JPS583999A - 電気合金メツキ方法 - Google Patents
電気合金メツキ方法Info
- Publication number
- JPS583999A JPS583999A JP10264981A JP10264981A JPS583999A JP S583999 A JPS583999 A JP S583999A JP 10264981 A JP10264981 A JP 10264981A JP 10264981 A JP10264981 A JP 10264981A JP S583999 A JPS583999 A JP S583999A
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- Japan
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- plating
- soln
- compsn
- fluorescent
- plating solution
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は不溶性陽極を用いる電気合金メッキ方法に関
する。
する。
不溶性陽極を用いる電気合金メッキにおいては、メッキ
液の構成各金属イオンの濃度バランスが特に重要視され
ている関係上、メッキ液組成（液中の各金属イオン濃度
）を直接測定して、その測定結果に基いてメッキに消費
された各金属イオンの補充を行うメッキ方法が一般に行
われている。
液の構成各金属イオンの濃度バランスが特に重要視され
ている関係上、メッキ液組成（液中の各金属イオン濃度
）を直接測定して、その測定結果に基いてメッキに消費
された各金属イオンの補充を行うメッキ方法が一般に行
われている。
しかしこの方法は精度よい濃度管理をする上で大きな問
題がある。すなわち、上記メッキ液の各金属イオンの濃
度管理が従来、原子吸光分析等のバッチ法による液分析
に基づいて行われていただめ、サンプリングから分析終
了捷でに時間がかかり、メッキ液組成の変動に対する金
属イオンの補充のタイミングの遅れ等で、液の濃度管理
の精度が低下するという問題があった。
題がある。すなわち、上記メッキ液の各金属イオンの濃
度管理が従来、原子吸光分析等のバッチ法による液分析
に基づいて行われていただめ、サンプリングから分析終
了捷でに時間がかかり、メッキ液組成の変動に対する金
属イオンの補充のタイミングの遅れ等で、液の濃度管理
の精度が低下するという問題があった。
本発明は」−記入点を克服してメッキ液組成の変動を極
力小さくし、長時間連続して均一な品質の良い合金メッ
キが得られる電気合金メッキ方法を提供するものである
。
力小さくし、長時間連続して均一な品質の良い合金メッ
キが得られる電気合金メッキ方法を提供するものである
。
すなわち本発明方法は、不溶性陽極を用いる電気合金メ
ッキにおいて、メッキ液の組成またはメッキ皮膜の組成
と付着量を螢光Ｘ線分析により測定し、その測定結果に
基いて前記メッキ液へ不足する金属イオンを補充する点
を要旨とする。
ッキにおいて、メッキ液の組成またはメッキ皮膜の組成
と付着量を螢光Ｘ線分析により測定し、その測定結果に
基いて前記メッキ液へ不足する金属イオンを補充する点
を要旨とする。
本発明において、メッキ液組成の測定等に螢光Ｘ線分析
を使用したのは次の理由による。すなわち、メッキ液中
に２つ以上の金属イオンが併存する場合においても、螢
光Ｘ線分析によるメッキ液の組成の直接測定まだはメッ
キ皮膜の組成と付着量ｉぽ定によって、それぞれ液中の
各金属イオン別の濃度バランスが実用的正確さで、しか
も迅速に連続測定できるからである。
を使用したのは次の理由による。すなわち、メッキ液中
に２つ以上の金属イオンが併存する場合においても、螢
光Ｘ線分析によるメッキ液の組成の直接測定まだはメッ
キ皮膜の組成と付着量ｉぽ定によって、それぞれ液中の
各金属イオン別の濃度バランスが実用的正確さで、しか
も迅速に連続測定できるからである。
従って螢光Ｘ線分析と演算回路を組合せることによりメ
ッキ液組成の変動に即応して連続的にメッキのため消費
された各金属イオン量が算定できるので、遅滞なくメッ
キ液の濃度を管理でき、精度を向」−せしめることが可
能となる。
ッキ液組成の変動に即応して連続的にメッキのため消費
された各金属イオン量が算定できるので、遅滞なくメッ
キ液の濃度を管理でき、精度を向」−せしめることが可
能となる。
以下図面に基いて本発明方法を詳細に述べる。
第１図は本発明の内、メッキ液組成の螢光Ｘ線分析に基
いて不足金属イオンを液に補充する方法を実施する装置
の一列の部分模式図で、例えばＡ、８２種の金属の電気
合金メッキの場合である。
いて不足金属イオンを液に補充する方法を実施する装置
の一列の部分模式図で、例えばＡ、８２種の金属の電気
合金メッキの場合である。
図中（１１Ｘ１２）は貯槽で、メッキ液を構成するＡあ
るいはＢ金属イオンを補充するために、それぞれＡ金属
塩、Ｂ金属塩を貯蔵する。（２１Ｘ２２）はその定量切
り出し装置を示し、前記Ａ、Ｂの各金属塩はそれぞれ貯
槽（１１Ｘ１２）から定量宛切り出されてメッキ槽（３
）のメッキ液（４）中に投入されて液中に溶けてへ金属
イオン又はＢ金属イオンとなる。
るいはＢ金属イオンを補充するために、それぞれＡ金属
塩、Ｂ金属塩を貯蔵する。（２１Ｘ２２）はその定量切
り出し装置を示し、前記Ａ、Ｂの各金属塩はそれぞれ貯
槽（１１Ｘ１２）から定量宛切り出されてメッキ槽（３
）のメッキ液（４）中に投入されて液中に溶けてへ金属
イオン又はＢ金属イオンとなる。
メッキ液（４）としては、常法どおりメッキしようとす
る合金を構成する金属（以下組成金属、ここではＡ、Ｂ
金属をいう）を合金の組成比率に応じて適当に溶は込ま
せ、必要によりｐＨ調整等を行ったものが用いられる。
る合金を構成する金属（以下組成金属、ここではＡ、Ｂ
金属をいう）を合金の組成比率に応じて適当に溶は込ま
せ、必要によりｐＨ調整等を行ったものが用いられる。
（５）は各不溶性陽極で、メッキ液（４）中に上下一対
が水平方向に略々等間隔に配置される。（６）はメッキ
液中を陰極を形成しながら前記上下の各陽極（５）間を
矢印（ａ）の方向に移動するストリップである。
が水平方向に略々等間隔に配置される。（６）はメッキ
液中を陰極を形成しながら前記上下の各陽極（５）間を
矢印（ａ）の方向に移動するストリップである。
（７）はメッキ液組成を測定する螢光Ｘ線分析装置で、
メッキＱ（４）はメッキ槽（３）から取り出されて前記
装置（７）で螢光Ｘ線分析された後、再び循環ポンプ（
８）により槽（３）に戻されて槽（３）と分析装置（７
）の間を循環する。
メッキＱ（４）はメッキ槽（３）から取り出されて前記
装置（７）で螢光Ｘ線分析された後、再び循環ポンプ（
８）により槽（３）に戻されて槽（３）と分析装置（７
）の間を循環する。
（９）は演算回路であり、前記螢光Ｘ線分析により測定
されたメッキ液組成に基いて、液中の各金属イオンの濃
度バランスを算出すると共にその結果に応じてそれぞれ
各貯槽（１１８１２）に対し各Ａ、 Ｂ金属塩の切り出
し量の指示を与える。
されたメッキ液組成に基いて、液中の各金属イオンの濃
度バランスを算出すると共にその結果に応じてそれぞれ
各貯槽（１１８１２）に対し各Ａ、 Ｂ金属塩の切り出
し量の指示を与える。
すなわち、」−記メツキ装置におけるメッキ液のＡ、Ｂ
合金属イオン濃度の管理は具体的には次のようにして行
われる。メッキ合金を組成する金属Ａ、Ｂの比率がＡ２
０％、８８０％とする場合を例にとると、この合金メッ
キはこの組成を実現するために、メッキ浴中のＡ、Ｂ合
金属イオン濃度比を一定値に調整したメッキ液を用いて
行なわれる。
合金属イオン濃度の管理は具体的には次のようにして行
われる。メッキ合金を組成する金属Ａ、Ｂの比率がＡ２
０％、８８０％とする場合を例にとると、この合金メッ
キはこの組成を実現するために、メッキ浴中のＡ、Ｂ合
金属イオン濃度比を一定値に調整したメッキ液を用いて
行なわれる。
しかしメッキの進行に伴い液中の金属イオンが消費され
るに従いＡ、Ｂ各金属イオンの濃度比は初期匝からずれ
てくる。またスｌ−ＩＪツブ（６）に付着してメッキ槽
（３）外に持出される金属イオンもあるので、メッキの
進行に伴ってメッキ液組成のバランスはくずれてくる。
るに従いＡ、Ｂ各金属イオンの濃度比は初期匝からずれ
てくる。またスｌ−ＩＪツブ（６）に付着してメッキ槽
（３）外に持出される金属イオンもあるので、メッキの
進行に伴ってメッキ液組成のバランスはくずれてくる。
そこで螢光Ｘ線分析によりメッキ中のメッキ液組成を連
続的に測定し、該測定の結果、上記メッキ液組成に変動
が生じたときには、直ちに演算回路（９）においてＡ１
Ｂ各金属イオンの補充量が算定され、貯槽（１１Ｘ１２
）に指示されて、所要の補充が行われる。従ってメッキ
中、メッキ液中のＡ、 Ｂ各イオンの濃度は継続して略
々一定に維持するよう管理され、ストリップ（６）は長
時間に亘って連続５− 的に均一な品質で合金メッキが施される。
続的に測定し、該測定の結果、上記メッキ液組成に変動
が生じたときには、直ちに演算回路（９）においてＡ１
Ｂ各金属イオンの補充量が算定され、貯槽（１１Ｘ１２
）に指示されて、所要の補充が行われる。従ってメッキ
中、メッキ液中のＡ、 Ｂ各イオンの濃度は継続して略
々一定に維持するよう管理され、ストリップ（６）は長
時間に亘って連続５− 的に均一な品質で合金メッキが施される。
第２図は本発明においてメッキ皮膜組成と付着量の螢光
Ｘ線分析結果に基いて不足金属イオンをメッキ液に補充
する方法を実施する装置の一例を模式的に示した図であ
る。同図において００）は螢光Ｘ線分析装置で、第１図
と同様の鋼板メツキラインにおいてメッキ槽（３）を出
た直後のストリップ（６）のメッキ皮膜組成とメッキ付
着量を連続して測定する。０１）は演算回路であり、前
記螢光Ｘ線分析による測定結果に基いてメッキ液組成及
び液中の各金属イオンの濃度バランスを算出すると共に
第１図で説明したと同様にしてそれぞれ各貯槽αｌχ１
２）に対し各Ａ、Ｂ金属塩の切り出し量の指示を与える
０ なお、本発明方法において螢光ＸＭ分析を用いる場合、
１系統のメツキラインに１台の螢光Ｘ線分析装置を備え
れば十分であり、設備費用が嵩むこともない。また螢光
Ｘ線分析はプロセスコンピューターを用いた各金属塩の
自動補給装置に容易に組み込むことができる便利さがあ
る。
Ｘ線分析結果に基いて不足金属イオンをメッキ液に補充
する方法を実施する装置の一例を模式的に示した図であ
る。同図において００）は螢光Ｘ線分析装置で、第１図
と同様の鋼板メツキラインにおいてメッキ槽（３）を出
た直後のストリップ（６）のメッキ皮膜組成とメッキ付
着量を連続して測定する。０１）は演算回路であり、前
記螢光Ｘ線分析による測定結果に基いてメッキ液組成及
び液中の各金属イオンの濃度バランスを算出すると共に
第１図で説明したと同様にしてそれぞれ各貯槽αｌχ１
２）に対し各Ａ、Ｂ金属塩の切り出し量の指示を与える
０ なお、本発明方法において螢光ＸＭ分析を用いる場合、
１系統のメツキラインに１台の螢光Ｘ線分析装置を備え
れば十分であり、設備費用が嵩むこともない。また螢光
Ｘ線分析はプロセスコンピューターを用いた各金属塩の
自動補給装置に容易に組み込むことができる便利さがあ
る。
６−
次ぎに実施例を掲げて本発明の詳細な説明する。
第１図に示す鋼板メッキ装置において、メッキ液の金属
イオンの濃度バランスをＮｉ ：Ｚｎ＝３ ： １のモ
ル比率として、巾１０１０００ｆｆ１厚さ０．８ｍ７ｊ
のス） ｌ）ツブにＮｉ−Ｚｎ合金メッキを施しだ。な
おメッキ中は、メッキ液のＮ１、Ｚｎの各イオン濃度を
螢光Ｘ線分析装置（７）にて連続して測定し、液組成に
変動が生じたときには演算回路（９）において前記測定
結果に基いてＮｉ、Ｚｎ各イオンの補充量が算定され、
貯槽（１１）（１２）にそれぞれ指示され所要のＮｉ金
属塩、ん金属塩が補充された。
イオンの濃度バランスをＮｉ ：Ｚｎ＝３ ： １のモ
ル比率として、巾１０１０００ｆｆ１厚さ０．８ｍ７ｊ
のス） ｌ）ツブにＮｉ−Ｚｎ合金メッキを施しだ。な
おメッキ中は、メッキ液のＮ１、Ｚｎの各イオン濃度を
螢光Ｘ線分析装置（７）にて連続して測定し、液組成に
変動が生じたときには演算回路（９）において前記測定
結果に基いてＮｉ、Ｚｎ各イオンの補充量が算定され、
貯槽（１１）（１２）にそれぞれ指示され所要のＮｉ金
属塩、ん金属塩が補充された。
メッキ条件は次の通りであった。
■ メッキ液：ＺｎＳＯ４・７Ｈ２０９０ｆｌ／ＩＮｉ
５０４・６Ｈ２０２５Ｏｆｌ／７ＩｐＨ２，０ 温度 ６０°Ｃ ■ メッキ電流密度 ４０ Ａ／ｄｍまた比較
例として原子吸光法によるメッキ液組成の測定を行なう
従来法によって、」−記と同様のメッキ条件で、前記同
様の合金メッキを行った。
５０４・６Ｈ２０２５Ｏｆｌ／７ＩｐＨ２，０ 温度 ６０°Ｃ ■ メッキ電流密度 ４０ Ａ／ｄｍまた比較
例として原子吸光法によるメッキ液組成の測定を行なう
従来法によって、」−記と同様のメッキ条件で、前記同
様の合金メッキを行った。
第３図はこれら２つの例についてメッキ液中のＮｉ２＋
イオン及びん イオンの比率（バランス）を逐一測定し
た結果を示す図表である。図中、実線で示すＰは比較例
のＮ１、Ｚｎバランスの特性曲線、破線で示すＱは本発
明例のＮｉ、 Ｚｎバランスの特性曲線である。
イオン及びん イオンの比率（バランス）を逐一測定し
た結果を示す図表である。図中、実線で示すＰは比較例
のＮ１、Ｚｎバランスの特性曲線、破線で示すＱは本発
明例のＮｉ、 Ｚｎバランスの特性曲線である。
同図に見るように、比較例ではメッキ液のＮｉ、Ｚｎバ
ランスが変動の管理限界（＋１、−１）を大巾に越えた
組成を示す場合がある。これにひきかえ、本発明方法に
よる場合、いずれもＮ１、Ｚｎバランスが管理限界内の
値を示し、４８時間経過の後もメッキ開始時と略々間等
に組成が維持されている。そして鋼板のメッキ皮膜は光
沢のある美麗な品質のもので、更にメッキ皮膜中のＮｉ
ｘ Ｚｎの各含有量を調査した結果では極めてバラツキ
の少ない均一な組成であった。
ランスが変動の管理限界（＋１、−１）を大巾に越えた
組成を示す場合がある。これにひきかえ、本発明方法に
よる場合、いずれもＮ１、Ｚｎバランスが管理限界内の
値を示し、４８時間経過の後もメッキ開始時と略々間等
に組成が維持されている。そして鋼板のメッキ皮膜は光
沢のある美麗な品質のもので、更にメッキ皮膜中のＮｉ
ｘ Ｚｎの各含有量を調査した結果では極めてバラツキ
の少ない均一な組成であった。
また別途、メッキ皮膜組成とメッキ付着量を螢光Ｘ線分
析する本発明方法を」−記と同様に実施したところ、メ
ッキ液のＮｉ、ＺｎバランスはＬ記と同様に長時間に亘
って管理限界内の略々一定に維持された。
析する本発明方法を」−記と同様に実施したところ、メ
ッキ液のＮｉ、ＺｎバランスはＬ記と同様に長時間に亘
って管理限界内の略々一定に維持された。
以上説明した如く、本発明方法は螢光Ｘ線分析によりメ
ッキ液組成またはメッキ皮膜の組成と付着量を測定し、
その測定結果に基いてメッキ液中の消費金属イオンの補
充を行うという簡単、かつ、コストの低簾な方法でメッ
キ液濃度の管理精度の向−Ｌが達成されるので、品質の
安定した電気合金メッキ製品の供給及び製造コストの低
減等に大きく寄与する。
ッキ液組成またはメッキ皮膜の組成と付着量を測定し、
その測定結果に基いてメッキ液中の消費金属イオンの補
充を行うという簡単、かつ、コストの低簾な方法でメッ
キ液濃度の管理精度の向−Ｌが達成されるので、品質の
安定した電気合金メッキ製品の供給及び製造コストの低
減等に大きく寄与する。
第１図及び第２図は本発明方法を実施する鋼板の電気メ
ツキ装置の一１３’ｌＪを示す模式図、第３図は本発明
方法の実施例と従来例におけるメッキ液中計 のＮｉ イオン、ｈ イオンの濃度バランスの変化の
比較を示す図表である。 １１１２：貯槽、２１２２ ：切９出し装置、３：メッ
キ槽、４：メッキ液、５：不溶性陽極、６：ストリップ
、７、ｌ〇二螢光Ｘ線分析装置、８：循環ポンプ、９．
１１：演算回路 ９− １０− ｆｓ １ 図 ＄２ 図 ｆ 第３図
ツキ装置の一１３’ｌＪを示す模式図、第３図は本発明
方法の実施例と従来例におけるメッキ液中計 のＮｉ イオン、ｈ イオンの濃度バランスの変化の
比較を示す図表である。 １１１２：貯槽、２１２２ ：切９出し装置、３：メッ
キ槽、４：メッキ液、５：不溶性陽極、６：ストリップ
、７、ｌ〇二螢光Ｘ線分析装置、８：循環ポンプ、９．
１１：演算回路 ９− １０− ｆｓ １ 図 ＄２ 図 ｆ 第３図
Claims (1)
- （１）不溶性陽極を用いる電気合金メッキにおいて、メ
ッキ液組成又はメッキ皮膜の組成とメッキ付着量を螢光
Ｘ線分析により測定し、その測定結果に基いて即応的に
前記メッキ液へ不足金属イオンを補充することを特徴と
する電気合金メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10264981A JPS583999A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気合金メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10264981A JPS583999A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気合金メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583999A true JPS583999A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14333084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10264981A Pending JPS583999A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気合金メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583999A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191397A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Ishihara Yakuhin Kk | 合金めつき浴自動管理方法 |
| US6780520B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-08-24 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal/ceramic bonding article and method for producing same |
| JP2013221234A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Nagoya Plating Co Ltd | めっき繊維製造装置及び方法 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10264981A patent/JPS583999A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191397A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Ishihara Yakuhin Kk | 合金めつき浴自動管理方法 |
| JPH0355559B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1991-08-23 | ||
| US6780520B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-08-24 | Dowa Mining Co., Ltd. | Metal/ceramic bonding article and method for producing same |
| JP2013221234A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Nagoya Plating Co Ltd | めっき繊維製造装置及び方法 |
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