JPS583300Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS583300Y2 JPS583300Y2 JP1976013874U JP1387476U JPS583300Y2 JP S583300 Y2 JPS583300 Y2 JP S583300Y2 JP 1976013874 U JP1976013874 U JP 1976013874U JP 1387476 U JP1387476 U JP 1387476U JP S583300 Y2 JPS583300 Y2 JP S583300Y2
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- Japan
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- electrode terminal
- semiconductor element
- shaped
- substrate
- protective coating
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、チップ状の半導体素子の電極端子に関するも
のであり、素子と端子との間隙部の素子表面保護コート
材の塗布作業を容易にし、間隙部にも均一な絶縁保護膜
を形成し得る電極端子構造を提供する。
のであり、素子と端子との間隙部の素子表面保護コート
材の塗布作業を容易にし、間隙部にも均一な絶縁保護膜
を形成し得る電極端子構造を提供する。
従来、この種の端子構造として、たとえば第1図に示す
ようなものがある。
ようなものがある。
絶縁板表面に形成された導電路パターンを有するサブス
トレート2の所定位置に載置されたチップ状半導体素子
1と、他の導電路パターンに接続するための帯状の電極
端子3がある。
トレート2の所定位置に載置されたチップ状半導体素子
1と、他の導電路パターンに接続するための帯状の電極
端子3がある。
このような装置は通常、半導体素子表面に保護コート材
が施される。
が施される。
しかし第1図に示す素子1の側面および上面周辺部に保
護コート材を塗布する場合、電極端子の折り曲げ部の内
側に位置する部分は狭いため、塗布作業が難しく部分的
に塗布されない場合がある。
護コート材を塗布する場合、電極端子の折り曲げ部の内
側に位置する部分は狭いため、塗布作業が難しく部分的
に塗布されない場合がある。
このことは電極端子の幅が太きいと一層助長され、その
結果、電気的不良品が発生したりし、信頼性の低下を招
く。
結果、電気的不良品が発生したりし、信頼性の低下を招
く。
尚、第1図に示す装置は上記の保護コート材を塗布後、
全体を内部が空洞であるケース(図示せず)に封入した
り、または電極端子の折り曲げ部のスプリング効果を損
なわないように間隙を設けて樹脂封止し、完成品として
いる。
全体を内部が空洞であるケース(図示せず)に封入した
り、または電極端子の折り曲げ部のスプリング効果を損
なわないように間隙を設けて樹脂封止し、完成品として
いる。
本考案は上述の表面保護コート材を容易に塗布できるよ
うにし、信頼性の高い装置が得られる電極端子の構造を
提供するものである。
うにし、信頼性の高い装置が得られる電極端子の構造を
提供するものである。
以下に本考案を第2図に示す実施例により説明する。
同図において、サブストレート11の表面には所定の導
電路パターンが形成されている。
電路パターンが形成されている。
この導電路パターン上にチップ状半導体素子10を載置
し、半導体素子10上面と他の導電路パターン間を、穴
13若しくはスリット14を設けた構造の電極端子12
で接続する。
し、半導体素子10上面と他の導電路パターン間を、穴
13若しくはスリット14を設けた構造の電極端子12
で接続する。
電極端子12の折り曲げ部12bに穴13若しくはスリ
ット14が設けであるので次のような効果が得られる。
ット14が設けであるので次のような効果が得られる。
電極端子の折り曲げ部12b部の内側に位置する半導体
素子10の側面および上面周辺部にも、表面保護コート
材を塗布する際に使用する針状の注入器が、この部分か
ら挿入でき、完全に塗布することができる。
素子10の側面および上面周辺部にも、表面保護コート
材を塗布する際に使用する針状の注入器が、この部分か
ら挿入でき、完全に塗布することができる。
さらに、塗布が完全にされたさどうかも目視確認するこ
とができる。
とができる。
このように電極端子の折り曲げ部内側に位置する半導体
素子10の表面にも均一な保護コートが施されるので信
頼性の高い半導体装置が得られる。
素子10の表面にも均一な保護コートが施されるので信
頼性の高い半導体装置が得られる。
さらに、穴若しくはスリットの数、および大きさを適当
に形成することによって、折り曲げ部12bのスプリン
グ効果を助長する効果が得られ、外部からの機械的スト
レスを吸収する効果が犬となる。
に形成することによって、折り曲げ部12bのスプリン
グ効果を助長する効果が得られ、外部からの機械的スト
レスを吸収する効果が犬となる。
第1図は従来の電極端子構造の一例を示す外観斜視図、
第2図A、Bは本考案の電極端子構造の実施例を示す外
観斜視図である。 10・・・・・・チップ状半導体素子、11・・・・・
・サブストレート、12・・・・・・帯状電極端子、1
2b・・・・・・折り曲げ部、13・・・・・・穴、1
4・・・・・・スリット。
第2図A、Bは本考案の電極端子構造の実施例を示す外
観斜視図である。 10・・・・・・チップ状半導体素子、11・・・・・
・サブストレート、12・・・・・・帯状電極端子、1
2b・・・・・・折り曲げ部、13・・・・・・穴、1
4・・・・・・スリット。
Claims (1)
- サブストレート上に配置したチップ状半導体素子の電極
と、前記サブストレートに配置されたパターン電極間を
、折り曲げ部を有する帯状電極端子によって接続し、少
なくとも前記帯状電極端子の折り曲げ部内側に保護コー
ト剤が介在する半導体装置において、前記帯状電極端子
の折り曲げ部に少なくとも1個の穴もしくは、スリット
を有することる特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1976013874U JPS583300Y2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1976013874U JPS583300Y2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS52106068U JPS52106068U (ja) | 1977-08-12 |
JPS583300Y2 true JPS583300Y2 (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=28474144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1976013874U Expired JPS583300Y2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS583300Y2 (ja) |
-
1976
- 1976-02-10 JP JP1976013874U patent/JPS583300Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS52106068U (ja) | 1977-08-12 |
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