JPS584688B2 - エチニルベンゼン誘導体の製法 - Google Patents
エチニルベンゼン誘導体の製法Info
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- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、次の一般式■
で表わされるエチニルベンゼン誘導体の新規製造方法に
関する。
関する。
上記式に於いて、Ｙは水素、ハロゲン、炭素原子数１乃
至３の低級アルキルまたは炭素原子数１乃至３の低級ア
ルコキシであり、 Ｒはンクロヘキシル基または式 （式中Ｙ′は水素、塩素もしくは弗素、または炭素原子
数１乃至３の低級アルキルであり、Ｙ″は水素または塩
素もしくは弗素であり、Ｙ″′は水素または塩素もしく
は弗素である。
至３の低級アルキルまたは炭素原子数１乃至３の低級ア
ルコキシであり、 Ｒはンクロヘキシル基または式 （式中Ｙ′は水素、塩素もしくは弗素、または炭素原子
数１乃至３の低級アルキルであり、Ｙ″は水素または塩
素もしくは弗素であり、Ｙ″′は水素または塩素もしく
は弗素である。
但し、Ｙ、Ｙ″及びＹ″′のすべてが水素になることは
ない。
ない。
）で表わされる環である。
上記式■で表わされる化合物は抗炎症特性を持つと共に
望ましい鎮痛及び下熱特性を示すことが知られている。
望ましい鎮痛及び下熱特性を示すことが知られている。
本発明にかかる上記式■で表わされる化合物の製造方法
は次の工程を含んでなる。
は次の工程を含んでなる。
まず、一般式■
で表わされるベンジルアルコールを好ましくは三級アミ
ン塩基の存在下に、式Ｒ′ＳＯ２Ｃｌで表わされる塩化
スルホニルと反応せしめて、式■で表わされる対応する
スルホニル化合物を生成する。
ン塩基の存在下に、式Ｒ′ＳＯ２Ｃｌで表わされる塩化
スルホニルと反応せしめて、式■で表わされる対応する
スルホニル化合物を生成する。
上記各式に於いて、Ｒ及びＹは前に定義した通りであり
、Ｒ′はアルキル、アリール若しくはアルキル置換低級
アルキル基である。
、Ｒ′はアルキル、アリール若しくはアルキル置換低級
アルキル基である。
上記式、Ｒ′ＳＯ２Ｃｌで表わされる塩化スルホニルに
は、例えば、塩化メタンスルホニル、塩化ベンゼンスル
ホニル、塩化ｐ−トルエンスルホニルなどがある次に、
式■で表わされる化合物を亜鉛または亜鉛と塩化アンモ
ニウムの存在下に還元して式■で表わされるβ−クロロ
スチレンを生成する。
は、例えば、塩化メタンスルホニル、塩化ベンゼンスル
ホニル、塩化ｐ−トルエンスルホニルなどがある次に、
式■で表わされる化合物を亜鉛または亜鉛と塩化アンモ
ニウムの存在下に還元して式■で表わされるβ−クロロ
スチレンを生成する。
最後に、上記β−クロロスチレンをアルカリ金属アルコ
キシドで脱ハロゲン化水素して式■で表わされる所望エ
チニルベンゼン誘導体とする。
キシドで脱ハロゲン化水素して式■で表わされる所望エ
チニルベンゼン誘導体とする。
アルカリ金属アルコキンドとしては、例えば、カリウム
ｔ−ブトキシドを用いることができる。
ｔ−ブトキシドを用いることができる。
ベンジルアルコール■と塩化スルホニルとの反応は塩化
メチレンのような不活性溶剤中でピリジン、トリエチル
アミンなどのような３級アミン塩基の存在下に行うこと
ができる。
メチレンのような不活性溶剤中でピリジン、トリエチル
アミンなどのような３級アミン塩基の存在下に行うこと
ができる。
式■で表わされる出発ベンゼンアルコールは米国特許３
９５２０６７（１９７６年４月２０日特許）に記載され
るように置換アセトフエノンから調製することができる
。
９５２０６７（１９７６年４月２０日特許）に記載され
るように置換アセトフエノンから調製することができる
。
本発明方法により得られる最終生成物は、抗炎症剤とし
て、また所望の鎮痛及び下熱剤として有用であって、ベ
ルギー特許８０９１４７に記載されている。
て、また所望の鎮痛及び下熱剤として有用であって、ベ
ルギー特許８０９１４７に記載されている。
本発明方法は高価な試薬及び設備を必要とせず、手間が
かからない点で有利である。
かからない点で有利である。
以下、本発明を実施例について説明するが、本発明の範
囲はこれらによって限定されるものではない。
囲はこれらによって限定されるものではない。
実施例１
３−クロロ−４−シクロへキンル−１−エチニルベンゼ
ンの合成 工程１：４−シクロヘキシルアセトフエノンの調製 攪拌器を備えた５リットル丸底フラスコ中に塩化メチレ
ン（２ｌ）及び無水塩化アルミニウム（４８５ｇ、３．
６４モル）を装入した。
ンの合成 工程１：４−シクロヘキシルアセトフエノンの調製 攪拌器を備えた５リットル丸底フラスコ中に塩化メチレ
ン（２ｌ）及び無水塩化アルミニウム（４８５ｇ、３．
６４モル）を装入した。
この混合物を水浴中で５℃以下に冷却し、攪拌及び冷却
を行いながら塩化アセチル（２８６ｇ、３．６４モル）
を３５分間に亘って添加した。
を行いながら塩化アセチル（２８６ｇ、３．６４モル）
を３５分間に亘って添加した。
添加する間に温度は９℃に上昇した。
温度を３℃に低下して、激しく攪拌しながらシクロヘキ
シルベンゼン（５００ｇ、３．１２モル）を徐々に加え
た。
シルベンゼン（５００ｇ、３．１２モル）を徐々に加え
た。
その間温度は５℃以下に保持した。
この添加は３．５時間に亘って行い、その後攪拌及び冷
却を１時間継続した。
却を１時間継続した。
次いで、氷（４０００ｇ）及び濃塩酸（８００ｍｌ）中
へ上記混合物を注入し、１時間攪拌した。
へ上記混合物を注入し、１時間攪拌した。
層分離せしめた後、水槽を塩化メチレン（５００ｍｌ）
で洗浄した。
で洗浄した。
塩化メチレン抽出物を集めて１リットルに濃縮し、エー
テル（２ｌ）で希釈し、１０％塩酸（３００ｍｌ）で３
回洗浄し、さらに水（各回３００ｍｌ）で３回洗浄した
。
テル（２ｌ）で希釈し、１０％塩酸（３００ｍｌ）で３
回洗浄し、さらに水（各回３００ｍｌ）で３回洗浄した
。
このエーテル抽出物を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過
し、蒸発して淡黄固体結晶を得た。
し、蒸発して淡黄固体結晶を得た。
ｍ．ｐ．６１−６７℃。この粗生成物を熱メタノール（
１５００ｍｌ）に溶解し、この溶液をろ過し、次いで氷
中で２時間冷却した。
１５００ｍｌ）に溶解し、この溶液をろ過し、次いで氷
中で２時間冷却した。
固体沈殿を沢過し、氷冷メタノール（１ｌ）で洗浄した
。
。
固体を２時間に亘って真空（０．５ｍｌ）乾燥し、一夜
風乾した。
風乾した。
第１の生成物（ｍ．ｐ．６６．３−６７．５℃）の収量
は４１２．２ｇであった。
は４１２．２ｇであった。
ろ液を濃縮して８００ｍｌとし、次いで一夜に亘って−
２２℃に冷却した。
２２℃に冷却した。
第２の生成物をろ別し氷冷メタノール（３００ｍｌ）で
洗浄した。
洗浄した。
乾燥後第２の生成物（ｍ．ｐ．６６．８−６８℃）１１
６．５ｇを得た。
６．５ｇを得た。
合計収量は５２８．７ｇ（収率８７％）であった。
ＧＣ分析の結果、各生成物いずれも純度は９９％より大
であった。
であった。
工程２：４−シクロへキンル−α・α−ジクロロアセト
フエノンの調製 攪拌器、ガス取入管（液面下）及び温度計を取けた３リ
ットル丸底フラスコ中に、４−シクロへキシルアセトフ
エノン（２０２．３ｇ、１モル）の氷酢酸（１３００ｍ
ｌ）溶解液を装入した。
フエノンの調製 攪拌器、ガス取入管（液面下）及び温度計を取けた３リ
ットル丸底フラスコ中に、４−シクロへキシルアセトフ
エノン（２０２．３ｇ、１モル）の氷酢酸（１３００ｍ
ｌ）溶解液を装入した。
攪拌を開始すると共にガス取入管から塩素ガスを導入し
た。
た。
反応温度が上昇して４５℃に達した時、フラスコの外側
を水道水の流れで冷却して温度を４０乃至４５℃に調製
し、この温度で残りの反応を行った。
を水道水の流れで冷却して温度を４０乃至４５℃に調製
し、この温度で残りの反応を行った。
５０分後に溶液は黄色に変じたが、この時点で塩素１５
０ｇを消費した。
０ｇを消費した。
塩素の添加を止め（溶液は黄色のままであった）反応混
合物をエーレンマイヤーフラスコ（４ｌ）に移した。
合物をエーレンマイヤーフラスコ（４ｌ）に移した。
溶液が冷却するに伴い、生成物は晶出し始めた。
混合物を氷中で冷却した状態で攪拌しなから水（１３０
０ｌ）を１５分間に亘って添加した。
０ｌ）を１５分間に亘って添加した。
沈殿した結晶を氷浴中で３０分間攪拌し、次いでろ過し
た。
た。
得られた固体を水（１ｌ）で洗浄し、次いで水（２ｌ）
中に懸濁して再びろ過した。
中に懸濁して再びろ過した。
さらに水（４ｌ）で洗浄して白色固体結晶を得、真空乾
燥して最終生成物とした。
燥して最終生成物とした。
合計収量２６５．２ｇ、収率９８％、ｍ．ｐ．９２．５
−９４℃。
−９４℃。
ＧＣ分析の結果、純度は９９％より大であった。
工程３：中間生成物の分離及び精製を行うことなく次の
３つの反応を行うことができる。
３つの反応を行うことができる。
ａ．４−シクロヘキンル−α・α・３−トリクロロアセ
トフエノンの調製 攪拌器、液面下ガス取入管、ガス排出管（ドライアイス
／アセトンで冷却せるジュワーコンデンサーに連結）、
及び温度計を備えた５ｌ丸底フラスコ中で４−シクロヘ
キンル−α・α−ジクロロアセトフエノン（６２３．７
ｇ、２．３０モル）を塩化メチレン（３１２０ｍｌ）に
溶解した。
トフエノンの調製 攪拌器、液面下ガス取入管、ガス排出管（ドライアイス
／アセトンで冷却せるジュワーコンデンサーに連結）、
及び温度計を備えた５ｌ丸底フラスコ中で４−シクロヘ
キンル−α・α−ジクロロアセトフエノン（６２３．７
ｇ、２．３０モル）を塩化メチレン（３１２０ｍｌ）に
溶解した。
この溶液中にヨウ素（２９．２ｇ、０．１１５モル）を
加え、混合物を３０分間攪拌した。
加え、混合物を３０分間攪拌した。
次いで、反応混合物中に塩素ガス（２４９．１ｇ、３．
５１モル）を１時間１５分間に亘って吹き込んだ。
５１モル）を１時間１５分間に亘って吹き込んだ。
この間温度を２０−２６℃に保持した。４時間４５分攪
拌した後（この時点に於いて、６０ＭＣＮＭＲスペクト
ルに於いて６．７０δ、７．２３δ及び７．３７δに於
けるシグナルの消失及び６．７３δ、７．３０δ及び７
．４５δに於けるシグナルの出現から反応が完了したと
判断される）、氷冷した重亜硫酸ナトリウム（１４５ｇ
水（１０００ｍｌ）溶液中に混合物を注入した。
拌した後（この時点に於いて、６０ＭＣＮＭＲスペクト
ルに於いて６．７０δ、７．２３δ及び７．３７δに於
けるシグナルの消失及び６．７３δ、７．３０δ及び７
．４５δに於けるシグナルの出現から反応が完了したと
判断される）、氷冷した重亜硫酸ナトリウム（１４５ｇ
水（１０００ｍｌ）溶液中に混合物を注入した。
この間氷浴で冷却しながら攪拌した。
３０分間攪拌した後、層分離せしめ、水槽を塩化メチレ
ン（５４０ｍｌ）で抽出した。
ン（５４０ｍｌ）で抽出した。
有機溶液を集め、冷水で６回（６７５ｍｌ）洗浄した。
次いで、有機溶液を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ
過し、透明溶液を減圧濃縮して２８７５ｍｌとし、塩化
メチレン中０．８０モル溶液を得た。
過し、透明溶液を減圧濃縮して２８７５ｍｌとし、塩化
メチレン中０．８０モル溶液を得た。
この溶液は次の反応に使用した。
最終生成物が３−クロロ置換基を持たない場合及び出発
原料中にすでに３−置換基が存在する場合には上述の塩
素化工程が必要でないことは理解されよう。
原料中にすでに３−置換基が存在する場合には上述の塩
素化工程が必要でないことは理解されよう。
ｂ，４−シクロヘキシル−α−ヒドロキシ−β・β・３
−トリクロロエチルベンゼルの調製４−シクロへキシル
−α・α・３−トリクロロアセトフエノン（上記反応に
より得た塩化メチレン中０．８０モル溶液２３６０ｍｌ
、１８．９モル）を６ｌエーレンマイヤーフラスコ中に
装入し、氷浴で冷却した。
−トリクロロエチルベンゼルの調製４−シクロへキシル
−α・α・３−トリクロロアセトフエノン（上記反応に
より得た塩化メチレン中０．８０モル溶液２３６０ｍｌ
、１８．９モル）を６ｌエーレンマイヤーフラスコ中に
装入し、氷浴で冷却した。
この溶液に水素化ほう素ナトリウム（２１．４ｇ、０．
５６６モル）を加えた。
５６６モル）を加えた。
この混合物を氷浴中で３０分間攪拌した。次いで、この
混合物に水（５００ｍｌ）を加え、さらにペンジルトリ
−ｎ−ブチルアンモニウムクロリド（１４．７ｇ、０．
０４７モル）を加えた。
混合物に水（５００ｍｌ）を加え、さらにペンジルトリ
−ｎ−ブチルアンモニウムクロリド（１４．７ｇ、０．
０４７モル）を加えた。
得られた混合物を氷浴中で３０分間激しく攪拌した。
層分離せしめ、水槽を塩化メチレンで２度（各回２００
ｍｌ）抽出した。
ｍｌ）抽出した。
有機溶液を集め１％硫酸（４００ｍｌ）、水（４００ｍ
ｌ）次いで飽和塩化ナトリウム溶液（４００ｍｌ）で順
次洗浄した。
ｌ）次いで飽和塩化ナトリウム溶液（４００ｍｌ）で順
次洗浄した。
次いで有機溶液を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、沢過
し、得られた塩化メチレンろ液は次の反応に使用した。
し、得られた塩化メチレンろ液は次の反応に使用した。
ｃ．４−シクロヘキシル−α−ヒドロキシ−β・β・３
−トリクロロエチルベンゼン・メンレートの調製 攪拌器、温度計、添加ロート及び乾燥管を備えた５リッ
トル丸底フラスコ中に上記反応で得られた塩化メチレン
溶液を移した。
−トリクロロエチルベンゼン・メンレートの調製 攪拌器、温度計、添加ロート及び乾燥管を備えた５リッ
トル丸底フラスコ中に上記反応で得られた塩化メチレン
溶液を移した。
この溶液を０℃に冷却し、塩化メタンスルホニル（２３
７．９ｇ、２．０８モル）を加えた。
７．９ｇ、２．０８モル）を加えた。
冷却及び攪拌をコンスタントに続けながらトリエチルア
ミン（２２８．８ｇ、２．２７モル）を１．５時間に亘
って加えた。
ミン（２２８．８ｇ、２．２７モル）を１．５時間に亘
って加えた。
この間温度は５℃以下に保持した。反応混合物をさらに
１時間攪拌した。
１時間攪拌した。
混合物を冷水で２回（各回５００ｍｌ）洗浄し、冷５％
塩酸（５００ｍｌ）、冷５％重炭酸ナトリウム水溶液（
５００ｍｌ）及び飽和塩化ナトリウム水溶液（５００ｍ
ｌ）で順次洗浄した。
塩酸（５００ｍｌ）、冷５％重炭酸ナトリウム水溶液（
５００ｍｌ）及び飽和塩化ナトリウム水溶液（５００ｍ
ｌ）で順次洗浄した。
次いで、この塩化メチレン溶液を無水硫酸ナトリウム上
で乾燥し、ろ過し、またろ液は約４５℃で真空蒸発せし
めた。
で乾燥し、ろ過し、またろ液は約４５℃で真空蒸発せし
めた。
得られた粘性油を２Ｂエタノール（１２００ｍｌ）と共
に１６時間攪拌した。
に１６時間攪拌した。
得られた固体を沢過して集め、冷２Ｂエタノールで洗浄
し、真空乾燥して白色固体５６０ｇを得た（ｍ．ｐ．１
０１−１０２℃、収率７７％）。
し、真空乾燥して白色固体５６０ｇを得た（ｍ．ｐ．１
０１−１０２℃、収率７７％）。
ＧＣ分析の結果純度は９９％より大であった。
工程［４：４−シクロヘキシル−β・３−ジクロロスチ
レンの調製 攪拌器及びコンデンサーを備えた３リットリ丸底フラス
コ中で４−シクロヘキンル−α−ヒドロキシ−β・β・
３−トリクロロエチルベンゼン・メシレート（３５０．
０ｇ、０．９０７モル）を２Ｂエタノール（１４００ｍ
ｌ）に懸濁した。
レンの調製 攪拌器及びコンデンサーを備えた３リットリ丸底フラス
コ中で４−シクロヘキンル−α−ヒドロキシ−β・β・
３−トリクロロエチルベンゼン・メシレート（３５０．
０ｇ、０．９０７モル）を２Ｂエタノール（１４００ｍ
ｌ）に懸濁した。
懸濁液を加熱してゆるやかに還流し、塩化アンモニウム
（５３．４９ｇ、１．００モル）を加えた。
（５３．４９ｇ、１．００モル）を加えた。
次いで、亜鉛ダスト（１１８．６ｇ、１．８１グラム原
子）を４回に分けて２０分間に亘って加えた。
子）を４回に分けて２０分間に亘って加えた。
その際熱源を手早く取除いて、添加中に激しく沸騰が起
こらないようにした。
こらないようにした。
反応混合物を２２．５時間還流した。
混合物を冷却し、塩をろ過して除去した。ろ液を真空蒸
発し、得られた残渣をエーテル（１４００ｍｌ）と５％
塩酸（１５００ｍｌ）に分配した。
発し、得られた残渣をエーテル（１４００ｍｌ）と５％
塩酸（１５００ｍｌ）に分配した。
層分離の後、有機層を水で４回（各回１０００ｍｌ）洗
浄した。
浄した。
有機溶液を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し、ま
たろ液を真空蒸発して粘性油（２２６．３ｇ、収率９８
％）を得た。
たろ液を真空蒸発して粘性油（２２６．３ｇ、収率９８
％）を得た。
この粘性油はガスクロマトグラフィー分析の結果４−シ
クロヘキシル−β・３−ジクロロスチレンのトランス異
性体を６２．７％、シス異性体を３５．６％含有してい
た。
クロヘキシル−β・３−ジクロロスチレンのトランス異
性体を６２．７％、シス異性体を３５．６％含有してい
た。
工程５：３−クロロ−４−シクロヘキンル−１−エチニ
ルベンゼンの調製 攪拌器、窒素取入管、コンデンサー及び添加ロートを備
えた５ｌ丸底フラスコ中でカリウム・ｔ−ブトキシド（
１０６．０ｇ、０．９４４モル）をトルエン（１８００
ｍｌ）中に懸濁した。
ルベンゼンの調製 攪拌器、窒素取入管、コンデンサー及び添加ロートを備
えた５ｌ丸底フラスコ中でカリウム・ｔ−ブトキシド（
１０６．０ｇ、０．９４４モル）をトルエン（１８００
ｍｌ）中に懸濁した。
懸濁液を窒素雰囲気中で加熱還流した。
熱源な除き、激しく攪拌しながら４−シクロヘキシル−
β・３−ジクロロスチレン（２００．０ｇ、０．７８４
モル）を１５分間に亘って加えた。
β・３−ジクロロスチレン（２００．０ｇ、０．７８４
モル）を１５分間に亘って加えた。
添加する間に混合物は粘稠化してゲルとなったが、添加
の終了間近に稀釈した。
の終了間近に稀釈した。
反応混合物は攪拌しながら２．５時間還流し、次いで冷
却した。
却した。
混合物を１．５％塩酸（１０００ｍｌ）、水で４回（各
回１．０００ｍｌ）及び飽和塩化ナトリウム水溶液（５
００ｍｌ）で順次洗浄した。
回１．０００ｍｌ）及び飽和塩化ナトリウム水溶液（５
００ｍｌ）で順次洗浄した。
有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し、そし
てろ液を４５−６０℃で真空蒸発した。
てろ液を４５−６０℃で真空蒸発した。
残渣を真空蒸溜し、３−クロロ−４−シクロヘキシル−
１−エチニルベンゼンの主留分１４４．２ｇを得た（ｂ
．ｐ．８７−９５℃／０．０３ｍｌ、収率８４％）。
１−エチニルベンゼンの主留分１４４．２ｇを得た（ｂ
．ｐ．８７−９５℃／０．０３ｍｌ、収率８４％）。
ＧＣ分析の結果純度は９９％より大であった。
実施例２
ｐ−シクロヘキンルアセトフエノンを３−メトキシ−４
−フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を
繰り返し、３−メトキシ−４−フエニル−１−エチニル
ベンゼン（ｂ．ｐ．１３３−１３４℃／０．２ｍｍ）を
得た。
−フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を
繰り返し、３−メトキシ−４−フエニル−１−エチニル
ベンゼン（ｂ．ｐ．１３３−１３４℃／０．２ｍｍ）を
得た。
実施例３
ｐ−シクロヘキシルアセトフエノンを４−（２−クロロ
フエニル）アセトフエノンで置換して実施例１の手法を
繰り返し、４−（２−クロロフエニル）−１−コチニル
ベンゼン（ｂ．ｐ．１０１−１０６℃／０．１ｍｍ）を
得た。
フエニル）アセトフエノンで置換して実施例１の手法を
繰り返し、４−（２−クロロフエニル）−１−コチニル
ベンゼン（ｂ．ｐ．１０１−１０６℃／０．１ｍｍ）を
得た。
実施例４
ｐ−シクロヘキシルアセトフエノンを３−メチル−４−
フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を繰
り返し、３−メチル−４−フエニル−１−エチニルベン
ゼン（ｍ．ｐ．５７−５９℃）を得た。
フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を繰
り返し、３−メチル−４−フエニル−１−エチニルベン
ゼン（ｍ．ｐ．５７−５９℃）を得た。
実施例５
ｐ−シクロヘキシルアセトフエノンを３−クロロ−４−
フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を繰
り返し、３−クロロ−４−フエニル−１−エチニルベン
ゼン（ｂ．ｐ．９７−１００℃／０．０９ｍｍ）を得た
。
フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を繰
り返し、３−クロロ−４−フエニル−１−エチニルベン
ゼン（ｂ．ｐ．９７−１００℃／０．０９ｍｍ）を得た
。
実施例６
ｐ−シクロヘキシルアセトフエノンを３−フルオロ−４
−フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を
繰り返し、３−フルオロ−４−フエニル−１−エチニル
ベンゼン（ｂ．ｐ．１０３℃／０．６ｍｍ）を得た。
−フエニルアセトフエノンで置換して実施例１の手法を
繰り返し、３−フルオロ−４−フエニル−１−エチニル
ベンゼン（ｂ．ｐ．１０３℃／０．６ｍｍ）を得た。
実施例７
ｐ−シクロへキシルアセトフエノンを４−（２−フルオ
ロフエニル）アセトフエノンで置換して実施例１の手法
を繰り返し、４−（２−フルオロフエニル）−１−エチ
ニルベンゼン（ｂ．ｐ．９４−９７℃／０．２ｍｍ）を
得た。
ロフエニル）アセトフエノンで置換して実施例１の手法
を繰り返し、４−（２−フルオロフエニル）−１−エチ
ニルベンゼン（ｂ．ｐ．９４−９７℃／０．２ｍｍ）を
得た。
実施例８
ｐ−シクロへキシルアセトフエノンを４−（２・４−ジ
フルオロフエニル）アセトフエノンで置換して実施例１
の手法を繰り返し、４−（２・４−ジフルオロフエニル
）−１−エチニルベンゼン（ｂ．ｐ．９５−１０１℃／
０．１ｍｍ）を得た。
フルオロフエニル）アセトフエノンで置換して実施例１
の手法を繰り返し、４−（２・４−ジフルオロフエニル
）−１−エチニルベンゼン（ｂ．ｐ．９５−１０１℃／
０．１ｍｍ）を得た。
実施例９
ｐ−シクロヘキシルアセトフエノンを４−（２・６−ジ
フルオロフエニル）アセトフエノンで置換して実施例１
の手法を繰り返し、４−（２・６−ジフルオロフエニル
）−１−エチニルベンゼン（ｍ．ｐ．８１−８３℃）を
得た。
フルオロフエニル）アセトフエノンで置換して実施例１
の手法を繰り返し、４−（２・６−ジフルオロフエニル
）−１−エチニルベンゼン（ｍ．ｐ．８１−８３℃）を
得た。
実施例１０
ｐ−シクロヘキシルアセトフエノンを４−（ｏ−トリル
）アセトフエノンで置換して実施例１の手法を繰り返し
、４−（ｏ−トリル）−１−エチニルベンゼン（ｂ．ｐ
．２９−３０℃）を得た。
）アセトフエノンで置換して実施例１の手法を繰り返し
、４−（ｏ−トリル）−１−エチニルベンゼン（ｂ．ｐ
．２９−３０℃）を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 で表わされるベンジルアルコールを式Ｒ′ＳＯ２Ｃ１で
表わされる塩化スルホニルと反応せしめて式で表わされ
る対応するスルホニル化合物を生成し、該スルホニル化
合物を亜鉛の存在下に還元して式 で表わされる対応するクロロスチレン化合物を生成し、 次いで該クロロスチレン化合物をアルカリ金属アルコキ
シドで処理して脱塩素化することを特徴とする一般式 で表わされるエチニルベンゼン誘導体を製造する方法。 上記各式に於いて、 Ｙは水素、ハロゲン、炭素原子数１乃至３の低級アルキ
ルまたは炭素原子数１乃至３の低級アルコキシであり； Ｒはシクロヘキシル基または次式 （式中、Ｙ′は水素、塩素もしくは弗素原子、または炭
素原子数１乃至３の低級アルキルであり、Ｙ″は水素ま
たは塩素もしくは弗素原子であり、Ｙ″′は水素または
塩素もしくは弗素原子である。 但し、Ｙ、Ｙ′、Ｙ″及びＹ″′のうち少くとも１つは
水素ではない。 ）で表わされる環であり、Ｒ′はアルキル、アリールま
たは低級アルキル置換アルキルである。 ２ 各式中のＲがシクロヘキシルであり、Ｙが塩素であ
り、Ｒ′がメチルであって、得られる生成物が３−クロ
ロ−４−シクロヘキシル−１−エチニルベンゼンである
特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′、Ｙ″及びＹ″
′が水素であり、Ｙがメトキシであり、Ｒ′がメチルで
あって、得られる生成物が３−メトキシ−４−フエニル
−１−エチニルベンゼンである特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ４ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′が塩素であり、
Ｙ、Ｙ″及びＹ″′が水素であり、Ｒ′がメチルであっ
て、得られる生成物が４−（２−クロロ−フエニル）−
１−エチニルベンゼンである許請求の範囲第１項記載の
方法。 ５ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′、Ｙ″及びＹ″
′が水素であり、Ｙがメチルであり、Ｒ′がメチルであ
って得られる生成物が３−メチル−４−フエニル−１−
エチニルベンゼンである特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ６ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′、Ｙ″及びＹ″
′が水素であり、Ｙが塩素であり、Ｒ′がメチルであっ
て、得られる生成物が３−クロロ−４−フエニル−１−
エチニルベンゼンでアル特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ７ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′、Ｙ″及びＹ″
′が水素であり、Ｙが弗素であり、Ｒ′がメチルであっ
て得られる生成物が３−フルオロ−４−フエニル−１−
エチニルベンゼンである特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ８ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′が弗素であり、
Ｙ″及びＹ″′が水素であり、Ｒ′がメチルであって、
得られる生成物が４−（２−フルオロフエニル）−１−
エチニルベンゼンである特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ９ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′及びＹ″がそれ
ぞれ弗素であり、Ｙ″′が水素であり、Ｒ′がメチルで
あって得られる生成物が４−（２・４−ジフルオロフエ
ニル）−１−エチニルベンゼンである特許請求の範囲第
１項記載の方法。 １０ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′及びＹ″′が
それぞれ弗素であり、Ｙ″が水素であり、Ｒ′がメチル
であって、得られる生成物が４−（２・６−ジフルオロ
フエニル）−１−エチニルベンゼンである特許請求の範
囲第１項記載の方法。 １１ 各式中のＲがフエニルであり、Ｙ′がメチルであ
り、Ｙ″及びＹ″′が水素であり、Ｒ′がメチルであっ
て、得られる生成物が４−（ｏ−トリル）−１−エチニ
ルベンゼンである特許請求の範囲第１項記載の方法。 １２ 式 で表わされるジクロロアセトフエノンを塩素化して式 で表わされる対応するα・α・３−トリクロロ化合物を
生成し、 該α・α・３−トリクロロ化合物を還元して式で表わさ
れるベンジルアルコール化合物を生成し該ベンジルアル
コール化合物を式；Ｒ′ＳＯ２Ｃｌで表わされる塩化ス
ルホニルと反応せしめて式で表わされる対応するスルホ
ニル誘導体を生成し、該スルホニル誘導体を亜鉛の存在
下に還元して式 で表わされるクロロスチレンを生成し、次いで、該クロ
ロスチレン化合物をアルカリ金属アルコキシドと反応せ
しめて脱塩素化することを特徴とする一般式 で表わされるエチニルベンゼン誘導体を製造する方法。 上記各式に於いて、Ｒ′はアルキル、アリールまたは低
級アルキル置換アルキルである。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA307,302A CA1113125A (en) | 1978-07-13 | 1978-07-13 | Ethynylbenzenes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5555124A JPS5555124A (en) | 1980-04-22 |
| JPS584688B2 true JPS584688B2 (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=4111895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54089167A Expired JPS584688B2 (ja) | 1978-07-13 | 1979-07-13 | エチニルベンゼン誘導体の製法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4267388A (ja) |
| JP (1) | JPS584688B2 (ja) |
| CA (1) | CA1113125A (ja) |
| IT (1) | IT1121459B (ja) |
| NL (1) | NL7905451A (ja) |
| SE (1) | SE7906079L (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4686311A (en) * | 1980-03-13 | 1987-08-11 | Ethyl Corporation | Dehydrohalogenation of haloethyl brominated benzenes |
| US5364556A (en) * | 1991-09-30 | 1994-11-15 | Hoffmann-La Roche Inc. | Halovinyl-derivatives |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2060303A (en) * | 1934-03-19 | 1936-11-10 | Herbert P A Groll | Treatment of vinyl type monohalides |
| US3435075A (en) * | 1965-06-15 | 1969-03-25 | Merck & Co Inc | Process for preparing (halophenyl) alkyl ketone compounds |
| US3981932A (en) * | 1972-07-03 | 1976-09-21 | William H. Rorer, Inc. | Ethynylbenzene compounds and derivatives thereof |
| US4016214A (en) * | 1974-11-12 | 1977-04-05 | William H. Rorer, Inc. | Preparation of ethynylbenzenes |
| US4120889A (en) * | 1975-05-14 | 1978-10-17 | William H. Rorer, Inc. | Cyano ethynylbenzene compounds |
-
1978
- 1978-07-13 CA CA307,302A patent/CA1113125A/en not_active Expired
-
1979
- 1979-07-06 IT IT68412/79A patent/IT1121459B/it active
- 1979-07-12 NL NL7905451A patent/NL7905451A/nl not_active Application Discontinuation
- 1979-07-12 US US06/056,984 patent/US4267388A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-07-12 SE SE7906079A patent/SE7906079L/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-07-13 JP JP54089167A patent/JPS584688B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1113125A (en) | 1981-11-24 |
| IT7968412A0 (it) | 1979-07-06 |
| US4267388A (en) | 1981-05-12 |
| NL7905451A (nl) | 1980-01-15 |
| IT1121459B (it) | 1986-04-02 |
| JPS5555124A (en) | 1980-04-22 |
| SE7906079L (sv) | 1980-01-14 |
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