JPS5829941B2 - 光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの製法 - Google Patents
光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの製法Info
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- JPS5829941B2 JPS5829941B2 JP52005067A JP506777A JPS5829941B2 JP S5829941 B2 JPS5829941 B2 JP S5829941B2 JP 52005067 A JP52005067 A JP 52005067A JP 506777 A JP506777 A JP 506777A JP S5829941 B2 JPS5829941 B2 JP S5829941B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルク゛リシンの
製法に関し、更に詳しくは、工業的に最も有利な光学分
割法であると考えられる優先晶出法によって光学活性ｐ
−ヒドロキシフェニルグリシンを製造する方法に関する
。
製法に関し、更に詳しくは、工業的に最も有利な光学分
割法であると考えられる優先晶出法によって光学活性ｐ
−ヒドロキシフェニルグリシンを製造する方法に関する
。
光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン、特にその０
体は半合成ページリン誘導体および半合成セファロスポ
リン誘導体の製造原料として重要な物質である。
体は半合成ページリン誘導体および半合成セファロスポ
リン誘導体の製造原料として重要な物質である。
ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンはα−アミノ酸の一種
であるが、天然には存在せず合成法によってのみ得られ
る。
であるが、天然には存在せず合成法によってのみ得られ
る。
合成法によって得られるｐヒドロキシフェニルグリシン
は０体と１体を等置きむＤＬ体であり、光学活性体を得
るためには光学分割が是非必要である。
は０体と１体を等置きむＤＬ体であり、光学活性体を得
るためには光学分割が是非必要である。
ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの光学分割法に
関しては従来より種々の方法が報告されており、それを
大別すれば、（Ａ）生化学的方法、（Ｂ）化学的方法、
および（ｑ物理化学的方法に分けられる。
関しては従来より種々の方法が報告されており、それを
大別すれば、（Ａ）生化学的方法、（Ｂ）化学的方法、
および（ｑ物理化学的方法に分けられる。
（Ａ）の生化学的方法としては、フザリウム属菌を用い
る方法（特開昭５０−４０７８７号）が知られている。
る方法（特開昭５０−４０７８７号）が知られている。
しかしながら、この方法では両異性体のうち一方の異性
体しか取得できず、また微生物の培養に特殊な装置およ
び知識を必要とし、しか上分割後のＤ−ｐ−ヒドロキシ
フェニルグリシンの分離精製が困難であるという欠点を
有している。
体しか取得できず、また微生物の培養に特殊な装置およ
び知識を必要とし、しか上分割後のＤ−ｐ−ヒドロキシ
フェニルグリシンの分離精製が困難であるという欠点を
有している。
また（Ｂ）の化学的方法としては、ＤＬ−ｐ−ヒドロキ
シフェニルクリシンをＮ−ベンジルオキシカルボニル誘
導体、Ｎ−クロロアセチル誘導体、Ｎベンゾイル誘導体
に変換し、これら誘導体をキニン、デヒドロアビエチル
アミン、光学活性フェネチルアミンなどを用い、ジアス
テレオアイソマー法により分割する方法（Ｊ、Ｃｈｅｍ
、 ５ｏｃ（Ｃ１゜１９７１．１９２０〜１９２２：
特開昭４９５６９４６号、特開昭５０−６９０３９号）
が知られている。
シフェニルクリシンをＮ−ベンジルオキシカルボニル誘
導体、Ｎ−クロロアセチル誘導体、Ｎベンゾイル誘導体
に変換し、これら誘導体をキニン、デヒドロアビエチル
アミン、光学活性フェネチルアミンなどを用い、ジアス
テレオアイソマー法により分割する方法（Ｊ、Ｃｈｅｍ
、 ５ｏｃ（Ｃ１゜１９７１．１９２０〜１９２２：
特開昭４９５６９４６号、特開昭５０−６９０３９号）
が知られている。
しかしながら、これら公知方法はいずれもＤＬ−ｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシンを一旦アシル誘導体に変換し
なげればならず、分割剤も高価であり、また光学分割後
脱アシル化の工程を必要としその際ラセミ化を伴う危険
性があり工業的に有利な方法とは云い難い。
ドロキシフェニルグリシンを一旦アシル誘導体に変換し
なげればならず、分割剤も高価であり、また光学分割後
脱アシル化の工程を必要としその際ラセミ化を伴う危険
性があり工業的に有利な方法とは云い難い。
一方、（ｑの物理化学的方法は優先晶出法による光学分
割法であり、この方法は上記Ｎおよび（Ｂ）の公知方法
が有している欠点がないため、工業的に最も有利な方法
であるが、従来この方法によりＤＬ−ｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシンを光学分割することに成功した例は、ｐ
−トルエンスルホン酸塩による方法（特開昭５０−１１
１０３３号）およびｍ−キシレンスルホン酸塩による方
法（特開昭５０−１４２５３４号）が知られているにす
ぎない。
割法であり、この方法は上記Ｎおよび（Ｂ）の公知方法
が有している欠点がないため、工業的に最も有利な方法
であるが、従来この方法によりＤＬ−ｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシンを光学分割することに成功した例は、ｐ
−トルエンスルホン酸塩による方法（特開昭５０−１１
１０３３号）およびｍ−キシレンスルホン酸塩による方
法（特開昭５０−１４２５３４号）が知られているにす
ぎない。
本発明者らは、上記Ｃ）の方法に属する優先晶出法によ
り光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンを工業的有
利に製造すべく種々研究を重ねた結果、ＤＬ−ｐヒドロ
キシフェニルグリシンをベンゼンスルホン酸塩モしくは
ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩とすれば、これらの塩
は優先晶出法により光学分割するに必要な諸性質、すな
わち（１）ラセミ体が光学活性体よりも易溶性である、
（２）光学活性体の過飽和状態が安定である。
り光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンを工業的有
利に製造すべく種々研究を重ねた結果、ＤＬ−ｐヒドロ
キシフェニルグリシンをベンゼンスルホン酸塩モしくは
ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩とすれば、これらの塩
は優先晶出法により光学分割するに必要な諸性質、すな
わち（１）ラセミ体が光学活性体よりも易溶性である、
（２）光学活性体の過飽和状態が安定である。
（３）ラセミ体が優先晶出法を適用するに適した溶解度
をもつ、（４）適度な結晶成長速度を有する、（５）ラ
セミ体がラセミ混合物として液底体となりうる、等の性
質を具備するという有用な知見を見出すに至り、かＮる
知見に基づいて本発明を完成するに至った。
をもつ、（４）適度な結晶成長速度を有する、（５）ラ
セミ体がラセミ混合物として液底体となりうる、等の性
質を具備するという有用な知見を見出すに至り、かＮる
知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明はＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリ
シンのベンゼンスルホン酸塩モしくはｐエチルベンゼン
スルホン酸塩（以下、これラヲ総称し”’ＣＤＬ−ｐ−
ヒドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩と称
する）の過飽和溶液に光学活性ｐ−ヒドロキシフェニル
グリシンの対応スる芳香族スルホン酸塩の結晶を存在せ
しめ、優先晶出法により該光学活性体と同種の光学活性
ｐ ＝ヒドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸
塩を晶出させた後、固相を分離し、次いでこれを分解し
て光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンとすること
を特徴とする光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン
の製法である。
シンのベンゼンスルホン酸塩モしくはｐエチルベンゼン
スルホン酸塩（以下、これラヲ総称し”’ＣＤＬ−ｐ−
ヒドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩と称
する）の過飽和溶液に光学活性ｐ−ヒドロキシフェニル
グリシンの対応スる芳香族スルホン酸塩の結晶を存在せ
しめ、優先晶出法により該光学活性体と同種の光学活性
ｐ ＝ヒドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸
塩を晶出させた後、固相を分離し、次いでこれを分解し
て光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンとすること
を特徴とする光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン
の製法である。
尚、アミノ酸類を優先晶出法によって光学分割するに当
って、ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩を用いた例は、
従来全く知られておらず本発明が始めてである。
って、ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩を用いた例は、
従来全く知られておらず本発明が始めてである。
以下、本発明方法を具体的に説明する。
ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・芳香族スルホ
ン酸塩の過飽和溶液を調整するに当って使用する溶液は
、ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・芳香族スル
ホン酸塩を結晶として分離したのち、再び溶解した溶液
を使用してもよく、マｔ、： Ｄ Ｌ −ｐ−ヒドロキ
シフェニルグリシンと芳香族スルホン酸（すなわち、ベ
ンゼンスルホン酸またはｐ−エチルベンゼンスルホン酸
）とを適当な割合で溶解した溶液を直接使用してもよい
。
ン酸塩の過飽和溶液を調整するに当って使用する溶液は
、ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・芳香族スル
ホン酸塩を結晶として分離したのち、再び溶解した溶液
を使用してもよく、マｔ、： Ｄ Ｌ −ｐ−ヒドロキ
シフェニルグリシンと芳香族スルホン酸（すなわち、ベ
ンゼンスルホン酸またはｐ−エチルベンゼンスルホン酸
）とを適当な割合で溶解した溶液を直接使用してもよい
。
後者の場合、ＤＬ ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン
と芳香族スルホン酸とは必ずしも当モルである必要はな
い。
と芳香族スルホン酸とは必ずしも当モルである必要はな
い。
過飽和溶液の調整手段としては、溶液の冷却もしくは濃
縮、溶媒組成の変化、或いはこれらの組合せがいずれも
採用しうるが、一般には、ｐ−ヒドロキシフェニルグリ
シン・芳香族スルホン酸塩の溶解度が高温はど犬となる
ので加熱下に飽和溶液を調製し、これを冷却して過飽和
溶液とするのが最も簡便である。
縮、溶媒組成の変化、或いはこれらの組合せがいずれも
採用しうるが、一般には、ｐ−ヒドロキシフェニルグリ
シン・芳香族スルホン酸塩の溶解度が高温はど犬となる
ので加熱下に飽和溶液を調製し、これを冷却して過飽和
溶液とするのが最も簡便である。
本発明においてＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン
・芳香族スルホン酸塩（以下、ＤＬ一体と略称する）の
過飽和溶液中に光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ン・芳香族スルホン酸塩（以下光学活性体と略称する）
の結晶を存在せしめる方法としては、例えばＤＬ体の過
飽和溶液にいずれか一方の光学活性体の結晶を接種する
が、或いはＤＬ一体といずれか一方の光学活性体が過剰
に存在する過飽和溶液を調製し、過剰に存在する方の光
学活性体と同種の結晶を接種するか又は自然超高させる
。
・芳香族スルホン酸塩（以下、ＤＬ一体と略称する）の
過飽和溶液中に光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ン・芳香族スルホン酸塩（以下光学活性体と略称する）
の結晶を存在せしめる方法としては、例えばＤＬ体の過
飽和溶液にいずれか一方の光学活性体の結晶を接種する
が、或いはＤＬ一体といずれか一方の光学活性体が過剰
に存在する過飽和溶液を調製し、過剰に存在する方の光
学活性体と同種の結晶を接種するか又は自然超高させる
。
後者の過飽和溶液から自然超高させる場合には、まず過
剰に存在する光学活性体が晶出しこれが種晶として作用
するので光学活性体の接種は必ずしも必要ではない。
剰に存在する光学活性体が晶出しこれが種晶として作用
するので光学活性体の接種は必ずしも必要ではない。
しかし、接種を行なう方が過剰に存在する光学活性体を
速やかに結晶として晶出させることができる。
速やかに結晶として晶出させることができる。
接種に使用する種晶はその使用目的からして当然高純度
であることが必要であるが、分割原料であるＤＬ一体は
必ずしも光学的に純粋である必要はなく、光学的に不純
であっても純度換算して使用することができる。
であることが必要であるが、分割原料であるＤＬ一体は
必ずしも光学的に純粋である必要はなく、光学的に不純
であっても純度換算して使用することができる。
むしろ光学的に不純なものを使用した方が過剰に存在す
る方の光学活性体の自然超高を利用できるのでかえって
好都合である６種品の接種量は多い程分割に好結果をも
たらすが、実用的には溶液量の０．１％もあれば充分で
ある。
る方の光学活性体の自然超高を利用できるのでかえって
好都合である６種品の接種量は多い程分割に好結果をも
たらすが、実用的には溶液量の０．１％もあれば充分で
ある。
光学活性体の選択的晶出操作は室温付近で行なうのが便
利であるが、加熱下もしくは冷却下に行なうこともでき
る。
利であるが、加熱下もしくは冷却下に行なうこともでき
る。
また分割操作時において適度のかく拌は晶出を円滑に行
なうのに有利である。
なうのに有利である。
本分割法に用いられる溶媒としては、ＤＬ−ｐ−ヒドロ
キシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩をラセミ混
合物として晶出せしめうるものであれば種類に制限なく
使用できるが、工業的見地からすれば水が最適であり、
その他メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノ
ールの如キアルカノール類、アセトンの如きケトン類、
又はこれらの混合有機溶媒、或いはこれらと水との混合
溶媒なども好適に使用することができる。
キシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩をラセミ混
合物として晶出せしめうるものであれば種類に制限なく
使用できるが、工業的見地からすれば水が最適であり、
その他メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノ
ールの如キアルカノール類、アセトンの如きケトン類、
又はこれらの混合有機溶媒、或いはこれらと水との混合
溶媒なども好適に使用することができる。
尚、ベンゼンスルホン酸塩やｐ−エチルベンゼンスルホ
ン酸塩には％塩が析出することがあるため、Ｌ記溶媒中
に砂分割物質に対応する芳香族スルホン酸を共存させて
おく方が好ましい結果が得られる。
ン酸塩には％塩が析出することがあるため、Ｌ記溶媒中
に砂分割物質に対応する芳香族スルホン酸を共存させて
おく方が好ましい結果が得られる。
前記操作により一方の光学活性体を晶出させた母液中に
は反対の光学活性を有する対掌体が過剰に溶存している
ので、この母液について前回と同様の操作をくり返せば
対掌体を選択的に晶出させることができる。
は反対の光学活性を有する対掌体が過剰に溶存している
ので、この母液について前回と同様の操作をくり返せば
対掌体を選択的に晶出させることができる。
例えば母液を濃縮するか、ＤＬ体を追加溶解した後冷却
して再び過飽和溶液を調製し、これに適量の対掌体を接
種し同様に操作する。
して再び過飽和溶液を調製し、これに適量の対掌体を接
種し同様に操作する。
この際、追加するＤＬ一体を前回に取得した光学活性体
と同量とすれば、過剰に存在する方の光学活性体が前回
と逆になる以外は、前回の晶出操作を行なう前と同一条
件になるので、この様な操作を繰返していくことにより
補給したＤＬ一体を能率よくかつ完全に光字活性体に分
割することができる。
と同量とすれば、過剰に存在する方の光学活性体が前回
と逆になる以外は、前回の晶出操作を行なう前と同一条
件になるので、この様な操作を繰返していくことにより
補給したＤＬ一体を能率よくかつ完全に光字活性体に分
割することができる。
また、本発明方法は前述の如くバッチ法ばかりでなく、
例えば種晶を存在させた分割晶出カラム内で連続的に分
割晶出を行なう連続方式によっても実施できる。
例えば種晶を存在させた分割晶出カラム内で連続的に分
割晶出を行なう連続方式によっても実施できる。
さらに、一方の光学活性体の種晶を付着せる種板と他方
の光学活性体の付着せる種板を間隔をおいて同時に過飽
和溶液中に浸漬し、それぞれの種板に同種の光学活性体
を晶出させる如き方法によっても実施できる。
の光学活性体の付着せる種板を間隔をおいて同時に過飽
和溶液中に浸漬し、それぞれの種板に同種の光学活性体
を晶出させる如き方法によっても実施できる。
かくして分割取得された光学活性ｐ−ヒドロキシフェニ
ルグリシン・芳香族スルホン酸塩は、例えばイオン交換
樹脂或いはアルカリ処理すればラセミ化することなく容
易に対応する光学活性ｐヒドロキシフェニルグリシンと
することができる。
ルグリシン・芳香族スルホン酸塩は、例えばイオン交換
樹脂或いはアルカリ処理すればラセミ化することなく容
易に対応する光学活性ｐヒドロキシフェニルグリシンと
することができる。
一方、分離した芳香族スルホン酸は再びＤＬ−ｐ−ヒド
ロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩の原料と
して使用することができる。
ロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩の原料と
して使用することができる。
尚、本発明において使用するＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェ
ニルグリシン・芳香族スルホン酸塩及び光学活性ｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩はいず
れも新規化合物であり、対応スる遊離のｐ−ヒドロキシ
フェニルグリシンを適当な溶媒中で芳香族スルホン酸に
より中和する如き常法により容易に製造することができ
る。
ニルグリシン・芳香族スルホン酸塩及び光学活性ｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩はいず
れも新規化合物であり、対応スる遊離のｐ−ヒドロキシ
フェニルグリシンを適当な溶媒中で芳香族スルホン酸に
より中和する如き常法により容易に製造することができ
る。
次に実施例を挙げて本発明方法を具体的に説明する。
実施例 Ｉ
Ｄ Ｌ −ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼン
スルホン酸塩２４．２？を０．５Ｍ−ベンゼンスルホン
酸水溶液１００ｍ１に加熱溶解後、２２℃まで冷却する
。
スルホン酸塩２４．２？を０．５Ｍ−ベンゼンスルホン
酸水溶液１００ｍ１に加熱溶解後、２２℃まで冷却する
。
同温度にてＤ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・ベン
ゼンスルホン酸塩０．０５Ｐを接種し、３５分間かく拌
する。
ゼンスルホン酸塩０．０５Ｐを接種し、３５分間かく拌
する。
析出具を口取し、少量の冷水にて結晶を洗浄した後、室
温にて減圧乾燥することによりＤ−ｐ−ヒドロキシフェ
ニルクリシン・ベンゼンスルホン酸塩０．５３？を得る
。
温にて減圧乾燥することによりＤ−ｐ−ヒドロキシフェ
ニルクリシン・ベンゼンスルホン酸塩０．５３？を得る
。
〔α）２５−６１．５° （Ｃ−１、Ｈ２Ｏ）光学純度
９１．９％ 実施例 ２ ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐエチルベン
ゼンスルホン酸塩３９．０１−０．５Ｍｐ−エチルベン
ゼンスルホン酸水溶液１００ｍ１に加熱溶解後、１３℃
まで冷却する。
９１．９％ 実施例 ２ ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐエチルベン
ゼンスルホン酸塩３９．０１−０．５Ｍｐ−エチルベン
ゼンスルホン酸水溶液１００ｍ１に加熱溶解後、１３℃
まで冷却する。
同温度にてＤ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・ｐ−
エチルベンゼンスルホン酸塩０．２５？を接種し、３０
分間かく拌する。
エチルベンゼンスルホン酸塩０．２５？を接種し、３０
分間かく拌する。
析出晶を口取することによりＤｐ−ヒドロキシフェニル
グリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩２．３１を
得る。
グリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩２．３１を
得る。
〔α、１２５−５３．０° （Ｃ＝ＬＨ２０）本島は純
粋なり−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・ｐ−エチル
ベンゼンスルホン酸塩でアル。
粋なり−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・ｐ−エチル
ベンゼンスルホン酸塩でアル。
実施例 ３
ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼンスル
ホン酸塩２９．６１ トＤ−ｐ−ヒトｏキシフェニルグ
リシン・ベンゼンスルホン酸塩２．８Ｐヲ０．５ Ｍベ
ンゼンスルホン酸水溶液１ＯＯｒＩｌｌニ加熱溶解後、
２５℃まで冷却する。
ホン酸塩２９．６１ トＤ−ｐ−ヒトｏキシフェニルグ
リシン・ベンゼンスルホン酸塩２．８Ｐヲ０．５ Ｍベ
ンゼンスルホン酸水溶液１ＯＯｒＩｌｌニ加熱溶解後、
２５℃まで冷却する。
同温度にてＤｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼ
ンスルホン酸塩０．１ｔを接種し、５５分間かく拌する
。
ンスルホン酸塩０．１ｔを接種し、５５分間かく拌する
。
析出晶を口取し、少量の冷水にて洗浄後、室温にて減圧
乾燥することによりＤ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシ
ン・ベンゼンスルホン酸塩７．４Ｐを得る。
乾燥することによりＤ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシ
ン・ベンゼンスルホン酸塩７．４Ｐを得る。
〔α）２５−６３．９°（Ｃ−１、Ｈ２Ｏ）光学純度
９５．０％ 実施例 ４ 実施例３で得られた分割母液にＤＬ−ｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシン・ベンゼンスルホン酸塩７、６ Ｐ ト
少量の０．５Ｍベンゼンスルホン酸水溶液を加え、加熱
溶解後、２５℃まで冷却する。
９５．０％ 実施例 ４ 実施例３で得られた分割母液にＤＬ−ｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシン・ベンゼンスルホン酸塩７、６ Ｐ ト
少量の０．５Ｍベンゼンスルホン酸水溶液を加え、加熱
溶解後、２５℃まで冷却する。
同温度にてＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベン
ゼンスルホン酸塩を接種し、５０分間かく拌する。
ゼンスルホン酸塩を接種し、５０分間かく拌する。
析出晶を口取し、少量の冷水にて洗浄後、室温にて減圧
乾燥することによりＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ン・ベンゼンスルホン酸塩８．４グを得る。
乾燥することによりＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ン・ベンゼンスルホン酸塩８．４グを得る。
〔α〕２５＋６３．３°（Ｃ−１、Ｈ２Ｏ）光学純度
９４．１％ 実施例 ５ ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベ
ンゼンスルホン酸塩３２．０ ？ヲ３Ｍ−ｐエチルベン
エチルベンゼンスルホン酸水溶液１ｒｕｌＫ加熱溶解後
、２５℃まで冷却する。
９４．１％ 実施例 ５ ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベ
ンゼンスルホン酸塩３２．０ ？ヲ３Ｍ−ｐエチルベン
エチルベンゼンスルホン酸水溶液１ｒｕｌＫ加熱溶解後
、２５℃まで冷却する。
同温度にてＤｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐ−エ
チルベンゼンスルホン酸塩０．４１を接種し、５５分間
かく拌する。
チルベンゼンスルホン酸塩０．４１を接種し、５５分間
かく拌する。
析出晶を口取し、少量の冷水にて洗浄後、室温にて減圧
乾燥することによりＤ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩２．４１を得る。
乾燥することによりＤ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩２．４１を得る。
〔α〕２５−６０．２° （Ｃ−１、Ｈ２Ｏ）光学純度
９６．０％ 実施例 ６ 実施例５で得られた分割母液にＤＬ−ｐ−ヒドロキシフ
ェニルクリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩２．
２ Ｐと少量の３Ｍ−ｐ−エチルベンゼンスルホン酸水
溶液を加え、加熱溶解後、２５℃まで冷却する。
９６．０％ 実施例 ６ 実施例５で得られた分割母液にＤＬ−ｐ−ヒドロキシフ
ェニルクリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩２．
２ Ｐと少量の３Ｍ−ｐ−エチルベンゼンスルホン酸水
溶液を加え、加熱溶解後、２５℃まで冷却する。
同温度にてＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・ｐ−
エチルベンゼンスルホン酸塩０．２１を接種し、４５分
間かく拌する。
エチルベンゼンスルホン酸塩０．２１を接種し、４５分
間かく拌する。
析出晶を口取し、少量の冷水にて洗浄後、室温にて減圧
乾燥することによりＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシ
ン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩４．８１を得る。
乾燥することによりＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシ
ン・ｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩４．８１を得る。
〔α）２５＋５９．８°（Ｃ−１、Ｈ２Ｏ）光学純度
９５．４％ 参考例 Ｉ ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン５０１とベンゼ
ンスルホン酸％水和物１１０．８Ｐを２８０ｒｒＬｌに
加熱溶解後、活性炭５グにて脱色処理し、水冷下にかく
拌する。
９５．４％ 参考例 Ｉ ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン５０１とベンゼ
ンスルホン酸％水和物１１０．８Ｐを２８０ｒｒＬｌに
加熱溶解後、活性炭５グにて脱色処理し、水冷下にかく
拌する。
析出晶を口取し、少量の冷水にて洗浄後乾燥することに
よりＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼン
スルホン酸塩７０．１ Ｆを得る。
よりＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼン
スルホン酸塩７０．１ Ｆを得る。
母液を約％まで濃縮し、析出晶を上記と同様に処理する
ことによりＤＬ−ｐヒドロキシフェニルグリシン・ベン
ゼンスルホン酸塩を更に１３．２ｆ得る。
ことによりＤＬ−ｐヒドロキシフェニルグリシン・ベン
ゼンスルホン酸塩を更に１３．２ｆ得る。
光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼンス
ルホン酸塩も上記と同様にして得られる。
ルホン酸塩も上記と同様にして得られる。
かくして得られるＤＬ−１Ｄ−またはＬ−ｐヒドロキシ
フェニルグリシン・ベンゼンスルホン酸塩の物理値数を
示せば下記第１表の通りである。
フェニルグリシン・ベンゼンスルホン酸塩の物理値数を
示せば下記第１表の通りである。
参考例 ２
ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン２００１とｐ−
エチルベンゼンスルホン酸９７．８？を水２４０ｍ１に
加熱溶解後、活性炭３２にて脱色処理する。
エチルベンゼンスルホン酸９７．８？を水２４０ｍ１に
加熱溶解後、活性炭３２にて脱色処理する。
以後参考例１と同様に処理することによりＤＬ−ｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホ
ン酸塩６８．６ Ｌ？（第−晶：５Ｃ１、第二晶：１８
．６Ｌ？） ＊＊ 光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐエチルベ
ンゼンスルホン酸塩も上記と同様にして得られる。
ドロキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホ
ン酸塩６８．６ Ｌ？（第−晶：５Ｃ１、第二晶：１８
．６Ｌ？） ＊＊ 光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐエチルベ
ンゼンスルホン酸塩も上記と同様にして得られる。
かくして得られるＤ Ｌ−１Ｄ−またはＬ−ｐヒｌ−’
ａキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホ
ン酸塩の物理恒数を示せばド記第２表の通りである。
ａキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベンゼンスルホ
ン酸塩の物理恒数を示せばド記第２表の通りである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｐ−ヒドロキシフェニルグリシンのベンゼンスルホン
酸塩モしくはｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩。 ２ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼンスルホン
酸塩である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ３ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐ−エチルベンゼ
ンスルホン酸塩である特許請求の範囲第１項記載の化合
物。 ４ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼンス
ルホン酸塩である特許請求の範囲第２項記載の化合物。 ５Ｄ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼンスル
ホン酸塩である特許請求の範囲第２項記載の化合物。 ６ Ｌ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ベンゼンス
ルホン酸塩である特許請求の範囲第２項記載の化合物。 ？ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルクリシン・ｐエチルベ
ンゼンスルホン酸塩である％ＦＦ１Ｉｆ求ノ範囲第３項
記載の化合物。 ８ Ｄ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐ −エ
チルベンゼンスルホン酸塩である％許請求ノｆａ囲第３
項記載の化合物。 ９ Ｌ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシン・ｐエチル
ベンゼンスルホン酸塩である％許し’ｆ求ノ範囲第３項
記載の化合物。 １０ＤＬ−ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンのベンゼン
スルホン酸塩モしくはｐ−エチルベンゼンスルホン酸塩
の過飽和溶液に光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシ
ンの対応する芳香族スルホン酸塩の結晶を存在せしめ、
優先晶出法により該光学活性体と同種の光学活性ｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシン・芳香族スルホン酸塩を晶出
させた後、固液分離し、次いでこれを分離して光学活性
ｐヒドロキシフェニルグリシンとすることを特徴とする
光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52005067A JPS5829941B2 (ja) | 1977-01-19 | 1977-01-19 | 光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52005067A JPS5829941B2 (ja) | 1977-01-19 | 1977-01-19 | 光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP334576A Division JPS5287137A (en) | 1976-01-13 | 1976-01-13 | Production of optically active p-hydroxyphenylglycine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5297925A JPS5297925A (en) | 1977-08-17 |
| JPS5829941B2 true JPS5829941B2 (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=11601033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52005067A Expired JPS5829941B2 (ja) | 1977-01-19 | 1977-01-19 | 光学活性ｐ−ヒドロキシフェニルグリシンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829941B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115861U (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | 近畿容器株式会社 | キヤツプ |
| JPH026829Y2 (ja) * | 1983-09-14 | 1990-02-19 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237030A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-08 | Ajinomoto Co Inc | 分岐鎖アミノ酸の精製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50111033A (ja) * | 1974-01-29 | 1975-09-01 |
-
1977
- 1977-01-19 JP JP52005067A patent/JPS5829941B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50111033A (ja) * | 1974-01-29 | 1975-09-01 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH026829Y2 (ja) * | 1983-09-14 | 1990-02-19 | ||
| JPS60115861U (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | 近畿容器株式会社 | キヤツプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5297925A (en) | 1977-08-17 |
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