JPS583970A - 金属表面の被覆法 - Google Patents
金属表面の被覆法Info
- Publication number
- JPS583970A JPS583970A JP10303381A JP10303381A JPS583970A JP S583970 A JPS583970 A JP S583970A JP 10303381 A JP10303381 A JP 10303381A JP 10303381 A JP10303381 A JP 10303381A JP S583970 A JPS583970 A JP S583970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- metallic surface
- base
- sputtering
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11)発明の目的
真空蒸着、スパッタリング、イオングレーティングおよ
び溶射法などのPVI)法(Ph1s 1calvap
or deposit )によって金属表面金被覆する
場合の密着性を改善すること全目的とする。
び溶射法などのPVI)法(Ph1s 1calvap
or deposit )によって金属表面金被覆する
場合の密着性を改善すること全目的とする。
12)従来例
PVD法による被膜形成は各々の方法VCよりそれぞn
[長を有するが、全体としては以下の特長をもつ 11)無公害処理であり、作業性が艮い。
[長を有するが、全体としては以下の特長をもつ 11)無公害処理であり、作業性が艮い。
【2)純良な被膜を得ることができる。
t3)阿現性が高い。
また場合によっては金属のみならず任意の組成の合金の
被膜やセラミックスの被膜(スパッタ)tつくることが
できる。また、被膜生成時にめる種の反応を起こさせて
化合物被膜(スパッタ、イオンブレーティング)全つく
ることもできる。
被膜やセラミックスの被膜(スパッタ)tつくることが
できる。また、被膜生成時にめる種の反応を起こさせて
化合物被膜(スパッタ、イオンブレーティング)全つく
ることもできる。
上記の様な特長からPVDによる被膜形成は数多くの用
途に用いられている。
途に用いられている。
しかしながら前記各方法も下地の密着性という点では良
好である場合は少ない。その理由は、形成被膜内部に大
きな内部応力か残留し、また下地材質の活性度の低さか
ら被膜との績合力が弱くなるためと考えられる。
好である場合は少ない。その理由は、形成被膜内部に大
きな内部応力か残留し、また下地材質の活性度の低さか
ら被膜との績合力が弱くなるためと考えられる。
従来はこの欠点をなくすため
I)基盤の下地金Jj4全41膜材とマツチングの良い
材質とする。
材質とする。
ii)基盤ケ加熱する。
1i)i)、i)の相方を用いる。
以上の様な解決策を講じても白金系金属(Rb。
Ru、Pd、Ptなど)は密着性が良好でない。
白金系では特に厚付け(3μm以上)が不可能である。
また、下地被膜が被膜生成時の温度上昇により溶融した
リハクリする場合もある。
リハクリする場合もある。
同様に基盤を加熱することによって上記のことが起こる
か、基盤材質の物性1強度等に影響を与えることがある
。
か、基盤材質の物性1強度等に影響を与えることがある
。
13)発明の構成
本発明に係る被覆法は、PV’D法により金属表面を被
覆する場合において、予め下地金属表面に共析メッキを
施こしておくことを特做とする。以下詳しく説明する。
覆する場合において、予め下地金属表面に共析メッキを
施こしておくことを特做とする。以下詳しく説明する。
本発明における共析メッキは、メッキ液中にそれに不溶
の微粒子を分散させつつメッキすることにより、析出し
たメッキ層中に、前記微粒子全分散せしめる方法をいう
。このようなメッキ方法は公知であり、本発明は共析メ
ッキ法としては公知法が採用される。
の微粒子を分散させつつメッキすることにより、析出し
たメッキ層中に、前記微粒子全分散せしめる方法をいう
。このようなメッキ方法は公知であり、本発明は共析メ
ッキ法としては公知法が採用される。
共析メッキにおけるメッキマトリックスとしては、Ni
、Ni −Cu 、Ni −Cu−Zu 、Zu −
Cu 、Au 。
、Ni −Cu 、Ni −Cu−Zu 、Zu −
Cu 、Au 。
Pd−Niなどが用いらnる。
tた共析させる(分散させる)粒子としては、以下のも
のが挙げられる。
のが挙げられる。
ill 炭化タングステン(WC)、炭化硼素(B4
C)#炭化チタノ(TiC)、炭化クロム(CrgCz
)などの炭化物 1ii1 酸化アルミニウム(人+gOa)などの金
属酸化物1ii) フッ化黒鉛(CF)などのフッ化
物ivl 窒化L4C(BN)硼化ジルコニウム(Z
rBg)などの硼化物 (vl 菫化チタン(TIN)などの窒化物−) 有
機物、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)。
C)#炭化チタノ(TiC)、炭化クロム(CrgCz
)などの炭化物 1ii1 酸化アルミニウム(人+gOa)などの金
属酸化物1ii) フッ化黒鉛(CF)などのフッ化
物ivl 窒化L4C(BN)硼化ジルコニウム(Z
rBg)などの硼化物 (vl 菫化チタン(TIN)などの窒化物−) 有
機物、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)。
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ボリアばド樹脂。
スチレン・ブタジェン共重合体ラテックス等μ上のよう
な共析メッキを下地金属表面に施こすと、そのメッキ表
面が凹凸状になる。そこへPVD法に、【す、被覆全形
成すると、投錯効果により密着性が向上するものと考え
られる。
な共析メッキを下地金属表面に施こすと、そのメッキ表
面が凹凸状になる。そこへPVD法に、【す、被覆全形
成すると、投錯効果により密着性が向上するものと考え
られる。
また、下地に対する密着性が悪いのは、下地表面に酸化
物が存在することも原因の1つとなり得るので共析メッ
キのマl−リツクスは、酸化抵抗の大きなPd−Ni、
Auなどが望ましい。
物が存在することも原因の1つとなり得るので共析メッ
キのマl−リツクスは、酸化抵抗の大きなPd−Ni、
Auなどが望ましい。
以上のように不発りづは予め下地金属表面に共析メッキ
を施こしておくこと’t−+tmとするので密着性が向
上し、厚付けも可能となる。また下地を加熱することも
なく被膜形成かでさる。
を施こしておくこと’t−+tmとするので密着性が向
上し、厚付けも可能となる。また下地を加熱することも
なく被膜形成かでさる。
1だ常温ic々いて、密着性の良い被膜を形成できるの
で、下地はけ却しておくことができる。匠って下地は熱
的形Q1を受けず、PvD法が用いらrLる。
で、下地はけ却しておくことができる。匠って下地は熱
的形Q1を受けず、PvD法が用いらrLる。
以下実施例を述べる。
実施例1゜
Pr1−Ni合骸メッキ液中Vこ(日進化成製、PNP
80、析出合金比80%Pd+20φN1)WC粒子(
粒径0.7μm)’<259/1分散させた共析メッキ
液會用いた。スパッタリング材としてAg−Pd合金金
用いた。下地金属はN1メッキした電磁軟鉄である。
80、析出合金比80%Pd+20φN1)WC粒子(
粒径0.7μm)’<259/1分散させた共析メッキ
液會用いた。スパッタリング材としてAg−Pd合金金
用いた。下地金属はN1メッキした電磁軟鉄である。
メッキは電流密度I A/d mjで3μmのPd−N
1−WC共析メッキ被膜を形成させた。なお下地の前処
理はアルカリ脱脂、中;N+] 、 Niストライクの
内容で行り/ヒ。
1−WC共析メッキ被膜を形成させた。なお下地の前処
理はアルカリ脱脂、中;N+] 、 Niストライクの
内容で行り/ヒ。
スパッタリングは高周波2惟スバンメリングによりAg
−60!t%Pd合金をメーゲットとして行つ次。アル
ゴン圧力は4 Xi U−2tor;、スパッタリング
庫圧は1.5KV、スパッタリング電流は0.2人であ
った。
−60!t%Pd合金をメーゲットとして行つ次。アル
ゴン圧力は4 Xi U−2tor;、スパッタリング
庫圧は1.5KV、スパッタリング電流は0.2人であ
った。
この様にして得られた被膜層の厚さは約5)Lmであっ
た。
た。
この被膜の密着性は良好で、180°曲げテストでもハ
クリしなかった。
クリしなかった。
実施例2゜
メッキ液として金メッキ液(m m J ki(DNM
W FRONF:X 240)を用いた。これに粒径0
.3μのアルミナlr 50 g/ lで混合して共析
メッキ液を調整した。6時間予備撹拌した後、ニッケル
メッキした電磁軟鉄を下地としてこれに電流密度0.5
A/dm2で3μmのAu−AIgOa共析メッキkm
こしンt0 な2、下地の前処理としてG・よ、アルカリ脱脂。
W FRONF:X 240)を用いた。これに粒径0
.3μのアルミナlr 50 g/ lで混合して共析
メッキ液を調整した。6時間予備撹拌した後、ニッケル
メッキした電磁軟鉄を下地としてこれに電流密度0.5
A/dm2で3μmのAu−AIgOa共析メッキkm
こしンt0 な2、下地の前処理としてG・よ、アルカリ脱脂。
甲)Fn 、 A、u スl−ラ・fり全1丁つ/こス
パッタリング(は歯周?反2極スパッタリングc′こよ
り、Pd金ターゲツトして行つ/ζ。アルゴン圧υrj
4XIU ’Tar@。
パッタリング(は歯周?反2極スパッタリングc′こよ
り、Pd金ターゲツトして行つ/ζ。アルゴン圧υrj
4XIU ’Tar@。
スパッタリング電圧は1.5 K V 、スパッタリン
グ電流は0.18Aであった。
グ電流は0.18Aであった。
このとき、破1漠flIIIの厚さ約5μmのものと、
7μmの2種の試別を得た。
7μmの2種の試別を得た。
密層性は1pj71.の場合も艮<180’曲げテスト
でもハクリし、なかった。しかし60°1川u−1テス
トでは小さなりラックが生じ7C。
でもハクリし、なかった。しかし60°1川u−1テス
トでは小さなりラックが生じ7C。
実施例3゜
スパッタリング材としてRu粉体を用いた他は、実施例
1.と同殊にした。
1.と同殊にした。
スパッタリングは尚周波2極スパツタリングにより、R
u粉体金ターゲツトとしで行った。アルゴン圧力は4X
10−2T(Irll 、スパッタリング電圧な11,
5KV、スパッタリング電流は0.2人であった。
u粉体金ターゲツトとしで行った。アルゴン圧力は4X
10−2T(Irll 、スパッタリング電圧な11,
5KV、スパッタリング電流は0.2人であった。
得らitた膜厚は3μn]であった。
密層性は実施列2.と同様であった。
実施例4゜
PVDとt、 −(Cu蒸涜tイ1つた他は実施例1.
と同様にした6膜厚は5μInでめつ念。
と同様にした6膜厚は5μInでめつ念。
密着性はすぐれていて90’曲げテストでモハクリしな
かった。
かった。
l侍許出1a人
公下醒工株式会社
代理人弁理士 竹 元 散 丸
(ほか2名)
37
Claims (1)
- +11 真空蒸着、スパッタリング、イオングレーテ
ィングお工び溶射法などのPVD法を用い、金属表面金
被覆する場合において、予め下地金属表面に共析メッキ
を施こしておくこと全特徴とする金属表面の被覆法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10303381A JPS583970A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 金属表面の被覆法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10303381A JPS583970A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 金属表面の被覆法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS583970A true JPS583970A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14343340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10303381A Pending JPS583970A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 金属表面の被覆法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS583970A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001000402A1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-04 | Henrik Ljungcrantz | Wear resistant surface and a method for its manufacturing |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10303381A patent/JPS583970A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001000402A1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-04 | Henrik Ljungcrantz | Wear resistant surface and a method for its manufacturing |
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