JPS5832472A - 砒化ガリウム電界効果トランジスタ - Google Patents
砒化ガリウム電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5832472A JPS5832472A JP56130551A JP13055181A JPS5832472A JP S5832472 A JPS5832472 A JP S5832472A JP 56130551 A JP56130551 A JP 56130551A JP 13055181 A JP13055181 A JP 13055181A JP S5832472 A JPS5832472 A JP S5832472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- source electrode
- gallium arsenide
- conductive layer
- metallic film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体材料として砒化ガリク＾を用いた電界
効果トランジスタに関するものである。
効果トランジスタに関するものである。
２ＧＨｚｌｌｔでの高出力増幅素子としては、バイポー
ラトランジスタがその主力でＴｏ−５たが、通信システ
ムＯ高周波化が進むにつれて、バイポーラトランジスタ
に代わる三端子増幅素子として、砒化ガリウム電界効果
トランジスタの開発が行なわれ、実用化されてきた。し
かし、通信システムの高周波化がさらに進み１周波数が
８０Ｈｚｔ−越すようになると、トランジスタチップの
動作領域の構造とともに、各電極とパッケージとを結ぶ
ワイヤの寄生容量、寄生インダクタンス等が無視できな
いものとなった。
ラトランジスタがその主力でＴｏ−５たが、通信システ
ムＯ高周波化が進むにつれて、バイポーラトランジスタ
に代わる三端子増幅素子として、砒化ガリウム電界効果
トランジスタの開発が行なわれ、実用化されてきた。し
かし、通信システムの高周波化がさらに進み１周波数が
８０Ｈｚｔ−越すようになると、トランジスタチップの
動作領域の構造とともに、各電極とパッケージとを結ぶ
ワイヤの寄生容量、寄生インダクタンス等が無視できな
いものとなった。
これをさけるために第１図に示すように、ソース電極を
裏面から取る方法が提案されている。すなわち、半絶縁
層１の上に動作層となるＮＷ導電層２を形成し、動作層
２の狭面にドレイン電極３゜ソース電極４．ゲート５ｔ
−形成したトランジスタチップの側面に、側面メタライ
ズと称する金属膜８ｔ−被着し狭面のソース電極４と裏
面の金属膜７とを電気的に接続する。
裏面から取る方法が提案されている。すなわち、半絶縁
層１の上に動作層となるＮＷ導電層２を形成し、動作層
２の狭面にドレイン電極３゜ソース電極４．ゲート５ｔ
−形成したトランジスタチップの側面に、側面メタライ
ズと称する金属膜８ｔ−被着し狭面のソース電極４と裏
面の金属膜７とを電気的に接続する。
しかしながら、側面メタライス法では、トランジスタチ
ップを１個１個分割した後でなければ処理できず、ウェ
ハースの状態で処ｍｔ行うのに比べ、製造工程が複雑と
な９％又、外観不良を多発させる原因ともなった。又ス
クライブ面上にメタライズすることになるので、メタラ
イズされる面の状態が安定せず、側面メタライズの質が
不安定になる等の欠点がありた。
ップを１個１個分割した後でなければ処理できず、ウェ
ハースの状態で処ｍｔ行うのに比べ、製造工程が複雑と
な９％又、外観不良を多発させる原因ともなった。又ス
クライブ面上にメタライズすることになるので、メタラ
イズされる面の状態が安定せず、側面メタライズの質が
不安定になる等の欠点がありた。
本発明の目的は、上記のような側面メタライズの欠点な
しに、ソース電極を裏面の金属膜との間の電気的接続を
最短距離で容易に形成可能とした砒化ガリウム電界効果
トランジスタを提供するにある。
しに、ソース電極を裏面の金属膜との間の電気的接続を
最短距離で容易に形成可能とした砒化ガリウム電界効果
トランジスタを提供するにある。
本発明の砒化ガリウム電界効果トランジスタは高濃度の
ＮＷｉ導電層、中絶線層、Ｎ截導電層の３層構造Ｏ砒化
ガリウム手導体基板懺面にドレイン電極、ソース電極お
よびゲートが形成されておりセして前記基板表面のソー
ス電極と下層の高濃度Ｎ型導電層は前記半絶縁層に設け
た穴を通して接続されている構成を有する。
ＮＷｉ導電層、中絶線層、Ｎ截導電層の３層構造Ｏ砒化
ガリウム手導体基板懺面にドレイン電極、ソース電極お
よびゲートが形成されておりセして前記基板表面のソー
ス電極と下層の高濃度Ｎ型導電層は前記半絶縁層に設け
た穴を通して接続されている構成を有する。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図（ａ）ないしくＣ）は本−明の砒化ガリウム電界
効果トランジスタの製造工程を説明するための断面図で
ある。ｔず、第２図（ａ）Ｋ、、示すように、高濃［Ｎ
型導電層６．半絶縁層１．Ｎ型導電層２が形成された砒
化ガリウム基板を準備し、Ｎ型導電層２は動作領域とし
てメサ状に残す、つぎに＠２図（ｂ）に示すように、半
絶縁層ｍｅ）肩部に高濃度Ｎ型導電層６に達する穴９を
あける。つぎに第２図（Ｃ）に示すように、基板上にシ
■ットキ障（ゲート５゜ドレイ／電極３．ソース電極４
および裏面金属膜７を形成する。ソース電極４は動作領
域２の狭面から穴９の底部まで延長して設ける。したが
ってソース電極４は下層の高濃度Ｎ型導電層１通して下
面に設けた金属膜７に最短距離で接続されている。
効果トランジスタの製造工程を説明するための断面図で
ある。ｔず、第２図（ａ）Ｋ、、示すように、高濃［Ｎ
型導電層６．半絶縁層１．Ｎ型導電層２が形成された砒
化ガリウム基板を準備し、Ｎ型導電層２は動作領域とし
てメサ状に残す、つぎに＠２図（ｂ）に示すように、半
絶縁層ｍｅ）肩部に高濃度Ｎ型導電層６に達する穴９を
あける。つぎに第２図（Ｃ）に示すように、基板上にシ
■ットキ障（ゲート５゜ドレイ／電極３．ソース電極４
および裏面金属膜７を形成する。ソース電極４は動作領
域２の狭面から穴９の底部まで延長して設ける。したが
ってソース電極４は下層の高濃度Ｎ型導電層１通して下
面に設けた金属膜７に最短距離で接続されている。
因みに、本実施的においては、ゲート長０．５μｍ。
ゲート・幅７５０μｍ１ゲートリソース間の間隔０．８
μｍであｐｌこのようなチップをパッケージに入れて特
性を測定した結果、周波数１２ ＧＨｚ。
μｍであｐｌこのようなチップをパッケージに入れて特
性を測定した結果、周波数１２ ＧＨｚ。
ドレイ／電圧８■、ドレイン電流１２０ｍＡ、入力１４
ｄＢｍ ｌ利得８０ｄＢの喪好なトランジスタ特性が
得られた。
ｄＢｍ ｌ利得８０ｄＢの喪好なトランジスタ特性が
得られた。
以上述べたように、本発明によれば比較的簡易な方法に
より、ソース電極と裏面の金属膜と最短距離で電気的に
接続されているので、このようなトランジスタを高周波
領域で動作させるときのワイヤの寄生イ／ダクタンスの
問題が解消される。
より、ソース電極と裏面の金属膜と最短距離で電気的に
接続されているので、このようなトランジスタを高周波
領域で動作させるときのワイヤの寄生イ／ダクタンスの
問題が解消される。
かつ製造的にも、従来提案されて−る側面メタライズ方
式に比べ製造工程がきわめて簡易となり。
式に比べ製造工程がきわめて簡易となり。
ソースと裏面の金属膜との電気的接続も信１Ｉｌｉ度の
高いものとなりている。
高いものとなりている。
＠１図は従来の高周波用砒化ガリウム電界効果）う／ジ
スタの断面図、第２図（鳳）なめシ（Ｃ）は本発明の一
実施ガの製造工Ｓを説明するための工程順の断面図であ
る。 １・・・・・・半絶縁層、２・・・・・・Ｎ型導電層（
動作領域）、３・・・・・・ドレイ／電極、４・・・・
・・ソース電極、５・・・・・・ゲート、６・・・・・
・高濃［ＮＩｌ導電層、７・・・・・・裏面金属膜、８
・・・・・・側面金属膜、９・・・・・・半絶縁層の穴
。 竿１ 面 第２ 凹
スタの断面図、第２図（鳳）なめシ（Ｃ）は本発明の一
実施ガの製造工Ｓを説明するための工程順の断面図であ
る。 １・・・・・・半絶縁層、２・・・・・・Ｎ型導電層（
動作領域）、３・・・・・・ドレイ／電極、４・・・・
・・ソース電極、５・・・・・・ゲート、６・・・・・
・高濃［ＮＩｌ導電層、７・・・・・・裏面金属膜、８
・・・・・・側面金属膜、９・・・・・・半絶縁層の穴
。 竿１ 面 第２ 凹
Claims (1)
- 高濃度Ｎｌｌ導電層、半絶縁層、Ｎ１導電層の３層構造
の砒化ガリウム半導体基板表面上に、ドレイン電極、ソ
ース電極、ゲートが形成され、前記ソース電極が前記裏
面側の高濃度Ｎｉｌ導電層と電気的ｖｃｌＩ！続されて
−ることを特徴とする砒化ガリウ＾電界効果トランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130551A JPS5832472A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 砒化ガリウム電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130551A JPS5832472A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 砒化ガリウム電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832472A true JPS5832472A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15036973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56130551A Pending JPS5832472A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 砒化ガリウム電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818078A (en) * | 1994-08-29 | 1998-10-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a regrowth crystal region |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5442984A (en) * | 1977-07-27 | 1979-04-05 | Nec Corp | Field effect transistor for electric power |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP56130551A patent/JPS5832472A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5442984A (en) * | 1977-07-27 | 1979-04-05 | Nec Corp | Field effect transistor for electric power |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818078A (en) * | 1994-08-29 | 1998-10-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a regrowth crystal region |
| US6121153A (en) * | 1994-08-29 | 2000-09-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a regrowth crystal region |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3101457B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6118351B2 (ja) | ||
| US4298879A (en) | Field effect transistor | |
| US4996582A (en) | Field effect transistor for microstrip mounting and microstrip-mounted transistor assembly | |
| JP4809515B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS5914906B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS5832472A (ja) | 砒化ガリウム電界効果トランジスタ | |
| JPS5879773A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2554672B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| CN103311180B (zh) | 一种改善mmic功率放大器性能的芯片布局方法 | |
| JPS5892277A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP3365380B2 (ja) | 高周波半導体装置とその製造方法 | |
| US8350271B2 (en) | Transistor including shallow trench and electrically conductive substrate for improved RF grounding | |
| JPS62211962A (ja) | 高周波半導体装置の製造方法 | |
| JPS6159782A (ja) | 半導体装置 | |
| US11211480B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| JPS58178539A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63157467A (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ | |
| JPS6394678A (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ及びその製造方法 | |
| CN114496812A (zh) | 功率半导体器件及其制备方法和射频功率放大器 | |
| KR0138842B1 (ko) | 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 | |
| JPS62291975A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| CN116417509A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JPH07120906B2 (ja) | マイクロ波ミリ波高出力トランジスタ | |
| JPS62224085A (ja) | 電界効果型半導体装置 |