JPS5826250A - プラスチツク製品の老化状態を決定する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は赤外線放射による分析によシブラスチック製品
のエージング（老化）状態を決定する方法に関する。こ
のような方法は既知である。

通常便用されている製品がもはや使用するための必要条
件を満足させないような程度まで材料が老化するので、
例えば枠（クレート）のようなあるプラスチック製品の
エージング状態を知ることは重畳である。このような老
化した製品が信号を発生することができれば、これらの
製品を選択しか°つ除去することができよう。

長期間多量に使用される製品は見かゆ上は１旬じてあっ
ても品質についてＬ実際にＬ必ずしも同じである必要は
ない、飲料を包装するために使用される前述し九ような
枠のような製品について１１年数が経過するにつれて膨
張によ）且つなくなった製品の堆シ替えによシ新しい品
物を付加するのが普通であシ、種々の年代の製品が混ざ
シあっている。これらの製品を見かけだけで識別するこ
とは難しいが、製品の一部には欠陥があるかもしれない
。

品質の劣化については、材料に対する紫外線放射、高温
および材料の内部の不安定のような棟々の原因が知られ
ている。老化し過ぎたこれらの製品を早く識別すること
が肝要である◎その理由は欠陥製品を早期発見しなけれ
ＩｒＪ′便用中または操作中に破壊して作業員および／
または作業環境に危険な状態が起るかもしれない〃・ら
である。

視覚による選別はいずれにしても仇軸性が極めて低い。

エージング状態を決定する別の方法は小さいテスト、バ
ーによシ９１Ｊ撃強さの値を決定することである。この
方法は侶頼注があ／ｂか、試験のために製品を破駅しな
ければならない。

これらの種類のいくつかの試験方法があるが、すべて製
品の破壊を伴なう。

また、赤外線放射によシ製品から剥ぎ落した僅小量の材
料を分析する最初に述べた方法がある。この方法鉱製品
の質の劣化が材料の変化から生ずることを前提条件とし
ておシ、またこれらの材料の表面層の変化が「良好」な
材料とは真なる形で赤外線放射の吸収を生ずることが知
られている。この趣査方法のため釦、材料の薄い層が表
面から削られる。この試験方法は破壊を伴なＬないが、
試験に多大な時間を袂し、それ故に老化した製品を連続
して除去可能であるという観点からは１人の作業員が多
数の製品に対して作業するような工場での連続チェック
に対しては全く適していない。

本発明はこの問題の解決方法を提供するものであり、且
つ製品のチェックを非常ＫＮｌ率Ｋかつ迅速に連続して
行うことが可能な方法および適当な′Ｉ＆置を提供する
ものである。

本発明による方法は赤外線放射を製品に通し、製品の材
料の吸収を決定しかつ前記吸収を製品のエージング状態
の利足基準として使用することを特徴としている。

本発明線材料の内部に起っている可能性のあるエージン
グ現象を赤外線分析によシ検出できるという驚異的な発
見に基づいている。一般的には、２００ｃｌｎ−１と４
．ＱＱＱｃｍ−１との間の波数を有する赤外線領域中に
あるすべてのプラスチックが時間の経過につれて変化す
る吸収スペクトルを発生することが判明している。さら
にまた、材料のこれらの変化が実際問題として鰍もＴｉ
Ｌ費である機械的性實と直接に関係があることか判明し
ている。また、いかなるプラスチック材料についても吸
収スペクトルにおいであるピークまたは谷があシ、この
ピークま九は谷が吸収スペクトルの残シの部分よりもエ
ージングによシさらに９１く変化することが判明してい
る。これはエージング中に化学的および／または物理的
便化が起シ、その結果あるスペクトル領域においてより
強い吸収が起るかまたはある化合物が消失しそれによシ
ある領域における吸収値が減少するものと考えられる。

当然のこととして、このような領域は特に本発明による
分析に使用することができる。−例として、びんの枠と
して屡々便用される高密度ポリエチレｙ（ＨＤＰ］ｎ）
を―査した結果、このようなピークがほぼ１６９０５Ｉ
−１と１７４Ｑｃｍ−１との間の領域に発生し、最も大
きい変化が１６９０儂−１と１７２０ａｌｔ″″１との
間で起るといえる。材料の内部でのこれらの変化が表面
に発生し従って表面から材料を掻き落す前述した従来の
方法で観察される変化よシも若干具なる波数で起ること
が判明した０例えばＨＤＰ’Ｋについて述べると、遊離
基（エステル）の発生が薄い表面層におけるエージング
の最も重要な原因であり、一方カルボニル基の発生が内
部のエージングの主な原因であると考えられる。そのう
え、前者は全く迅速に起シ、後者は長時間経過して始め
で起る。材料の縮合的な機械強度とその内部構造との間
には一層強い関係があるので、エージング試験としての
本発明の方法は表面現象の影響が優勢である非常に薄い
膚を分析する方法よりも一層信頼性があると考えられる
。赤外線放射をほぼ４關までの厚さを有する枠の壁部に
通すことによシ枠を満足な状態で試験することができた
。

前述した赤外線放射の非常に広い領域において吸収曲線
が時間の経過につれて変化するという事実から、広い領
域において赤外線放射を発生させる赤外線放射源を用い
て分析を行うことができることになる。しかしながら、
本発明によれば１Ｑｃ１１−１と１００２”との間であ
シ、好ましくは約５１″″１と約４００ＩＩ−１との間
のより小さいスペクトル幅を有する放射線を使用して分
析を行うことが有利である。このようＫして、前述した
特殊のピークにおける測定のために既存のフィルタを使
用することができる。そのうえ、この浜、定は吸収曲線
が明瞭な変化を示し噂得られた信号の情報内容の精度が
高いスペクトル領域内に限定することができる。

さらに％第１（ｇＩ＋２）測定に使用した領域と重複せ
ずしかも吸収曲線がエージング状態に依存しない異なる
波長領域で第２回の測定を行うことができる。このよう
にして、エージング状態のための付加的な判定基準が得
られる・ 当然のことであるが、検出方法全体にわたつて校正（キ
ャリブレーション）を実施することができる。この校正
は枠の機械的性質に基づいて連続して変化する吸収値と
関連したエージングの状態の許容度の限界との関係を−
たん決定する〇 本発明はまた赤外線放射による分析によりプラスチック
製品のエージング状態を決定するための装ｆｌｔＫ関し
、前記装置は少くとも１個の赤外線放射源と、１個のセ
ンナと、さらにに験されるべき材料を搬送するための１
個の搬送装置トラ備えている。従って、この装置ｌｌＬ
は妹き取った非常に薄い表面積を分析する方法から知ら
れていると思われる。

本発明による装置は搬送装置が試験されるべき全製品を
搬送するようになっておシ且つ放射線を少くとも搬送装
置上に配置された製品の一部に通すように赤外線放射源
およびセンナが配置されていることを特徴としている。

処理速度を促進するにあたυ、この促進は搬送装置を試
験されるべき製品を供給しかつ放出することができるラ
インとすることによシ実施することができる。前記ライ
ンはコンベヤベルトであることが好ましい。

さらに、この装ｋＫは検出結果を処理するために任意の
所望の型式の信号発生装置を接続できることは明らかで
あろう。さらに詳しく述べると、作業員が介入できるよ
うに可視または可聴信号発生装置が関連してくる。

また、質が劣化しておシ従って除去すべき製品が発生す
ると直ちにラインを停止することも可能である。最後に
、許容しうる製品と質の劣化した製品とをコ／ベヤライ
ン上の所定のスペースで分離するように信号発生装置を
構成するのは専門家が所望どおりに実施できよう。

以下、本発明を添付図面について詳細に説明する。

第１図には同一組成の高密度ポリエチレン製品のエージ
ングの異なる状態に相当する三つの吸収曲線を示しであ
る。便宜上、三つの曲線を一つの図に集めたが、しかし
各々の曲線はＭ座標に沿ってそれ自体のゼロ点を有して
いる・曲、ｗｌは若くかつ機械的には提案されたすべて
の必要条件を満足する製品に相当している。一般的には
吸収値が比較的に低いことが理解されようａ 曲線２は機械的には「全く良好」であると証明されてい
る製品の吸収を示している。曲−５は非常に愁いことが
判明しかつ不適格として取り扱わなけれはならない製品
に相当している。

一般的に述べると、吸収スペクトルのコースは同一に保
たれる。ｆＪ　１６９　Ｑｍ−１と１７４ＱＣｍ−１と
の間の領域で単一の高いピークとして端に見られる互い
に接近した１組の小さいピークが発生していることに気
付かれよう。このピークの下側の領域は明瞭に示すため
に陰影をつけである。このピークはカルボニル基による
吸収に関連し、またカルボニル基による吸収は合成物質
の化学的および／ｌたは物理的組成の変化の観点からポ
リエチレンのエージングの程度に起因するものと考えら
れている。それ故に、この物質の場合には、例えば１７
０　Ｑｃｍ−１ないし１７４０ｃｉｔ−１の範囲のスペ
クトル暢を南する放射縁による分析が最も高い感度を生
ずることは明らかである。また、異なる組成の合成物質
に対しても亦外細放射に対するこのような特定の吸収の
変化が社められることか判明した。また、１７４０１−
１の付近で小さいピークが極めて迅速に発生することが
判る。これはエステルの形成に起因すると考えられる表
面に近い変化によって惹き起される。１６９　ＱｃＩＬ
−１と１７２０！−’との間のその他のピークは物質の
厚さを通して固有の機械的強度を試験するさらに信頼し
うる手段である。

第１図に示した曲線はこれらの曲線から検出のための校
正値を導き出すことができるように選択されているＯ測
足は次のように説明することができる。曲線２のピーク
に相当する値よりも低い沖」定のために使用されるスペ
クトル領域におけるすべての吸収値が許容され、ま友曲
縁２に相当する値よりも高いすべての値は問題の製品を
不適格化させる。

エージングが大幅に変動する一連の製品のチェックに関
しては、すべての製品の初期の化学的組成が全く同じで
あったとはいい難い。この方法においてこのような異な
る初期のａηに対処するために、それ自体を単一の波長
領域に制隈しないでしかも別の測定を異なる波長値で行
うことを当然選択することになる。第１図が関係してい
る高密度ポリエチレンの場合にはｔこの目的の九めＶｃ
１７６０２−１と１８００ＣＩ＋−１ト（７）ｉ４のス
ペクトル領域において放射線を使用することができる。

その場合に社、これらの二つのスペクトル領域における
二つの６１１＋定の結果を比較することＫよシ、付加的
な情報が得られる。各々の試料のために、二つのスペク
トル領域においてａ定された吸収値の比を用いることが
できる。しかし、スペクトル置載の一方および他方にお
ける吸収値の比の対数を取る場合にさらに明瞭な結果が
得られる。

この方法を脱明すると、この方法を適用するための装置
を種々の方法で具体化できることが明らかになろう。一
つの考え方を示し且つ本発明の効果の一つ、すなわち非
破壊測定を連続的に且つ迅速に行うことができるという
事実を例示するために、装置の計画構成を第２図な諭し
第４図について脱明する。これらの図は全く図解的に示
しである・ 全く既知の態様で構成しうるコンベヤ装に４をこれらの
図に示し九〇コンベヤ装置１４は複数個のローラを備え
ているものとして示しである。

試験されるべき枠５かこのコンベヤライン上に直立して
いる。枠５の壁部の一方の側に赤外線供給源６が配置さ
れている。亦外線供給Ｏ１，６は符号７で示したビーム
が符号８で示されかつ枠５を把持することができる開口
部９の上方に配置された位置で砕５の壁、部の側部を通
過できるように試験されるべき枠５から上方のある高さ
に配置されている。この配置はエージング３Ａ象に対す
る感度がこの開口部９の上方の位置で最も高いことが判
明したために行わなければならない、枠５の壁部の他方
の側に赤外線センサ１０が設けられ且つ処理および表示
装ｆ１ｔ１１に接続されている。

第４図は測定装置をより大きい縮尺でさらに評ｌａＫ示
した装置の部分横断面図である。把持用開口部９を有す
る枠５の壁部を示し、かつ赤外線放射のビーム７が枠５
の壁部を通過す゛る第３図に同様に符号８で示した開口
部９の上方の位置を示しである。赤外線トランスイッタ
６および検出器１０を採種するために、遮蔽構体１２が
枠の頂部の上方に且つその側方にｆｆｆｆられている。

この遮蔽構体１２は赤外線エネルギを伝送する２個の窓
１３および１４を有している。！ｌ蔽構体１２は同時に
トランスばツタ６および検出器のための支持桝体の役目
をすることができる１ｗＪ４図は赤外線ビームを下方に
約４５＠の角度に向けるようにトランスずツタ６および
検出器１０を配置することによシビームを位ｔ８におい
て枠の壁部を通過させ且つ枠５の正確な位置についであ
る程度の横方向の公差が許容されるように寸法を決定す
ることかでき、破線で示し九枠５′はビームが枠の壁部
を依然として通過することを示しているＯ コンベヤ４に沿ったあるその他の適当な位置において、
すべての塵埃、特に液体を特にエージング試験を実施す
べき領域から除去するために空気の噴流を枠の壁部に向
かって吹きつけるノズルのような装ｋ（図示せず）を配
−６することができる。水および油はかなりの蓋の赤外
線エネルギを吸収するので、不正確な測定の原因になる
ことがある。

そのうえ、エージング試験を実施すべき位置における枠
の存在を機械的にまたは光学的に決定するための装置を
設けることができる。これらの装置は測定装置をオンま
たはオフへの切シ換え制御を行うためＪＣｉＦ用するこ
とができる。

仁の方法の［Ｖ、　ＢＡＫ関連して、二つの測定を行う
ための基準があった。これは粉々の方法で実施すること
ができる。当然のこととして、赤外線放射源とそれと組
み合わされたセンサとの間ＫＦｉ適当なフィルタが配置
されている。このようなフィルタは、赤外線放射源が広
いスペクトル領域において放射線を発生する型式である
と想定すると、分析のためにスペクトル領域に配置され
ることが望ましい一一紋に％　＆ＩＪ定ｉ１５ｃｒｌな
いし１Ｑ［ｌｃｓ＋−１の範囲の幅を壱する領域で実施
することができる。さらに特定的に述べると、これは市
販されているフィルタの有効透過幅に相当している。ま
た、別の態様として、放射線が限定されたスペクトル幅
、多くの場合には一つまたＬ複数のいわゆるスペクトル
線の幅を有するレーザのような供給源を使用することが
できる。別の可能性は二つの異なる測定を時間的な順序
で実施するかまたはビームを分割しかう二つの測定のた
めにビームの手部分を個々の光学通路に通すことによシ
２個のフィルタを便用した単一の供給源を使用すること
である。

市販されている赤外線分析装置、例１えば９５７Ｍ工Ｒ
ＡＮ分析装置を使用することにより符号６で示したよう
な赤外線トランスイッタを具体化することができる。こ
のトランスミッタは二つの所定のＭ長において試料に赤
外線を伝送することにより　測定しうる単一ビーム分光
針である。

主要な構成部分は放射源、コレクタミラー、機械的なチ
ョッパ、カムによシ切シ換え可能な干渉フィルタ、パイ
ロ電気検出器および１次信号処理電子装臘である。

操作中、赤外線放射源からの赤外線エネルギは凹面鏡に
よシ集められ、（ロ）転ディスクによ多切断され且つビ
ーム中に交互に配置された狭い帯域を有する２個の干渉
フィルタを通過した後にスリット上に集められる・ 高密度ボリエテレ／を試験するための本発明においては
、１７６５１１−１および１７２　Ｑｍ−１のそれぞれ
において最大の透過率を肩し且つ約２−一１の帯域幅を
有するフィルタが使用されている。

このよう圧して、赤外線ビーム１時間（チョツノ＜）お
よび波長（スイッチングフィルタ）について変調され、
試料に通された後、レンズによシパイロ電気検出器６の
上に呆められる。前飯増幅後、検出器信号は１７２０α
−１および１７６５ａｌ−１のそれぞれにおいて試料の
透過値を表わす試料信号（Ｅ８）および基準信号（Ｂｒ
）に復鉤される。

これらの二つの信号は二つの電流ループによ多制御モジ
ュールに伝送される。制御モジュールにおいて％Ｋｓお
よびＦａｒは対数増幅器を通して多重化されて一１ｏｇ
ｌｉｉｓ　（−Ａｓ　）および−１ｏｇＫｒ（−Ａｒ　
）を表わす二つの信号を発生する。差動増幅器によシ信
号ＡｒはＡ８から減算されて試料の１７２０ＣＩ！Ｌ−
１および１７６５ＱＩ−１における吸収の差に比例する
信号（−Ａｍ）を発生する。

この信号から整合オフセットが減Ｎ（ゼロ校正）され、
そして得られた信号は最適の測定範囲（スパン校正）を
満足させるために整合因子で増幅される。ｒ＆終イム号
は前側パネル１１上のデジタルディスプレイに送られ且
つ標準出力端子ストリップに送られる。そのうえ、制御
モジュールは測定の失敗を指示するためのある識別電子
装置を備えている。

通常、検出器信号ＥｅおよびＢｒの前に増幅はＭ工ＲＡ
Ｎ分析装置によシビーム中に試料がないとき（１００％
透過時）に制麹モジュールの吸収信号ムＳおよびムｒが
ゼロとなるように調節される・ 枠を側足する場合に、期待された透過値は０％と１０％
との間にある。この低い透過範囲は対数増＠器の限定さ
れたスパンとともに小さい使用可能な吸収範囲を生ずる
。それ故に１両方の信号に対する増幅定数紘カルボニル
基の含有量の非常に少ない試料に対しては吸収信号ムｅ
およびムｒがほぼセロにな、るように選択される。そう
することにより、対数増幅器の全スパンがかり定のため
に利用されるようになる・１８およびｌｒＫ対する増幅
定数の差のために、オフセットがム−およびムｒに導入
され、それによジカルボニル出力信号（ムｍｙ）関係に
一定のオフセットを生ずる。実際には、このオフセット
はなんら支障を生じない、すべての測定は可能なかぎシ
蝦も早い応答時間で行われる。

本発明に関連する特定の目的のために、市販されている
分析装置の適応が二つの態様において望ましい。第一に
、約５１である標準の利用しうる自由なパスの長さを約
２０１に増加すべきである。これは赤外線ビームの光学
通路中に追加のレンズを配置することによって行うこと
ができ、このレンズは第４図に符号１５で示しである。

そのうえ、試験装置を商業周枠搬送装置のやや高いコン
ベヤ速度に適応させることが望ましい。これらの高速コ
ンベヤに対しては、分Ｖｒ装置の応答時間を適応させる
ことが望ましい。この分析装置の応答時間の適応は専門
家に襞間を生じないように電子装置を変史することによ
シ行うことができる。例えば、標準分析装置の応答時間
は１．５秒であ）、この応答時間は０．５秒または１秒
に減少させることができよう。これは騒音レベルの上昇
を意味する。騒音は応答時間の平方根に逆比例する。し
かしながら、エージング試験については、この上昇した
騒音レベルはなんら重大な問題を惹き起さない。

【図面の簡単な説明】

＠１図は三つの異なるエージング状態にある一つのしか
も同一の台底物質の吸収スペクトルの一例を示した図、
第２図は枠コンベヤラインに設置された装置を図解する
立面図、第３図は第２図を矢印■−■に沿ってみた横断
面図、そして第４図は測定装置本体の構成をさらに卸細
に且つより大きい縮尺で示した図である。 ４・・・コンベヤ装置、５・・・枠、６・・・赤外線放
射源、７・・・赤外線放射ビーム、９・・・開口部、１
０、・・赤外線センサ、１１・・・処理および表示装置
、１２・・・遮蔽構体、１５．１４°°°窓０□　　波
　　数　（ｃｍ−＋） 第１頁の続、き ０発　明　者　ルーイス・マーリー・スメーツオランダ
国１０５６エヌ・エル・ア ムステルダム・オルテリウスス トラード２３７ハー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）赤外線放射をプラスチック製ＡＫ通し、材料中の吸
   収を決定し且つ前記決定をエージング状態の判定基準と
   して使用することを特徴とする赤外線放射による分析に
   よシブラスチック製品のエージング状態を決定する方法
   ・２）測定されるべき放射の波長値がエージングによっ
   て生じ九プラスチックの化学的および／箇たけ物理的変
   化によシ吸収の変化を発生する位置において選択される
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３）放射のスペクトル幅が５０ＩＥ−１と１ｏｏｃＩＬ
   −１との間で測定される仁とを特徴とする特許請求の範
   囲第１項ま友は第２項のいずれか１項に記載の方法。 ４）放射のスペクトル幅が５Ｃ１ｌ−１と４［］ｃｍ−
   １との間で測定されることを特徴とする特ｎ饋求の範囲
   第３項に記載の方法。 ５）測定が一つまたは複数のスにクトル細で行われるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項また社第２項のい
   ずれか１項に記載の方法。 ６）エージング状態の判定基準として吸収値と予め鉤節
   し九校正値との差が選択されることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項に記載の
   方法・ ７）第２０測定が吸収値がエージングの状態と無関係で
   ある異なる波長領域で行われることを特徴とする特許請
   求の範囲第２項から第６項までのいずれか１項に記載の
   方法。 ８）エージング状態の判定基準として二つの成長領域に
   おける吸収値の比の対数が便用されることを特徴とする
   特許請求の範囲第７項に記載の方法。 ９）選択部材が特許請求の範囲第６項または第８項によ
   り得られた信号によシ制御されることを特徴とする収集
   されたプラスチック製品の中から老化したプラスチック
   製品を選択する方法。 １０）少くとも１個の赤外線放射源と、１個のセンサと
   、試験されるべき物質のための１個の搬送装置とを備え
   九赤外線放射による分析によシブ２スナック製品のエー
   ジング状態を決定する装置であって、前記搬送装置が試
   験されるべき全製品を搬送するようになっておシ且つ前
   記赤外線放射源およびセンサが赤外線放射を少くとも搬
   送装置上Ｋｋ、ｔされた製品の壁部に通すよう罠配随さ
   れていることを特徴とするａｔ。 １１）搬送装置が試験されるべき製品を供給し且つ放出
   することができるラインであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１０項に記載の装置。 １２）前記ラインがコンベヤベルトであることを特徴と
   する特許請求の範囲第１０項Ｖｃｇｅ載の装置。 １３）前記赤外線放射源が一つまたＦｉ複数のスはクト
   ル線を発生させる型式であることを特徴とする特許請求
   の範囲第１０項から第１２項までのいずれか１項に記載
   の装置。 １４）前記赤外線放射源が広いスペクトル領域において
   放射線を発生する型式であることを特徴とする特許請求
   の範囲第１０項から第１２項までのいずれが１項に記載
   の装置。 １５）前記赤外線放射源と前記センサとの胸の光学通路
   に１個のフィルタが配置されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１４項に記載の装置。 １６）赤外線放射源が広いスはクトル領域において放射
   線を発生する型式であシ且つ前記赤外線放射源と前記セ
   ンサとの間の光学通路ＦＣ２個のフィルタが配置されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲Ｗ、１０項から第
   １２項までのいずれか１ｍＫ記載の装置Ｉ！ｃ。 １７）２個の赤外線放射源が使用され、前記赤外線放射
   源の各々が所望の狭いスペクトル領域において赤外−放
   射を発生することを特徴とする特許請求の範囲第１０項
   から第１４項までのいずれか１項に記載の装−０ １８）単一のセンナを配置したことを特徴とする特許請
   求の範ＶＢＡ第１６項または第１７項のいずれか１項に
   記載の装置。 １９）２個のセンサを配−したことを特徴とする特ｔ’
   Ｆｔｉｉｌ求の範囲第１６項または第１７項のいずれか
   １項に記載の装置。 ２０）支持および遮蔽構、体が製品の供給および放出ラ
   インの上方およびその側方に配置され、前記遮蔽構体が
   一方に赤外線トランスビックおよびフィルタ装置を担持
   し且つ他方にル］Ｊ記トランスくツタと組み合わされた
   検出装置を担持し、前記遮蔽構体に赤外線放射を透過さ
   せる窓を設け、赤外線放射を前記窓および前記ライン上
   を通過する製品の一部を２２！遇させるように構成され
   ていることをＩ＃ｆ′４ｉｉ、とする特許請求の範囲第
   １１項から第１９項までのいずれか１項に記載の装置。 ２１）赤外線放射試験を行う前に製品を清掃するための
   装置を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１０１
   Ｊｌから第２０項までのいずれか１９４に記載の装ｋ。