JPS5828827A - 化学気相堆積膜形成装置 - Google Patents
化学気相堆積膜形成装置Info
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- JPS5828827A JPS5828827A JP12611781A JP12611781A JPS5828827A JP S5828827 A JPS5828827 A JP S5828827A JP 12611781 A JP12611781 A JP 12611781A JP 12611781 A JP12611781 A JP 12611781A JP S5828827 A JPS5828827 A JP S5828827A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造二［程においてシリコンウェ
ハ等の半導体基板上に酸化膜（Ｓｌ ０２）や窒化膜（
Ｓ１３Ｎ４）や多結晶シリコン膜（Ｐｏ１ｙ−８ｌ）等
を化学気相堆積（ＣＶＤ ）により形成するためのＣＶ
Ｄ膜形成装置に関するもので、簡単な構造にしてサセプ
ター１１面に発生する反応生成物の粒子（パーティクル
）による前記半導体基板の汚］ｆｉを容易に防止できる
ようにすることを目的とする。
ハ等の半導体基板上に酸化膜（Ｓｌ ０２）や窒化膜（
Ｓ１３Ｎ４）や多結晶シリコン膜（Ｐｏ１ｙ−８ｌ）等
を化学気相堆積（ＣＶＤ ）により形成するためのＣＶ
Ｄ膜形成装置に関するもので、簡単な構造にしてサセプ
ター１１面に発生する反応生成物の粒子（パーティクル
）による前記半導体基板の汚］ｆｉを容易に防止できる
ようにすることを目的とする。
従来のＣＶＤ膜形成装置（以下装置と略記する）では、
たとえばシリコンウニ・・等の半導体基板（以下ウニ・
・と略記する）を保持して所定温度に加熱するだめのサ
セプタと、前記サセプタに対向して設けられて前記ウェ
ハ表面にモノシランガス（ＳｉＦ２）、フォスフインガ
ス（ＰＨ３）、酸素ガス（０２）等の反応ガスとキャリ
アガスを供給するだめのノズルとを有する構造の装置が
ある。
たとえばシリコンウニ・・等の半導体基板（以下ウニ・
・と略記する）を保持して所定温度に加熱するだめのサ
セプタと、前記サセプタに対向して設けられて前記ウェ
ハ表面にモノシランガス（ＳｉＦ２）、フォスフインガ
ス（ＰＨ３）、酸素ガス（０２）等の反応ガスとキャリ
アガスを供給するだめのノズルとを有する構造の装置が
ある。
通常この種の装置では、たとえば第１図に示す」：うに
、サセプタ１は平面状の」二面２を有し、この平面状の
サセプタ」二面２にウェノ・３を載置する構造を有し、
前記反応ガスを化学気相堆積によシウェハ３０表面に酸
化膜層や不純物を含む酸化膜層（以下絶縁膜層と略記す
る）４をウェハ３の表面に形成する。なおここで化学気
相堆積の例を化学反応式で以下に示す。
、サセプタ１は平面状の」二面２を有し、この平面状の
サセプタ」二面２にウェノ・３を載置する構造を有し、
前記反応ガスを化学気相堆積によシウェハ３０表面に酸
化膜層や不純物を含む酸化膜層（以下絶縁膜層と略記す
る）４をウェハ３の表面に形成する。なおここで化学気
相堆積の例を化学反応式で以下に示す。
Ｓ ＩＨＪ ＋２０２−＋Ｓ １０２−Ｅ ２ Ｈ２０
２Ｐ Ｈ３＋４０２→Ｐ２Ｏ６＋３Ｈ２０さて前述のよ
うな構造の装置でｄ：ウェハ３をサセプターに面２に載
置する際や、逆にサセプタ上面２から摘出する際に、ウ
ェハ３がサセプタ上面２の上で水平方向に移動すること
がある。
２Ｐ Ｈ３＋４０２→Ｐ２Ｏ６＋３Ｈ２０さて前述のよ
うな構造の装置でｄ：ウェハ３をサセプターに面２に載
置する際や、逆にサセプタ上面２から摘出する際に、ウ
ェハ３がサセプタ上面２の上で水平方向に移動すること
がある。
ウェハ３が水平方向に移動すると、前記反応によりサセ
プタ」−而２に累積した反応生成物の被膜５がウェハ３
の周辺エッヂによってこすられ・切削された（大きさに
して数ミクロン）粒子が発生して、ウェハ３土の絶縁膜
層４の表面に伺着１７汚損する。
プタ」−而２に累積した反応生成物の被膜５がウェハ３
の周辺エッヂによってこすられ・切削された（大きさに
して数ミクロン）粒子が発生して、ウェハ３土の絶縁膜
層４の表面に伺着１７汚損する。
このように汚損された絶縁膜層４を半２．９体装置の製
造工程に朧月した場合、前記粒子がその絶縁膜層４の欠
陥（ピンホール等）や異物になりその絶縁膜層４の目的
とする機能を朱だ、１ノニなくなる。
造工程に朧月した場合、前記粒子がその絶縁膜層４の欠
陥（ピンホール等）や異物になりその絶縁膜層４の目的
とする機能を朱だ、１ノニなくなる。
特に絶縁膜層４を層間絶縁膜やパノシベー７ヨン膜等に
用いた場合、前記欠陥や異物が半導体装置の％性劣化や
パターン欠陥等に結びつき歩留り・品質へ与える影響は
著しくこの点が問題となっている。
用いた場合、前記欠陥や異物が半導体装置の％性劣化や
パターン欠陥等に結びつき歩留り・品質へ与える影響は
著しくこの点が問題となっている。
本発明は上記の問題点を解消し、サセプタ上面に発生す
る粒子によるウェハの汚損を防止する装置を提供するも
ので、以下に図面を用いてその実施例を説明する。
る粒子によるウェハの汚損を防止する装置を提供するも
ので、以下に図面を用いてその実施例を説明する。
本発明の一実施例を第２図（ａ）、■）に示すように、
ウェハ６を載置するた°めのサセプタ７の上面にはウェ
ハ６の形状に対応して、外径Ｒ１がウェハ６の径Ｒ８よ
りも６悲大きくかつ内径Ｒ２が径Ｒ０よりも５餌小さい
形状を有し、かつ３訴の深さｄｌを有するリング状の四
部８が形成されている。
ウェハ６を載置するた°めのサセプタ７の上面にはウェ
ハ６の形状に対応して、外径Ｒ１がウェハ６の径Ｒ８よ
りも６悲大きくかつ内径Ｒ２が径Ｒ０よりも５餌小さい
形状を有し、かつ３訴の深さｄｌを有するリング状の四
部８が形成されている。
また四部８のリング中央のウェハ６を載置する平坦部９
は、サセプタ７の上面よりもウェハ６の厚さには、は等
しいＯ０５鴎の深さｄ。の位置に形成されていて、ウェ
ハ６を載置した際にウェハ６の表Ｆ１１とサセプタ７の
」−面が同一面上になり、ウェハ６をサセプタ７に載置
した場合に両者の」二面は同一平面をなす。
は、サセプタ７の上面よりもウェハ６の厚さには、は等
しいＯ０５鴎の深さｄ。の位置に形成されていて、ウェ
ハ６を載置した際にウェハ６の表Ｆ１１とサセプタ７の
」−面が同一面上になり、ウェハ６をサセプタ７に載置
した場合に両者の」二面は同一平面をなす。
さらに平坦部９の上面にＵｌ、１臥の深さｄ２を有する
格子状の溝１ｏが設けられていて、ウニハロを平坦部９
に載置・摘出する際に溝１ｏのエッヂがウェハ６の裏面
と接触するのでつＪハロのすべり摩擦が大きくなる。
格子状の溝１ｏが設けられていて、ウニハロを平坦部９
に載置・摘出する際に溝１ｏのエッヂがウェハ６の裏面
と接触するのでつＪハロのすべり摩擦が大きくなる。
上記のように構成した装置では、第３図に示すように、
サセプタ１１にウェハ１２を載置して絶縁膜層１３をウ
ェハ１２の表面に形成する場合、ウェハ１２とサセプタ
１１の間にｄ：約５肱のスギマがあき、ウェハ１２の周
辺エッヂはリング状の四部１４の−１−にはみ出してい
るので、リング中央の平坦部１５にウェハ１２を載置・
摘出する際もウェハ１２の周辺エッヂはサセプタ１１の
上面に累積した反応生成物の被膜１６をこすり・切削す
ることがない。寸だ平坦部１５に載置したウェハ１２の
表面はサセプタ１１の上面と同−白土になるので、仮に
ウェノ・１２が水平方向に移動しても凹部１４のｆｌ）
］壁に接触するのでウェハ１２の周辺エッヂが被膜１６
をこすり・切削することは防止されている。
サセプタ１１にウェハ１２を載置して絶縁膜層１３をウ
ェハ１２の表面に形成する場合、ウェハ１２とサセプタ
１１の間にｄ：約５肱のスギマがあき、ウェハ１２の周
辺エッヂはリング状の四部１４の−１−にはみ出してい
るので、リング中央の平坦部１５にウェハ１２を載置・
摘出する際もウェハ１２の周辺エッヂはサセプタ１１の
上面に累積した反応生成物の被膜１６をこすり・切削す
ることがない。寸だ平坦部１５に載置したウェハ１２の
表面はサセプタ１１の上面と同−白土になるので、仮に
ウェノ・１２が水平方向に移動しても凹部１４のｆｌ）
］壁に接触するのでウェハ１２の周辺エッヂが被膜１６
をこすり・切削することは防止されている。
ここでウェハ１２をサセプタ１１に載置しても両者の上
面が同一平面をなす構造により、従来の装置にありがち
なウェハ」二面とサセプタ上面の段差に起因するウェハ
周辺での反応ガスの気流の乱れにより生ずる、ウェハ周
辺での堆積絶縁膜層の膜厚むらが、上記構造の２次的効
果として解消される。
面が同一平面をなす構造により、従来の装置にありがち
なウェハ」二面とサセプタ上面の段差に起因するウェハ
周辺での反応ガスの気流の乱れにより生ずる、ウェハ周
辺での堆積絶縁膜層の膜厚むらが、上記構造の２次的効
果として解消される。
さらに平坦部１５の」二面に設けられている格子状の溝
１７によシウェハ１２のすべり摩擦が大きくなるので、
ウェハ１２の載置・摘出する際の水平方向の移動が防止
される。
１７によシウェハ１２のすべり摩擦が大きくなるので、
ウェハ１２の載置・摘出する際の水平方向の移動が防止
される。
本発明は以」二の説明に、ｒ、シ明らかなように、ウェ
ハを載置・摘出する際に発生する反応生成物の粒子に」
二るウェハ上の絶縁膜層の汚損を防止でき、従来例に示
したような装置とは異なり、歩留り・信頼性の良い半導
体装置の製造工程に適する装置を提供するものである。
ハを載置・摘出する際に発生する反応生成物の粒子に」
二るウェハ上の絶縁膜層の汚損を防止でき、従来例に示
したような装置とは異なり、歩留り・信頼性の良い半導
体装置の製造工程に適する装置を提供するものである。
なお以上に説明した実施例では、ウェハを載置する平坦
部がウェハの厚さとほぼ等しい深さだけ低く、寸たへ■
ｉｌＩ′ｉ！部上面には溝全上面ｌａ Ｉ’Ｍ成にな・
−２ているが、Ｊ）５にザセブクの１−面にラボ・・の
形状に対応したり／グ状の凹部％二形成ずろｔ１１１成
だレ−ｙても大きな効果をも／こらずことＩｒｊいう」
でもない３゜捷だ同実施例で（ハ）、つ、ノソ１に酸化
膜層を形成ずろ場合について説明し／ζが他の窒化膜や
多結晶シリコン膜等のＣＶＤ膜金形成する場合について
も１、酸化膜層を形成する場合と同様の効果をイＩＩる
ことかできる３、
部がウェハの厚さとほぼ等しい深さだけ低く、寸たへ■
ｉｌＩ′ｉ！部上面には溝全上面ｌａ Ｉ’Ｍ成にな・
−２ているが、Ｊ）５にザセブクの１−面にラボ・・の
形状に対応したり／グ状の凹部％二形成ずろｔ１１１成
だレ−ｙても大きな効果をも／こらずことＩｒｊいう」
でもない３゜捷だ同実施例で（ハ）、つ、ノソ１に酸化
膜層を形成ずろ場合について説明し／ζが他の窒化膜や
多結晶シリコン膜等のＣＶＤ膜金形成する場合について
も１、酸化膜層を形成する場合と同様の効果をイＩＩる
ことかできる３、
第１図わＬ従来の化学気相、１イシ楯膜形成”ＪＬ ｉ
ｉ’＋−の断１（ｉ図、第２図（ａ） 、 （ｂ）乞１
−それそ、Ｉ］本発明の一実施例である化学気相Ｊｆｆ
ｊ積膜形成膜形成装面図、Ｉ、・よび断面図、第３図は
本発明の作用を薄明するだめの断面図である。 ６・・・・・・半導体基板、７・・・・・・・ザセプタ
、８・・・・・・リング状の四部、９・・・・・リング
中火の一下用一部、１０・・・・・・溝、１．７，１１
・・・・・ザセプタ、８．１４・・・・・・リング状
の凹部、９，１６・・・・・・平坦部、１０．１７・・
・・・・溝。
ｉ’＋−の断１（ｉ図、第２図（ａ） 、 （ｂ）乞１
−それそ、Ｉ］本発明の一実施例である化学気相Ｊｆｆ
ｊ積膜形成膜形成装面図、Ｉ、・よび断面図、第３図は
本発明の作用を薄明するだめの断面図である。 ６・・・・・・半導体基板、７・・・・・・・ザセプタ
、８・・・・・・リング状の四部、９・・・・・リング
中火の一下用一部、１０・・・・・・溝、１．７，１１
・・・・・ザセプタ、８．１４・・・・・・リング状
の凹部、９，１６・・・・・・平坦部、１０．１７・・
・・・・溝。
Claims (3)
- （１） 化学気相堆積膜を形成しようとする半２９体
基板を保持して所定の温度に加熱するだめのサセプタの
上面に、前記基板の形状に対応して、外径が前記基板の
径よりも大きくかつ内径が前記半導体基板の径よりも小
さなリング状の四部が形成されていることを特徴とする
化学気相堆積膜形成装置。 - （２）リング状の四部に囲１れだ部分力見に板の厚さに
ほぼ等しい深さ外で下がっていることを／Ｆ、徴とする
％Ｗ’ｒ請求の範囲第１項記載の化学気相堆積膜形成装
置。 - （３）リング状の四部に四重れた部分に溝が形成されて
いることを特徴とする特γ１請求の範囲第１項記載の化
学気相堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611781A JPS5828827A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 化学気相堆積膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611781A JPS5828827A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 化学気相堆積膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828827A true JPS5828827A (ja) | 1983-02-19 |
Family
ID=14927054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12611781A Pending JPS5828827A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 化学気相堆積膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828827A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489318A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Vapor growth susceptor |
| US4993357A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-19 | Cs Halbleiter -Und Solartechnologie Gmbh | Apparatus for atomic layer epitaxial growth |
| KR100776515B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 진공증착장치 |
| JP2013191889A (ja) * | 2013-06-21 | 2013-09-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハ |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP12611781A patent/JPS5828827A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489318A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Vapor growth susceptor |
| US4993357A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-19 | Cs Halbleiter -Und Solartechnologie Gmbh | Apparatus for atomic layer epitaxial growth |
| KR100776515B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 진공증착장치 |
| JP2013191889A (ja) * | 2013-06-21 | 2013-09-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハ |
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