JPS5843513A - フオトマスクパタ−ン投影露光方法 - Google Patents
フオトマスクパタ−ン投影露光方法Info
- Publication number
- JPS5843513A JPS5843513A JP56141164A JP14116481A JPS5843513A JP S5843513 A JPS5843513 A JP S5843513A JP 56141164 A JP56141164 A JP 56141164A JP 14116481 A JP14116481 A JP 14116481A JP S5843513 A JPS5843513 A JP S5843513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- pin hole
- patterns
- light
- photo
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＩＪｌｌ杖フォトマスタぶターン投影電光方法に関
する。
する。
一般に集積回路の製造に用い：られるフォトマスクは、
透明ガラス基板上に形成されたクロムなどのメタル層を
所望のパターンに１込選択的に工。
透明ガラス基板上に形成されたクロムなどのメタル層を
所望のパターンに１込選択的に工。
チングすることにより作らｎている。集積回路の微細化
、高集積化が進むにりれフォ）−ｒスフ製造技術も発展
しマスクに発生するエツチング時の不要な部分のクロー
ム残シによる欠陥社容易に幣正可能となっている。しか
しメタル層パターンの欠損によるピンホール欠陥に対μ
ては現在有効な修正方法が開発されていない。
、高集積化が進むにりれフォ）−ｒスフ製造技術も発展
しマスクに発生するエツチング時の不要な部分のクロー
ム残シによる欠陥社容易に幣正可能となっている。しか
しメタル層パターンの欠損によるピンホール欠陥に対μ
ては現在有効な修正方法が開発されていない。
フォトマスクや欠陥の牛数昇上がピンホールにそる欠陥
であシ、前述の如くこのピンホール欠陥の有効門修正方
法はなく、フォトマスク作製における歩留の低下の最大
の要因となっている。すなわちピンホール欠陥の発生が
生産性の大幅な低下を招いている。
であシ、前述の如くこのピンホール欠陥の有効門修正方
法はなく、フォトマスク作製における歩留の低下の最大
の要因となっている。すなわちピンホール欠陥の発生が
生産性の大幅な低下を招いている。
本発明はフォトマスクのピンホール欠ＭＫよる生産性の
低下を除去する方法を提供するものである。
低下を除去する方法を提供するものである。
すなわち本発明は相互に鏡像関係にある一対のフォトマ
スクを相互のパターンが一致するように重ね合わせ皺！
スクパターンを被処理体に転写することを４Ｉ黴とする
フォトマスクパターン露光方法である。
スクを相互のパターンが一致するように重ね合わせ皺！
スクパターンを被処理体に転写することを４Ｉ黴とする
フォトマスクパターン露光方法である。
ピンホールの発生する位置は一定ではないので２枚のフ
ォトマスク上のピンホール同志が重なる確率は非常に少
ないので、本発明を用いることにフォトマλりに発生し
たピンホール欠陥は互に鏡儂関゛係にあるフォトマスク
に隠される。すなわち被処理体に転写されるマスクパタ
ーンはピンホール欠陥が除去され苑パターンとなる。
ォトマスク上のピンホール同志が重なる確率は非常に少
ないので、本発明を用いることにフォトマλりに発生し
たピンホール欠陥は互に鏡儂関゛係にあるフォトマスク
に隠される。すなわち被処理体に転写されるマスクパタ
ーンはピンホール欠陥が除去され苑パターンとなる。
以下に本発明の一実施例原図面を用いて詳細に説明する
。本実施例では実寸の１０倍の寸法を持つレティクルを
フォトマスクとして用いた。第１図は互に鏡像関係にあ
るパターンをもつ２枚のレティ′クルを示す図でレティ
クルｌ上のパタン３とレティクル２上のバタン３′は鏡
像の関係にある。
。本実施例では実寸の１０倍の寸法を持つレティクルを
フォトマスクとして用いた。第１図は互に鏡像関係にあ
るパターンをもつ２枚のレティ′クルを示す図でレティ
クルｌ上のパタン３とレティクル２上のバタン３′は鏡
像の関係にある。
第２図は該レティクルを一対として摺電のパターンを御
飯させ重ね＝わせ゛た状態を示す。第２図において光源
からの光４はフォトマスク５，５′を通過し、光−レン
ズ８で収束され被処理体９上に像を結ぶ。フォトマスク
ｄ’：）＜ターン部６．６’に発生したピンホール欠陥
７はたがいに他のフォトマスクの暗部パターンによ〕値
光されるため被処理体上に結ばれる曽はピンホール欠陥
が修正されたパターンになる。
飯させ重ね＝わせ゛た状態を示す。第２図において光源
からの光４はフォトマスク５，５′を通過し、光−レン
ズ８で収束され被処理体９上に像を結ぶ。フォトマスク
ｄ’：）＜ターン部６．６’に発生したピンホール欠陥
７はたがいに他のフォトマスクの暗部パターンによ〕値
光されるため被処理体上に結ばれる曽はピンホール欠陥
が修正されたパターンになる。
フォトマスク作製におけるピンホール欠陥の発生率はフ
ォトマスクパターンに依存している。す・ｅｑｔ、ピン
ホール欠陥の発生し易いフォトマスクと、発生し難いフ
ォトマスクが存在する。ピンホール欠陥が発生しないフ
ォトマスクに対しては本発明による投影露光方法を用い
ることはなく、鏡像関係にある一対の７ ＃ ） ｑス
フの内どちらが一方が準備されればよい。
ォトマスクパターンに依存している。す・ｅｑｔ、ピン
ホール欠陥の発生し易いフォトマスクと、発生し難いフ
ォトマスクが存在する。ピンホール欠陥が発生しないフ
ォトマスクに対しては本発明による投影露光方法を用い
ることはなく、鏡像関係にある一対の７ ＃ ） ｑス
フの内どちらが一方が準備されればよい。
・ この様に本発明のフォトマスクパターンの露光方法
を用いると、今までマスク欠陥の大部分を占めていた修
正が容易でないピンホール欠陥を容易に除去することが
可能であシマ°スク生童の歩−如。
を用いると、今までマスク欠陥の大部分を占めていた修
正が容易でないピンホール欠陥を容易に除去することが
可能であシマ°スク生童の歩−如。
生産性℃大幅な向上を実現する・こ０点で本発明は画期
的であシ集積回路生童への貢献は多大である。
的であシ集積回路生童への貢献は多大である。
ζ
ハ
第１図は互に鏡像関係にあるフォトマスクを示す平面図
であ〕、第２図は本実施例のフォトマスクパターンの投
影露光方法を示す図である。 図中ｓ １−’２・・・・・・フォトマスク、３．３’
・・・・・・メ１タル層からな為ノリーン、４・・・・
・・光源からの光、５．５Ｉ・・・・・・フォトマ哀り
、６ｔ６’・・・・・・メタル層値うナルパターン、７
・・・・・・ピンホール、８・・・・・・光学レンズ、
９・・・・・・被処理体である。 ′ 攬１図 、。 化 篤 ２口 ′ ”□゛
であ〕、第２図は本実施例のフォトマスクパターンの投
影露光方法を示す図である。 図中ｓ １−’２・・・・・・フォトマスク、３．３’
・・・・・・メ１タル層からな為ノリーン、４・・・・
・・光源からの光、５．５Ｉ・・・・・・フォトマ哀り
、６ｔ６’・・・・・・メタル層値うナルパターン、７
・・・・・・ピンホール、８・・・・・・光学レンズ、
９・・・・・・被処理体である。 ′ 攬１図 、。 化 篤 ２口 ′ ”□゛
Claims (1)
- 相互に１ｉｉ１曹関係にある一対の７オ）−ｒスフを相
互のパターンが一致するように重ね合わせ該マスクパタ
ーンを被処理体に転写する仁とを４１ｇ／ｌとするフォ
ト＝スクパターン投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141164A JPS5843513A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | フオトマスクパタ−ン投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141164A JPS5843513A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | フオトマスクパタ−ン投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843513A true JPS5843513A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15285618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141164A Pending JPS5843513A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | フオトマスクパタ−ン投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644435U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP56141164A patent/JPS5843513A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644435U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 |
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