらに小さな温度勾配を形成して保持するためのるつぼを具備した ことを特徴とした方法。 ４、請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 化合物の揮発性が強い成分の蒸気を含む不活性雰囲気において成長が行われるこ とを特徴とした方法。 ５、請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 初期冷却速度が６℃、７時間から１５°Ｃ，７時間であることを特徴としだ方法 。 ６、請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 化合物がＩ−Ｖ族またはＩＩ−Ｖｌ族の化合物であることを特徴とした方法。 ２　請求の範囲前記各項のひとつに記載の方法であって、 化合物がＧａＰであることを特徴とした方法。 ８、　温度勾配帯凍結法により半導体化合物の単結晶を生長させるだめの装置で あって、 種結晶を収容するための下部結晶種の井戸領域と、遷移領域と、化合物荷電材料 を収容するため遷移領域（１８） から延伸している主成長領域とを備えた成長用るつぼを具備し、且つ るつぼ（３７）を支持するための支持手段（４ｏ）を具備し、成長期間内に少な くともるつぼの結晶種井戸（３９）の領域と遷移領域（５４）との周囲で半径方 向の熱流を弱め、軸方向の熱流を強めさせるような構成を支持手段が有すること を特徴とした装置。 ９　請求の範囲オ８項記載の装置であって、結晶種の井戸（３９〕が円錐形遷移 領域（５４）の底から延伸している幅の狭くて長さの長い部材であることを特徴 とした装置。 １０、請求の範囲オ８項またはオ９項記載の装置であって、 支持手段（４０）が少なくともひとつの軸方向へ同心円上に配置された垂直なス ロ゛コト（５３）から成卒つことを特徴とした装置。 １１、請求の範囲第１０項記載の装置であって、結晶種の井戸（６９）が支持手 段（４０）に具備された孔の中に置かれた幅の狭くて長さの長い部材であり、支 持手段の頂部表面から事実上前記結晶種の井戸の底の近傍の深さまで垂直なスロ ット（５３）が延伸していることを特徴とした装置。 １２、特許請求の範囲オ８項から第１１項までのひとつに記載の装置であって、 （１９） 特衣昭５８−５０００２０（２） 支持手段（４０）がグラファイトあるいは窒化硼素で成立つことを特徴とした装 置。 １６、請求の範囲オ８項から第１２項までのひとつに記載の装置であって、 支持手段（４０）が遷移領域においてるつぼ（６７）を支持し、その支持表面か ら下方に延伸している複数の周心円上で軸方向へ延びているスロットと共に具備 されていることを特徴とした装置。 １４、請求の範囲オ８項から第１６項までのひとつに記載の装置であって、 動作時に長手方向に沿って、あらかじめ定められた温度勾配が与えられるように 、長手方向に沿って厚さの変化するグラファイトヒータ（４６）でるつぼ（６７ ）が構成されていることを特徴とした装置。 （１）