JPS5835433A - 多空洞の可変静電容量圧力変換器 - Google Patents
多空洞の可変静電容量圧力変換器Info
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- JPS5835433A JPS5835433A JP57127761A JP12776182A JPS5835433A JP S5835433 A JPS5835433 A JP S5835433A JP 57127761 A JP57127761 A JP 57127761A JP 12776182 A JP12776182 A JP 12776182A JP S5835433 A JPS5835433 A JP S5835433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- diaphragm
- semiconductor material
- plates
- areas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
膜型式の構造を有し,常態ではt’r*でIる圧力より
も高い圧力を取や扱うことのできる一つの可変静電容量
圧力変換16に俤る。本発明Fiまたかような変換器を
製作する方法に4係る。
も高い圧力を取や扱うことのできる一つの可変静電容量
圧力変換16に俤る。本発明Fiまたかような変換器を
製作する方法に4係る。
iqti年3月コ弘日発行の島田その他による米国4I
許第嘱コ62コクダ号に示されたような圧力変換s#i
.劇作の容易性,及びホウケイ駿ガラスのプレートと組
合わされ、そのl!IIK陽也的に接着された一つの隔
膜材料とL’?0シリコンの好都合な特性を利用してI
I@されている。隔膜表面中め食刻した!!1所紘,食
絢処理によって極めて正確に寸法法めされ良ガラスプレ
ーートの対向する空洞を以て形成し。
許第嘱コ62コクダ号に示されたような圧力変換s#i
.劇作の容易性,及びホウケイ駿ガラスのプレートと組
合わされ、そのl!IIK陽也的に接着された一つの隔
膜材料とL’?0シリコンの好都合な特性を利用してI
I@されている。隔膜表面中め食刻した!!1所紘,食
絢処理によって極めて正確に寸法法めされ良ガラスプレ
ーートの対向する空洞を以て形成し。
温度変化に対して安定した一つの圧力−変換器構造を提
供するtものである。この型式の圧力変換器Fitた多
量生産を容易ならしめ,ま九一つの良い変換器の必要な
特性を犠牲にすることなく小型化を可能からしめる,そ
の構造の著しい簡単性に基つく利益を有する。
供するtものである。この型式の圧力変換器Fitた多
量生産を容易ならしめ,ま九一つの良い変換器の必要な
特性を犠牲にすることなく小型化を可能からしめる,そ
の構造の著しい簡単性に基つく利益を有する。
上述の特許に記載された型式の圧力変換器この方法は,
バッチ処理技術を用いるために結果として生ずる便宜を
有し,制作工程中で最後の段階とし1個々の交換中に薄
切りにされたシリコンの単一ウェー77から多数O交換
器is作する方法t−請求している。
バッチ処理技術を用いるために結果として生ずる便宜を
有し,制作工程中で最後の段階とし1個々の交換中に薄
切りにされたシリコンの単一ウェー77から多数O交換
器is作する方法t−請求している。
上述の%軒中に述べられた型式の圧力変換器はすべて静
電接着といわれる(屡々陽極皺接看とみなされる)一つ
の工程を利用して。
電接着といわれる(屡々陽極皺接看とみなされる)一つ
の工程を利用して。
中へ円形凹所か食刻された一つのシリコン円板の反対側
に対する電極支持プレートを感知する二つのパイレクス
ガラスを付層する。凹所の直径は隔膜区域の直径を限足
し,凹坊の深さはコンデンサプレートの間隔上限定する
。
に対する電極支持プレートを感知する二つのパイレクス
ガラスを付層する。凹所の直径は隔膜区域の直径を限足
し,凹坊の深さはコンデンサプレートの間隔上限定する
。
圧力が片側に通用された時の隔膜の偏差は隔膜の片側上
の静電容量増加及び反対側上の静電容量減少によって感
知される。この装置によって測定できる圧力範囲#′i
,隔膜±の圧力の単位からの偏差によって決足an.a
隔膜は,締付けた隔膜の理論に於て,直径のlI−JI
!!を厚さ3乗で割つkもt)K比例する。即ち。
の静電容量増加及び反対側上の静電容量減少によって感
知される。この装置によって測定できる圧力範囲#′i
,隔膜±の圧力の単位からの偏差によって決足an.a
隔膜は,締付けた隔膜の理論に於て,直径のlI−JI
!!を厚さ3乗で割つkもt)K比例する。即ち。
こξに D【一dめ直径
を冨犀さ
d=中心点の偏差
p−圧力差
上述の技術に従って作られ大圧力交換器に用いる範Sを
変えるためには,隔膜直径1pl及び隔膜厚さ1t@を
変えることによって変化が行なわれる。例えば、4し直
径を半分にすると,圧力範l!i鉱/A倍に増加し,ま
た厚さt倍忙すると,圧力範囲はt倍に増加する。
変えるためには,隔膜直径1pl及び隔膜厚さ1t@を
変えることによって変化が行なわれる。例えば、4し直
径を半分にすると,圧力範l!i鉱/A倍に増加し,ま
た厚さt倍忙すると,圧力範囲はt倍に増加する。
理論的には,隔膜に対して最大の偏差を仮定すると,厚
さ及び直径管適当に選ぶことによって任意の圧力範囲を
得ることができる。しかし実際問題として,一つの隔膜
に対して夷用的に達成できゐ厚さ及び直径に対すゐ値に
は限度かあるから、上記のことは実際にヰろうではない
。従って、これられ値によって詮定された一つの単一隔
膜に対しては実用的な観念に於て一つO上限圧力が存在
す為。
さ及び直径管適当に選ぶことによって任意の圧力範囲を
得ることができる。しかし実際問題として,一つの隔膜
に対して夷用的に達成できゐ厚さ及び直径に対すゐ値に
は限度かあるから、上記のことは実際にヰろうではない
。従って、これられ値によって詮定された一つの単一隔
膜に対しては実用的な観念に於て一つO上限圧力が存在
す為。
固定直径に対して、圧力範囲は隔膜の厚さを増すことに
よって増すことができる。圧力範囲か増すにつれて、空
洞上に作用する力は圧力と空洞面積との積に比例して増
加する。
よって増すことができる。圧力範囲か増すにつれて、空
洞上に作用する力は圧力と空洞面積との積に比例して増
加する。
たとえ一つの隔膜の犀さtagsな偏11に対して作る
ことができても、上記の力は材料0!Il1度を越える
@所に達する廓のである。操作するまためKFi、空1
i80直径は、隔膜O厚さ會増す代シに減少しなけれは
ならない。それ故に直径の選択は、第−K11ff丁べ
き圧力【含6ように直径を充分小さくS定することによ
シ。
ことができても、上記の力は材料0!Il1度を越える
@所に達する廓のである。操作するまためKFi、空1
i80直径は、隔膜O厚さ會増す代シに減少しなけれは
ならない。それ故に直径の選択は、第−K11ff丁べ
き圧力【含6ように直径を充分小さくS定することによ
シ。
特定05m1度に対して行なわれる。第二に隔膜の厚さ
は1wI定すべき圧力に於て所望の隔膜の偏差を与える
ように選ばれる。
は1wI定すべき圧力に於て所望の隔膜の偏差を与える
ように選ばれる。
また直径が減少するにつれてユニツ)C)静電容量が直
径02乗として減少するので、隔膜に対する直径tとの
ように小さくすることができるかの限度も存在する。こ
のことが重l!になるのは、交換器に対する電気的接続
が常にそれらの接続と関連する成るレベルの漂遊容量(
stray capacity)l有するものと考えら
れる時である。従って、直径が減少し且つ装置O静電容
量が低下するにつれて、漂遊容量が装置容量に比して大
暑Aする点に達して一状調定(linear meaa
ur@m@nt扉行なわれる・典型的には交流である測
定信号が、*toインピーダンスか高過ぎる故に小さ過
ぎ、1また音又は温度係数の限度に対する信号O故に精
度が落ちるような第二の間■が小さい直径O隔膜を使用
することから生ずる。
径02乗として減少するので、隔膜に対する直径tとの
ように小さくすることができるかの限度も存在する。こ
のことが重l!になるのは、交換器に対する電気的接続
が常にそれらの接続と関連する成るレベルの漂遊容量(
stray capacity)l有するものと考えら
れる時である。従って、直径が減少し且つ装置O静電容
量が低下するにつれて、漂遊容量が装置容量に比して大
暑Aする点に達して一状調定(linear meaa
ur@m@nt扉行なわれる・典型的には交流である測
定信号が、*toインピーダンスか高過ぎる故に小さ過
ぎ、1また音又は温度係数の限度に対する信号O故に精
度が落ちるような第二の間■が小さい直径O隔膜を使用
することから生ずる。
本発明の目的は一つの交換器構造及び先行技術の装置の
上限圧力を越えることのできる一つのユニットを提供し
得る一つの製作方法を得ることである。
上限圧力を越えることのできる一つのユニットを提供し
得る一つの製作方法を得ることである。
容量性圧力交換器は、牛導体@料〇一つの隔gを誘電性
材料の一つのプレートに対し静電的に接着することによ
って用意される。#隔@ki凹所を形成する九めに多数
の区域から除かれた材料t−潰し、ま要請プレー)はそ
り表面上に対応する金属化区域を形成している。
材料の一つのプレートに対し静電的に接着することによ
って用意される。#隔@ki凹所を形成する九めに多数
の区域から除かれた材料t−潰し、ま要請プレー)はそ
り表面上に対応する金属化区域を形成している。
凹所によって形W1.された空洞及び接着されたプレー
トはそれらの間の流体圧力を均等化するために用意され
九通路によって相互に連絡され、また金属化区域はプレ
ート上に形成された共通プレートに対向して一つの共通
コンデンサプレートと口て電気的に相互に接続されてい
る。
トはそれらの間の流体圧力を均等化するために用意され
九通路によって相互に連絡され、また金属化区域はプレ
ート上に形成された共通プレートに対向して一つの共通
コンデンサプレートと口て電気的に相互に接続されてい
る。
本発明は第一図、WA二図丞び島三図に示すような一つ
の差圧変換器を記述することによって最も曳く解説する
ことかできる。この変−器は隔膜材料として半結晶Q・
である象加剤人シシリコンのような一つの導電性材料を
用い、この単結晶中には隔膜構造物(10の両面の各々
に食刻し九五つの円形凹所Oか存・在する。
の差圧変換器を記述することによって最も曳く解説する
ことかできる。この変−器は隔膜材料として半結晶Q・
である象加剤人シシリコンのような一つの導電性材料を
用い、この単結晶中には隔膜構造物(10の両面の各々
に食刻し九五つの円形凹所Oか存・在する。
cnらの凹所は、全て0日7yrts互這絡する通路に
°沿って食刻したIl筐たは遥路犠4によって相互に連
絡されている。
°沿って食刻したIl筐たは遥路犠4によって相互に連
絡されている。
シリコン隔膜構造物饅はホウケイ酸ガラスであることか
好ましい誘電体プレート−によって11面が固めらnて
いる。これらOプy−トB、iq4g年を月/J日付で
ポメランツ氏(Pomerantt )に対し発行され
た米sIIiWIfm33デフ、λ7を号に述べられ九
靜電接着島量に従って、静電的に接着されている。こ0
11着処理はガラスプレートとこれらO#料自体OIt
度に近いシリコン隔膜構造物との関101jIj4着を
用意する。
好ましい誘電体プレート−によって11面が固めらnて
いる。これらOプy−トB、iq4g年を月/J日付で
ポメランツ氏(Pomerantt )に対し発行され
た米sIIiWIfm33デフ、λ7を号に述べられ九
靜電接着島量に従って、静電的に接着されている。こ0
11着処理はガラスプレートとこれらO#料自体OIt
度に近いシリコン隔膜構造物との関101jIj4着を
用意する。
一ガラスプレーk a61の各々は、隔am遺HE)凹
所に対面するプレー)011!−上に溶着された薄い金
属フィルムa1at有する。仁のフイ奔ムは凹所0パタ
□−ンに対応する−りのパターン中に溶着されている。
所に対面するプレー)011!−上に溶着された薄い金
属フィルムa1at有する。仁のフイ奔ムは凹所0パタ
□−ンに対応する−りのパターン中に溶着されている。
円形の薄いフィルムの溶着物αSFi、これら溶着力6
80全てが一つの単一コンデンサプレー)を形陽するよ
うに。
80全てが一つの単一コンデンサプレー)を形陽するよ
うに。
半径方向通路0に沿う相互に連結する薄いフィルム溶着
物によって、他の溶着物と電気的に接続されている。
物によって、他の溶着物と電気的に接続されている。
中央空洞O位置にあるガラスプレートの各々Q他の儒に
たり一つの薄いフィルム溶着物■か溶着され、そ0円形
の金属化された表面は、l@口@の表面上の夫々のフィ
ルム溶着物OKよって電気的KII絖されて呻る。従っ
て。
たり一つの薄いフィルム溶着物■か溶着され、そ0円形
の金属化された表面は、l@口@の表面上の夫々のフィ
ルム溶着物OKよって電気的KII絖されて呻る。従っ
て。
円高上の空調の各々はそれに関係して、ガラスフレー
トJ−で一つのコンデンサフレートを形成する一つの薄
いフィルムの円形溶着物を有している。円周上Oプレー
トO全ては中央空洞に於て溶着物に電気的に接続され1
次いで開口(2)中のフィルムロを経て、一つの外部接
続点として役立つ溶着物(至)にamする。比較すべ!
電圧は中央開口@を通って中央空洞a3まで導入され、
従って、ま九椙互連結溝又は通路a4を経て隔膜構造物
の同じ儒上04にての円周空洞まで導入される。
トJ−で一つのコンデンサフレートを形成する一つの薄
いフィルムの円形溶着物を有している。円周上Oプレー
トO全ては中央空洞に於て溶着物に電気的に接続され1
次いで開口(2)中のフィルムロを経て、一つの外部接
続点として役立つ溶着物(至)にamする。比較すべ!
電圧は中央開口@を通って中央空洞a3まで導入され、
従って、ま九椙互連結溝又は通路a4を経て隔膜構造物
の同じ儒上04にての円周空洞まで導入される。
隔膜構造物(1(Iへの電気的接続は、こO単位の円周
の周シの露出区域に於轄る#構造−に対して直接に行な
うこと一工できる。突出するタブは該目的のため鑑隔膜
構造OII分として編入することかできる。
の周シの露出区域に於轄る#構造−に対して直接に行な
うこと一工できる。突出するタブは該目的のため鑑隔膜
構造OII分として編入することかできる。
可変静電容量差圧変換器に用いるよ述011造物は以下
に!!約した手段によってI!利に作る(とができる。
に!!約した手段によってI!利に作る(とができる。
aOa薗 の次数の厚さを有する添加剤入りの単結晶シ
リコンウエーファから出発して。
リコンウエーファから出発して。
その二つの対向表面の隔置区域aりから除かれ且つ化学
的食刻のような食刻処理などによって通路fi4管相互
連絡して所定の深さの凹所管作る。凹所の深さは含まれ
た圧力の範囲に対し遥轟な静電容量の変化を用意するた
めに選ばれ、また凹WIO面積は、測定すべき圧力の範
囲及び必−!!表力に対して制定された必l!県件に従
って定められる。
的食刻のような食刻処理などによって通路fi4管相互
連絡して所定の深さの凹所管作る。凹所の深さは含まれ
た圧力の範囲に対し遥轟な静電容量の変化を用意するた
めに選ばれ、また凹WIO面積は、測定すべき圧力の範
囲及び必−!!表力に対して制定された必l!県件に従
って定められる。
ホウケイ酸ガラスのような誘電性材料の二つの別個のプ
レート上で、多数の隔置区域餞及び相互連絡するストリ
ップa9に茨て薄いフィルム溶着物か溶着されていゐ。
レート上で、多数の隔置区域餞及び相互連絡するストリ
ップa9に茨て薄いフィルム溶着物か溶着されていゐ。
これらの溶着物は隔膜構造物中で多数の円形!!1所及
び相互連絡通路に対応する一つのパターンIF’に存在
する。従って1円形の薄いフィルム溶着物は薄いフィル
ムストリップa5JKよって電気的に相互接続されて一
つの卑−コンデンナプレートを形成する。
び相互連絡通路に対応する一つのパターンIF’に存在
する。従って1円形の薄いフィルム溶着物は薄いフィル
ムストリップa5JKよって電気的に相互接続されて一
つの卑−コンデンナプレートを形成する。
開口@は、ガラスプレートを通ずる一つの流体通過手段
としてガラスプレートの中心に穿孔する4とによシ形成
さrt”tいる。これらの開口の表面はその上に金属の
フィルム溶着物が溶着され、プレート食通じて薄いフィ
ルム溶着物との電気的接続が用意される。こO電気的接
続は開口の区域中O一つの薄いフィルム溶着物CIIK
よって更に増gIlされ、外IIO電気的接続に対して
用意される。
としてガラスプレートの中心に穿孔する4とによシ形成
さrt”tいる。これらの開口の表面はその上に金属の
フィルム溶着物が溶着され、プレート食通じて薄いフィ
ルム溶着物との電気的接続が用意される。こO電気的接
続は開口の区域中O一つの薄いフィルム溶着物CIIK
よって更に増gIlされ、外IIO電気的接続に対して
用意される。
隔膜構造部as Fizの際、ガラスプレートの間に接
着され、隔膜構造部α・の!!l^Q3がガラスプレー
トと共に、溝または通路Iによって形成され九通路によ
シ相互連絡され良別個の空洞を形成するようになる。
着され、隔膜構造部α・の!!l^Q3がガラスプレー
トと共に、溝または通路Iによって形成され九通路によ
シ相互連絡され良別個の空洞を形成するようになる。
変換器が一つO単一側面を有するように作ることができ
ることFi、この分野の専門家にとって明白なことであ
る。従って、凹所は隔膜の片側にのみ形威すみことがで
き、また単一ガラスプレートは、対応して隔置された区
域及び相互連絡通路上の溶着物と共に用いることができ
る。
ることFi、この分野の専門家にとって明白なことであ
る。従って、凹所は隔膜の片側にのみ形威すみことがで
き、また単一ガラスプレートは、対応して隔置された区
域及び相互連絡通路上の溶着物と共に用いることができ
る。
上述O構造は静電気的に隔膜構造物に接着したシリコン
隔膜及びホウケイ瞭ガラスプレートを利用すみものであ
るか、この分野O専門家は、シリコン隔膜を他O半導体
材料に代えることができ、またガラスプレーtt、*造
物の素子の間に静電的接着をな訃許し&から匍の誘電性
材料に代えることができる仁とは勿論である。しかし半
導体材料及び誘電性材料が同様な膨11o温度係数を有
することは重要である。鼓に見出されていることは、シ
リコンが棗い隔膜材料を作シ、またホウケイ酸ガラスが
プレート構造物に11めて遍しており、且つシリコンの
膨@OII度係数とaソ同様な膨張の温度係数含有する
ことである。
隔膜及びホウケイ瞭ガラスプレートを利用すみものであ
るか、この分野O専門家は、シリコン隔膜を他O半導体
材料に代えることができ、またガラスプレーtt、*造
物の素子の間に静電的接着をな訃許し&から匍の誘電性
材料に代えることができる仁とは勿論である。しかし半
導体材料及び誘電性材料が同様な膨11o温度係数を有
することは重要である。鼓に見出されていることは、シ
リコンが棗い隔膜材料を作シ、またホウケイ酸ガラスが
プレート構造物に11めて遍しており、且つシリコンの
膨@OII度係数とaソ同様な膨張の温度係数含有する
ことである。
以下1不発W140I!施態様を列挙する。
(1) 隔置区域に於ける半導体材料の除去鉱食刻に
よって完成噛れる特許請求の範囲IR1項に記載の製作
方法 (21半導体材料はシリコンであシ、誘電性材料隔置区
域は金属の薄いフィルム管ガラスの誘電性材料011a
Kj用することによって形成される前記JIIIJjに
記載の製作方法<3) 無機の電気的絶縁材料がホウ
ケイ酸ガラスであること。
よって完成噛れる特許請求の範囲IR1項に記載の製作
方法 (21半導体材料はシリコンであシ、誘電性材料隔置区
域は金属の薄いフィルム管ガラスの誘電性材料011a
Kj用することによって形成される前記JIIIJjに
記載の製作方法<3) 無機の電気的絶縁材料がホウ
ケイ酸ガラスであること。
半導体材料が添加剤人シシリコンであるこ互連絡する一
連の通路であ夛、筐た前記プレ−トの各々を通る一つO
Va口が各儒上O前記空゛洞を異なる流体圧力に接続す
ること。
連の通路であ夛、筐た前記プレ−トの各々を通る一つO
Va口が各儒上O前記空゛洞を異なる流体圧力に接続す
ること。
前記導電性表面が一つ0金属り薄いフィルム溶着物であ
ること、及び 電気通量を用意する前記手段が前妃導電褒IIを相互連
絡する通路に沿って金属O薄いフィルム溶着物を含むこ
と。
ること、及び 電気通量を用意する前記手段が前妃導電褒IIを相互連
絡する通路に沿って金属O薄いフィルム溶着物を含むこ
と。
よシ成る特許請求の範S第3項に記載の圧力交換器
(4)無機の電気的肥縁材料のウェーファがホウケイ酸
ガラスであ夛、また隔膜構造oq導体材料が悩加剤入シ
シリコンである41軒請求の範81/4ダ項に記載の圧
力交換器 (5) 前記空洞の間に流体流通を用意するためO前
記手段が前記凹!I!ItS互連絡する一jlO遥路を
含む特許請求の範l!纂弘項又は前記#!ダ項にiel
!の圧力変換器 (6)前記凹房に食刻によって作らn、また前記導電性
表Il#i前記絶縁材の表面上に金属O薄いフィルムを
溶着することによって作られる*ynn求り範囲第ダ項
又は前記第ダ項に記載の圧力変換器 (71前記絶縁材料を通ずる流体通路を用意し且つ前記
空洞と連絡するための手段が含まれている前記第5項に
記載の圧力変換器 @amの簡単なI!明 第−図は五つの別個な空洞を有する単一容量的圧力交換
器の上面図である。
ガラスであ夛、また隔膜構造oq導体材料が悩加剤入シ
シリコンである41軒請求の範81/4ダ項に記載の圧
力交換器 (5) 前記空洞の間に流体流通を用意するためO前
記手段が前記凹!I!ItS互連絡する一jlO遥路を
含む特許請求の範l!纂弘項又は前記#!ダ項にiel
!の圧力変換器 (6)前記凹房に食刻によって作らn、また前記導電性
表Il#i前記絶縁材の表面上に金属O薄いフィルムを
溶着することによって作られる*ynn求り範囲第ダ項
又は前記第ダ項に記載の圧力変換器 (71前記絶縁材料を通ずる流体通路を用意し且つ前記
空洞と連絡するための手段が含まれている前記第5項に
記載の圧力変換器 @amの簡単なI!明 第−図は五つの別個な空洞を有する単一容量的圧力交換
器の上面図である。
第二WJFi第−図に示さnえ交換器構造物の横断面の
正働図である。
正働図である。
第三図は第一図に示された交換e構造物の横断面O透視
図である。
図である。
図に於て。
aQは隔膜構造物
03は中央空洞
a41/Ii通路
ae#iガラスプレート
時は薄い金属フィルム
鋳は半径方向通路
■は薄いフィルム溶着物
■はフィルム溶着物
翻Fi−〇
特 許 出 願 八 リード・アント°・ノーヌロ
ツプ・フムパニ− FIG/ FIG2 IG3
ツプ・フムパニ− FIG/ FIG2 IG3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11隔離された区域及びそれら区域116m1連絡路
から、半導体材料の一つの導電性ウエーファの一つの表
面上で、該材料0表面中に連絡された多数の凹所管作る
えめに。 該半導体材料の一部を除く仁と。 誘電性材料の表面上で導電性材澗の*a区域を形成する
こと。 前記区域の一つに蒙て―記誘電性材料を通る開口を形成
すること。 前記開口の円周を導電性材料で櫨纏すること。 半導体材料O凹所が隣接して隔置され且つ整列するよう
に、半導体材料の表面を誘電性材料の表l1lK電気的
に接着し、それkよって。 生じ九空洞中に電気的コンデンサを形成し。 該コンデンサかその一つのプレートとして他のプレート
から隔置された半導体材料を有し。 導電性区域の少くと4一つを含み、従って。 それによって形成されたコンデンサの静電容量が半導体
材料の前記ウェーフッO反対情上に作用する差圧の変化
の関数として可変であるようにすること。 の工11t含む可変静電容量圧力変換器Oa+作方法 (21多数の浅い凹所及びそれらO関O相亙連絡溝を1
反対O区域に於てシリコンO導電性プレートの各反対側
上で食刻すること。 一つの導電性の薄いフィルムを1区域中で隔置された相
互連絡路に沿って、前記隔膜表面上の前記凹所の間隔に
整合するように、ホウケイ酸ガラスの二つのプレート上
K1着すること。 前記プレートの各々に蒙て、前記区域O少くとも一つが
前記凹所の全てに対して前記ウエーファを遍る一つの圧
力伝達路を用意するために、一つの一口會形成すること
。 前記溶着の全てに対する電気的!I点管用意するために
導電性フィルムて前記−口を被覆すること、及び 導電区域が前記隔膜の凹所に対向し且つそれに整合し、
従って、隔lxの各儒上O全ての区域か同じ流体圧力管
受けるように、前記隔膜O反対側に対して前記プレー)
1靜電的に接着すること。 の工程を含む可愛静電容量差圧変換器の製作方法 (31暴勃プレートの各々の一つの表面上の隔置区域上
に溶着された多数の導電5lai1を有する無機の電気
的絶縁材料の一対のプレートと。 前記プレートの間に静電的に接着された導電性半導体材
料の一つのウェー77であって。 前記半導体材料が対向関係でその両表面に多数の凹WI
!有し、隔膜の反対側上で多数の液密空洞を前記プレー
トと共に形成するために前記導電性表面と整合する一つ
0り二一ファと。 @起生導体材料の対向@が異なる流体圧力t−fえうる
ように、前記半導体材料の各9A面上で全ての空洞との
流体連通を用意する手段と。 ・半導体材料と半導体材料の任意の一側面上の導電表面
との間の各空洞中に形成されたコンテ、ン、すが全て釜
列に接続されるように、゛前記プレートの各々上の全て
の導電表面の間に電気通信を用意する手段と。 を含むコンデンサ型式の差圧父換器 (41ウエーファの一つの表面の隔置部゛分上に溶着し
た多数の相互連絡した導電゛性tR面を有して該表面上
に一つのコンデンサプレート會形成する無機の電気的絶
縁材のウニ□−ファ。 多数の隔置凹所を有する半導体隔膜構造であって、゛骸
構造が前記ウエーファに電気的に接着されて前′記りエ
ーファと多数の空洞を形成し、前記ウエーファの導電性
表面が勧記隔震構造に対面している半導体隔膜構造。 圧力変化の大きさの表示として隔膜構造と導電区域との
間で静電容量を変えるために。 空洞中の流体圧−力の変化適用に応答して隔膜構造か対
内するコンデンサプレードと゛して作用する□ように前
記空洞の間に流体連通を用意する手段と。 を含′bコンデンサ型式の圧力変換器
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