JPS5825052A - 電子顕微鏡 - Google Patents
電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS5825052A JPS5825052A JP11621781A JP11621781A JPS5825052A JP S5825052 A JPS5825052 A JP S5825052A JP 11621781 A JP11621781 A JP 11621781A JP 11621781 A JP11621781 A JP 11621781A JP S5825052 A JPS5825052 A JP S5825052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal representing
- electron
- sample
- circuit
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子顕微鏡Cζ関し、特に顕微鏡写真撮影を行
う際の撮影条件を知ることのできる電子顕微鏡に関する
。
う際の撮影条件を知ることのできる電子顕微鏡に関する
。
電子顕微鏡を用いて写真撮影を行う際−ζ最良の僧質で
写真撮影を行うため電子顕微鏡の収束レンズ電源の調整
を行うが、従来においては操作者の経験と勘1こよって
備質の微妙な良し悪しを判断して11整を行っていた。
写真撮影を行うため電子顕微鏡の収束レンズ電源の調整
を行うが、従来においては操作者の経験と勘1こよって
備質の微妙な良し悪しを判断して11整を行っていた。
そのため調整1ζは熟練と手間を要した。本発明は従来
のこのような欠点を解決し、顕微鏡撮影を行う際の像質
の程度を表示することのできる電子顕微鏡を提供するも
のであり、以下本発明6ζおいて基本となって−る考え
を説明する。
のこのような欠点を解決し、顕微鏡撮影を行う際の像質
の程度を表示することのできる電子顕微鏡を提供するも
のであり、以下本発明6ζおいて基本となって−る考え
を説明する。
電子顕微鏡の分解能は球面収差0色収差、試料照射角等
によって決定される。即ち試料を位相物体と考えた場合
感こ、位相コントラスト伝達関数Bp(K、α、’);
;>は次式のよう基ζ表わされる。
によって決定される。即ち試料を位相物体と考えた場合
感こ、位相コントラスト伝達関数Bp(K、α、’);
;>は次式のよう基ζ表わされる。
9p=90−()、−G、 ・・・・
−tt)ここで80.G(lL、G、はそれぞれコヒー
レントな伝達関数、パーシャルコヒーレントな照射によ
る包絡関数、色収差1ζよる包絡関数を表しており、次
式で与えられる。
−tt)ここで80.G(lL、G、はそれぞれコヒー
レントな伝達関数、パーシャルコヒーレントな照射によ
る包絡関数、色収差1ζよる包絡関数を表しており、次
式で与えられる。
Bc=006(−T−−i−XC8λに+7ΔfA K
) 甲。
) 甲。
・・・ (2)
Ga= sip (−w ” (7) (C,λ3 K
N−ΔfλK)”i・・・・ (8) 1 2 Δv4 G、=axp(−、yr”λ (Ca2−)K l−
−−−−(4)ここで、に1こ空間周波数、αは第1図
dζ示すよう番こ、収束レンズ2によって収束されて試
料11こ入射する電子線1tBの開き角、λは電子線の
波長、C,、C,、Δfは各々対物レンズの球面収差係
数、色収差係数、ディフォーカス量、Vは加速電圧、Δ
Vは電子線のエネルギー−である。
N−ΔfλK)”i・・・・ (8) 1 2 Δv4 G、=axp(−、yr”λ (Ca2−)K l−
−−−−(4)ここで、に1こ空間周波数、αは第1図
dζ示すよう番こ、収束レンズ2によって収束されて試
料11こ入射する電子線1tBの開き角、λは電子線の
波長、C,、C,、Δfは各々対物レンズの球面収差係
数、色収差係数、ディフォーカス量、Vは加速電圧、Δ
Vは電子線のエネルギー−である。
これらのパラメーターのうチ、対物レンズノ球面収差係
数Cs9色収差係数C0は装置の設計によって決tす、
又電子線のエネルギー幅ΔVは使用する陰極材料等で決
まってしまい装置使用者が制御することはできず、装置
使用者が制御し得るパラメーターは試料に入射ンる電子
線の開き角αのみである。そこでαの値が変化すると、
前述した伝達関数BP(K 、α、ΔV/v)がどのよ
う感ζ変化するがを電子計算機を用いて計算し調べると
第2図のような結果が得られた。第2図1alはαが0
.003 (ra(1)f)場合F) Bpli、又@
2図ibLハ(1カ0.000番(rad ) tn場
合のBpを表わしたものである1両図において実線がB
p1表わしており、点線が80を1又一点鎖線がGaを
、二点鎖線がG、Ii−表わし値を有する場合のみを示
したものであるが1αが他の1をとる場合感こついても
検討したところ、αが小さくなるーこ従って伝達関数B
pの帯賊幅が広がり、且つ振幅も大きくなり、形成され
る儂の質が向上することが判り危。従ってαの値を知る
ことができれば、形成される電子顕微鏡儂の質の程度を
知ることができる。ところで、このαは輝度不変の法則
から電子銃の輝度Bと以下の関係式で結びつけられてい
る。
数Cs9色収差係数C0は装置の設計によって決tす、
又電子線のエネルギー幅ΔVは使用する陰極材料等で決
まってしまい装置使用者が制御することはできず、装置
使用者が制御し得るパラメーターは試料に入射ンる電子
線の開き角αのみである。そこでαの値が変化すると、
前述した伝達関数BP(K 、α、ΔV/v)がどのよ
う感ζ変化するがを電子計算機を用いて計算し調べると
第2図のような結果が得られた。第2図1alはαが0
.003 (ra(1)f)場合F) Bpli、又@
2図ibLハ(1カ0.000番(rad ) tn場
合のBpを表わしたものである1両図において実線がB
p1表わしており、点線が80を1又一点鎖線がGaを
、二点鎖線がG、Ii−表わし値を有する場合のみを示
したものであるが1αが他の1をとる場合感こついても
検討したところ、αが小さくなるーこ従って伝達関数B
pの帯賊幅が広がり、且つ振幅も大きくなり、形成され
る儂の質が向上することが判り危。従ってαの値を知る
ことができれば、形成される電子顕微鏡儂の質の程度を
知ることができる。ところで、このαは輝度不変の法則
から電子銃の輝度Bと以下の関係式で結びつけられてい
る。
但し上式において、3aは試料面に照射される電子線の
電流密度であり、xpはプローブ電流、ρは第1図に示
すよう5こ試料1に照射される電子線プローブの半径で
ある。
電流密度であり、xpはプローブ電流、ρは第1図に示
すよう5こ試料1に照射される電子線プローブの半径で
ある。
又、螢光板上において検出される電子線電流密度をコ、
その時の観察倍率tMとすれば3.=z九2であるため
(5)式は以下のように書きかえられる。
その時の観察倍率tMとすれば3.=z九2であるため
(5)式は以下のように書きかえられる。
B=4azM!・・・・・(6)
(6)式又は(6)式より8が測定1ζよって求められ
るとして知ることができればコを測定するI覧その時の
観察倍率Mを知ること1こより、或はコ、を直接的4ζ
測定することIこよりαを算出することができ、従って
算出されたαを表示することもできる。本発明はこのよ
うな考え1こ基づいて成されたもので一撮影条件の糧度
の目安となる試料面上に照射される電子線の開き角αを
表示しようとするものであるへ。
るとして知ることができればコを測定するI覧その時の
観察倍率Mを知ること1こより、或はコ、を直接的4ζ
測定することIこよりαを算出することができ、従って
算出されたαを表示することもできる。本発明はこのよ
うな考え1こ基づいて成されたもので一撮影条件の糧度
の目安となる試料面上に照射される電子線の開き角αを
表示しようとするものであるへ。
以下、第3図に基づき本発明の一実施例を詳述する。第
3図において3はフィラメント3aとウェーネルト電極
6b等より成る電子銃であり、該電子銃6よりの電子線
は第1.第2の収束レンズ4.51ζよって収束された
後試料6Iこ入射する。
3図において3はフィラメント3aとウェーネルト電極
6b等より成る電子銃であり、該電子銃6よりの電子線
は第1.第2の収束レンズ4.51ζよって収束された
後試料6Iこ入射する。
試料6を透過した電子線KBは対物レンズ7、中間レン
ズ8.投影レンズ9から成る結像レンズ系基こよって螢
光板10上に結像を結ぶ。It、12はαを調節するた
めの収束レンズ4.5の電源であり、15,14.15
は倍率を制御するための各々レンズ7.8.9の電源で
ある。16はこれらレンズ電源15,14.15t−制
御すること1こより倍率を制御する倍率制御回路であり
、盤制御回路161とよって設定された倍率Mt−表わ
す信号はAD変換器17t−介して演算回路186ζ供
給される。螢光板10を介して流れる電子線電流は電流
密度検出回路19番ζお−で検出され、更1c該検出さ
れた電流は該回路ICお−て電子線照射面積で割り算を
總こされた信号5こ変換され、ムD変換器20を介して
演算回路18に供給される。従って演算回路181こは
螢光板上1こ投射される電子線電流密度コ感こ対応した
信号が供給される。21は輝度制御回路であり、輝度制
御回路は例えば第4図に示すようにウェーネルト電aE
vbt変化させt際の輝度を測定しておき、この実験結
果をもと−こ操作者がある輝度を設定すると自動的にこ
の輝度1ζ対応するウェーネルト電圧vbが発生するよ
うにウェーネルト電源22t−制御する。26はフィラ
メント電源である。又輝度制御回路21より設定された
輝度t−表わす信号がムD変換器24を介して演算回1
路18iζ供給される。25は演算回路18の出力信号
を表示するためのデジタルメータ−である。
ズ8.投影レンズ9から成る結像レンズ系基こよって螢
光板10上に結像を結ぶ。It、12はαを調節するた
めの収束レンズ4.5の電源であり、15,14.15
は倍率を制御するための各々レンズ7.8.9の電源で
ある。16はこれらレンズ電源15,14.15t−制
御すること1こより倍率を制御する倍率制御回路であり
、盤制御回路161とよって設定された倍率Mt−表わ
す信号はAD変換器17t−介して演算回路186ζ供
給される。螢光板10を介して流れる電子線電流は電流
密度検出回路19番ζお−で検出され、更1c該検出さ
れた電流は該回路ICお−て電子線照射面積で割り算を
總こされた信号5こ変換され、ムD変換器20を介して
演算回路18に供給される。従って演算回路181こは
螢光板上1こ投射される電子線電流密度コ感こ対応した
信号が供給される。21は輝度制御回路であり、輝度制
御回路は例えば第4図に示すようにウェーネルト電aE
vbt変化させt際の輝度を測定しておき、この実験結
果をもと−こ操作者がある輝度を設定すると自動的にこ
の輝度1ζ対応するウェーネルト電圧vbが発生するよ
うにウェーネルト電源22t−制御する。26はフィラ
メント電源である。又輝度制御回路21より設定された
輝度t−表わす信号がムD変換器24を介して演算回1
路18iζ供給される。25は演算回路18の出力信号
を表示するためのデジタルメータ−である。
仁のような構成−ζおいて操作者はIl!察倍率をある
倍率M1こ倍率制御回路161こよって設定し、電子銃
の輝度をある輝度Bに輝度制御回路21によって設定し
た後試料を最良の偉質で観察するためレンズ電源12t
ll整して試料1ζ入射される電子線の開き角を調節す
るが、この際演算回路18には以下の3信号が供給され
る。第1の信号はムD変換器17を介して倍率制御回路
16より供給される倍率M1表わす信号であり、第2は
AD変換器24t−介して輝度制御回路21よりゆ供給
される輝度8t−表わす信号であ抄、第31こはムD変
換器205e介して電流密度検出回路19より供給され
る螢光板10上1こ投射された電子線の電流密度コを表
わす信号である。これら3信号が演算回路18出する演
算が行なわれ、その結果この時の各輩。
倍率M1こ倍率制御回路161こよって設定し、電子銃
の輝度をある輝度Bに輝度制御回路21によって設定し
た後試料を最良の偉質で観察するためレンズ電源12t
ll整して試料1ζ入射される電子線の開き角を調節す
るが、この際演算回路18には以下の3信号が供給され
る。第1の信号はムD変換器17を介して倍率制御回路
16より供給される倍率M1表わす信号であり、第2は
AD変換器24t−介して輝度制御回路21よりゆ供給
される輝度8t−表わす信号であ抄、第31こはムD変
換器205e介して電流密度検出回路19より供給され
る螢光板10上1こ投射された電子線の電流密度コを表
わす信号である。これら3信号が演算回路18出する演
算が行なわれ、その結果この時の各輩。
B、コ値に対してαが求められる。この求められたαを
表わす信号はデジタルメーター25≦ζ供艙され該メー
ター251ζは該求められたαの値が表示される。装置
の操作者はレンズ電$12よりの供給電流を変化させる
毎1ζ表示されるこの表示値を見ながら、この表示値が
最小になるよう畠こ調整を行う。従って経験や動感ζよ
らずに偉質の微妙な良し悪しt判断してtS*を行える
ため簡単且つ短時間−ζ調整を行うことができる。
表わす信号はデジタルメーター25≦ζ供艙され該メー
ター251ζは該求められたαの値が表示される。装置
の操作者はレンズ電$12よりの供給電流を変化させる
毎1ζ表示されるこの表示値を見ながら、この表示値が
最小になるよう畠こ調整を行う。従って経験や動感ζよ
らずに偉質の微妙な良し悪しt判断してtS*を行える
ため簡単且つ短時間−ζ調整を行うことができる。
尚、上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず実権に
あ九つては他の態様もとり得る。
あ九つては他の態様もとり得る。
例えば上述した実施例1ζおいては、試料面番こ入射す
る電子線の電流密度コ、f:直接測定せずにコ。
る電子線の電流密度コ、f:直接測定せずにコ。
に等しV* /、@ f用いてαの計算を行うため、螢
光板に入射する電子線の電流密度コを表わす信号と績察
倍率Mを表わす信号を演算回路18+こ供給するように
構成したが、螢光板を利用せず試料60代わりに電子線
の電流密度Jl検出する検出器を挿入できるようdζ稿
成し、この検出器よりの信号を演算回路18+こ供給す
るよう−こしても良i。
光板に入射する電子線の電流密度コを表わす信号と績察
倍率Mを表わす信号を演算回路18+こ供給するように
構成したが、螢光板を利用せず試料60代わりに電子線
の電流密度Jl検出する検出器を挿入できるようdζ稿
成し、この検出器よりの信号を演算回路18+こ供給す
るよう−こしても良i。
又、上述した実施例−ζおいては輝度制御回路21雄ζ
よか輝度を設定し、設定された輝度を表わす信号を輝度
制御回路21より演算回路18に供給するようIこした
が、電子mを試料面上にフォーカスさせる等して輝It
を測定し、測定された輝度を表わす信号を演算回路18
+こ供給するようにしても良−1 更−仁、演算回路18としてはアナログ的−ζ演算を行
うものでも良V%。
よか輝度を設定し、設定された輝度を表わす信号を輝度
制御回路21より演算回路18に供給するようIこした
が、電子mを試料面上にフォーカスさせる等して輝It
を測定し、測定された輝度を表わす信号を演算回路18
+こ供給するようにしても良−1 更−仁、演算回路18としてはアナログ的−ζ演算を行
うものでも良V%。
第1図は試料−ζ入射する電−7線のfiRき角。を説
明するための図、第2図は電子線の開き角αΩ値と伝達
関数との関係を示すための2、第3図は本発明の一実施
例の概略を示すための図、第4図はウェーネルト電圧と
輝度との関係を示す図である。 1:6:試料、2:収束レンズ、6:電子銃、4:第1
の収束レンズ、5:第2の収束レンズ、BIB:電子線
、7:対物レンズ、8:中間レンズ、9:投影レンズ、
10:螢光板、1t、12,1j14.15=レンズ電
源、16:倍率制御回路、18:演算回路、19:電流
密度検出回路、21:輝度制御回路、22:ウェーネル
ト電源、25:デジタルメーター。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
明するための図、第2図は電子線の開き角αΩ値と伝達
関数との関係を示すための2、第3図は本発明の一実施
例の概略を示すための図、第4図はウェーネルト電圧と
輝度との関係を示す図である。 1:6:試料、2:収束レンズ、6:電子銃、4:第1
の収束レンズ、5:第2の収束レンズ、BIB:電子線
、7:対物レンズ、8:中間レンズ、9:投影レンズ、
10:螢光板、1t、12,1j14.15=レンズ電
源、16:倍率制御回路、18:演算回路、19:電流
密度検出回路、21:輝度制御回路、22:ウェーネル
ト電源、25:デジタルメーター。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
Claims (1)
- 電子銃からの電子線を収束して試料1こ照射し、試料を
透過した電子線を結像レンズ系により結像して試料at
−得る装置において、試料面に入射する電子線の電流密
度を表わす信号と電子銃の輝度を表わす信号−こ基づい
て試料面上に照射される電子線の開き角を算出する手段
と、該手段よ炒の前記開き角を表わす信号を表示するた
めの手段を具備することを特徴とする電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11621781A JPS5825052A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11621781A JPS5825052A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5825052A true JPS5825052A (ja) | 1983-02-15 |
JPS6351342B2 JPS6351342B2 (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=14681727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11621781A Granted JPS5825052A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子顕微鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5825052A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006318651A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hitachi Ltd | 透過型電子顕微鏡 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11621781A patent/JPS5825052A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006318651A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hitachi Ltd | 透過型電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6351342B2 (ja) | 1988-10-13 |
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