JPS5835195A - N−ホスホノメチルグリシンのホスホニウム塩および除草剤ならびに植物生長調節剤としての利用 - Google Patents

N−ホスホノメチルグリシンのホスホニウム塩および除草剤ならびに植物生長調節剤としての利用

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JPS5835195A
JPS5835195A JP57128824A JP12882482A JPS5835195A JP S5835195 A JPS5835195 A JP S5835195A JP 57128824 A JP57128824 A JP 57128824A JP 12882482 A JP12882482 A JP 12882482A JP S5835195 A JPS5835195 A JP S5835195A
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ジヨ−ジ・ブラツクモア・ラ−ジ
ロ−レンス・ラモント・ビユレン
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Stauffer Chemical Co
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • C07F9/28Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/54Quaternary phosphonium compounds
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01NPRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
    • A01N57/00Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic phosphorus compounds
    • A01N57/18Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic phosphorus compounds having phosphorus-to-carbon bonds
    • A01N57/20Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic phosphorus compounds having phosphorus-to-carbon bonds containing acyclic or cycloaliphatic radicals
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01NPRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
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    • A01N57/34Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic phosphorus compounds having phosphorus-to-halogen bonds; Phosphonium salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • C07F9/28Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/38Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
    • C07F9/3804Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)] not used, see subgroups
    • C07F9/3808Acyclic saturated acids which can have further substituents on alkyl
    • C07F9/3813N-Phosphonomethylglycine; Salts or complexes thereof

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、新規な化合物およびその除幕剤としである
いは植物生長調節剤としての使用に関する。とくに、本
発明はN−ホスホノメチルグリシンのホスホニウム塩K
r!Ajる。
N−ホスホノメチルグリシンは、よく知られた化学品で
あり、除草剤用途ではモノイソグロビルアミン塩として
、またサトウキビの生長調節剤としてはす) IJウム
塩として商業的に販売されている。これらの塩の製造者
は、モンサンド農業品会社(Mon5anto Agr
ieul −tural Product Compa
ny、  セントルイス)である。この他にも置換アン
モニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩など
褌々の塩類が知られている。
新しいN−ホスホノメチルグリシンの塩が、発芽后の除
草効果のあるものとしてまた植物生長調節効果のあるも
のとして発見された。
除草効果あるいは植物生長調節効果が達成されるかどう
かは、適用する作物、適用の方法、存在する雑草の種類
と倉、薬剤の適用率によっても異なる。これらのファク
ターの最適な組合せは、当業者の行う通常の方法でなさ
れ除草効果は、雑草を部分的に抑制することから完全に
死滅させるところまでの範囲がある。!!済性や、作物
に対する悪影響などを考慮すると、完全死滅よりも部分
抑制の方が成る場合には好ましい。植物生長調節効果は
さらに範囲のあるものであり、落葉や植物的生長の遅延
なども含む。
ii1葉(d@foliation )は、植物の作物
としての有効な部分を大きく生長させ、そして収穫作業
を容易にするために使用される。植物生長の遅延(re
tardation of vsg@tat1vsgr
owth)は、いろいろの面で有用である。ある種の植
物にこれを適用すれば頂上方向への繁茂が抑えられ、短
い幹で横枝のはった植物になる。小さくて、茂った植物
は水不足や病虫害にも強いのである。また芝などでは上
方向の生長を抑えることKより根を張らせ、密で強い質
の芝になる。芝生やゴルフ場などでの芝刈りの間隔を大
きくすることにもなる。
牧革作物、ジャガイモ、サトウキビ、サトウダイコン、
ブドウ、メロン、果樹などでは、この植物生長調節を行
うと収穫時の炭水化物含量が大になる。これは、植物生
長の適切な段階で生*遅延あるいは抑制を行うと、生長
に必要な炭水化物の菫が少なくなり、結果として作物の
デンプンや砂糖の童が増大するものと考えられる。果樹
VC1avi!J生長調節を行えは、短い枝で、高さも
低く、果樹園での収穫作業が容易になる。
本発明は、除草効果と植物生長調節効果のある新規なN
−ホスホノメチルグリシン塩に関する。これらの新規な
塩は、″A質的にtill僕ホスホニウム カチオンお
よびグリシルメチルホスホネート アニオンからなる。
これらの塩は次の一般式で表わされるものでもよい。
ここに、 R’  * R”  * R” およびR’ は、CI
〜1゜アルキル、フェニル、ベンジル、 を換へ7ジル
および置換フェニル(ここで、該置換基はハロゲン、低
級アルコキシ、低級アルキルより独立に選ば・)れる)
よりなる群から独立に選ばれる。ただし、R1,R1。
R1およびR4のうち少なくとも一つはベンシル、置換
フェニルまたは置換ベンジルである。
さらに、これらの化合物は次の構造式を有するも゛ので
もよい。
1     / R”     HO ここに、 R’  、R” 、R” およびR’ は、c、〜l。
アルキル、フェニルよりなる群から独立に選ばれる。
上記式の範囲内で、成る種のものがより好適とされる。
すなわち、R’  、R”  、R”およびR4はsc
I〜・アルキル、フェニル、ベンジル、置換フェニル(
置換基はクロロ、低級アルキル、または低級アルコキシ
)および置換ベンジル(置換基はクロロ)よりなる群か
ら独立に選はれる。
最も好ましくは、R”、R雪 Bm、およびR4は同じ
種類で、C1〜4アルキルおよびフェニルからなる群か
ら選ばれたものである。
しかしながら上記した効果の範囲内では、混合の置換基
も好適とされる。
低級アルキル、低級アルコキシという語は、C8〜、の
直鎖、分枝または環状のグループを指し、たとえばメチ
ル、メトキシエチル、エトキシ、プロピル、プロポキシ
、ブチル、シクロブチル、イソブチル、ブトキシ等を指
す。
この発明は、さらに、望ましくは植物生長を抑制するた
めに、発芽后に、本化合物の除草有効量を適用すること
を含む植物生長抑制方法に関する。
さらに本発明は、これらの植物に致命的でない量の上記
化合物を適用する′ことを含む植物の自然な生長、発育
の調節方法に関する。
「除草有効量」なる語は、植物を殺すか、その生長を実
質的に停止させる量をいう。
「植物」とは発芽槽、苗、根から地上部分を含む植物本
体をいう。
植物の「自然な生長、発育」とは、外界からの人工的な
影響を受けずにその植物の属性による自然な生命サイク
ルをいう。「調節」とは、植物の自然な生命サイクルに
化学的方法により、一時的あるいは永久的に変更をもた
らすことをいう。
本発明によれば、雑草の発芽后に本化合物を適用するこ
とにより最も効果的に雑草抑制をすることができる。一
方、作物の自然な生長、発育の調節のためKは、収穫期
の約4〜10週間前に、植物の地上部分に本化合一を適
用することKより達成することができる。
後者の目的のためには、生長調節のための量が除草効果
を出すことなしに用いられる。当業者には理解できるよ
うに、この目的のためには、次のような種々の要因で使
用量が変る。
すなわち、処理薬剤、達成効果の1度、植物のaI類お
よび発育段階、一時的効果を目的とするか永久的効果を
目的とするか、適用の方法、温度、降雨等の天候等であ
る。本化合物の調節結果は、植物の生理学的作用、形態
学的作用あるいはそれらの組合せとし【発現される。被
処理植物の形態学的な変化は、一般に大きさ、形、色、
組織の変化および果実、花、作物の量の変化として見ら
れる。一方、生理学的な変化は、植物の内部で起り、観
察では判り難い。この種の変化は、ホルモンの様に植物
体内に発生する化学物質の生成、位置、貯蔵、作用とし
て起る。形態学的な変化が伴うことは生理学的変化のあ
ったことの証拠である。
本発明の化合物は、N−ホスホノメチルグリシンをプロ
ピレンオキサイドの存在下−適宜置換されたホスホニウ
ム ノーライドと反応させることにより容易に得られる
。N−ホスホノメチルグリシンそれ自体は、グリシンの
ホスホノメチルグシンすなわちエチルグリメチルグリシ
ンの酸化で得られる。これらの方法は、米国特許第3,
799,758号(フランツ、3月26日、1974年
)に記載されている@ 別法として、本発明の化合物は、N−ホスホノメチルグ
リシンの1当量と有機塩の1当量とをメタノールまたは
水中で攪拌しながら結合させることによっても得られる
。当量の酸化銀を反応期間中少量宛添加、攪拌し、数時
間保つ。その后常法により濾過、濃縮等により生成物を
得る。
次に示す実施例は、本発明の化合物の調製や、不要植物
の抑制や植物生長の調節における効果を単に示すための
ものであって、発明を限定するものではない。
実施例1 モンサンド農業製品会社製のN−ホスホノメチルグリシ
ンのモノ−イソプロピルアミン塩で、41.!を係の水
性浴液を使用。
この浴液の51.5 t (0,125モル)を75艷
の水で稀釈し、12規定の塩酸10.4m/(0,12
5モル)を加えた。1時間攪拌し固形生成物を戸別する
。固形物を水、エタノール、アセトンで順次洗滌し、オ
ープン中で乾燥する。15.8gr(理論量の75%)
のN−ホスホノメチルグリシンを得た。
この物質の3.4 f (0,02モル)を100−の
水中で、テトラ−n−ブチルホスホニウムブロマイド6
.89 (0,02モル)およびプロピレンオキサイド
20−と混合した。混合物を30分間50℃に緩やかに
加温する。水を溜去し、屈折率ubO= 1−5 ’8
51の澄明な油状物11.0 tを得た。C−13NM
Rおよび赤外線吸収スペクトルで、本化合物はN−ホス
ホノメチルグリシンのモノ−テトラ−n−ブチルホスホ
ニウム塩であることを確認した。
実施例2 N−ホスホノメチルグリシンの1.4f(0,0083
モル)、テトラメチルホスホニウム アイオダイドの1
.8 f (0,0083モル)を100−の水中で混
合した。混合物を50℃、1時間攪拌下に加熱する。1
5℃に冷却し、6献のプロピレンオキサイドを添加する
。2時間室温で攪拌する。反応混合物を130−のジエ
チルエーテルで抽出する。水相をストリップし、30f
の生成物をさらにテトラヒドロフランおよびエーテルで
溶解、ストリップし、2.3tの固形生成物を得た。
これは分解湯度80℃であり、C−C−13Nで同定し
たところN−ホスホノメチルグリシンの七ノーテトラメ
チルホスホニウム塩であることが判った。
実施例3 1.79 (0,01モル)のN−ホスホノメチルグリ
シン、4.66 F (0,01モル)のテトラフェニ
ルホスホニウム アイオダイドおよび3Wdのプロピレ
ンオキサイドを実施例2に従って反応させた。液状物6
.2 gr  を得た。
これは屈折率n ”o =1.5768で、C−C−1
3Nで同定したところN−ホスホノメチルグリシンのモ
ノテトラフェニルホスホニウム塩であることが判った。
実施例4 実施例2の方法に従い、2.11 F (0,0125モル)のN−ホスホノメチルグリシン、
4.97 f (0,0125モル)のトリフチル−2
,4−ジクロロベンジル ホスホニウムクロライドおよ
び1.1 gr  のプロピレンオキサイドを反応させ
た。2日後には反応は見られなかった。ホスホノメチル
グリシンは不溶のまま残っているのが観察された。約2
0−を減圧下除去しプロピレンオキサイドを除去する。
得られた液に0.5 f (0,0125モル)の水酸
化ナトリウムのペレットを加える。N−ホスホノメチル
グリシンを可溶化したのち、1.5時間浴液を還流する
。ストリップ後浴液をメチレンクロライド/トルエン混
合物で処理する。#液を減圧下に再びス) IJツビン
グし、20+R1のトルエンで処理する。
p過后白色固秋物を得る。
収量は1.fi?、融点〉320℃であった。
トルエンP液をストリッピングし、残留物(7,39)
を3回トルエンで処理し、そのたびに傾瀉する。溶媒を
ストリッピング後、残留物を再び得る。今回の収量は6
.6 gr  の粘稠油であった。2つの生成物を合わ
せ、揮発分を減圧で除去する。7.3fの粗生成物が得
られた。これを水に溶解し均一溶液とする。
水浴液の全量はl fi、5 fで、これは40優の生
成物と4.4憾の水酸化ナトリウムを含んでいる。
実施例5 3.9 t (0,01モル)のベンジルトリフェニル
ホスホニウムクロライドを0.4t(0,022モル)
の水、メタノールにとかす。
これに1.7 f (0,01モル)のエチル−N−ホ
スホノメチルグリシンを加える。酸化銀(2,43F、
0.0105モル)を少量ずつ、1時間に亘って加える
。添加終了後さらに2時間攪拌する。硝酸銀浴液で試験
してもノ・ロゲンの存在はみられなかった。塩化釧およ
び酸化銀は炉別され、E過ケーキはメタノールで洗滌す
る。p液は25℃でストリップし、5.52の白色結晶
を得た。これは融点78〜82℃であり、水やりpロホ
ルムに溶解する。
C−C−13Nで同定した。
実施例6 エチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド(4,2
f、 0.01モル)をエチル−N−ホスホノメチルグ
リシン(1,79,0,01モル)と結合させる。メタ
ノール(150m)を加えて、ホスホニウム塩を溶解す
る。水(0,4t、0.022モル)をそ扛から加えも
室温で酸化銀を1時間に亘って加える。室温で2.5時
間攪拌する。ヨウ化銀と過剰の酸化銀を戸別し、P液を
ストリップする。4.6grの生成物を得た。これは融
点59−68℃であり、赤外吸収スペクトルとC−C−
13Nで同定された。
実施例7 実施例6におけると同様に、4.46 f(0,01モ
ル)のメチルトリーp−)リルホスホニウムアイオダイ
ドを1.7 F (0,01モル)のN−ホスホノメチ
ルグリシンと結合させ、次いでメタノールおよび水を加
えた。酸化銀を40分に亘って添加した。その后、室温
で2時間攪拌する。酸化銀およびヨウ化銀を濾過層、p
液をl■水銀柱以下で25℃でス) IJツブする。4
.8 gr  O本化合物を得た。
これは融点75〜85℃であり、NMR,赤固 外分析で安定された。
実施例8 ラム塩の調製 実施例6におけると同様に、5 f (0,01モル)
のメチルトリー(4−メトキシフェニル)アイオダイド
および1.7 f (0,01モル)のN−ホスホノメ
チルグリシンと結合させた。
酸化銀を30〜40分に亘って添加した。
20℃で20分攪拌したのち、濾過し、F液を25℃で
l籟水銀柱以下の減圧でス) IJツブした。5.3f
の白色粉末を得た。これは融点60〜68℃であり、構
造はC−1C−13N赤外分析で確認された。
実施例9 ム塩の調製 実施例6におけると同様に、5.08 f(0,01モ
ル)のメチルトリー(4−り四ロフェニル)アイオダイ
ドを1.7 f (0,01モル)のN−ホスホノメチ
ルグリシンと結合させる。酸化銀を40分に亘り添加す
る。その后室温で2.5時間攪拌する。酸化銀およびヨ
ウ化銀を戸別し、p液を25℃、1m+水銀柱以下でス
トリップする。表記化合物の5,5fを得た。これは融
点85〜95℃であり、構造はNMR,赤外分析で確認
された。
以上の実施例により調製された化合物の一覧表を、表A
&’C示す。
実施例10 除草活性 この実施例では、前記実施例で調製された化合物の発芽
層の除草活性を示す。
15.2 X 22.9 X 8.9 esの寸法ノア
ルミニウム プランタ−にローム砂状上を7.63の深
さに充たす。この土壌は、それぞれ50ppmの市販殺
菌剤シス−N〔(トリクロロメチル)−チオツー4−シ
クロヘキセン−1゜2−ジカルボキシイミド(Capt
an)および17−17−17肥料(N −P、 O,
−に、 Oの重量パーセント)を含有している。それぞ
れのプランタ−の巾方向を横切って、7条のラネを作り
、それぞれに、草および広葉雑草の種を植えた。使用し
た雑草の種類を以下に示す。
広葉雑草 A、 アニュアルモーニンググローリー (Annua
l  morning  glory)B、  コツク
ルバー           (Cockl@bur)
C,ジムランクイード         (Jimao
nv**d)C,1セスバニア           
 (S@sbanim)D、  ベルベットリーフ  
        (V@lv*tl@mf)E、 マス
タード           (Mustard)F、
 ナイトシェード          (Nightm
had*)F、l  フィールド プロードウイード 
  (Field  broadwsed)F、2  
シックルボッド          (Slakl@p
od)G、  ビラグライード           
(Plgv・・d)草 Ho イエロー ナツツエツジ     (Yello
w nuta@dge)工、  ドーニープローム  
       (Dovnybrom*)J、  フォ
ックステール        (Foxtail)阜 に、 アニュアル ライグラス      (Annu
al  ry@graas)L、  ウォーターグラス
         (Wat*rgrams)M、  
ロックスオレンジ ソーガム    (Row−ora
ng@ sorghum)M、l  シャッターケ−7
(8hatt@rcan*)N、  ワイルド オート
         (Wild  5at)イボay 
 バーピュレア     (Ipomo@a  pur
pur*a)ザンチューム エスピー     (Xa
nthit+m  mp、)ダツラ ストラモニウム 
    (Datura  stramonium)ブ
ランカ エスピー        (Bramslca
  sp。
ソラナムエスビ−(Solanum ap、)コンボル
バラス  アルベンジx  (Convolvulus
  arvsnsim)セタリアエスピ−(8@tar
ia  mp、)アペナ ファツア        (
Av@na  fatua)広葉の種類を先に播種し、
草は4日後に播種した。発芽後にlラネ当り植物の大き
さに応じ、5〜50芽が出るように多くの種を播いた。
草を播種して10日後K、全ての種類の発芽苗に試験化
合物の水浴液をスプレーした。
1ニーカー当り80ガロン(1ヘクタール当り750t
)をスプレーした場合に、化合物量が0.25〜4.0
ポンド/ニーカー(0,28〜4.48Kt/ヘクター
ル)となるような濃度で水浴液は調製された。全熱処理
をしないプランタ−も標準とし黴用いられた。
19日後、試験プランタ−を標準と比較し、それぞれの
ラネの雑草を観察によりO〜toosのランク付けをし
た。0チは標準品と同程度の成長があり、100%はラ
ネの雑草が完全に死滅し℃いることを示す。全てのタイ
プの植物の被害も考慮に入れた。この結果を表1および
表nK示す。
89 実施例11 除草活性 この実施例は、311の化合物の発芽前活性および発芽
后活性を、種々の草および広葉雑草につ1!4ポンド/
ニーカー(4,48Kg/ヘクタール)の適用率で測定
したものである。
JIN!、表Iおよび貴社と同じ符号を用いており、試
験方法も実施例10と同じである。
但し、尭芽試験では、試験化合一のスプレーを?lll
1[の翌日に行い、評価を13日后に行っており、また
、発芽后試験では、播種lO日后にスプレーを行い、1
3日后に評価を行つズいる。結果を表■に示す。これを
見ると本発明の化合物は、発芽后に適用した方が効果が
あることが判る。
実施例12 植物生長調節活性 この実施例は、N−ホスホノメチルグリシンのモノ−テ
トラ−n−ブチルホスホニウム塩およびモノ−テトラメ
チルホスホニウム塩のサトウモロコシ(スィート ソー
ガムmwevt sorghum ) (ソーガム パ
ルガンを示1−ものである。
試験方法は以下のとおりである。
一連のファイバー製ボット[Vi径5.0インチ(12
,7a++)、深さ5.0インチ(12,7国)〕に砂
状ローム土を入れる。これはフルイな通してあり、且つ
、N * Pg O@ * Kg Oがそれぞれ150
 ppmになるようj’c17−17−17肥料を施し
である。−列のサトウモロコシを播き、温室に入れ、昼
は27c、夜は21Cに抹つ。発芽したら、1つのポッ
トに1つずつ分ける。
矯棟後、9週と4日後に、最上段の葉の不活(llgu
l・)までの墓の長さを測定し、試験化合物の水浴液に
さらK 0.5重量鳴のポリオキシエチレン ソルビタ
ンモノラウレート界面活性剤を添加したものをスプレー
する。スプレー装置は、畿酸ガスで加圧され、自転車の
様な型の装置に設備されている。試験液は、25ガロン
/ニーカー(234t/ヘクタール)の率で適用され、
065〜4.0ボンド/ニーカー(0,56〜4.48
時/ヘクタール)の宿性成分が通用されるような濃度に
あら力・じめ設定しである。
lO日層重地表面から切断して枢機し、葉を取り除く。
蟻上段の葉の不活までの茎の擾さを再び測定する。次式
により「茎伸長ノく一セント」を計算する。
地表面から最上段の節までの長さを測定し、「墓長」と
する。シードヘッド(l・・dh@ad)及び果柄(p
@duncl*) (最上段の節からシードヘッドの基
部に伸びている工の部分)を切除し、残すの茎について
のrF、W、J(フレッシュ重量)を測定する。それぞ
れの茎を、約1.5インチ(3,8cm )の長さに切
断し、15.000ポンド/平方インチの圧力でカルバ
−(Carマ・r)プレスで圧搾する。搾出された液汁
の「量」な記碌し、液汁屈折計で「T、D、S・」(全
溶解固形分)も測定する。茎は圧縮空気オーブンで礼法
し、r D、W、J (ドライ重量)を測定する。
結果を表■に示す。これには比較のために、処理しない
植物3種についての十均値も示しである。これによると
、「工長」、「フレッシュ重量」、「ドライ重量」にお
いて減少が見られ、搾出された液汁中の「全溶解固形分
」のパーセントが増加しているのが判る。これらは全て
、試験化合物の適用に起因するものである。
適用の方法 作物畑での使用にあたっては、本発明の化合物は、一般
に1その分散を助ける追加成分や稀釈担体な含有する適
当な調剤とされる〇これらの例としては、水、有機溶媒
、粉末、粒状物、界面活性剤、油中水または水・中油エ
マルジョン、湿潤剤、分散剤、乳化剤がある。
調剤は、一般に粉末、溶液、乳化可能濃厚物、湿潤可能
粉末の形態をとる。
A、粉末 粉末は、活性成分を密な自由流動性の囲体担体と結合さ
せた粉末状組成物である。
これは乾燥状態で使用するのを目的とされ、風で不要の
場所に飛散しないように迅速に定着するようにされてい
る。担体は鉱物または植物のものであり、高いカサ密度
、小さい表面積、液体吸着能の低い有機または無機の粉
末である。
粉末には、その使用をし易くするため、陽イオン性、陰
イオン性、非イオン性の液状あるいは固体状の湿潤剤も
含ま、れ、る。好適な湿潤剤には、アルキルベンゼン、
アルキルナフタレンスルホネート、iI酸化脂肪族アル
コール、アミン又は酸アミド、イソチオネートの長鎖酸
エステル、スルホサクシネートのエステル、硫酸化又は
スルホン化された脂肪酸エステル、石油スルホン化物、
スルホン化植物油、ジターシャリ−アセチレングリコー
ル等がある。分散剤もまた粉末組成物には有用である。
代表的な分散剤には、メチルセルローズ、ポリビニルア
ルコール、リグニンスルホネート、ボ′リメリツク ア
ルキルナフタレンスルホネー)、yNIJメチレン ビ
ス−ナフタレンスルホネート、N−メチル−N−(長鎖
酸)タウレートなどがある。
さらに、不活性の吸着性粉砕助剤もしばしば用いられる
。好適な粉砕助剤はアタパルジャイトクレイ、珪ソウ土
シリカ、合成微細シリカ、合成カルシウム、マグネシウ
ムシリケート等がある。
典型的な粉末組成では、担体は通常約 30〜90暢入っている。粉砕助剤は5〜50慢、湿潤
剤は約1.01までである。分散剤は約0.5憾までで
、少量の粘着防止剤や静電防止剤も含められる。全組成
の粒径は通常約30〜50ミクロンである。
B、滴液 1〜200ガロン/ニーカー(約9〜 1B75t/ヘクタール)の割合での適用で活性物質の
所望量が散布されるようKfm液は調製される。少量の
植物毒性のない界面活性剤を加えて、液の湿潤性を高め
、植物表面上での分散を改良する。陰イオン伝力チオン
性、非イオン性、両性イオン性等の界面活性剤は全て使
用できる。
好適な陰イオン性界面活性剤としては、C1〜lの鎖を
脂肪族鎖に有する脂肪族アルコール億酸塩のアルカリ金
属、アンモニウム、アtン塩およびC1〜1.アルキル
のアルキルベンゼン スルホネートのナトリウム塩等で
ある。
好適なカチオン性界面活性剤としては、C1〜3.アル
キルを有するジメチルジアルキル第4級アンモニウムノ
1ライドがある。
好適な非イオン界面活性剤としては、 C1tl〜1.脂肪族アルコールのポリオキシエチレン
アダクト、プルキルフェノールのポリエチレンオキサイ
ド縮合物、ソルビタンエステルのポリエチレンオキサイ
ド縮合物等がある。好適なアムホリテイツク活性剤とし
ては一方でC1〜、・の鎖状置換基を有し、他方アニオ
ン系親木基な有する第2級および第3級鎖状アミン誘導
体である。3−ドデシルアミノプロピオン酸ソーダおよ
び3−ドテシルアミノプロパンスルホン酸ソーダ等がそ
の例である。
好適な両性イオン界面活性剤としては、一方でC12,
鎖状置換基を有し、他方アニオン系親水基を有する化合
物の第4級アンモニウム塩の誘導体である。3−(N、
N−ジメチル−N−ヘキサデシルアミン)−プロパン−
1−スルホネートおよび3−(N、N−ジメチル−N−
ヘキサデシルアンモニオ)−2−ヒドロキシプロパン−
l−スルホネートがその例でアル。
C0乳化可能な濃厚液 これは、活性成分と乳化剤とが溶媒中に溶解されている
浴液である。使用に先立って、水で稀釈して溶媒滴の懸
濁工iルジョンを形成する。
温媒としては、種子油、塩素化炭化水素、水と非混合の
エーテル、エステル、ケトン等である。
代表的な乳化剤は、アニオン系、非イオン系界面活性剤
およびその混合物である。
例としては、長鎖メルカプタンポリエトキシ アルコー
ル、アルキルアリル ポリエトキシ アルコール、ソル
ビタン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステルとの
ポリオキシエチレン エーテル、脂肪酸又はロジン酸と
のポリオキシエチレングリコールエーテル、脂肪アルキ
ロールアミド縮合物、脂肪族アルコール硫酸塩のカルシ
ウムおよびアミン塩、油浴性の石油硫酸化物、ならびに
これらの混合物等である。通常これらは1−10重量憾
含まれる。
代表的な、濃厚液は、15〜50重量暢の活性物質、4
0〜82憾の溶媒、1〜109Gの乳化剤からなる。他
の添加物、例えば分散剤、粘着剤等もまた包含されても
よい。
D、湿潤性の粉末 これは、活性物質、不活性固体充填剤、1種またはそれ
以上の界面活性剤を含み、迅速に湿潤でき、且つ水中に
懸濁したとき凝集しない様にしたものである。
好適な固体充填剤としては、天然鉱物および鉱物から合
成的に得られた物質である。
例えば、カオリナイト、アタノ(ルジャイトクレイ、モ
ンモリロナイト クレー、合成シリカ、合成1グネシウ
ム シリケート、および硫酸カルシウム2水物である。
好適な界面活性剤は、非イオン系、アニオン系を含み、
湿潤剤としておよび分散剤として機能する。好ましい湿
潤剤は、アルキルベンゼンおよびアルキルナフタレンス
ルホン酸塩、脂肪酸アルコールの硫酸化物、アミン又は
酸アミド、イソチオン酸ナトリウムの長鎖エステル、ス
ルホサクシネートのエステル、植物油のスルホン化物、
ジターシャリ−アセチレングリコール、 好ましい分散剤は、メチルセルロース、ソ ホリヒニル アルコール、?クニンスルホン酸、ポリメ
リックアルキルナフタレンスルホネート、ナフタレンス
ルホン酸ソーダ、ポリメチレンビスナフタレンスルホネ
ート、N−メチル−N(長鎖酸)タウレート等である。
代表的な湿潤性粉末は、活性物質を25〜90憾、湿潤
剤を0.5〜2.0憾、分散剤0.25〜5.0俤、不
活性稀釈剤を9.25〜74.25憾含有する。
しばしば、0.1〜1.0’lの稀釈剤は腐蝕防止剤や
消泡剤と置き換えられる。
L 一般 一般に1通常用いられるどんな方法でも使用できる。所
望の結果をもたらすに有効な活性物質の量は、それが除
草目的であへ生長調節目的であれ、植物の特性と環境条
件に左右される。除草効果は、0.1〜50(好ましく
はl−10)ボンド活性物質/ニーカーで達成される。
一方植物の生長調節効果は通常0.1〜20(好ましく
は0.5〜5)ポンド活性物質/ニーカーで達成される
。活性の低い化合物の場合は、同じ程度の効果を得よう
とするならば、より多くの量を使用する必要のあること
は当業者に自明のことである。
代理人   弁理士 桑 原 英 明 手続補正書(自発) 昭和57年 f門 /  L] 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 特願昭57−128824号 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 氏  名(名称) ストウファ−・ケミカル・カンパニ
ー6、 補正により増加する発明の詳細な説明の詳細な
説明の欄を次のよ5に補正する。
明細書第12頁、11行目、 「・・・使用される。」の次に以下の記載を追記する。
「落葉は、麻、棉、そら豆にとっては特に有益である。
落葉は葉を枯らすのみで植物の他の部分には損傷をおよ
ぼさない故除草作用ではない。事夾、植物自体が枯死す
ると、象はその植物に強く付着して有害な落葉をもたら
す。」以 上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 ホスホニウム カチオンおよびグリシルメチルホ
    スホネート アニオンから実質的になる化合物。 2 置換ホスホニウム カチオンおよびグリシルメチル
    ホスホネート アニオンおよび不活性稀釈担体かも本質
    的になる化合物の除草有効量を含有する除草組成物。 3、置換ホスホニウム カチオンおよびグリシルメチル
    ホスホネート アニオンおよび不活性稀釈担体から本質
    的になる化合物の除草有効量を含有する除草組成物を、
    発芽後の植物に適用することよりなる不要植物の抑制方
    法。 4゜置換ホスホニウム カチオンおよびグリシルメチル
    ホスホネート アニオンおよび不活性稀釈担体から本質
    的(なる化合物の調節有効量かつ非致死量を植物に適用
    することからなる植物の自然な発育、生長を調節する方
    法。 5、 次の一般式を有する化合物、 ここに1 R’  + R”  @ R”およびR4は、Ct〜t
    。 アルキル、ベンジル、フェニル、置換フェニルおよび置
    換ベンジル(ここで、該置換基はハロゲン、低級アルコ
    キシ、低級アルキルより独立に選ばれる)よりなる群か
    ら独立に選ばれる。ただし、RI  、 B *  。 R8あるいはR4の少なくとも、1つはベンジル、置換
    ベンジルまたは置換フェニルである。 6、  R1、R” #、mびR8がC、〜、 7 ル
    l? /L/およびフェニルからなる群から独立に選ば
    れ、R4がベンジル、置換ベンジルまたは置換フェニル
    である特許請求の範囲第5項の化合物。 7、R’、R”およびR1がそれぞれn−ブチルであり
    R4が2.4−ジクロロベンジルである特許請求の範囲
    第5項の化合物。 8、R’、R”およびBaがそれぞれフェノールであり
    R4がベンジルである特許請求の範囲第5項の化合物。 9、 R1はエチルであり、R1、RaおよびR4はそ
    れぞれフェニルである特許請求の範囲第5項の化合物。 10、 R’  、 R”およびR1はそれぞjLp−
    トリルでありR4がメチルである特許請求の範囲第5項
    の化合物。 11、R’、R雪およびR1はそれぞれ4−メトキシフ
    ェニルであり R4はメチルである特許請求の範囲第5
    項の化合物。 12、R’  、R”  、R” はそれぞれ4−りo
    aフェニルであり R4はメチルである特許請求の範囲
    第5項の化合物。 13、  次の一般式を有する化合物、ここで、 R’SR雪、R” およびR4は、CH−4゜アルキル
    およびフェニルよりなる群から独立に選ばれる。 14、R’、R冨 、R8およびR4は、C5〜4アル
    キルおよびフェニルよりなる群から独立に選ばれる特許
    請求の範囲第13項の化合物。 15、  R’  、 R”  、 R” オヨびR4
    は、同シ基であり、かつ、C8〜、アルキルおよびフェ
    ニルよりなる群から選ばれる特許請求の範囲第13項の
    化合物。 lfi、  R’  、 R”  、 R” オヨびR
    ’+tそtLぞれメチルである特許請求の範囲第13項
    の化合物。 17、R’  、R”  、R”およびR4がそれぞれ
    n−ブチルである特許請求の範囲第13項の化合物。 18゜R1、H”  、R”#よびR4がソ11.ぞれ
    フェニルである特許請求の範囲第13項の化合物。 19、 次の一般式の化合物の除草有効量および不活性
    稀釈担体を含む除草組成物、 ここに、 R’  、R”  、R” およびR4は、c、−10
    アルキル、ベンジル、フェニル、置換フェニル、置換ベ
    ンジル(ここに、置換基を1)10ゲン、低級アルコキ
    シ、低級アルキルより独立に選ばれる)よりなる群から
    独立に選ばれる。但し、R’  、R”  tR”およ
    びR4の少なくとも1つはベンジル、置換ベンジル、置
    換フェニルである。 20、R’lR”およびBaはCI〜、アルキルおよび
    フェニルより独立に選ばれ 14はベンジル、置換ベン
    ジル又は置換フェニルである特許請求の範囲第19項の
    組成物。 21、  次の一般式の化合物の除草有効量と不活性稀
    釈担体とからなる除草組成物。 ここに、 R’、R雪、 R” オヨびR’+”IC,〜、、  
    フルキルおよびフェニルよりなる群から独立に選ばれる
    。 n0次の一般式の化合物の除草有効量と不活性稀釈担体
    とを含む除草組成物を植物の発芽後に適用することから
    なる不要植物の抑側方法、 ここで、 R’lR鵞 R8およびR4は、c、−Nlアルキル、
    ベンジル、フェニル、置換フェニル、および置換ベンジ
    ル(ここで、置換基は、ハロゲン、低級アルコキシ、低
    級アルキルより独立に選ばれる)よりなる群から独立に
    選ばれる。但し、B l  、 Ra  。 RaおよびR4の少なくとも1つはベンジル、置換ベン
    ジル、または置換フェニルである。 zt、R’  、R”  、R” はc、−、フル*ル
    およびフェニルより独立に選ばれ、R4はベンジル、置
    換ベンジル又は置換フェニルである特許請求の範囲第2
    2項の方法。 洸 次の一般式の化合物の除草有効量と不活性稀釈担体
    とからなる除草組成物を植物の発芽後に適用することか
    らなる不要植物を抑制する方法、 ここに、 R1、R1、R1およびR4は、C1〜I。 アルキルおよびフェニルよりなる群から独立に選ばれる
    。 25、  R’ 、 R” 、 R” gヨヒR’ ハ
    c、〜@ フルキ゛ルおよびフェニルよりなる群から独
    立(選ばれる特許請求の範囲第24項の方法21’i、
      R’  、R” 、R”およびR4は同じ基であり
    、且つC3〜4アルキルおよびフェニルから遺ばれる特
    許請求の範囲第24項の方法。 n1次の一般式の化合物の植物生長調節剤としての有効
    量かつ非致死量と不活性稀釈担体とを植物に適用するこ
    とからなる植物の自然の発育、生長を調節する方法、 ここに、 RI  、 R,l 、 HaおよびR4ハcr 〜+
    o’  フルキル、ベンジル、フェニル、置換フェニル
    、置換ベンジル(ここに置換基は、ハロゲン、低級アル
    コキシ、低級アルキルより独立に選ばれる)よりなる群
    から独立に選はれる。但し、”  r R”  、 R
    sおよびR4の少なくとも1つはベンジル、it侠ベン
    ジル又は置換フェニルである。 28、R’  、R”  、R” はCH−a 7にキ
    におよびフェニルより独立に選ばれ、R4はベンジル、
    置換ベンジル又はf%フェニルである特許請求の範囲第
    27項の方法。 加6次の一般式の化合物の植物の生長調節有効量、且つ
    非致死量と不活性稀釈担体とを植物に適用することから
    なる植物の自然の発育、生長を調節する方法、 ここに、 R’  、 R” 、 R” オヨびR’ハC,〜、6
      フルキルおよびフェニルよりなる群から独立に選は
    れる。 :[、R’  、R’  、R” およびR’ がfi
    立KC1〜1o  アルキルである特許請求の範囲第2
    9項の方法。 31、R’、R暑、RsおよびR4が同一の基であり、
    かつC1〜、アルキルである特許請求の範囲第29項の
    方法。
JP57128824A 1981-08-24 1982-07-23 N−ホスホノメチルグリシンのホスホニウム塩および除草剤ならびに植物生長調節剤としての利用 Pending JPS5835195A (ja)

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