JPS5827981A - 真空メツキ装置 - Google Patents
真空メツキ装置Info
- Publication number
- JPS5827981A JPS5827981A JP12650181A JP12650181A JPS5827981A JP S5827981 A JPS5827981 A JP S5827981A JP 12650181 A JP12650181 A JP 12650181A JP 12650181 A JP12650181 A JP 12650181A JP S5827981 A JPS5827981 A JP S5827981A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- laser beam
- evaporated
- vacuum
- metal
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ加熱による金属の真空蒸着を目的とし
た真空メッキ装置に関する。
た真空メッキ装置に関する。
真空容器内で金属を加熱溶融して蒸発させ、これを基板
上に側蓋させる手段として真空蒸着、イオンブレーティ
ング等がアシ、これらにおいては、金属を一定の条件で
溶融、蒸発させる手段として、抵抗加熱法、誘導加熱法
、電子ビーム法等が採られている。
上に側蓋させる手段として真空蒸着、イオンブレーティ
ング等がアシ、これらにおいては、金属を一定の条件で
溶融、蒸発させる手段として、抵抗加熱法、誘導加熱法
、電子ビーム法等が採られている。
しかし抵抗加熱法においては、装置が安価であるにして
も金属蒸発の再現性が難しく、誘導加熱法においては金
属蒸発の再現性はあるが、装置が高価につきかつ大型化
する傾向があシ、また電子ビーム法においても金属蒸発
の再現性はあるが、装置が高価である。
も金属蒸発の再現性が難しく、誘導加熱法においては金
属蒸発の再現性はあるが、装置が高価につきかつ大型化
する傾向があシ、また電子ビーム法においても金属蒸発
の再現性はあるが、装置が高価である。
しかも、誘導加熱法、電子ビーム法では、装置が真空容
器中に設置されるものであるため、同容器が必然的に大
きくならざるを得す、また抵抗加熱法では、蒸発が安定
しないので、一定の品質を要求される薄膜作成には殆ど
使用されない。
器中に設置されるものであるため、同容器が必然的に大
きくならざるを得す、また抵抗加熱法では、蒸発が安定
しないので、一定の品質を要求される薄膜作成には殆ど
使用されない。
かかる状況下でレーザ蒸着法が出現した。
これは、真空容器の外部にレーザ発生器を設置して内部
の金Ｎを蒸発させるものである。
の金Ｎを蒸発させるものである。
ところがこの装置においては、レーザビームが透過する
真空容器の窓ガラスあるいは反射鏡に蒸気が伺着するた
め、レーザビームの透過率あるいは反射率が’Ａ Ｌ
＜落ち、そのため、短ｌｈ間の使用しかできなかった。
真空容器の窓ガラスあるいは反射鏡に蒸気が伺着するた
め、レーザビームの透過率あるいは反射率が’Ａ Ｌ
＜落ち、そのため、短ｌｈ間の使用しかできなかった。
本発明は、真空容器内における窓の周囲にレーザビーム
の進路を囲む冷却部を設けることによって上記問題点を
解決しＪ：つというもので、これを図面に示す実施例を
参照しながら説明すると、第１図において、（１）は貞
空容芥、（２１はレーザビーム（３）が透過可能な窓、
（４）は同窓に取り付けられたガラス板、（５）はプリ
フォームロッド、（６）は同プリフォームロッドを溶融
加熱するための加熱炉、（７）は線引き後の光ファイバ
、（８）はレーザ加熱によって溶融、蒸発可能な線状の
金属拐、（９）は同金属制を連続ｇ（給するための巻枠
、００）はメ゛ツキ後の光ファイバ（１１）を巻取るた
めの巻取ドラムであり、これらを備えている点は従来例
と同様であるが、本発明においては、第２図に明示する
ように、冷却部（功を備えている点において異なってい
る。
の進路を囲む冷却部を設けることによって上記問題点を
解決しＪ：つというもので、これを図面に示す実施例を
参照しながら説明すると、第１図において、（１）は貞
空容芥、（２１はレーザビーム（３）が透過可能な窓、
（４）は同窓に取り付けられたガラス板、（５）はプリ
フォームロッド、（６）は同プリフォームロッドを溶融
加熱するための加熱炉、（７）は線引き後の光ファイバ
、（８）はレーザ加熱によって溶融、蒸発可能な線状の
金属拐、（９）は同金属制を連続ｇ（給するための巻枠
、００）はメ゛ツキ後の光ファイバ（１１）を巻取るた
めの巻取ドラムであり、これらを備えている点は従来例
と同様であるが、本発明においては、第２図に明示する
ように、冷却部（功を備えている点において異なってい
る。
この冷却部（１りは、窓（２）の周囲に突設されかつレ
ーザビーム（３）の進路を囲む内筒０急と、同内筒曽の
外周に配置されかつその周壁内部に液体ガス通路０嗜を
有する円筒状部材（１つと、同部材（１ツのさらに外周
に設けられた断熱層θＱ、！：を備えている。
ーザビーム（３）の進路を囲む内筒０急と、同内筒曽の
外周に配置されかつその周壁内部に液体ガス通路０嗜を
有する円筒状部材（１つと、同部材（１ツのさらに外周
に設けられた断熱層θＱ、！：を備えている。
従って、図示しない配管系を介して上記液体ガス通路に
、液体窒素等の液体ガスを充填すると、内筒０３が冷却
されることになる。
、液体窒素等の液体ガスを充填すると、内筒０３が冷却
されることになる。
上記構成において、真空容器（１）の外部に設置された
発振部０ηからレーザビーム（３）を発すると、同レー
ザ（３）は、窓（２）を透過し、さらに内筒Ｑ３を通っ
て、予め設定された金ｆｉ Ｕ’ （８）上の焦点位置
に達する。
発振部０ηからレーザビーム（３）を発すると、同レー
ザ（３）は、窓（２）を透過し、さらに内筒Ｑ３を通っ
て、予め設定された金ｆｉ Ｕ’ （８）上の焦点位置
に達する。
レーザビーム（３）の照射を受けた金属制（８）は、レ
ーザ加熱によって蒸発し、金属蒸気θ印となり、光ファ
イバ（７）に伺着すると共にあらゆる方向に飛散し、従
って窓（２）方向にも向うことになる。
ーザ加熱によって蒸発し、金属蒸気θ印となり、光ファ
イバ（７）に伺着すると共にあらゆる方向に飛散し、従
って窓（２）方向にも向うことになる。
しかし、内筒０３は冷却されているので、その内部に達
した金属蒸気ａ引ま、その分子運動が抑えられることに
な９、このため金属蒸気０８）は内筒ＯＪにトラップさ
れることになる。
した金属蒸気ａ引ま、その分子運動が抑えられることに
な９、このため金属蒸気０８）は内筒ＯＪにトラップさ
れることになる。
金萬材（８）はガイド０りを介して連続的に供給され、
従って、光ファイバ（７）は連続的にメッキされる。
従って、光ファイバ（７）は連続的にメッキされる。
尚、断熱層ＯＱの存在により、冷却が内筒ＯＪのみに集
中することになる０ また窓（２）は図示しない配管に」＝って冷却される。
中することになる０ また窓（２）は図示しない配管に」＝って冷却される。
翰は、ガラス板（４）を保持するための押え部刊である
。
。
上述においては、被メッキ物として光ファイバなどの線
条体を例にあけたが、もちろんこれに限定されるもので
はない。
条体を例にあけたが、もちろんこれに限定されるもので
はない。
ここでより具体的な例について述べると、■）金ｍ ４
４’ （８）として直径１箇のアルミニウム線を用い、
これに１００ＰＰＳ ２００Ｗ のＹ Ａ Ｏレーザ
を照射し、メッキすべき線条体の両側から金属拐（８）
を蒸発させた。
４’ （８）として直径１箇のアルミニウム線を用い、
これに１００ＰＰＳ ２００Ｗ のＹ Ａ Ｏレーザ
を照射し、メッキすべき線条体の両側から金属拐（８）
を蒸発させた。
この際線条体を上下方向に数ｍ７分のスピードで走行さ
せた。
せた。
■）直線１箭のアルミニウム線にＹＡＧレーザを照射し
て、鉄板にメッキし、次いでそのメッキ上に高周波放電
によりイオンブレーティングを施し、その膜厚を数μｍ
とした。
て、鉄板にメッキし、次いでそのメッキ上に高周波放電
によりイオンブレーティングを施し、その膜厚を数μｍ
とした。
このヴンプルに塩水を噴霧し、１００時間放置したが、
鉄さびは現われなかった。
鉄さびは現われなかった。
尚、真空容器内では、鉄板を自転及び公転させ、均一に
メッキした。
メッキした。
尚、金属利（８）としては、Ａ、 ｔの外に、Ｔｉ。
Ｓｌ、Ｎ１、Ｔａ等の高融点金属も適用可能である。
またメンキすべきものは、線条体に限らず、］二記の如
く、鉄板等も可能である。
く、鉄板等も可能である。
以上のように本発明においては、真空容器内における窓
の周囲にレーザビームの進路を囲む冷却部を設けたので
、冷却部内は冷却されることになシ、従って同内部に侵
入した金属蒸気の分子運動は抑えられ、同蒸気は冷却部
にトラツブされる。
の周囲にレーザビームの進路を囲む冷却部を設けたので
、冷却部内は冷却されることになシ、従って同内部に侵
入した金属蒸気の分子運動は抑えられ、同蒸気は冷却部
にトラツブされる。
このため真空容器の窓は、長時間レーザビームを通過さ
せ、金属月を蒸発させても所期の透明度は保たれ、レー
ザビー１３の透過率は殆ど落ちないことになる。
せ、金属月を蒸発させても所期の透明度は保たれ、レー
ザビー１３の透過率は殆ど落ちないことになる。
第１図は本発明に係る装置のｌｌｌ’を略断面図、第２
図は同装置の要部を示す概略断面図である。 ｔ＋＋・・・・・真空容器 （２）・・・・・窓 （７）・・・・・被メッキ物（光ファイバ）（８）・・
・・・金属（３ （１２１・・・・・冷却部 特許出願人 代理人 弁理士 斎 藤 義 Ａｒ ７−
図は同装置の要部を示す概略断面図である。 ｔ＋＋・・・・・真空容器 （２）・・・・・窓 （７）・・・・・被メッキ物（光ファイバ）（８）・・
・・・金属（３ （１２１・・・・・冷却部 特許出願人 代理人 弁理士 斎 藤 義 Ａｒ ７−
Claims (2)
- （１）外部からのレーザビームが透過可能な窓を有する
真空容器内に、レーザ加熱によって蒸発可能な金属材を
配置して該ジ（空容器内の蒸発金属雰囲気中に被メッキ
物を導入するようにした真空メッキ装置において、上記
ｔ′（空器内における窓の周囲にレーザビームの進路を
囲む冷却部を設けたことを特徴とする真空メッキ装置。 - （２）冷却部は窓の周囲に突設された円筒状部制を備え
、該円筒状部材はその周壁内部に液体ガス通路を有して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空
メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12650181A JPS5827981A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 真空メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12650181A JPS5827981A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 真空メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827981A true JPS5827981A (ja) | 1983-02-18 |
| JPH0210225B2 JPH0210225B2 (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=14936765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12650181A Granted JPS5827981A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 真空メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06213409A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-08-02 | Rhone Poulenc Chim | 汚染性有機物質若しくは無機化合物を含む流出物の処理方法 |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP12650181A patent/JPS5827981A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06213409A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-08-02 | Rhone Poulenc Chim | 汚染性有機物質若しくは無機化合物を含む流出物の処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210225B2 (ja) | 1990-03-07 |
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