JPS5833221A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS5833221A JPS5833221A JP56131028A JP13102881A JPS5833221A JP S5833221 A JPS5833221 A JP S5833221A JP 56131028 A JP56131028 A JP 56131028A JP 13102881 A JP13102881 A JP 13102881A JP S5833221 A JPS5833221 A JP S5833221A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- layer
- liquid crystal
- manganese dioxide
- nonlinear element
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非＠型素子を用いて液晶の高デユーティ−駆
動をする場合の非線型素子の憾性向上に関する。
動をする場合の非線型素子の憾性向上に関する。
従来の非線型素子を用いた液晶嵌示装置の例としては、
トランジスタを用−いたもの、パリヌタによる物、金属
酸化膜を金属間に挾持した物などがあるが、ここでＦｉ
、カナダのベルノーザン研究所等で行なわれている。金
属酸化膜を金属間に挟持するタイプの非線ｍ３１を子を
例にとって説明する。
トランジスタを用−いたもの、パリヌタによる物、金属
酸化膜を金属間に挾持した物などがあるが、ここでＦｉ
、カナダのベルノーザン研究所等で行なわれている。金
属酸化膜を金属間に挟持するタイプの非線ｍ３１を子を
例にとって説明する。
このタイプの非線型素子の原理構造を示し、たのが第１
図である。まず下側の金属層１２を蒸飯１１上に付け、
フォトエツチングによりパターニングを行なう、その後
陽極酸化をして金属７１１２の９面を酸化し酸化膜１５
を形成する。その後さらに上−金属１４を付けてｂ ｉ
ｂ＋素電極１５に接綬する。下側金属には、安定な陽極
酸住換を形成する事が可能がタンタルがよく用いられる
。上側金属としては、タンタル又は、ニクロム金等が用
いちれる。ｓ２図は、従来の非線型素子（以降ＭＩＭＩ
Ｉ子略メタルーイン７ユレーターメタル素子と呼ぶ）が
構成された検品パネルの画素のパターンの一例である。
図である。まず下側の金属層１２を蒸飯１１上に付け、
フォトエツチングによりパターニングを行なう、その後
陽極酸化をして金属７１１２の９面を酸化し酸化膜１５
を形成する。その後さらに上−金属１４を付けてｂ ｉ
ｂ＋素電極１５に接綬する。下側金属には、安定な陽極
酸住換を形成する事が可能がタンタルがよく用いられる
。上側金属としては、タンタル又は、ニクロム金等が用
いちれる。ｓ２図は、従来の非線型素子（以降ＭＩＭＩ
Ｉ子略メタルーイン７ユレーターメタル素子と呼ぶ）が
構成された検品パネルの画素のパターンの一例である。
ガラス基８ｉ２１上に下１１１１金属層２２を形成し、
陽極酸化の後上―金域Ｍ＊２ｎを肘成し、その後ｉｈ＋
素電極２５を形成する。この様ｔｒＳｌ＆造を有するＭ
ＩＭ素子Ｆｉ、、ブーに７Ｌｚ７）１７の式により表わ
される電波−電圧咎性を持つ。
陽極酸化の後上―金域Ｍ＊２ｎを肘成し、その後ｉｈ＋
素電極２５を形成する。この様ｔｒＳｌ＆造を有するＭ
ＩＭ素子Ｆｉ、、ブーに７Ｌｚ７）１７の式により表わ
される電波−電圧咎性を持つ。
ゴール７レンケン式
■りｋＶｅｘｐ （βＪｆ）
ｋ−＝ （ｅμｎｏ Ｂａａ ） ・ｅｘｐ （−１ｐ
ｆ／ｋＴ １β−（１／ｋＴ） ｅ”／ｗｔＬｔ；ａ
ｅ：電子の電荷量 μ：：動度 ｎＯ：キャリア密度 ８：索子面積 α：酸酸膜膜 厚ｐｆ：）ラップの深さ に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温１ ε１ ：酸仕膜の誘電率 ｔＯ：真空の誘電率 この式の中に現われるβ値及びに値は、液晶パネルを駆
＋ｆＬｉ＋する時に非常に重ＩＨＩ′Ｉｋパラメータと
なるわけである。第５図は１ｗ圧圧平化化法Ｖ−ＳＶで
駆動した時、ＯＮ信号波形を印加した場合のｋ （＋＃
と実効電圧の関係をグラフにした本のである。
ｆ／ｋＴ １β−（１／ｋＴ） ｅ”／ｗｔＬｔ；ａ
ｅ：電子の電荷量 μ：：動度 ｎＯ：キャリア密度 ８：索子面積 α：酸酸膜膜 厚ｐｆ：）ラップの深さ に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温１ ε１ ：酸仕膜の誘電率 ｔＯ：真空の誘電率 この式の中に現われるβ値及びに値は、液晶パネルを駆
＋ｆＬｉ＋する時に非常に重ＩＨＩ′Ｉｋパラメータと
なるわけである。第５図は１ｗ圧圧平化化法Ｖ−ＳＶで
駆動した時、ＯＮ信号波形を印加した場合のｋ （＋＃
と実効電圧の関係をグラフにした本のである。
パラメータをβとして描いである。液晶の飽和電圧５１
け、約２ｖでβが太きく寿いと液晶を充分に駆動する事
が出来かい事がわかる。タンタル−五９４５タンクルー
タンタルでＭ工Ｍ素子をＶ成した場合β値は、３程隨で
非常に小ζく液晶を充分に駆動する事は出来かい、 本発明は、氏上の様な欠点を暖り除いたもので液晶パネ
ルの各−１素にｆ［ｉＶする非＠型寞子をタンタル−五
酸什タンタルー二酸イヒマンガンー五酔什タンタル−タ
ンタルを順に積層してｌ１ｌＩ成し該非線化素子のβ値
を上げる事にその目的がある。
け、約２ｖでβが太きく寿いと液晶を充分に駆動する事
が出来かい事がわかる。タンタル−五９４５タンクルー
タンタルでＭ工Ｍ素子をＶ成した場合β値は、３程隨で
非常に小ζく液晶を充分に駆動する事は出来かい、 本発明は、氏上の様な欠点を暖り除いたもので液晶パネ
ルの各−１素にｆ［ｉＶする非＠型寞子をタンタル−五
酸什タンタルー二酸イヒマンガンー五酔什タンタル−タ
ンタルを順に積層してｌ１ｌＩ成し該非線化素子のβ値
を上げる事にその目的がある。
植４図は、この様々４１１成を有する木登１ｕｌｌによ
る非線型素子のＪｊＡ理構造を示した図である。ガラス
基鈑４１上に、タンタル層４２を形成しフォトリソグラ
フィーによるパターニングを折々う。その後陽棲酸什し
て五酸什タンタルＦ＠４５を形成する。
る非線型素子のＪｊＡ理構造を示した図である。ガラス
基鈑４１上に、タンタル層４２を形成しフォトリソグラ
フィーによるパターニングを折々う。その後陽棲酸什し
て五酸什タンタルＦ＠４５を形成する。
その後二酸化マンガンの層４４を形成しｈ酸化タンタル
の薄１ｉ４ｓを形成し、タンタル金属層４６をパターニ
ングしてネサ電極層４７に連結している。この様に二酸
化マンガンの層を加える事により非線型素子のβ値は、
非常に大きな値をとり９胸上と々るや第５図において示
した様に、βの値が大舞い程、液晶にかかる実効電圧は
、大きくなね、デユーティ一本充分にとる事が出来る。
の薄１ｉ４ｓを形成し、タンタル金属層４６をパターニ
ングしてネサ電極層４７に連結している。この様に二酸
化マンガンの層を加える事により非線型素子のβ値は、
非常に大きな値をとり９胸上と々るや第５図において示
した様に、βの値が大舞い程、液晶にかかる実効電圧は
、大きくなね、デユーティ一本充分にとる事が出来る。
第５図は１本発明による非線型素子のパターンを示した
ものである。配線を金属タンタル５１で彫成し隣接酸化
する。その上に二酸化マンガン層５５を形成し、全面に
五酸化タンタル層をスパッタにより形成した後、金属タ
ンタル層５５．ネサ電極５６を形成する。二酸化マンガ
ン層５５は。
ものである。配線を金属タンタル５１で彫成し隣接酸化
する。その上に二酸化マンガン層５５を形成し、全面に
五酸化タンタル層をスパッタにより形成した後、金属タ
ンタル層５５．ネサ電極５６を形成する。二酸化マンガ
ン層５５は。
硝酸マンガン中に二酸化マンガンを浸漬したものを印刷
によりパターンを形成しそれを熱分解して作る。この様
にして作られた非線型素子は、β値が９以上と大きく、
液晶の実際の駆動に対して非常にデユーティの高い駆動
を可能とする。
によりパターンを形成しそれを熱分解して作る。この様
にして作られた非線型素子は、β値が９以上と大きく、
液晶の実際の駆動に対して非常にデユーティの高い駆動
を可能とする。
第１図は、従来の金属酸化膜を金属間に挾持したタイプ
の非線型素子の原理、構造図である。 第２１ｚｌＩ′ｉ、従来の非線型素子が構成された。液
晶パネルのパターンの一例である。 第５図は、電圧平均ｆＥ法のＶ−５Ｖで駆動した時、Ｏ
Ｎ信号波形を印加した場合のに値と婆効電田との関係を
グラフにしたものである。）（ラメータβ値は、５かＩ
］で振っである。 第４図は１本発明による非＠型素子のｉ理、構造を示し
た図である。 第５図は、本発明による非線型素子のパターンを示した
ものである。以下図の内容について一明する。 １１・・・ガラス基板 １２・・・金属層 １５・・・金属酸化膜 １４・・・金篇層 １５・・・画素電極 ２１・・・ガラス基板 ２２・・・金Ｊｌｌ１層 ２５・・・金輌酸化膜 ２４・・・金属層 ２５・・・ネサ電極（ＩｉＩＩｌ素電極）５１・・・治
晶の飽和電圧 ４１・・・ガラヌ基榎 ４２・・・金属層 ４５・・・金属酸化膜 ４４・・・二酸化マンガン層 ４５・・・金層酸化膜 ４６・・・上―金属層 ４７・・・ネサ電極 ５１・・・金属層 ５２・・・金属酸化膜 ５５・・・二酸化マンガン層 ５４・・・上伸金属層 ５５・・・土憫金属酸什膜 ５６・・・ネサ電極 以上 出願人 株式会社 撤訪精工舎 代理人 弁霧士 最上 務 ／λ 第１図 １ 第２図 第４図 第５図
の非線型素子の原理、構造図である。 第２１ｚｌＩ′ｉ、従来の非線型素子が構成された。液
晶パネルのパターンの一例である。 第５図は、電圧平均ｆＥ法のＶ−５Ｖで駆動した時、Ｏ
Ｎ信号波形を印加した場合のに値と婆効電田との関係を
グラフにしたものである。）（ラメータβ値は、５かＩ
］で振っである。 第４図は１本発明による非＠型素子のｉ理、構造を示し
た図である。 第５図は、本発明による非線型素子のパターンを示した
ものである。以下図の内容について一明する。 １１・・・ガラス基板 １２・・・金属層 １５・・・金属酸化膜 １４・・・金篇層 １５・・・画素電極 ２１・・・ガラス基板 ２２・・・金Ｊｌｌ１層 ２５・・・金輌酸化膜 ２４・・・金属層 ２５・・・ネサ電極（ＩｉＩＩｌ素電極）５１・・・治
晶の飽和電圧 ４１・・・ガラヌ基榎 ４２・・・金属層 ４５・・・金属酸化膜 ４４・・・二酸化マンガン層 ４５・・・金層酸化膜 ４６・・・上―金属層 ４７・・・ネサ電極 ５１・・・金属層 ５２・・・金属酸化膜 ５５・・・二酸化マンガン層 ５４・・・上伸金属層 ５５・・・土憫金属酸什膜 ５６・・・ネサ電極 以上 出願人 株式会社 撤訪精工舎 代理人 弁霧士 最上 務 ／λ 第１図 １ 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）多行多桁夛示用液晶パネルの片伸基砂の電極が、
各画素毎に分割されておシ、該ｉｉｌ素は、少なくとも
１個の非＠型章子を有し、該非Ｓ型素子は、タンタル、
五酸化タンタル、二酸化マンガン。 五酸化タンタル、タンタルを順に積層して構成される事
を％徴とする液晶夛示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131028A JPS5833221A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131028A JPS5833221A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833221A true JPS5833221A (ja) | 1983-02-26 |
| JPH0258606B2 JPH0258606B2 (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=15048319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131028A Granted JPS5833221A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160286A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-07-04 | アールシーエー コーポレーシヨン | Ｍｉｍダイオード |
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP56131028A patent/JPS5833221A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160286A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-07-04 | アールシーエー コーポレーシヨン | Ｍｉｍダイオード |
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0258606B2 (ja) | 1990-12-10 |
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