JPS583249A - 多層構造体 - Google Patents
多層構造体Info
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- JPS583249A JPS583249A JP56100511A JP10051181A JPS583249A JP S583249 A JPS583249 A JP S583249A JP 56100511 A JP56100511 A JP 56100511A JP 10051181 A JP10051181 A JP 10051181A JP S583249 A JPS583249 A JP S583249A
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- layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02137—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
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- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層構造体及びその製造方法に関し、更に詳し
く述べるならば半導体装置（パイＩ−ラ、モス、など）
、ジ、ゼ７ソン素子、パｔルメモリ、ＩＪＤなどに有用
な多層構造体及びその製造方法に関する。
く述べるならば半導体装置（パイＩ−ラ、モス、など）
、ジ、ゼ７ソン素子、パｔルメモリ、ＩＪＤなどに有用
な多層構造体及びその製造方法に関する。
多層配線構造体の電気絶縁体層としては、従来、ＣＶＤ
中スハ、り等によ）形成される１！１０．、Ｐ２Ｏ。
中スハ、り等によ）形成される１！１０．、Ｐ２Ｏ。
Ａｊ、 Ｏ，などからなる無機絶縁膜が知られている。
このような絶縁体層は耐熱性及び耐水性に優れているけ
れども、金属配線層上においてこの絶縁体層表面が平坦
にならず、そのため微細加工が困難であるばかシでなく
、その上に形成される次の金属配線層において段切れを
生じ島い等の欠点を有する。
れども、金属配線層上においてこの絶縁体層表面が平坦
にならず、そのため微細加工が困難であるばかシでなく
、その上に形成される次の金属配線層において段切れを
生じ島い等の欠点を有する。
また、他の絶縁体層としてスピンコードによる有機絶縁
膜が知られている。これはＩリイミド、デリシルセスキ
オキナン、又はぼりシル竜スキオキサンとＩリジアルコ
キシシランとの混合物をスピンコードにより塗布し、こ
れを窒素中４５０Ｃ以下で硬化した亀のである。この絶
縁体層はその表面がなだらかで、平坦化畜れているとい
う長所を有するけれども、反面耐熱性が十分でないとい
う欠点を有する。
膜が知られている。これはＩリイミド、デリシルセスキ
オキナン、又はぼりシル竜スキオキサンとＩリジアルコ
キシシランとの混合物をスピンコードにより塗布し、こ
れを窒素中４５０Ｃ以下で硬化した亀のである。この絶
縁体層はその表面がなだらかで、平坦化畜れているとい
う長所を有するけれども、反面耐熱性が十分でないとい
う欠点を有する。
更に１スピ／：ｆｆ−トによる無機絶縁膜も知られてい
る。これはぼりジアルコキシシランをスピンコードによ
１塗布した後、これを熱処理して無機化することｋよシ
得られるものである。この絶縁体層は耐熱性に優れ、ま
たあゐ震度はその表面の平坦化も可能であるが、しかじ
膜厚を大きくすることが困難であ〕、そのためり２．り
が入り易く、信頼性に欠けることとなる。一 本発明の目的は表面平坦性に優れ、信頼性の高い電気絶
縁体層を有す為多層配線構造体を提供することにある。
る。これはぼりジアルコキシシランをスピンコードによ
１塗布した後、これを熱処理して無機化することｋよシ
得られるものである。この絶縁体層は耐熱性に優れ、ま
たあゐ震度はその表面の平坦化も可能であるが、しかじ
膜厚を大きくすることが困難であ〕、そのためり２．り
が入り易く、信頼性に欠けることとなる。一 本発明の目的は表面平坦性に優れ、信頼性の高い電気絶
縁体層を有す為多層配線構造体を提供することにある。
本発明によれば即ち基板上に第１の金属配線層、第１の
電気絶縁体層、第２の金属配線層及び第２の電気絶縁体
層を順次に形成してなる如き多層配線構造体が提供され
るので５１−）て、この構造体は前記第１及び／又は第
２の電気絶縁体層の全部又は一部を、下記式■及び璽で
示される毫ツマ−のそれぞれからの重合体の混合物又は
両受ツマ−からの共重合体を酸素を含む酸化性のガス中
４３Ｏ℃以上の温度で硬化させた絶縁材料で構成したこ
とを特徴とする。
電気絶縁体層、第２の金属配線層及び第２の電気絶縁体
層を順次に形成してなる如き多層配線構造体が提供され
るので５１−）て、この構造体は前記第１及び／又は第
２の電気絶縁体層の全部又は一部を、下記式■及び璽で
示される毫ツマ−のそれぞれからの重合体の混合物又は
両受ツマ−からの共重合体を酸素を含む酸化性のガス中
４３Ｏ℃以上の温度で硬化させた絶縁材料で構成したこ
とを特徴とする。
裏
ｘ−８４−Ｘ 厘
上式中、Ｒはメチル、エチル、ビニル又状フェニル基を
表わし、Ｘはそれぞれハロダン原子又はヒドロキシ、メ
トキシ−しくけエトキシ基を表わす。
表わし、Ｘはそれぞれハロダン原子又はヒドロキシ、メ
トキシ−しくけエトキシ基を表わす。
本発明に係る多層構造体における上記の絶縁材料は、前
記の式！及び■で示される毫ツマ−のそれぞれからの重
合体の混合物又は両モノ！−からの共重合体を塗布し、
これを酸素を含む酸化性のガス、例えば空気、中４８０
℃以上の温度で硬化させるととＫよ〉形成することがで
きる。
記の式！及び■で示される毫ツマ−のそれぞれからの重
合体の混合物又は両モノ！−からの共重合体を塗布し、
これを酸素を含む酸化性のガス、例えば空気、中４８０
℃以上の温度で硬化させるととＫよ〉形成することがで
きる。
上記の如き本発ｒ１４においては、前記重合体混合物が
更に下記弐璽で示される毫ツマ−からの重合体を含むか
又は前記共重合体が更に下記式璽で示される毫ツマ−か
らの単位を含むのが好ましい。
更に下記弐璽で示される毫ツマ−からの重合体を含むか
又は前記共重合体が更に下記式璽で示される毫ツマ−か
らの単位を含むのが好ましい。
これｋより得られる絶縁体層においてクラ、りがより発
生しにくくなるからである。この場合、この重合体又は
単位は８ｉ換算において前記混合物又は共重合体中に２
０毫ル９ｇまでの量で含まれるのが好ましい。
生しにくくなるからである。この場合、この重合体又は
単位は８ｉ換算において前記混合物又は共重合体中に２
０毫ル９ｇまでの量で含まれるのが好ましい。
上記式ＩにおいてＲはメチル基であるのがもっと４有利
であシ、本発明に係る重合体混合物、又は共重合体中に
は８がメチル基である単位が４０毫ル一以上含まれるこ
とが望ましい。
であシ、本発明に係る重合体混合物、又は共重合体中に
は８がメチル基である単位が４０毫ル一以上含まれるこ
とが望ましい。
以上の如き樹脂の系を有機溶剤に溶解し、これを例えば
回転塗布によ）基板上に均一に塗布膜を形成し、次やで
４５０℃以上の温度において空気中で熱処理をすること
によシ、麺機絶縁体層を得ることができるのである。そ
して、′ｅ、０無機膜層は、−リイ建ド中−リシルセス
キオキサンを塗布硬化し九ときと同様に配線パターン上
に平坦な表面を形成しているだけでなく、ＣｖＤ１ス／
譬、夕などＫよりて形成される８ＩＯ１やＰＥＧ Ｋ近
い耐熱性を有するので多層配線間の絶縁層として用いる
場合には理想的と屯言える本のである。
回転塗布によ）基板上に均一に塗布膜を形成し、次やで
４５０℃以上の温度において空気中で熱処理をすること
によシ、麺機絶縁体層を得ることができるのである。そ
して、′ｅ、０無機膜層は、−リイ建ド中−リシルセス
キオキサンを塗布硬化し九ときと同様に配線パターン上
に平坦な表面を形成しているだけでなく、ＣｖＤ１ス／
譬、夕などＫよりて形成される８ＩＯ１やＰＥＧ Ｋ近
い耐熱性を有するので多層配線間の絶縁層として用いる
場合には理想的と屯言える本のである。
以下、本発明を具体例によ〕更に詳しく説明する。
実験 １
メチル４リシルセスキオキサン（ラダー型、分子量１１
００００）の未硬化物および硬化物の熱分解挙動を測定
した。測定法は熱重量分析である。
００００）の未硬化物および硬化物の熱分解挙動を測定
した。測定法は熱重量分析である。
結果を表ＩＫ示す。
以下余白
表１（メチルぼりシルセスキオキすンの熱分解）表１か
ら、−リシルセスキオキナンの無機化は、予備硬化なし
に空気中でできるだけ高温で行なった方が良い仁とが分
る。
ら、−リシルセスキオキナンの無機化は、予備硬化なし
に空気中でできるだけ高温で行なった方が良い仁とが分
る。
実験 ２
メチルフェニルＩリシルセヌキオキナン（メチルとフェ
ニルの比は！、４ ）と４リジアルコキシシラン（アル
コキシはＯＨと０Ｃ２Ｈ１ｓでその比は約１７１）を重
量比１／１で混合しえものをメチルセロツルジアセテー
ト［１１１１４４重量％４−セントになるよう洛鱗し、
０．１μｍのフィルターでｒ過したあとＫ１１ｒ
゛ディスク上−８００Ｏｒｐｍ９０秒の条件で回転塗
布し、１２０℃、１０分間乾燥したあと空気中５００℃
２時間熱処理し木。その試片を一吟赤外吸収を測定した
とζろ、メチル基、７８ニル基など有機基の吸収社会て
消滅し、ＺＧｏ□−１２００５１−’にブロードな５ｔ
−ＯＨ合の吸収が見られた。
ニルの比は！、４ ）と４リジアルコキシシラン（アル
コキシはＯＨと０Ｃ２Ｈ１ｓでその比は約１７１）を重
量比１／１で混合しえものをメチルセロツルジアセテー
ト［１１１１４４重量％４−セントになるよう洛鱗し、
０．１μｍのフィルターでｒ過したあとＫ１１ｒ
゛ディスク上−８００Ｏｒｐｍ９０秒の条件で回転塗
布し、１２０℃、１０分間乾燥したあと空気中５００℃
２時間熱処理し木。その試片を一吟赤外吸収を測定した
とζろ、メチル基、７８ニル基など有機基の吸収社会て
消滅し、ＺＧｏ□−１２００５１−’にブロードな５ｔ
−ＯＨ合の吸収が見られた。
同様の操作をシリコ／ウェハに対し行なうて膜厚を測定
したとζろ１．２Ｊ１１１であり九クラ、夕、剥離など
は見られながう九。
したとζろ１．２Ｊ１１１であり九クラ、夕、剥離など
は見られながう九。
実験 ３
実験２に用いた樹脂液をシリコンクエバに塗布し、５０
０℃空気中２時間硬化したわともう一度同様に塗布硬化
したとζろ膜厚はＬ４５Ｊｍであ）、クツ、り、剥離は
なかった。さらＫもう−ｍｍ布硬化したところ膜厚は３
゜６μｍとなう九が、ウェハ上に付着していたゴミの部
分からクラックが発生していた。しかし、ゴミのない部
分にはクラ、りは発生しておらず、異常がなかつ九。
０℃空気中２時間硬化したわともう一度同様に塗布硬化
したとζろ膜厚はＬ４５Ｊｍであ）、クツ、り、剥離は
なかった。さらＫもう−ｍｍ布硬化したところ膜厚は３
゜６μｍとなう九が、ウェハ上に付着していたゴミの部
分からクラックが発生していた。しかし、ゴミのない部
分にはクラ、りは発生しておらず、異常がなかつ九。
実験 ４
実験２に用いた樹脂液をシリコンウェハに塗布し、窒素
中で３５０℃１時間硬化すると膜厚は１．５ａｍであっ
た。この試片をさらに５００℃空気中２時間熱処理する
と膜厚は１．３μｍとなりており、ｔミの部分からクラ
、りが発生していた。
中で３５０℃１時間硬化すると膜厚は１．５ａｍであっ
た。この試片をさらに５００℃空気中２時間熱処理する
と膜厚は１．３μｍとなりており、ｔミの部分からクラ
、りが発生していた。
同様の条件で但しＫＢｒディスク上に膜を形成し、赤外
吸収を測定したところメチル基の吸収が少し残っていた
。
吸収を測定したところメチル基の吸収が少し残っていた
。
実施例 １
シリコンウェハ上に熱酸化５ｔＯ２膜を厚さ５０００Ａ
形成し、最小ラインアンドスイース４μｍ厚さ０．９ｆ
ｉｍのアルミニウム配線が形成されているバイポーラ素
子用基板上に実験２で用いた樹脂液組成で、但し、溶剤
としてプチルセロソルノアセテートとメチルセロソルゾ
アセテートの混合系を用い樹脂饅度３９重量パーセント
の樹脂液を７００Ｏｒｐｍ９０秒の条件で回転塗布した
。１００℃１０分の乾燥のあと、空気中５００℃３時間
熱処理しくこの段階のものをステ、ｆｌとする）、もう
一度量様に塗布硬化した（この段階のものをステップ■
とする）。ポジレジストを用い、ｃｙ４− ｏ２（ｓ％
）の反応ガスを用いてドライエツチングによりスルーホ
ールをあけ、／ジレジストは０２プラズマアッシャ−に
よシ除去した。さらＶＣ２層目のアルミニウム配線層（
厚さ１．０μｍ）を設け、さらＫ ＰｓＧを１μｍ形成
し、電極用の窓を通常の方法により設けた。
形成し、最小ラインアンドスイース４μｍ厚さ０．９ｆ
ｉｍのアルミニウム配線が形成されているバイポーラ素
子用基板上に実験２で用いた樹脂液組成で、但し、溶剤
としてプチルセロソルノアセテートとメチルセロソルゾ
アセテートの混合系を用い樹脂饅度３９重量パーセント
の樹脂液を７００Ｏｒｐｍ９０秒の条件で回転塗布した
。１００℃１０分の乾燥のあと、空気中５００℃３時間
熱処理しくこの段階のものをステ、ｆｌとする）、もう
一度量様に塗布硬化した（この段階のものをステップ■
とする）。ポジレジストを用い、ｃｙ４− ｏ２（ｓ％
）の反応ガスを用いてドライエツチングによりスルーホ
ールをあけ、／ジレジストは０２プラズマアッシャ−に
よシ除去した。さらＶＣ２層目のアルミニウム配線層（
厚さ１．０μｍ）を設け、さらＫ ＰｓＧを１μｍ形成
し、電極用の窓を通常の方法により設けた。
このようにして作られた素子を水蒸気圧２気圧、１２０
℃のオートクレーｆＫ４８時間放置したが、アルミニウ
ムの腐食は見られなかっ九。又−５０℃と＋１００℃に
おいて熱衝撃試験を１０回行なったが異常がなかった。
℃のオートクレーｆＫ４８時間放置したが、アルミニウ
ムの腐食は見られなかっ九。又−５０℃と＋１００℃に
おいて熱衝撃試験を１０回行なったが異常がなかった。
さらに、液体窒素に浸漬したが異常はなかった。
ステ、グ■の段階で表面アラナ計で表面の凹凸を測定し
たところ、最大０．２μｍの段差しか観測されなかった
。又試片を割り、８ＥＭで観察したところムｊ上の厚さ
は丁度１μｍであった。
たところ、最大０．２μｍの段差しか観測されなかった
。又試片を割り、８ＥＭで観察したところムｊ上の厚さ
は丁度１μｍであった。
実施例 ２
実施例１のステ、デＩのあと２層塗シの代りにＰ２Ｏを
０．８μｍ形成し、以下実施例１と同様Ｋ ７’ ａセ
スを実行した。結果は実施例１とほぼ同様でありた。但
しステラｆｌの段階での表面の段差は最大０．３８趣で
ありた。
０．８μｍ形成し、以下実施例１と同様Ｋ ７’ ａセ
スを実行した。結果は実施例１とほぼ同様でありた。但
しステラｆｌの段階での表面の段差は最大０．３８趣で
ありた。
絶縁層上のＡｊ膜の密着性をクロスカッ） （１００個
の１鴫平方ます目）、煮沸、水中超音波照射（各６０分
）を順次に行いつつ、都度セロバンチ−！ビーリングに
より調べた。結果を残った膜の数で下記の表２に示す。
の１鴫平方ます目）、煮沸、水中超音波照射（各６０分
）を順次に行いつつ、都度セロバンチ−！ビーリングに
より調べた。結果を残った膜の数で下記の表２に示す。
以下余白
本発明の結果上層金属との密着性も改善されていること
が分る１ 実施例 ３ ジメチルジメトキシシランをメチルエチルケトンに溶解
し、水を加え還流温度で重合させて得られたシラノール
末端Ｉリゾメチルシロキサン（平均重合度１６）を、実
施例１で用いた樹脂液に樹脂分の１５重量パーセント加
え、この樹脂液を用いて実施例１と同様の手事でパイＩ
−ラ素子上の二層配線を行なりた。得られた素子を実施
例１と同様の信頼性試験を行なったが異常社なかった。
が分る１ 実施例 ３ ジメチルジメトキシシランをメチルエチルケトンに溶解
し、水を加え還流温度で重合させて得られたシラノール
末端Ｉリゾメチルシロキサン（平均重合度１６）を、実
施例１で用いた樹脂液に樹脂分の１５重量パーセント加
え、この樹脂液を用いて実施例１と同様の手事でパイＩ
−ラ素子上の二層配線を行なりた。得られた素子を実施
例１と同様の信頼性試験を行なったが異常社なかった。
実施例 ４
メチルトリメトキシシランとテトラエトキシシランをモ
ル比で７／３の割合で混合しエチルアルコール中で水と
反応させて得られた共重合体ＫＸ寮旅例３で得られたシ
ラノール末端ｆリゾメチルシロキサンを樹脂分中１０重
量／や−セント加え、さらに兵員合名せた。得られた樹
脂液にメチルセロソルブアセテートとブチルセロソルブ
アセテートを加え２０℃２ ｗｍ Ｈｇの条件で分留し
、アルコールを除いて塗布液とした。これを用いて実権
例１と同様に但し熱処理は５００℃空気中１時間の条件
で行なってバイポーラ素子を作っ九が、仁のものは実施
例１と同様の信頼性試験を行なっても異常はなかった６
゜ 比較例 実施例３と同様Ｋ、但しシラノール末端／ リジメチル
シロキサンの添加量を２５重量Ａ−セントとして得られ
た樹脂液は、同一条件で塗布、熱処理すると、１５重景
パーセント加えた場合に比べ膜厚が８割に減少していた
。添加量を種々変えて行なったところ２０重量ノノー−
ントまでは膜厚は±１０−の範囲に入っていたが、２３
重量−以上加えると膜厚の減少が多く、それを補なうた
め樹脂濃度を上げると保存安定性が少し悪くなりた。
ル比で７／３の割合で混合しエチルアルコール中で水と
反応させて得られた共重合体ＫＸ寮旅例３で得られたシ
ラノール末端ｆリゾメチルシロキサンを樹脂分中１０重
量／や−セント加え、さらに兵員合名せた。得られた樹
脂液にメチルセロソルブアセテートとブチルセロソルブ
アセテートを加え２０℃２ ｗｍ Ｈｇの条件で分留し
、アルコールを除いて塗布液とした。これを用いて実権
例１と同様に但し熱処理は５００℃空気中１時間の条件
で行なってバイポーラ素子を作っ九が、仁のものは実施
例１と同様の信頼性試験を行なっても異常はなかった６
゜ 比較例 実施例３と同様Ｋ、但しシラノール末端／ リジメチル
シロキサンの添加量を２５重量Ａ−セントとして得られ
た樹脂液は、同一条件で塗布、熱処理すると、１５重景
パーセント加えた場合に比べ膜厚が８割に減少していた
。添加量を種々変えて行なったところ２０重量ノノー−
ントまでは膜厚は±１０−の範囲に入っていたが、２３
重量−以上加えると膜厚の減少が多く、それを補なうた
め樹脂濃度を上げると保存安定性が少し悪くなりた。
なお上記実施例では、重合体を空気中で熱処理し、硬化
させる例を上げたが、空気のみでなく、酸素とＨ・、Ｎ
・＋ Ａｒ ＊ Ｋｒ ＊ Ｘ・等の不活性ガスとの混
合ガス、或いは酸素と窒素との混合ガス等、重合体の有
機基が酸化分解され、酸化クリコン系無機絶縁体層を形
成できる酸素を含む酸化性ガス雰囲気中で熱処理するこ
とができる。
させる例を上げたが、空気のみでなく、酸素とＨ・、Ｎ
・＋ Ａｒ ＊ Ｋｒ ＊ Ｘ・等の不活性ガスとの混
合ガス、或いは酸素と窒素との混合ガス等、重合体の有
機基が酸化分解され、酸化クリコン系無機絶縁体層を形
成できる酸素を含む酸化性ガス雰囲気中で熱処理するこ
とができる。
善許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士西舘和之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に第１０金属配線層、第１の電気絶縁体層、
第２の金属配線層及び第２の電気絶縁体層を順次に形成
してなる如き多層配線構造体において、前記第１及び／
又は第２の電気絶縁体層の全部又紘一部を、下記式■及
び冒で示されるモノマーのそれぞれからの重合体の混合
物又は両モノマーからの共重合体を酸素を含む酸化性の
ガス雰囲気中４５０℃以上の温度で硬化基せた絶縁材料
で構成し九ことを轡黴とする多層構造体。 ！−１１（−Ｘｌ 上式中、Ｒはメチル、エチル、ビニル又はフェニル基を
表わし、Ｘはそれぞれハａｌ”ｙ原子又社ヒｌＰａキシ
、メトキシもしくはエトキシ基を表わす。 １ 前記重合体混合物が更に下記成層で示されるモノマ
ーからの重合体を含むか又は前記共重合体が更に下記式
画で示されるモノマーからの単位を含むものである特許
請求の範囲第１項記載の多層構造体。 ！−８４−Ｘ厘 上式中、Ｒ及びＸはそれぞれ前記規定に同一の４のを表
わす。 ３、基板上に第１の金属配線層、菖１の電気絶縁体層、
第２の金属配線層及び第２の電気絶縁体層を順次に形成
して多層配線構造体を製造する如き多層構造体の製造方
法において、前記第１及び／又は第２の電気絶縁体層の
全部又は一部を、下記式Ｉ及び璽で示されるモノマーの
それヤれからの重合体の混合物又は両モノ！−からの共
重合体を塗布し、これを酸素を含む酸化性のガス算囲気
′中４５０℃以上の温度で硬化させるととくよシ形成す
ることを特徴とする方法。 響 Ｘ−８イーＸ Ｉ 上式中、Ｒはメチル、エチル、ビニル又はフェニル基を
表わし、Ｘはそれぞれハロダン原子又はヒドロキシ、メ
トキシもしくはエトキシ基を表わす。 ４、前記重合体混合物が更に下記式璽で示されるモノ！
−からの重合体を含むか又は前記共重合体が更に下記式
璽で足場れるモノ！−からの単位を含むものである特許
請求の範囲第３項記載の方法。 ！−８１−Ｘ′璽 上式中、Ｒ及びＸはそれぞれ前記規定に同一のも
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56100511A JPS583249A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 多層構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56100511A JPS583249A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 多層構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583249A true JPS583249A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS632146B2 JPS632146B2 (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=14275968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56100511A Granted JPS583249A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 多層構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232468A (ja) * | 1988-03-12 | 1989-09-18 | Fujitsu Ltd | 取引明細データ送信方式 |
| US5591676A (en) * | 1991-10-21 | 1997-01-07 | Motorola, Inc. | Method of making a semiconductor device having a low permittivity dielectric |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56100511A patent/JPS583249A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232468A (ja) * | 1988-03-12 | 1989-09-18 | Fujitsu Ltd | 取引明細データ送信方式 |
| US5591676A (en) * | 1991-10-21 | 1997-01-07 | Motorola, Inc. | Method of making a semiconductor device having a low permittivity dielectric |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS632146B2 (ja) | 1988-01-18 |
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