JPS6086271A - 電子ビ−ム蒸発器るつぼ用溶融金属供給トラフ - Google Patents
電子ビ−ム蒸発器るつぼ用溶融金属供給トラフInfo
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- JPS6086271A JPS6086271A JP59177627A JP17762784A JPS6086271A JP S6086271 A JPS6086271 A JP S6086271A JP 59177627 A JP59177627 A JP 59177627A JP 17762784 A JP17762784 A JP 17762784A JP S6086271 A JPS6086271 A JP S6086271A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、電子ビーム技術を使用する高真空被枠装置に
係り、より特定的には、該装置ポに用℃・られる電子ビ
ーム蒸発源の構成に係る。
係り、より特定的には、該装置ポに用℃・られる電子ビ
ーム蒸発源の構成に係る。
一般にこのような装置には真空チャ7ノ(が含まれ、こ
の中には神覆処理すべき基体を提示するためのテバイス
と電子ビーム蒸発器が配着される。
の中には神覆処理すべき基体を提示するためのテバイス
と電子ビーム蒸発器が配着される。
これらに近接して、しかし真空チャフ)くの外側に、高
真空ポンプ装置と全装置の作例に必要なノ<ルプ及び制
御機構がある。典型的な電子ビーム蒸発器は、蒸発すべ
き溶融物を収容するためのるつぼ、電子ビーム発生機、
及び電子ビーム発生機を出た電子ビームをるつぼ中の標
的領域に向けるための偏向システムを有する。加速電子
の運動エネルギーが熱に変換さh、るつぼ内の原料物質
が加熱され、蒸発温度に達して原料物質が蒸気として放
出される。電子ビーム自体は負の筒電位に維持された陰
極フィラメントを加熱することによって発生される。磁
場を使用して電子ビームを偏向するため、蒸発した原料
物質が陰極に付着することのないような位置に陰極を配
置することが可能である。
真空ポンプ装置と全装置の作例に必要なノ<ルプ及び制
御機構がある。典型的な電子ビーム蒸発器は、蒸発すべ
き溶融物を収容するためのるつぼ、電子ビーム発生機、
及び電子ビーム発生機を出た電子ビームをるつぼ中の標
的領域に向けるための偏向システムを有する。加速電子
の運動エネルギーが熱に変換さh、るつぼ内の原料物質
が加熱され、蒸発温度に達して原料物質が蒸気として放
出される。電子ビーム自体は負の筒電位に維持された陰
極フィラメントを加熱することによって発生される。磁
場を使用して電子ビームを偏向するため、蒸発した原料
物質が陰極に付着することのないような位置に陰極を配
置することが可能である。
このような真空被覆装置は、79g3年S月27日に出
願されたリフシン(Li fshin )等の係属中の
米国特許出願第グ99,079号及び79g3年g月に
出願されたグレイ二世(Grey 、 Jr −)等の
係属中の米国特許出願第3792g0号に開示され且つ
特許請求されている発明の実施に使用し得るような装置
の7つである。これらの出願は本発明の譲受人に譲渡さ
れている。これらの発明の各々の実施に際しては、桐と
化学的に清浄なアルミ箔担体表面との間の付着量を制御
しつつ蒸着により担体表面上に直接銅を付着させる。前
記発明の実施に際してアルミ箔担体上に付着した銅の被
膜は、最も普通の場合約/乙εクロノ未満の厚みであり
、−典型的には厚み約タミクロ7未満である。この銅被
膜は厚みが均一で、連続で、滑らかで且つほぼ700%
のIll!論密度でピノホールのないものか望ましい。
願されたリフシン(Li fshin )等の係属中の
米国特許出願第グ99,079号及び79g3年g月に
出願されたグレイ二世(Grey 、 Jr −)等の
係属中の米国特許出願第3792g0号に開示され且つ
特許請求されている発明の実施に使用し得るような装置
の7つである。これらの出願は本発明の譲受人に譲渡さ
れている。これらの発明の各々の実施に際しては、桐と
化学的に清浄なアルミ箔担体表面との間の付着量を制御
しつつ蒸着により担体表面上に直接銅を付着させる。前
記発明の実施に際してアルミ箔担体上に付着した銅の被
膜は、最も普通の場合約/乙εクロノ未満の厚みであり
、−典型的には厚み約タミクロ7未満である。この銅被
膜は厚みが均一で、連続で、滑らかで且つほぼ700%
のIll!論密度でピノホールのないものか望ましい。
又、銅蒸着に使用される典型的な条件下で被膜は識別し
得る円柱状組織を有している。年1フィルム/アルミ担
体の組合せは、高分解能プリント配線基板の製造に特に
用途を有する銅被覆アセンブリの生産に於ける前駆体で
ある。
得る円柱状組織を有している。年1フィルム/アルミ担
体の組合せは、高分解能プリント配線基板の製造に特に
用途を有する銅被覆アセンブリの生産に於ける前駆体で
ある。
銅の蒸着工程に於いては、銅をバー速でるりlけから蒸
発させt必四があり、イ斬<低いガス含量の栖めて高純
度の鋼を使用すhば蒸着工程には特別な問題は何ら生じ
ない。
発させt必四があり、イ斬<低いガス含量の栖めて高純
度の鋼を使用すhば蒸着工程には特別な問題は何ら生じ
ない。
銅/担体製品箔の4オ料費を低減するためには(ガス含
量に関して)より低純度の銅を使用するのが望ましい。
量に関して)より低純度の銅を使用するのが望ましい。
しかしながら、不純物(例えばかなりの量のガス含量)
を有する銅を使用する場合、るつぼ内で起こるガス放出
によりしばしばるつぼから少量の溶融銅塊が飛散する。
を有する銅を使用する場合、るつぼ内で起こるガス放出
によりしばしばるつぼから少量の溶融銅塊が飛散する。
典型的には約ズ〜70ミクロ/の直径の小球状の溶融塊
はアルミ箔1!、i体の製造表面に衝突し、その結果得
られる薄り体にある種の欠陥が生じる。これらの欠陥は
次の2つのタイプのものである。すなわち、溶融鋼塊が
既に4+υ段された担体箔の鋼面にぶつかると、冷却と
ともに収縮し銅フィルムが裂ける。#蹄されていない箔
担体に溶融塊がぶつかる場合には、かなり太きいかたま
りとなり高分解能プリント配線基板上には受け入れられ
ないものとなる。このブリメト配線基板の製造にはりフ
ン7等及びグレイニl壮等の発明の銅/アルミ担体積層
前駆体が使用される。
はアルミ箔1!、i体の製造表面に衝突し、その結果得
られる薄り体にある種の欠陥が生じる。これらの欠陥は
次の2つのタイプのものである。すなわち、溶融鋼塊が
既に4+υ段された担体箔の鋼面にぶつかると、冷却と
ともに収縮し銅フィルムが裂ける。#蹄されていない箔
担体に溶融塊がぶつかる場合には、かなり太きいかたま
りとなり高分解能プリント配線基板上には受け入れられ
ないものとなる。このブリメト配線基板の製造にはりフ
ン7等及びグレイニl壮等の発明の銅/アルミ担体積層
前駆体が使用される。
本発明のデバイスに於いては、融解する銅のいかなるガ
ス放出及び溶削+ @lnl j鬼のいかなる117″
I出をもある一定の囲いの中に限定することにより、前
記の如き溶融錫を捕獲し且つ箔担体への衝撃を回避する
。
ス放出及び溶削+ @lnl j鬼のいかなる117″
I出をもある一定の囲いの中に限定することにより、前
記の如き溶融錫を捕獲し且つ箔担体への衝撃を回避する
。
発明の記述
電子ビーム蒸発器に使用される基本的なるつぼ構造体は
、るつぼ受人と流通しており育つ自動ワイヤ供給手段に
漕って配置された長手方向に伸びるトラフを嬰(+ii
i l、ている。該トラフの少なくとも外端は液体で冷
却されたシールド即ちフードに荀われでおり、該フード
は該トラフと共にトラフ内の謬融金属供給物に対して閉
じた囲いを形成する。
、るつぼ受人と流通しており育つ自動ワイヤ供給手段に
漕って配置された長手方向に伸びるトラフを嬰(+ii
i l、ている。該トラフの少なくとも外端は液体で冷
却されたシールド即ちフードに荀われでおり、該フード
は該トラフと共にトラフ内の謬融金属供給物に対して閉
じた囲いを形成する。
制御された速度でワイヤ供給手段を離れる固体金属緋供
給物は、フードの下を通過し、トラフ内の金FA(るつ
ぼから与えられる熱によって溶融状態に保たれている)
中に入り融解する。該ツー1−の断面寸法は、効率のよ
い融解を可能にすべく充分小さく、融11116する金
属供給物のガス放出を可能にし且つ気体生成物を無害に
離脱させ得るべく充分大ぎい。供給金属のいかなる噴出
溶融塊もシールドの内壁に当たり凝結する。必要が生じ
たときはシールドを取り外し、洗浄して再度設置する。
給物は、フードの下を通過し、トラフ内の金FA(るつ
ぼから与えられる熱によって溶融状態に保たれている)
中に入り融解する。該ツー1−の断面寸法は、効率のよ
い融解を可能にすべく充分小さく、融11116する金
属供給物のガス放出を可能にし且つ気体生成物を無害に
離脱させ得るべく充分大ぎい。供給金属のいかなる噴出
溶融塊もシールドの内壁に当たり凝結する。必要が生じ
たときはシールドを取り外し、洗浄して再度設置する。
本発明の特徴は特許請求の範囲に特筆したが、その構成
、実施方法並びに目的及び効果は、添付の図面を参照し
た以下の記載から最もよく理解できるであろう。図面中
いくつかの図で類似の要素は同じ番号で示す。
、実施方法並びに目的及び効果は、添付の図面を参照し
た以下の記載から最もよく理解できるであろう。図面中
いくつかの図で類似の要素は同じ番号で示す。
発明の実施及び使用の仕様及び方法
第1図の梨fj?tに於いて、蒸着被覆装fFj1’l
の真空チャツバ11は、例えば米国特許出願第グ9り0
79号の発明を笑施し得る7組の作例成分を含む。アル
ミ箔担体シート13は配給ロール14から出て、コーテ
ィングドラム1,6の表面に接触し、表面に銅の超薄フ
ィルムが(14成された後、巻取りロール17に受け取
られる。液体冷却材(図示せず)がコーティングドラム
1日内を循環し蒸着工程中ドラムとこれに接触している
箔13の温度を制σ印する。作例システムに必安な他の
成分、例えば真空ポンプ、制御手段、電源、電子ビーム
蒸発器中に冷却材を循環させる手段、等は本発明の7部
ではないので記載しない。
の真空チャツバ11は、例えば米国特許出願第グ9り0
79号の発明を笑施し得る7組の作例成分を含む。アル
ミ箔担体シート13は配給ロール14から出て、コーテ
ィングドラム1,6の表面に接触し、表面に銅の超薄フ
ィルムが(14成された後、巻取りロール17に受け取
られる。液体冷却材(図示せず)がコーティングドラム
1日内を循環し蒸着工程中ドラムとこれに接触している
箔13の温度を制σ印する。作例システムに必安な他の
成分、例えば真空ポンプ、制御手段、電源、電子ビーム
蒸発器中に冷却材を循環させる手段、等は本発明の7部
ではないので記載しない。
電子ビーム蒸発器20はその本質部分に電子源(り/ゲ
ステン陰極フイラメ7)21)、永久磁石22及びグラ
ファイト製るつぼ23を含む。陰棲21を加熱すると電
子が放出され、かくの如く生成した電子ビームは磁石2
2(及び図示していない補助永久研石と電磁石)により
プログラム的に偏向されて点、、<’N 24で規定さ
れる一般的経路を通ってるつ(・グツ3内に収容された
浴融金属2日の所定標的領域に衝突する。該るつぼ23
は水冷式銅支持ブロック中に配置されたグラファイトラ
イナからなっている。電子ビームが衝喋した標的’ij
!’1域内のK(融金属、この場合は鋼、は蒸発し隣接
液体鋼によって補充される。
ステン陰極フイラメ7)21)、永久磁石22及びグラ
ファイト製るつぼ23を含む。陰棲21を加熱すると電
子が放出され、かくの如く生成した電子ビームは磁石2
2(及び図示していない補助永久研石と電磁石)により
プログラム的に偏向されて点、、<’N 24で規定さ
れる一般的経路を通ってるつ(・グツ3内に収容された
浴融金属2日の所定標的領域に衝突する。該るつぼ23
は水冷式銅支持ブロック中に配置されたグラファイトラ
イナからなっている。電子ビームが衝喋した標的’ij
!’1域内のK(融金属、この場合は鋼、は蒸発し隣接
液体鋼によって補充される。
得られた蒸気は箔13に接触し、所望の厚み及び所望の
結合強度で箔−ヒに付着する。ブール26への銅の補充
は1打(制御された銅イ雫供給によって行なわれる。ス
プール32から出た線:31は、電Ir1J式ワイヤ1
1(給’%動機構33によって、るつぼ23と流通して
いるトラフ34に含まれるブール26の延伸部26a中
の既に溶融している鋼と接解せしめられる。
結合強度で箔−ヒに付着する。ブール26への銅の補充
は1打(制御された銅イ雫供給によって行なわれる。ス
プール32から出た線:31は、電Ir1J式ワイヤ1
1(給’%動機構33によって、るつぼ23と流通して
いるトラフ34に含まれるブール26の延伸部26a中
の既に溶融している鋼と接解せしめられる。
第1図及び第2図に示されているように、ワイヤとして
供給される固体金属はある下向きの角度をもって液冷シ
ールド36の下を通過し、溶融フ。
供給される固体金属はある下向きの角度をもって液冷シ
ールド36の下を通過し、溶融フ。
−ル延伸部2Raへの衝突点はシールド36で覆われる
領域の下になるようにされている。ワイヤ31は溶融金
属と接触すると融jQ11′シ、融解に除して(・がな
るガス放出(即ち、醪解気体不純物例えば酸素、窒素及
び二酸化炭素の発生及び/又はある種の酸化物又は窒化
物汚染物の分解)が起こっても、′それはシールド36
の下で起こる。従って、このガス放出によって引き起こ
さhる溶融金属塊のいかなる噴出物も、シールド36に
固定されたコイル36aに冷却材を循環させることによ
って冷却されているシールド36の下1角を打つ。融解
が起こる場所からるつぼ23内の蒸発が起こる標的領域
まで溶融錫が移動する時間まで、含有不純物のガス放出
による影響は天性的に完全に除去されるであろう。蒸発
器20の所望の作動を確立する磁場を乱さないために、
シールド3日は磁化し得ない材料、例えばオーステナイ
トステンレス鋼で作ら牙する。
領域の下になるようにされている。ワイヤ31は溶融金
属と接触すると融jQ11′シ、融解に除して(・がな
るガス放出(即ち、醪解気体不純物例えば酸素、窒素及
び二酸化炭素の発生及び/又はある種の酸化物又は窒化
物汚染物の分解)が起こっても、′それはシールド36
の下で起こる。従って、このガス放出によって引き起こ
さhる溶融金属塊のいかなる噴出物も、シールド36に
固定されたコイル36aに冷却材を循環させることによ
って冷却されているシールド36の下1角を打つ。融解
が起こる場所からるつぼ23内の蒸発が起こる標的領域
まで溶融錫が移動する時間まで、含有不純物のガス放出
による影響は天性的に完全に除去されるであろう。蒸発
器20の所望の作動を確立する磁場を乱さないために、
シールド3日は磁化し得ない材料、例えばオーステナイ
トステンレス鋼で作ら牙する。
7つの構成で試験したところ、銅は23j、7/分とい
う高速度で9好に蒸発し蒸発器から溶融錫が1質量する
ときの問題も生じないことが判明した。
う高速度で9好に蒸発し蒸発器から溶融錫が1質量する
ときの問題も生じないことが判明した。
これらの試験では、るつぼとトラフはいずれも深さ3
/ g’cI’rグラファイト製であり、るつぼの内径
は/′/2“であり、トラフは(るっ6ヂと一体に作製
されており)長さ約3 /7. uで幅3/グ〃であっ
た。シール1へは第3図に示すように、(J−状フード
であり、冷却した。シールドの内面に凝結した銅は、表
面が冷却されているために全屈間化合物の形1i5が沖
1避されるので、容易に除去できた。
/ g’cI’rグラファイト製であり、るつぼの内径
は/′/2“であり、トラフは(るっ6ヂと一体に作製
されており)長さ約3 /7. uで幅3/グ〃であっ
た。シール1へは第3図に示すように、(J−状フード
であり、冷却した。シールドの内面に凝結した銅は、表
面が冷却されているために全屈間化合物の形1i5が沖
1避されるので、容易に除去できた。
本発明の構1戊要素の眞型的な寸法は次のとおりである
。
。
トラフ幅 約//、2(約/′4“
深さ 約///l−(約/〃
全長 約2“〜約汐”
るつぼ内法半径 約3/g〃〜約λ“
深さ 約//ψ′〜だ
壁厚 約//g〃〜約3/グ〃
上記寸法は、(a)均一の深さ、(1))はぼ直円柱状
のるつぼ、及び(C)矩形断面のトラフを有する単一る
つぼ一トラフ合体構造のものの寸法であるが、るつぼ容
積とトラフ容積との間の同等な容積関係が得られる限り
他の形状、断面積及び容積も使用し得る。とのようにす
ると、るつぼ内の溶融錫の熱容量によって、トラフ内の
銅が液体状態に維持される。
のるつぼ、及び(C)矩形断面のトラフを有する単一る
つぼ一トラフ合体構造のものの寸法であるが、るつぼ容
積とトラフ容積との間の同等な容積関係が得られる限り
他の形状、断面積及び容積も使用し得る。とのようにす
ると、るつぼ内の溶融錫の熱容量によって、トラフ内の
銅が液体状態に維持される。
第9図に平板の冷却式シールド40を示す。これは別に
支持手段(図示せず)を必要とし、史に、スラグバリヤ
41を使用すると容器34内で発生するスラブがるつぼ
23内に入るのが防止される。
支持手段(図示せず)を必要とし、史に、スラグバリヤ
41を使用すると容器34内で発生するスラブがるつぼ
23内に入るのが防止される。
銅支持ブロック23中に冷却材を循環させるための手段
42を部分的に示した。シールド40の寸法(即ち長さ
及び幅)は、溶融錫が浴26aから噴出してアルミ担体
13に衝突する照準内のいかなるぶつかりをもブロック
するようになっている。
42を部分的に示した。シールド40の寸法(即ち長さ
及び幅)は、溶融錫が浴26aから噴出してアルミ担体
13に衝突する照準内のいかなるぶつかりをもブロック
するようになっている。
平板シールドを使用するのは、7個より多い蒸発器を用
いて並置しこれら梅一枚のシールドで覆う装置に於いて
好ましいことである。
いて並置しこれら梅一枚のシールドで覆う装置に於いて
好ましいことである。
るつぼライナはグラファイト製、又は溶融錫に対して不
活性な他の材料例えばマグネンア又はアルミナ製でよい
。オーステナイトステンレス鋼以外のノールミー利刺も
、非硲性であり目つ蒸着中の作動条件にさらされても有
害な影響を受けないものならば使用し得る。
活性な他の材料例えばマグネンア又はアルミナ製でよい
。オーステナイトステンレス鋼以外のノールミー利刺も
、非硲性であり目つ蒸着中の作動条件にさらされても有
害な影響を受けないものならば使用し得る。
スラグバリヤはトラフを横切って延伸し、トラフの頂部
と同じgさ又は少しトラフ内に引っ込めて設置すべきで
ある。典型的な寸法は断面で約//’l″×//グ〜約
/“×/〃の範囲である。
と同じgさ又は少しトラフ内に引っ込めて設置すべきで
ある。典型的な寸法は断面で約//’l″×//グ〜約
/“×/〃の範囲である。
以上述べたように、本発明の装h/−fは、供給金属の
ガス放出中に銅浴がら]1σ出して被ルすべき、、+、
l:体に突きあたる照準内での溶融錫のいがなる動きを
もさえぎるような構造で、供給金属の17¥111リイ
及びカス放出を隔離することによって、製品の質は勿論
被接操作の実施を大巾に改良する。即ち、この手段によ
って、M解ガス含計と分解して気体生成物を放出する他
の不純物の含量との双方の童味でがなり低い純度の供給
金属材料の使用が可Vi目になる。
ガス放出中に銅浴がら]1σ出して被ルすべき、、+、
l:体に突きあたる照準内での溶融錫のいがなる動きを
もさえぎるような構造で、供給金属の17¥111リイ
及びカス放出を隔離することによって、製品の質は勿論
被接操作の実施を大巾に改良する。即ち、この手段によ
って、M解ガス含計と分解して気体生成物を放出する他
の不純物の含量との双方の童味でがなり低い純度の供給
金属材料の使用が可Vi目になる。
従って、材料費及び投資設備の利用の両市fで節約が実
現され得る。
現され得る。
本発明はグレイ二組(Grey 、 Jr −)の79
g3年g月、2′?日付米国特許出願第32’l乙7.
2号に開示された「電子ビーム蒸発器用溶融金属供給装
置」と題する発明に関わるものである。グレイ二組(G
rey・Jr、 )の該出1顧は本出騨Hと同時に出願
され本発明の該受入に譲渡されている。
g3年g月、2′?日付米国特許出願第32’l乙7.
2号に開示された「電子ビーム蒸発器用溶融金属供給装
置」と題する発明に関わるものである。グレイ二組(G
rey・Jr、 )の該出1顧は本出騨Hと同時に出願
され本発明の該受入に譲渡されている。
第1図は、本発明のるつぼ一トラフ構成を示す貞空チャ
ツバ一部断面概略図であり、チャツバが移動基体に金属
蒸着するために配列された電子ビーム蒸発器の残部と共
に作動するように配置されている構成を示めす図である
。 2I′I;ス図は、第1図に示したるつぼ一トラフの鉱
大断佃図である。 第3図は、第2図の線3−3での断面図である。 第グ図は、本発明の改良した構成を示す断面図である。 11・・真空チャツバ、2・〔1電子ビーム蒸発器、2
3 ・るつぼ、26・・溶融金属、31・・・金属線、
33・・ワイヤ供給電動手段、34・・トラフ、36,
40・・・シールド、36a・・・冷却手段、41 ・
バリヤ手段。 一石か1″l
ツバ一部断面概略図であり、チャツバが移動基体に金属
蒸着するために配列された電子ビーム蒸発器の残部と共
に作動するように配置されている構成を示めす図である
。 2I′I;ス図は、第1図に示したるつぼ一トラフの鉱
大断佃図である。 第3図は、第2図の線3−3での断面図である。 第グ図は、本発明の改良した構成を示す断面図である。 11・・真空チャツバ、2・〔1電子ビーム蒸発器、2
3 ・るつぼ、26・・溶融金属、31・・・金属線、
33・・ワイヤ供給電動手段、34・・トラフ、36,
40・・・シールド、36a・・・冷却手段、41 ・
バリヤ手段。 一石か1″l
Claims (7)
- (1) 真空チャツバ内に配置イtされた電子ビーム蒸
発器のるつほに金属を定年供給する装置であって、作動
中、金属1腺がワイヤ供給駆動手段によって供給源から
制fd1町仲な速1ビで供給され目つ^fI記るつぼ内
に収容された溶融金(・14中に固体状態で導入される
装置に於いて、 /端で前記るつぼに接続し旧つ前記るつぼと流通してお
り他端で閉じている長手方向に延伸するトラフ状容器で
1佑って、前記るつぼの体積寸法に対してへ口肥るつぼ
内の溶融胴の熱容)11゛によって前記容器内の銅を液
体状態に維持する。t 5な体積寸法を有する前り己容
器と、 前記容器に対して並置された非礎性シールド手段で/+
6って、少なくとも、前記ワイヤ供給1.ソス・+il
J 手段によって前記容器に誘導供給さ」する金属線が
11f記シ一ルド手段の下を通過してhil記芥器に入
るのに充分な間隔で前記容器から離隔されている前記シ
ールド手段と、 前記シールド手段の冷却手段との組合せを有し、これに
より、前記容器の溶融鋼中に入って融解する金属線のガ
ス放出によってiif記料器から噴出させられる溶融鋼
塊が、前記シールド手段の下面に衝突するようにしたこ
と務特徴とする装置。 - (2)るつ1升及び容器がグラファイト[裂であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の装置。 - (3) 史に、容器の上部でるつぼに近い位置に配置さ
れ、前記容器内溶融鋼上に浮遊するスラグが前記るつぼ
に入ることを防止するためのバリヤ手段を含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1頂に記載の装置。 - (4) シールド手段がオーステナイトステ/シ/ス鋼
製であることを特徴とする特許請求の帥、間第1項に記
載の装置。 - (5) シールド手段が平板であることを特徴とする特
許請求の範囲第グ項に記載の装置。 - (6) シールド手段が、IJ−字形断面をしており、
容器をまたいで−旨り目、つ容器から離隔して(・るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第グ項に記載の装置。 - (7)るつほと容器が一体に形成されて(・ることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の装置(8)るつ
ぼの平面形状は円形であり、その内法半仔が約3/g″
〜約ス″の範囲であり、目つるつぼが幅約//、2“〜
約/′4″で1文さ約ス“〜約5′/のトラフと一体に
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第7項
に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US52761883A | 1983-08-29 | 1983-08-29 | |
US527618 | 1983-08-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6086271A true JPS6086271A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=24102242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59177627A Pending JPS6086271A (ja) | 1983-08-29 | 1984-08-28 | 電子ビ−ム蒸発器るつぼ用溶融金属供給トラフ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6086271A (ja) |
DE (1) | DE3428651A1 (ja) |
FR (1) | FR2551091B1 (ja) |
GB (1) | GB2145872B (ja) |
IT (1) | IT1176625B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3801957A1 (de) * | 1987-04-23 | 1988-11-10 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren und einrichtung zur verdampfung mittels bogenentladungsverdampfer |
DE4125350A1 (de) * | 1991-07-31 | 1993-02-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum beschichten von werkstueckflaechen |
GB2373744A (en) * | 2001-01-06 | 2002-10-02 | Valmet General Ltd | Coating a flexible web with a metal |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2693521A (en) * | 1951-12-26 | 1954-11-02 | Alexander Vacuum Res Inc | Heater for vacuum metalizing apparatus |
FR1488358A (fr) * | 1966-03-15 | 1967-07-13 | Lokomotivbau Elektrotech | Procédé de métallisation sous vide de grandes surfaces et dispositif pour sa mise en oeuvre |
FR1527305A (fr) * | 1967-06-13 | 1968-05-31 | Hermsdorf Keramik Veb | Dispositif pour la vaporisation de matières sous vide |
-
1984
- 1984-04-27 GB GB08410770A patent/GB2145872B/en not_active Expired
- 1984-08-03 DE DE19843428651 patent/DE3428651A1/de not_active Withdrawn
- 1984-08-22 FR FR848413064A patent/FR2551091B1/fr not_active Expired
- 1984-08-22 IT IT22385/84A patent/IT1176625B/it active
- 1984-08-28 JP JP59177627A patent/JPS6086271A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2551091B1 (fr) | 1989-06-30 |
FR2551091A1 (fr) | 1985-03-01 |
IT8422385A0 (it) | 1984-08-22 |
GB2145872B (en) | 1987-02-18 |
DE3428651A1 (de) | 1985-03-14 |
IT1176625B (it) | 1987-08-18 |
GB2145872A (en) | 1985-04-03 |
GB8410770D0 (en) | 1984-06-06 |
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