JP2008507138A - マッチング・ジオメトリを有する集積回路構成要素を形成するためのシステムおよび方法 - Google Patents
マッチング・ジオメトリを有する集積回路構成要素を形成するためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (23)
- 集積回路構成要素を形成する方法であって、
第1のタイプの集積回路構成要素に対応する第1のジオメトリを有する第1のマスク構成要素を含む第1のフォトマスクを形成すること、
第1のリソグラフィ・プロセスを実施して、半導体ウェーハ上の第1のダイ上の第1の位置に前記第1のフォトマスクの前記第1のマスク構成要素の前記第1のジオメトリを転写して、前記第1のダイ上に前記第1のタイプの集積回路構成要素の第1の集積回路構成要素を形成すること、および
第2のリソグラフィ・プロセスを実施して、前記半導体ウェーハ上の前記第1のダイ上の第2の位置に前記第1のフォトマスクの前記第1のマスク構成要素の前記第1のジオメトリを転写して、前記第1のダイ上に前記第1のタイプの集積回路構成要素の第2の集積回路構成要素を形成すること
を含む方法。 - 集積回路デバイス中に配置された前記第1および第2の集積回路構成要素と、
前記集積回路デバイスの性能が、前記第2の集積回路構成要素の電気的特性と少なくとも実質的に同じである前記第1の集積回路構成要素の前記電気的特性に少なくとも基づくように関係づけられた前記第1および第2の集積回路構成要素と
をさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のタイプの集積回路構成要素が、抵抗を備え、
前記第1の集積回路構成要素が、第1の抵抗を備え、
前記第2の集積回路構成要素が、第2の抵抗を備え、
前記第1および第2の抵抗が、集積回路デバイス中に配置され、
前記集積回路デバイスの性能が、前記第2の抵抗の抵抗値と少なくとも実質的に同じである、前記第1の抵抗の抵抗値に少なくとも基づくように、前記第1および第2の抵抗が、関係づけられる、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のタイプの集積回路構成要素が、キャパシタを備え、
前記第1の集積回路構成要素が、第1のキャパシタを備え、
前記第2の集積回路構成要素が、第2のキャパシタを備え、
前記第1および第2のキャパシタが、集積回路デバイス中に配置され、
前記集積回路デバイスの性能が、前記第2の抵抗のキャパシタンスと少なくとも実質的に同じである、前記第1のキャパシタのキャパシタンスに少なくとも基づくように、前記第1および第2のキャパシタが、関係づけられる、請求項1に記載の方法。 - 1つまたは複数の追加のリソグラフィ・プロセスを実施して、前記半導体ウェーハの1つまたは複数の追加の位置のそれぞれに前記第1のフォトマスクの前記第1の構成要素の前記第1のジオメトリを転写して、前記第1のタイプの集積回路構成要素の1つまたは複数の追加の集積回路構成要素を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のリソグラフィ・プロセスを実施することは、前記第1のダイに対する第1の位置に前記第1のフォトマスクを位置合わせすることを含み、
前記第2のリソグラフィ・プロセスを実施することは、前記第1のダイに対する第2の位置に前記第1のフォトマスクを位置合わせすることを含む、請求項1に記載の方法。 - 第2のフォトマスクを使用して前記第1のダイ上に1つまたは複数の追加の集積回路構成要素を形成して、1つまたは複数の追加のリソグラフィ・プロセスを実施することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素が、第2のタイプの集積回路構成要素の少なくとも1つの集積回路構成要素を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のタイプの集積回路構成要素が、クリティカルなジオメトリを有する集積回路構成要素を備え、
前記1つまたは複数の追加のタイプの集積回路構成要素が、クリティカルでないジオメトリを有する集積回路構成要素を備える第2のタイプの集積回路構成要素を備える、請求項7に記載の方法。 - 前記第1のダイの第1の領域に対応する前記第1のフォトマスクの第1の領域中に形成され、前記第1のダイ上の前記第1および第2の位置が、前記第1のダイの前記第1の領域中に配置された前記第1のマスク構成要素と、
前記第1のダイの第2の領域中に配置された前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素と、
前記第1のダイの前記第2の領域中に前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素を形成するために使用される1つまたは複数の第2のマスク構成要素を含む前記第2のフォトマスクと
をさらに備える、請求項7に記載の方法。 - 前記第1のダイの前記第1の領域が、前記第1のダイの前記第2の領域とは異なる、請求項10に記載の方法。
- そのうちの少なくとも1つが、第2のタイプの集積回路構成要素に対応する第2のジオメトリを有する複数の第2のマスク構成要素を含む第2のフォトマスクを形成すること、および
前記第2のフォトマスクを使用して、前記第1のダイ中に複数の追加の集積回路構成要素を形成して、単一のリソグラフィ・プロセスを実施すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 半導体ウェーハ上の第1のダイ上の第1の位置に配置され、少なくとも
第1のタイプの集積回路構成要素に対応する第1のジオメトリを有する第1のマスク構成要素を含む第1のフォトマスクを形成すること、および
第1のリソグラフィ・プロセスを実施して、前記第1のダイ上の前記第1の位置に前記第1のフォトマスクの前記第1のマスク構成要素の前記第1のジオメトリを転写して、第1の集積回路構成要素を形成すること
によって形成される、第1のタイプの集積回路構成要素の第1の集積回路構成要素と、
前記半導体ウェーハ上の前記第1のダイ上の第2の位置に配置され、少なくとも
第2のリソグラフィ・プロセスを実施して、前記第1のダイ上の前記第2の位置に前記第1のフォトマスクの前記第1のマスク構成要素の前記第1のジオメトリを転写して、第2の集積回路構成要素を形成すること
によって形成される、前記第1のタイプの集積回路構成要素の第2の集積回路構成要素と
を備える集積回路デバイス。 - 前記集積回路デバイスの性能が、前記第2の集積回路構成要素の電気的特性と少なくとも実質的に同じである前記第1の集積回路構成要素の前記電気的特性に少なくとも基づくように関係づけられた前記第1および第2の集積回路構成要素を
さらに備える、請求項13に記載の集積回路デバイス。 - 前記第1のタイプの集積回路構成要素が、抵抗を備え、
前記第1の集積回路構成要素が、第1の抵抗を備え、
前記第2の集積回路構成要素が、第2の抵抗を備え、
前記集積回路デバイスの性能が、前記第2の抵抗の抵抗値と少なくとも実質的に同じである、前記第1の抵抗の抵抗値に少なくとも基づくように、前記第1および第2の抵抗が、関係づけられる、請求項13に記載の集積回路デバイス。 - 前記第1のタイプの集積回路構成要素が、キャパシタを備え、
前記第1の集積回路構成要素が、第1のキャパシタを備え、
前記第2の集積回路構成要素が、第2のキャパシタを備え、
前記集積回路デバイスの性能が、前記第2の抵抗のキャパシタンスと少なくとも実質的に同じである、前記第1のキャパシタのキャパシタンスに少なくとも基づくように、前記第1および第2のキャパシタが、関係づけられる、請求項13に記載の集積回路デバイス。 - 前記半導体ウェーハ上の前記第1のダイ上の1つまたは複数の追加の位置に配置され、少なくとも、1つまたは複数の追加のリソグラフィ・プロセスを実施して、前記半導体ウェーハの前記1つまたは複数の追加の位置のそれぞれに前記第1のフォトマスクの前記第1の構成要素の前記第1のジオメトリを転写することによって形成される、前記第1のタイプの集積回路構成要素の1つまたは複数の追加の集積回路構成要素をさらに備える、請求項13に記載の集積回路デバイス。
- 前記第1のリソグラフィを実施することは、前記第1のダイに対する第1の位置に前記第1のフォトマスクを位置合わせすることを含み、
前記第2のリソグラフィ・プロセスを実施することは、前記第1のダイに対する第2の位置に前記第1のフォトマスクを位置合わせすることを含む、請求項13に記載の集積回路デバイス。 - 前記半導体ウェーハ上の前記第1のダイ上の1つまたは複数の追加の位置に配置された第2のタイプの集積回路構成要素の1つまたは複数の追加の集積回路構成要素をさらに備え、
前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素が、少なくとも第2のフォトマスクを使用して1つまたは複数の追加のリソグラフィ・プロセスを実施することにより形成される、請求項13に記載の集積回路デバイス。 - 前記第1のタイプの集積回路構成要素が、クリティカルなジオメトリを有する集積回路構成要素を備え、
前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素が、クリティカルでないジオメトリを有する集積回路構成要素を備える第2のタイプの集積回路構成要素を備える、請求項19に記載の集積回路デバイス。 - 前記第1のダイの第1の領域に対応する前記第1のフォトマスクの第1の領域中に形成され、前記第1のダイ上の前記第1および第2の位置が、前記第1のダイの前記第1の領域中に配置された前記第1のマスク構成要素と、
前記第1のダイの第2の領域中に配置された前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素と、
前記第1のダイの前記第2の領域中に前記1つまたは複数の追加の集積回路構成要素を形成するために使用される1つまたは複数の第2のマスク構成要素を含む前記第2のフォトマスクと
をさらに備える、請求項19に記載の集積回路デバイス。 - 前記第1のダイの前記第1の領域が、前記第1のダイの前記第2の領域とは異なる、請求項21に記載の集積回路デバイス。
- 前記半導体ウェーハ上の前記第1のダイ上の1つまたは複数の追加の位置に配置された複数の追加の集積回路構成要素をさらに備え、前記複数の追加の集積回路構成要素が、第2のタイプの集積回路構成要素の少なくとも1つを含み、少なくとも、
そのうちの少なくとも1つが、前記第2のタイプの集積回路構成要素に対応する第2のジオメトリを有する複数の第2のマスク構成要素を含む第2のフォトマスクを形成すること、および
前記第2のフォトマスクを使用して、前記第1のダイ中に前記複数の追加の集積回路構成要素を形成して、単一のリソグラフィ・プロセスを実施すること
によって形成される、請求項13に記載の集積回路デバイス。
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