JPS5840949B2 - 5,8−ジヒドロキシ−3,4−ジヒドロカルボスチリルの製造法 - Google Patents
5,8−ジヒドロキシ−3,4−ジヒドロカルボスチリルの製造法Info
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- JPS5840949B2 JPS5840949B2 JP52099029A JP9902977A JPS5840949B2 JP S5840949 B2 JPS5840949 B2 JP S5840949B2 JP 52099029 A JP52099029 A JP 52099029A JP 9902977 A JP9902977 A JP 9902977A JP S5840949 B2 JPS5840949 B2 JP S5840949B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は5・8−ジヒドロキシ−3・4−ジヒドロカル
ボスチリルの新規な製造法に関する。
ボスチリルの新規な製造法に関する。
5・8−ジヒドロキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリ
ルはβ−ブロッカ−剤合戒の中間体として有用な化合物
である。
ルはβ−ブロッカ−剤合戒の中間体として有用な化合物
である。
従来5・8−ジヒドロキシ3・4−ジヒドロカルボスチ
リルを製造する方法としては特公昭46−38789号
、特開昭516971号、特開昭51−6972号、特
開昭5’l−6973号及び特開昭51−6974号に
記載の方法を適宜組み合わせて下記反応行程式1に示す
方法が知られている。
リルを製造する方法としては特公昭46−38789号
、特開昭516971号、特開昭51−6972号、特
開昭5’l−6973号及び特開昭51−6974号に
記載の方法を適宜組み合わせて下記反応行程式1に示す
方法が知られている。
反応行程式−1
しかしながら従来の製造法では、反応が複雑な為に全収
率が約8〜12%と極めて低く、また高価な出発原料を
用いねばならず、工業化には非常に難点があった。
率が約8〜12%と極めて低く、また高価な出発原料を
用いねばならず、工業化には非常に難点があった。
本発明は斯かる従来法の難点を解消することを目的とし
てなされたものである。
てなされたものである。
即ち本発明は一般式
〔式中R1
は低級アルキル基を、R2
はハロゲン
(R3は低級アルキル基又はアリール基)を夫夫示す。
〕で表わされるカルボスチル誘導体を還元し、次いで得
られる一般式 〔式中R1は前記に同じ。
られる一般式 〔式中R1は前記に同じ。
〕で表わされる3・4ジヒドロ力ルボスチリル誘導体を
加水分解することを特徴とする5・8−ジヒドロキシ−
3・4ジヒドロカルボスチリルの製造法に係る。
加水分解することを特徴とする5・8−ジヒドロキシ−
3・4ジヒドロカルボスチリルの製造法に係る。
上記一般式CI)及び(II)に於て、R1及びR3で
示される低級アルキル基としては炭素数1〜4の直鎖も
しくは分枝状のアルキル基を挙げることができ、具体的
にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
、tert−ブチル、5ee−ブチル基等が包含される
。
示される低級アルキル基としては炭素数1〜4の直鎖も
しくは分枝状のアルキル基を挙げることができ、具体的
にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
、tert−ブチル、5ee−ブチル基等が包含される
。
一般式CI)に於て、R2で示されるハロゲン原子とし
ては塩素原子、臭素原子、沃素原子等が包含され、また
R3 で示されるアリール基としては上記ハロゲン原子
、上記低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、インプロポキシ基等の低級アルコキシ基、ヒドロキ
シ基、ニトロ基等の置換基を有しもしくは有しないフェ
ニル基が包含される。
ては塩素原子、臭素原子、沃素原子等が包含され、また
R3 で示されるアリール基としては上記ハロゲン原子
、上記低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、インプロポキシ基等の低級アルコキシ基、ヒドロキ
シ基、ニトロ基等の置換基を有しもしくは有しないフェ
ニル基が包含される。
一般式〔■〕の化合物の加水分解反応は酸触媒の存在下
通常の不活性溶媒中にて行なうのがよい。
通常の不活性溶媒中にて行なうのがよい。
酸触媒としては公知のものを広く使用でき、塩酸、臭化
水素酸、ヨウ化水素酸等の7・ロゲン化水素酸、硫酸等
の無機酸等を例示できる。
水素酸、ヨウ化水素酸等の7・ロゲン化水素酸、硫酸等
の無機酸等を例示できる。
これらのうちで臭化水素酸が特に好ましい。
酸触媒の使用量としては特に限定がなく広い範囲から適
宜選択されるが、一般には一般式(n)の化合物に対し
大過剰量使用するのがよい。
宜選択されるが、一般には一般式(n)の化合物に対し
大過剰量使用するのがよい。
用いられる不活性溶媒としては具体的にはベンゼン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等の低級アルコール類、1
・2ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド
、水等を例示できる。
ルエン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等の低級アルコール類、1
・2ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド
、水等を例示できる。
斯かる反応の反応温度としては特に限定がなく広い範囲
内で適宜選択されるが、通常50〜200℃、好ましく
は90〜150℃で反応を行なうのがよい。
内で適宜選択されるが、通常50〜200℃、好ましく
は90〜150℃で反応を行なうのがよい。
該反応は通常1〜24時間程時間路了する。
一般式〔■〕の化合物の還元反応には通常の還元反応を
広く適用し得るが、一般には通常の接触還元反応を適用
するのがよい。
広く適用し得るが、一般には通常の接触還元反応を適用
するのがよい。
斯かる接触還元反応は触媒の存在下通常の不活性溶媒中
にて行なうのがよい。
にて行なうのがよい。
使用される触媒としては公知のものを広く使用でき、例
えばパラジウム黒、パラジウム炭素、白金黒、ラネーニ
ッケル等の水添用触媒を挙げることができる。
えばパラジウム黒、パラジウム炭素、白金黒、ラネーニ
ッケル等の水添用触媒を挙げることができる。
これらの触媒のうち5〜20%パラジウム炭素を用いる
のが特に好ましい。
のが特に好ましい。
触媒の使用量としては特に限定がなく広い範囲から適宜
選択されるが、一般には触媒を一般式CI)の化合物に
対して0.1〜30%(WOW)使用するのがよい。
選択されるが、一般には触媒を一般式CI)の化合物に
対して0.1〜30%(WOW)使用するのがよい。
不活性溶媒としては具体的には水、酢酸、フロピオン酸
等のカルボン酸類、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等の低級アルコール類、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等のニー※チル類、酢酸エチル、プロピオン酸エ
チル等のエステル類やこれらの混合溶媒等を例示できる
。
等のカルボン酸類、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等の低級アルコール類、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等のニー※チル類、酢酸エチル、プロピオン酸エ
チル等のエステル類やこれらの混合溶媒等を例示できる
。
斯かる反応は通常常圧〜100気圧、好ましくは5〜5
0気圧の水素気流中、通常室温〜150℃、好ましくは
50〜100℃にて1〜20時間程度行なうのがよい。
0気圧の水素気流中、通常室温〜150℃、好ましくは
50〜100℃にて1〜20時間程度行なうのがよい。
斯くして得られる本発明の化合物は反応終了後常法に従
って反応混合物から単離される。
って反応混合物から単離される。
例えば反応混合物より溶剤を留去することにより得られ
る。
る。
得られた化合物は必要に応じ一般の慣用方法例えば分別
再結晶法、カラムクロマトグラフィー、プリパラテイプ
薄層クロマトグラフィー、溶媒抽出法、沈澱法等を用い
て更に精製することができる。
再結晶法、カラムクロマトグラフィー、プリパラテイプ
薄層クロマトグラフィー、溶媒抽出法、沈澱法等を用い
て更に精製することができる。
本発明に於て出発原料として使用される一般式CI)の
化合物は、例えば一般式(In)で表わされる公知のベ
ンゼン誘導体から下記反応行程式2に示す方法で製造さ
れる。
化合物は、例えば一般式(In)で表わされる公知のベ
ンゼン誘導体から下記反応行程式2に示す方法で製造さ
れる。
反応行程式−2
(上式に於てXはハロゲン原子を、R′2は基
記に同じ)を夫々示す。
R1は前記に同じ。)即ち一般式CI)に於て、R2が
ハロゲン原子である化合物(一般式(Ia)の化合物)
は、一般式(III)で表わされる公知の化合物を縮合
剤の存在下に閉環反応させ、次いで得られる一般式(I
V)の化合物を加水分解することにより製造される。
ハロゲン原子である化合物(一般式(Ia)の化合物)
は、一般式(III)で表わされる公知の化合物を縮合
剤の存在下に閉環反応させ、次いで得られる一般式(I
V)の化合物を加水分解することにより製造される。
更に詳しくは一般式(IV)の化合物は一般式([[〕
の化合物に無溶媒でもしくは通常の不活性溶媒中オキシ
塩化リン、オキシ臭化リン、五塩化リン、五臭化リン、
三塩化リン等のハロゲン化合物等の縮合剤を通常30〜
150 ℃、好ましくは50〜100℃で1〜24時間
程時間長させることにより製造される。
の化合物に無溶媒でもしくは通常の不活性溶媒中オキシ
塩化リン、オキシ臭化リン、五塩化リン、五臭化リン、
三塩化リン等のハロゲン化合物等の縮合剤を通常30〜
150 ℃、好ましくは50〜100℃で1〜24時間
程時間長させることにより製造される。
斯かる不活性溶媒としては例えばクロロホルム、ジクロ
ロメタン、1・2−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素類、エーテル、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等を挙げ
ることができる。
ロメタン、1・2−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素類、エーテル、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等を挙げ
ることができる。
一般式(III’lの化合物と縮合剤との使用割合は特
に限定されず広い範囲から適宜選択されるが、通常前者
に対して後者を2〜20倍モル、好ましくは7〜12倍
モル使用するのがよい。
に限定されず広い範囲から適宜選択されるが、通常前者
に対して後者を2〜20倍モル、好ましくは7〜12倍
モル使用するのがよい。
一般式(IS7)の化合物の加水分解反応は通常使用さ
れている加水分解触媒、例えば塩酸、臭化水素酸等のハ
ロゲン化水素酸、硫酸、燐酸等の無機酸、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無
機アリカリ化合物等の存在下に、通常50〜150℃、
好ましくは70〜1. O0℃に加熱して3〜24時間
程度反応させればよい。
れている加水分解触媒、例えば塩酸、臭化水素酸等のハ
ロゲン化水素酸、硫酸、燐酸等の無機酸、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無
機アリカリ化合物等の存在下に、通常50〜150℃、
好ましくは70〜1. O0℃に加熱して3〜24時間
程度反応させればよい。
一般式(Ia)の化合物は一般式(IV )の化合物を
アルカリ金属アルコキシドで処理し、次いでこれを加水
分解することによっても製造される。
アルカリ金属アルコキシドで処理し、次いでこれを加水
分解することによっても製造される。
一般式(IV )の化合物とアルカリ金属アルコキシド
との反応は通常の不活性溶媒、例えばメタノール、エタ
ノール、ブタノール、ter t −フタノール等の
低級アルコール類、エーテル、ジオキサン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の
溶媒中、通常室温〜溶媒の沸点の範囲内、好ましくは6
0〜80°Cで5分〜10時間程度行なえばよい。
との反応は通常の不活性溶媒、例えばメタノール、エタ
ノール、ブタノール、ter t −フタノール等の
低級アルコール類、エーテル、ジオキサン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の
溶媒中、通常室温〜溶媒の沸点の範囲内、好ましくは6
0〜80°Cで5分〜10時間程度行なえばよい。
使用されるアルカリ金属アルコキシドとしては公知のも
のを広く用いることができ、具体的にはす) IJウム
メトキシド、カリウムエトキシド、カリウムブトキシド
、ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert
−ブトキシド等を例示できる。
のを広く用いることができ、具体的にはす) IJウム
メトキシド、カリウムエトキシド、カリウムブトキシド
、ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert
−ブトキシド等を例示できる。
これらのうちナトリウムtert−ブトキシド及びカリ
ウムtert−ブトキシドが最も好ましい。
ウムtert−ブトキシドが最も好ましい。
一般式(IV )の化合物とアルカリ金属アルコキシド
との使用割合は特に限定されず広い範囲内で適宜選択さ
れるが、前者に対して後者を通常管モル−2倍モル、好
ましくは等モル−1,5倍モル量使用するのがよい。
との使用割合は特に限定されず広い範囲内で適宜選択さ
れるが、前者に対して後者を通常管モル−2倍モル、好
ましくは等モル−1,5倍モル量使用するのがよい。
また一般式CI)に於て、R2が基
0)・
−又は基R3SO3−である化
合物(一般式(Ib))は、一般式〔■〕で表わされる
公知の化合物を縮合剤の存在下に閉環反応させ、次いで
得られる一般式(V)の化合物に塩基性化合物の存在下
一般式 %式%( 〔式中R4は基 〔=二■丁、)又はR35O2(R3
は前記に同じ)を、X′はノ・ロゲン原子を夫々示す。
公知の化合物を縮合剤の存在下に閉環反応させ、次いで
得られる一般式(V)の化合物に塩基性化合物の存在下
一般式 %式%( 〔式中R4は基 〔=二■丁、)又はR35O2(R3
は前記に同じ)を、X′はノ・ロゲン原子を夫々示す。
〕で表わされる化合物を反応させることにより製造され
る。
る。
更に詳しくは一般式〔■〕の化合物は無溶媒でもしくは
通常の不活性溶媒中にて縮合剤を用いて一般式(m)の
化合物を閉環させることにより製造される。
通常の不活性溶媒中にて縮合剤を用いて一般式(m)の
化合物を閉環させることにより製造される。
この際使用される縮合剤としては五酸化リン、弗化水素
、硫酸、ポリリン酸、塩化アルミニウム、塩化亜鉛等の
ルイス酸等を例示でき、また不活性溶媒としてはクロロ
ホルム、ジクロロメタン、1・2−ジクロロエタン等の
・・ロゲン化炭化水素類、エーテル、ジオキサン等のエ
ーテル類、ニトロベンゼン、クロロベンゼン等の芳香族
炭化水素類等を例示できる。
、硫酸、ポリリン酸、塩化アルミニウム、塩化亜鉛等の
ルイス酸等を例示でき、また不活性溶媒としてはクロロ
ホルム、ジクロロメタン、1・2−ジクロロエタン等の
・・ロゲン化炭化水素類、エーテル、ジオキサン等のエ
ーテル類、ニトロベンゼン、クロロベンゼン等の芳香族
炭化水素類等を例示できる。
縮合剤としてはポリリン酸が最も好ましい。
一般式〔■〕の化合物と縮合剤との使用割合は特に限定
がなく広い範囲から適宜選択されるが、前者に対して後
者を通常等モル−10倍モル、好ましくは3〜6倍モル
量とするのがよい。
がなく広い範囲から適宜選択されるが、前者に対して後
者を通常等モル−10倍モル、好ましくは3〜6倍モル
量とするのがよい。
特にポリリン酸を用いる場合には無溶媒下で一般式〔■
〕の化合物に対して通常等量〜10倍量(重量)、好ま
しくは3〜5倍量(重量)用いるのがよい。
〕の化合物に対して通常等量〜10倍量(重量)、好ま
しくは3〜5倍量(重量)用いるのがよい。
この閉環反応は通常50〜250°C1好ましくは70
〜200℃で行なうのがよく、反応時間は通常20分〜
6時間程度である。
〜200℃で行なうのがよく、反応時間は通常20分〜
6時間程度である。
一般式(V)の化合物と一般式〔■〕の化合物との反応
に於ては、まず一般式〔■〕の化合物を例えば水素化ナ
トリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化物、
ナトリウムアミド、カリウムアミド等のアルカリ金属ア
ミド、金属カリウム、金属ナトリウム等のアルカリ金属
、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリ
ウムエトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアル
カリ金属水酸化物、n−ブチルリチウムの金属アルキル
化合物等と反応させて、カルボスチリル等の4位の水酸
基をアルカリ金属塩に導く。
に於ては、まず一般式〔■〕の化合物を例えば水素化ナ
トリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化物、
ナトリウムアミド、カリウムアミド等のアルカリ金属ア
ミド、金属カリウム、金属ナトリウム等のアルカリ金属
、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリ
ウムエトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアル
カリ金属水酸化物、n−ブチルリチウムの金属アルキル
化合物等と反応させて、カルボスチリル等の4位の水酸
基をアルカリ金属塩に導く。
このアルカリ金属塩に導く反応は、該アルカリ金属また
はその化合物を適当な溶媒、たとえば芳香族系溶媒(ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等)、n−ヘキサン、シク
ロヘキサン、エーテル系溶媒(ジエチルエーテル、■・
2−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなど)、非プロトン性の極性溶媒(ジメチルホルムア
ミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ジメチルスルホ
キシドなど)中O〜200℃、好ましくは室温〜100
℃にて、30分間〜5時間で進行する。
はその化合物を適当な溶媒、たとえば芳香族系溶媒(ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等)、n−ヘキサン、シク
ロヘキサン、エーテル系溶媒(ジエチルエーテル、■・
2−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなど)、非プロトン性の極性溶媒(ジメチルホルムア
ミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ジメチルスルホ
キシドなど)中O〜200℃、好ましくは室温〜100
℃にて、30分間〜5時間で進行する。
次いで得られた4−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の
アルカリ金属塩に、一般式CVI )の化合物例えばメ
タンスルホニルクロライド、エタンスルホニルブロマイ
ド、ベンゼンスルホニルブロマイド、ハラトルエンスル
ホニルクロライド、パラニトロフェニルスルホニルクロ
ライド、2−クロロベンゾオキサゾール等※を加え、通
常O〜200℃、好ましくは0〜100℃で約1〜5時
間反応させることにより一般式(Ib)の化合物が製造
される。
アルカリ金属塩に、一般式CVI )の化合物例えばメ
タンスルホニルクロライド、エタンスルホニルブロマイ
ド、ベンゼンスルホニルブロマイド、ハラトルエンスル
ホニルクロライド、パラニトロフェニルスルホニルクロ
ライド、2−クロロベンゾオキサゾール等※を加え、通
常O〜200℃、好ましくは0〜100℃で約1〜5時
間反応させることにより一般式(Ib)の化合物が製造
される。
一般式〔■〕の化合物と一般式(VI、]の化合物との
使用割合は特に限定されず広い範囲から適宜選択される
が、通常前者に対して後者を等モル−5倍モル、好まし
くは等モル−2倍モル量用いるのがよい。
使用割合は特に限定されず広い範囲から適宜選択される
が、通常前者に対して後者を等モル−5倍モル、好まし
くは等モル−2倍モル量用いるのがよい。
アルカリ金属又はその化合物の使用量としては特に限定
されず広い範囲から適宜選択されるが、通常一般式〔■
〕の化合物に対して等モル−5倍モル、好ましくは等モ
ル−1,5倍モル量用いるのがよい。
されず広い範囲から適宜選択されるが、通常一般式〔■
〕の化合物に対して等モル−5倍モル、好ましくは等モ
ル−1,5倍モル量用いるのがよい。
一般式(III)の化合物は入手容易で安価な化合物で
あり、下記反応行程式−3に示す如く一般式〔■〕で表
わされるベンゼン誘導体から容易に製造される。
あり、下記反応行程式−3に示す如く一般式〔■〕で表
わされるベンゼン誘導体から容易に製造される。
反応行程式−3
(上式に於てR1は前記に同じ)
一般式〔■〕の化合物を出発原料とし、本発明の製造法
を経由して5・8−ジヒドロキシ−3,・4−ジヒドロ
カルボスチリルを得る方法では全収率が30〜40%と
従来法に比してはるかに高収率であり、しかも出発原料
についてもずっと安価であり、製造コストでは従来法の
1/20〜1/15であって極めて好ましい製造法であ
る。
を経由して5・8−ジヒドロキシ−3,・4−ジヒドロ
カルボスチリルを得る方法では全収率が30〜40%と
従来法に比してはるかに高収率であり、しかも出発原料
についてもずっと安価であり、製造コストでは従来法の
1/20〜1/15であって極めて好ましい製造法であ
る。
以下に参考例及び実施例を掲げて本発明をより一層明ら
かにする。
かにする。
参考例 1
2・5−ジメトキシアニリン200fを九チルマロネー
ト1500rrLlに溶解し窒素を吹き込みつつ140
〜150℃で3時間加熱してエタノールを留去する。
ト1500rrLlに溶解し窒素を吹き込みつつ140
〜150℃で3時間加熱してエタノールを留去する。
反応終了後過剰のジエチルマロネートを留去して、N−
エトキシカルボニルアセチル2・5−ジメトキシアニリ
ンを定量的に得る(融点68〜69℃)。
エトキシカルボニルアセチル2・5−ジメトキシアニリ
ンを定量的に得る(融点68〜69℃)。
これに苛性ソーダ水溶液(NaOH130?、水150
0ml)を加えて65〜75℃で1時間攪拌する。
0ml)を加えて65〜75℃で1時間攪拌する。
不溶物をP去したのち冷却下濃塩酸25077171!
を加えてpH÷1とし冷却する。
を加えてpH÷1とし冷却する。
析出晶をF取、水洗、乾燥してN−カルボキシアセチル
−2・5−ジメトキシアニリン268zを得る。
−2・5−ジメトキシアニリン268zを得る。
収率86%、融点143〜144℃。
参考例 2
N−カルボキシアセチル−2・5−ジメトキシアニリン
2681をPOCl312001rLlに加え2時間還
流する。
2681をPOCl312001rLlに加え2時間還
流する。
POCl3を回収後氷水10.Jに徐徐にあける。
析出晶をP取、水洗、乾燥して2・4−ジクロ−5・8
−ジメトキシキノリン253iを得る(収率87.5%
)。
−ジメトキシキノリン253iを得る(収率87.5%
)。
融点121〜126℃これをメタノール2200dより
再結晶する。
再結晶する。
黄色針状晶、融点129〜130℃。
参考例 3
2・4−ジクロロ−5・8−ジメトキシキノリン26?
をjert−ブタノール400IrLlに溶かし、カル
ウムtert−ブトキシド1.5当量を加え窒素気流下
3時間還流する。
をjert−ブタノール400IrLlに溶かし、カル
ウムtert−ブトキシド1.5当量を加え窒素気流下
3時間還流する。
反応終了後減圧下にtert −ブタノール約200m
1を留去したのち、水1000aに注ぎ込み、次いで濃
塩酸100m1を加え約pH=1としたのち70℃で1
時間加熱する。
1を留去したのち、水1000aに注ぎ込み、次いで濃
塩酸100m1を加え約pH=1としたのち70℃で1
時間加熱する。
冷却後析出晶を1取、水洗、乾燥後90%メタノール水
溶液より再結晶して黄色無定形晶の4−クロロ−5・8
−ジメトキシカルボスチリルを得る。
溶液より再結晶して黄色無定形晶の4−クロロ−5・8
−ジメトキシカルボスチリルを得る。
収量22.5f(収率92.8%)、融点208〜20
9℃ 参考例 4 ポリリン酸(五酸化リン50P、85%リン酸5(1)
にN−カルボキシアセチル−2・5−ジメトキシアニリ
ン20Pを加えて150℃で30分間加熱する。
9℃ 参考例 4 ポリリン酸(五酸化リン50P、85%リン酸5(1)
にN−カルボキシアセチル−2・5−ジメトキシアニリ
ン20Pを加えて150℃で30分間加熱する。
次いで氷水1000rrLl中にあげN a OH*溶
液で中和する。
液で中和する。
析出晶を1取、水洗、乾燥して4−ヒドロキシ−5・8
−ジヒドロカルボスチリルの1水和物19.5?を得る
(収率97.5%)。
−ジヒドロカルボスチリルの1水和物19.5?を得る
(収率97.5%)。
これをイソプロパツールより再結晶して無水和物を得る
。
。
無色無定形晶、融点184〜185.5°C
参考例 5
4−ヒドロキシ−5・8−ジメトキシカルボスチリル2
2.11及び苛性ソーダ4.8f?をジメチルスルホキ
シド200rrLlに加え室温で30分間攪拌する。
2.11及び苛性ソーダ4.8f?をジメチルスルホキ
シド200rrLlに加え室温で30分間攪拌する。
次いで反応液にメタンスルホニルクロライド13.7f
?を攪拌下少量ずつ30分間で加える。
?を攪拌下少量ずつ30分間で加える。
更に反応液を同温度で5時間攪拌する。
反応終了後氷水21に注ぎ析出晶をF取し水、エーテル
で洗浄する。
で洗浄する。
得られた粗結晶をメタノールから再結晶して白色粉末の
5・8−ジメトキシ−4−メタンスルホニルオキシカル
ボスチリル25.7Pを得る。
5・8−ジメトキシ−4−メタンスルホニルオキシカル
ボスチリル25.7Pを得る。
収率86%参考例 6
4−ヒドロキシ−5・8−ジメトキシカルボスチリル4
.41にテトラヒドロフラン100 rrLlを加え、
室温で攪拌下水素化ナトリウム0.72を少量ずつ添加
したのち30分間還流し、次いで2−クロルベンゾオキ
サゾール4.6zを2’Omlのテトラヒドロフランに
溶解した溶液を還流下滴下する。
.41にテトラヒドロフラン100 rrLlを加え、
室温で攪拌下水素化ナトリウム0.72を少量ずつ添加
したのち30分間還流し、次いで2−クロルベンゾオキ
サゾール4.6zを2’Omlのテトラヒドロフランに
溶解した溶液を還流下滴下する。
滴下終了後2時間還流したのち冷却し、溶媒を減圧下留
去する。
去する。
残渣をエーテル、水で洗浄後粗結晶をカラムクロマトゲ
ラフィー(シリカゲル:ワコウC−200、溶出液:ク
ロロホルム)で精製し、白色粉末の4−(2−ベンゾオ
キサシリル)オキシ−5・8−ジメトキシカルボスチリ
ル5.71を得る。
ラフィー(シリカゲル:ワコウC−200、溶出液:ク
ロロホルム)で精製し、白色粉末の4−(2−ベンゾオ
キサシリル)オキシ−5・8−ジメトキシカルボスチリ
ル5.71を得る。
収率84%参考例 7
4−クロロ−5・8−ジメトキシカルボスチリル15f
を60%メタノール500rrLl又はエタノール30
0rrLlに加え、次いでこれに10%パラジウム炭素
1.5z及び当量のNaOH7J(溶液を加えH210
kg/ cyst、50〜60℃にて2時間攪拌する。
を60%メタノール500rrLl又はエタノール30
0rrLlに加え、次いでこれに10%パラジウム炭素
1.5z及び当量のNaOH7J(溶液を加えH210
kg/ cyst、50〜60℃にて2時間攪拌する。
触媒をf去、乾固して5・8−ジメトキシ3・4−ジヒ
ドロカルボスチリルを得る。
ドロカルボスチリルを得る。
収量11.5P、収率88.5%、融点98〜99℃参
考例 8 4−(2−ベンゾオキサシリル)オキシ−5・8−ジメ
トキシカルボスチリル4グをエタノール200rnlに
加え、20%パラジウム炭素1ftを加えオートクレー
ブ中30kg/crA、60℃で12時間反応させる。
考例 8 4−(2−ベンゾオキサシリル)オキシ−5・8−ジメ
トキシカルボスチリル4グをエタノール200rnlに
加え、20%パラジウム炭素1ftを加えオートクレー
ブ中30kg/crA、60℃で12時間反応させる。
反応終了後触媒を留去し、1液の溶媒を留去し、得られ
た残渣にIN−苛性ソーダ100m1を加えて不溶物を
F取する。
た残渣にIN−苛性ソーダ100m1を加えて不溶物を
F取する。
水、エーテルで洗浄後乾燥して5・8−ジメトキシ−3
・4ジヒドロカルボスチリルを得る。
・4ジヒドロカルボスチリルを得る。
収量2.1り、収率86%、融点98〜99℃
参考例 9
5・8−ジメトキシ−4−メタンスルホニルオキシカル
ボスチリル6、OS’に50%エタノール水溶液100
rrLl及び10%パラジウム炭素1.01を加え、オ
ートクレーブ中50kg/crii、 70℃で10時
間反応させる。
ボスチリル6、OS’に50%エタノール水溶液100
rrLl及び10%パラジウム炭素1.01を加え、オ
ートクレーブ中50kg/crii、 70℃で10時
間反応させる。
反応終了後触媒を1去し、F液の溶媒を留去し、得られ
た残渣にIN−苛性ソーダ水溶液100rnlを加えて
不溶物を1取する。
た残渣にIN−苛性ソーダ水溶液100rnlを加えて
不溶物を1取する。
水、エーテルで洗浄後乾燥して5・8−ジメトキシ−3
・4−ジヒドロカルボスチリルを得る。
・4−ジヒドロカルボスチリルを得る。
収量3.6P、収率87%、融点98〜99℃参考例
10 5・8−ジメトキシ−4−(p−)ルエンスルホニルオ
キシ)カルボスチリル7.51をエタノール200rI
llに加え、20%パラジウム炭素11を加えオートク
レーブ中30kg/ca、60℃で8時間反応させる。
10 5・8−ジメトキシ−4−(p−)ルエンスルホニルオ
キシ)カルボスチリル7.51をエタノール200rI
llに加え、20%パラジウム炭素11を加えオートク
レーブ中30kg/ca、60℃で8時間反応させる。
反応終了後触媒を1去し、P液の溶媒を留去し、得られ
た残渣にIN−苛性ソーダ水溶液100m1を加えて不
溶物を1取する。
た残渣にIN−苛性ソーダ水溶液100m1を加えて不
溶物を1取する。
水、エーテルで洗浄後乾燥して5・8−ジメトキシ3・
4−ジヒドロカルボスチリルを得る。
4−ジヒドロカルボスチリルを得る。
収量3.41、収率82%、融点98〜99℃実施例
1 5・8−ジメトキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリル
5iを47%HBr 50rrLlに加え2時間還流す
る。
1 5・8−ジメトキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリル
5iを47%HBr 50rrLlに加え2時間還流す
る。
冷却後析出晶を1取、水100rILlに投入する。
一度溶けたのち再び析出する。P取、水洗、乾燥を行な
い5・8−ジヒドロキシ−3・4ジヒドロカルボスチリ
ルを得る。
い5・8−ジヒドロキシ−3・4ジヒドロカルボスチリ
ルを得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 〔式中R1 は低級アルキル基を、 2 はハロゲン (R3は低級アルキル基又はアリール基)を夫夫示す。 〕で表わされるカルボスチリル誘導体を還元し、次いで
得られる一般式 で表わされる3・4−ジヒドロカルボスチリル誘導体を
力水分解することを特徴とする5・8−ジヒドロキシ−
3・4−ジヒドロカルボスチリルの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52099029A JPS5840949B2 (ja) | 1977-08-17 | 1977-08-17 | 5,8−ジヒドロキシ−3,4−ジヒドロカルボスチリルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52099029A JPS5840949B2 (ja) | 1977-08-17 | 1977-08-17 | 5,8−ジヒドロキシ−3,4−ジヒドロカルボスチリルの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5432484A JPS5432484A (en) | 1979-03-09 |
JPS5840949B2 true JPS5840949B2 (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=14235886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52099029A Expired JPS5840949B2 (ja) | 1977-08-17 | 1977-08-17 | 5,8−ジヒドロキシ−3,4−ジヒドロカルボスチリルの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5840949B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59177244U (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-27 | パイオニア株式会社 | アンテナ装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS516974A (en) * | 1974-07-08 | 1976-01-20 | Otsuka Pharma Co Ltd | 5*88 jihidorokishi 3*44 jihidorokarubosuchiriruno seizoho |
JPS5129487A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-12 | Otsuka Pharma Co Ltd | 55 * 22 amino 11 hidorokishi * echiru 88 hidorokishi 3 44 jihidorokarubosuchirirujudotai no seizohoho |
JPS5156460A (en) * | 1974-11-08 | 1976-05-18 | Otsuka Pharma Co Ltd | 3*44 jihidorokarubosuchirirujudotainoseizoho |
-
1977
- 1977-08-17 JP JP52099029A patent/JPS5840949B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS516974A (en) * | 1974-07-08 | 1976-01-20 | Otsuka Pharma Co Ltd | 5*88 jihidorokishi 3*44 jihidorokarubosuchiriruno seizoho |
JPS5129487A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-12 | Otsuka Pharma Co Ltd | 55 * 22 amino 11 hidorokishi * echiru 88 hidorokishi 3 44 jihidorokarubosuchirirujudotai no seizohoho |
JPS5156460A (en) * | 1974-11-08 | 1976-05-18 | Otsuka Pharma Co Ltd | 3*44 jihidorokarubosuchirirujudotainoseizoho |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59177244U (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-27 | パイオニア株式会社 | アンテナ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5432484A (en) | 1979-03-09 |
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