JPS5824781B2 - デンシシヤシンカンコウザイリヨウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真感光材料に関するものであり更に詳し
くは金属または（および）金属化合物からなる導電層を
設けた高分子基体上に、特定な共重合体を主体とする組
成物層を介して高分子光導電体層を設けた電子写真感光
材料に関するものである。

従来から有機光導電体は、優れた加工性、フレキシビリ
ティ、透光性などが期待できることから、記録材料、画
像形成材料あるいはこれらを組みこんだシステムへの広
範囲な応用が検討されている。

縮合芳香族環あるいは（および）縮合複素環を有する高
分子あるいは循環単位中に芳香族環あるいは（および）
複素環を複数個有する高分子からなる光導電体は、電子
写真感光体としての緒特性が優れ、その活用が期待され
ている。

該光導電体は自己支持性がある高分子体であり、フレキ
シビリティをえるには結合剤を必要とする低分子有機導
電体あるいは無機光導電体に比べ、フ該光導電体自体を
支持層となす均一系の感光層を形成し、理想的な電子写
真感光材料を形成することが期待される。

しかるに、縮合芳香族環あるいは（および）縮合複素環
を有する高分子あるいは循環単位中に芳香族環あるいは
複素環を複数個有シする高分子の光導電体は、脆弱で機
械的性質が劣シ、実用に供するには、実用的な機械的強
さを満足するために対策が必要である。

この改良策のため、一般にかかる高分子光導電体の可塑
化が行なわれる。

即ち、内部可塑化に効果のあるモノマー）の共重合ある
いは可塑剤（低あるいは高分子）の混合による外部可塑
化である。

しかし、かかる処置により該光導電体の電子写真諸特性
が低下し、本来の期待される機能を生かせない。

とくに、後者の処置は、均一系感光層の形成が不可能と
なる１ばかりでなく、かかる高分子は相溶が悪く、良質
の光導電体かえられない。

このように、該光導電体は電子写真諸特性が優れている
にもかかわらず、実用的な機械的特性をえるために、そ
の特性を犠牲にしているのが実状であり、〃・〃・る両
特性を両［立することは困難であった。

縮合芳香族環あるいは（および）縮合複素環を有する高
分子あるいは循環単位中に芳香族環あるいは（および）
複素環を複数個有する高分子は、電荷移動錯体を形成し
やすく、また、その形成により化学増感効果が発現し、
とくに明減衰時の残留電位の減少あるいは感度の向上に
有効である。

しかし、かかる錯体を形成すると、高分子の機械的性質
は激変して、極度に脆弱化し、電子写真材料の加工およ
び実用上、深刻な問題となる。

かかる高分子光導電体の機械的性質の改良は、重合度の
向上が、最も有効であるが、その重合手法は困難な場合
が多く、かかる問題に対する改善策はとれないまま現在
に至り、電子写真特性と機械的性質を、本質的に両立す
る解決策が強く望まれている。

かかる高分子光導電体の実用上、問題となる機械的性質
に関係する特性として、引張り強さ、破壊伸び、衝撃強
さ、曲げ強さなどがあるが、現在実用されているポリビ
ニルカルバゾールは、なかでも機械的性質が優れている
が、それでも引張り強さは１ ｋｙ／ｉ−程度、破壊伸
びは十分の数条にすぎない。

かかる高分子光導電体は溶媒中溶液を用い展延（コーテ
ィング）、乾燥により成膜する際の乾燥収縮による応力
歪に起因する成膜層の亀裂・電子写真材料として・・ン
ドリンクするときの曲げや衝撃による感光層の破壊・電
子写真材料を裁断するときの感光層の破壊およびこれに
端を発するノ・ノドリンク時の亀裂の成長など、加工お
よび実用時に感光層の破壊を招き大きな問題となってい
る。

従来、かかる高分子光導電体の機械的性質の改良のため
、有機高分子、可塑剤の混合が試みられているが、電子
写真特性（帯電性、光減衰残留電位、感度など）の低下
・感光層の透明性の低下など本来の機能が失われた。

寸だ感光層の下層に補強層を介入することも試みられ、
その組成は例えばポリ酢酸ビニル、塩化ビニル、酢酸ビ
ニル共重合体、ニトロセルローズ、ポリビニルピロリド
ン、エチレン・Ｍビニル共重合体、ポリアミド、アクリ
ル酸エステルあるいはメタクリル酸エステル共重合体、
ポリウレタンなどが提案されている。

しかるに、すでに公知のこれら介入層組成物は、全ての
特性を同時に満足することはできない。

即ち、高分子光導電体材料の溶液を乾燥成膜するときの
亀裂の発生は防止できても、かかる高分子光導電体層と
介入層の接着が劣るとか、あるいは、乾燥成膜は良好で
かつ高分子光導電体層の介入層４に対する接着性はよい
が、湿度雰囲気下で影響を受けやすく、例えば、高湿下
保存時に高分子光導電体層に亀裂が生ずるとか、電子写
真特性が悪化するなどの欠点を有するものである。

捷だ電子写真感光材料で酸化亜鉛主体の光導電層の下地
層として、−成分が反応性アクリル樹脂からなる組成物
を使用する提案があるが、係る樹脂層からなる下地層を
使用して高分子光導電体層を積層すると。

積層時に下地層が損傷したり、光導電体層にひびわれを
生じ、全く実用し得ないものとなり、またポリウレタン
を含有する合成樹脂を結着剤とする層を光導電層の下地
層とすることも提案されでいるが、このような下地層上
に高分子光導電体を積層して電子写真感光材料としても
、電子写真特性の悪い、特にかぶりが生じたり、コント
ラストの低い、ものしか得られないのである。

本発明の目的はかかる従来欠点を改善し、高分子光導電
体を実用可能とすると共にすぐれた電子写真特性を有す
る電子写真材料を提供するものである。

本発明は上記目的を達成するために次のような構成を有
する。

即ち、（１）高分子基体上に、金属もしくは（および）
金属化合物からなる導電層を設け、その上に、メチルメ
タアクリレートあるいは（および）スチレン７０〜９８
５重量％と反応性原子団を有する共重合性成分１．５〜
３０重量％からなる共重合体を主成分とする組成物層を
積層し、その上に、縮合芳香族環あるいは（および）縮
合複素環を有する高分子あるいは高分子の循環単位中に
芳香族環あるいは（および）複素環を複数個有する高分
子を主成分とする光導電体層を設けた電子写真感光材料
である。

本発明の電子写真材料に用いる高分子基体は、有機ある
いは有機金属高分子からなる基材であり、これら高分子
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリエチレン−２゜６ナフタリンジカルボキ
シレートなどのポリエステル重合体、ポリプロピレンな
どのポリオレフィン、いわゆるナイロン６、ナイロン１
２などのポリアミド、高分子鎖に五員環イミド結合を有
するポリイミド、セルローズエステルなどのセルローズ
誘導体、ポリスチレン、ポリカーボネート、マレイン酸
又はイタコン酸との共重合体で金属イオンにより架橋し
た有機金属高分子などが使用できる。

本発明の導電層は、かかる基材に各種の金属化合物ある
いは金属を薄層状に被着することによりえられる。

とくに、パラジウム、白金、銀、ロジウムのうちの１種
もしくは２種以上が基材上に島状もしくは縞状に、かつ
、その厚さが付着重量に２８０ｍｖ／ｍ２以下となるよ
うにスパッタリングにより被着されたもの、あるいは、
スズもしくは酸化スズもしくは両者の混合物をドープし
た酸化インジウムを主体とする導電層などが、ゼログラ
フィー特性が優れ好ましく使用される場合が多い。

酸化インジウムにドープする上記の物質の量は、酸化イ
ンジウムに対し０．５％〜１０係の範囲が好ましい。

また、酸化インジウムは、Ｉｎ Ｏの一般式で示され
るが、単一組成では好ましい性能かえられない場合が多
く複数組成の混合体を用いる。

つまり、平均的にいえばｙ／ｘは、１５以下であり、０
．５以上である。

導電層構成物の被着は真空蒸着のエレクトロンビーム蒸
着、スパッタリングなどの手法により実施できる。

本発明のメチルメタアクリレートあるいは（および）ス
チレンと反応性原子団を有する共重合性モノマからなる
共重合体は、常法により例えば溶液重合、懸濁重合、エ
マルジョン重合などにより製造できる。

該共重合体のメチルメタアクリレート、スチレ／の含有
量は該共重合体の７０〜９８．５重量係であり、これを
満足できないときは、とくに脆弱な高分子光導電体の溶
液からの成膜時の亀裂発生の防止作用が消失する。

また、溶液に使用する溶媒の種類によっては、例えば、
テトラヒドロフラン、モノクロルベンゼン、アセトン、
キシレン、■、２−ジクロルエタンなどを使用するとき
は、この層が、上塗り時に、膨潤し、機械的負荷も加わ
って損傷を受ける。

メチルメタアクリレート、スチレンの組成については、
メチルメタアクリレートが富む場合が好捷しく、メチル
メタアクリレートのみから構成されてもよい。

本発明において、メチルメタアクリレート６るいは（お
よび）スチレンの含有量が、７０重量係以下になると、
高分子光導車体の溶液からの成膜時の亀裂発生の防止作
用の消失など成膜性能の低下あるいは耐屈曲性の低下な
ど・・ノドリング時のタフネスが低下する。

本発明の共重合体に用いる反応性原子団を有する共重合
性成分とは、反応性官能基を有する共重合性ビニルモノ
マの共重合形態であり、かかる共重合性モノマは反応原
子団として、 （Ｒ１，Ｒ２：水素′＝！たは炭素数１〜２０の脂肪族
炭化水素基）およびこれらのアルキロール化物、λＴ これらの誘導体を有するものである。

例えば、下記のものがある。

・（２）きカルボキシル基（酸無水物を含む）共重合
性モノマー。

アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、
無水マレイン酸およびこれら酸の誘導体例えば、（メタ
）アクリル酸のリン酸エステルあるいはモノクロルリン
酸エステル。

（Ｂ） 含アミド、含アミノ基共重合注モノマー。

アクリル（メタクリル）酸アミド、Ｎ−メチルメタクリ
ルアミドジエチルアミノエチルビニルエーテル、２−ア
ミノエチルビニルエーテル、３−アミノプロピルビニル
エーテル、２−アミ／７”−ｆ−ルビニルエーテル、ジ
メチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエ
チルビニルエーテル、ウレイドビニルエーテル、β−ウ
レイドイソブチルビニルエーテル、ウレイドエチルアク
リレートなど、およびこれらのメチロール化物あるいは
アルキルエーテル化メチロール化物。

（Ｑ 含エポキシ基共重合性モノマー。

例えば、下記の一般式で示されるもの （Ｒ３：水素あるいはメチル基、Ｒ４： 炭素数１〜
３の脂肪族炭化水素基） 例えば、グリシジル（メタ）アジリレートがある。

−［Ｆ］ 含ヒト狛キシル基共重合性モノマー。

例えば、β−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、
β−ヒドロキシグロピル（メタ）アクリレート、β−ヒ
ドロキシビニルエーテル、５−ヒドロキシペンチルビニ
ルエーテル、６−ヒトロキシヘキシルビニルエーテルナ
ト。

係る反応性原子団を有する共重合性成分の含有量が１．
５〜３０重量係の範囲をはずれると、とくに電子写真特
性の低下および高分子光導体の溶液からの成膜性能の低
下をまねく。

本発明の共重合体におい℃かかる反応性原子団は、該共
重合体と導電層との、あるいは本発明に用いる高分子光
導電体との、接着強さ、かかる接着強さの経時あるいは
湿度に対する安定性、電子写真特性などに反応性原子団
が適性条件にあれば良好な効果を与える。

電子写真特性において、一般に中間層の介入は、電子写
真感光材料としての帯電特性（電荷受容性、耐絶縁破壊
性など）と受容電荷の光減衰特性（感度、残留電位など
）の両立を極めて困難にするが、本発明は中間層の介入
によるかかる問題を解消し、優れた電子写真特性をえる
ことができる。

反応性原子団は、反応活性を有する原子団であるが、電
子写真材料を構成した状態において、反応原子団が導電
層あるいは高分子光導電体組成物との間で、多官能イソ
シアナート化合物するいはアルキルエーテル化メチロー
ルメラミンを併用する場合は、かかる化合物との間に、
共有結合、配位結合などによる一次結合あるいは水素結
合などの二次結合を形成せしめることによって更に本発
明の効果を後述するように向上する。

この場合かなりの量の反応原子団は遊離の状態で残存す
ることが望ましい。

反応原子団は上記のような結合による系の安定化の効果
も考えられるが、これに支配されるものではなく反応活
性であることによる諸効果、例えば極性効果、保水効果
あるいは接着、エレクトロニクス特性に影響するその他
の効果によるものが大きいと考えられる。

本発明に用いるメチルメタアクリレートあるいは（およ
び）スチレンと反応性原子団を有する共重合性成分を有
する共重合体は、常法の重合方法により、分子量の異な
る共重合体の混合物としてえられ、分子量分布をもつが
、数平均分子量で１万以上が必要である。

分子量が１万以下になると、有機光導電体の溶液からの
成膜時の亀裂発生の防止作用が消失する。

また、基材が高分子フィルムからなる場合、電子写真感
光材料の機械的強さ、とくに耐屈曲性が低下し、ロール
搬送系を有する装置において、搬送時、感光層が屈曲に
より破れるなど、ハンドリング時のタフネスが弱くなる
。

本発明に用いる該共重合体はガラス転移温度が４０℃以
上、好ましくは、６０℃以上であることが望ましい。

ガラス転移温度は共重合体のセグメントのミクロブラウ
ン運動が凍結する温度であり、フその測定は、比熱の変
化など熱力学的性質から求めるのが妥当であるが、便宜
的には（勿論、補正が必要であるが）、熱伝導率、屈折
率、誘電率などの物理的性質の測定から求めることもで
きる。

共重合体のガラス転移温度が、４０℃以下になる１と、
高分子光導電体の溶液からの成膜時の、亀裂発生の防止
作用の消失あるいは高分子光導電体溶液の溶媒による損
傷が発生するなど良質な成膜かえられない。

本発明に用いる共重合体は、メチルメタアクリンレート
あるいは（および）スチレンと反応原子団を有する共重
合性モノマー以外の共重合性モノマーを本発明の組成条
件を満足し、かつ、本発明の効果を損わない範囲で共重
合することもできる。

例えば、メチルメタアクリレート以外のアルキルアクリ
レートの酢酸ビニル、アクリロニトリル、ブタジェン、
などである。

本発明に用いる高分子光導電体はその化学構造によって
は、その溶解性から強溶解力の溶媒を必要とし、下地層
となる本発明の共重合体上に塗液を被覆する際に、溶剤
が下地層に若干、拡散し白化して曇る場合がある。

あるいは、該下地層との積層により高分子光導電体の本
来の電子写真特性が低下する場合がある。

かかる場合でも、該共重合体に多官能インシアナート化
合物あるいは（および）その誘導体、アルキルエーテル
化メチロールメラミンの群から選ばれた少なくとも一つ
を添加した組成物を用いることにより著しく改良するこ
とができる。

該共重合体の反応原子団とこれら添加剤との間に反応（
例えば、縮合反応、付加反応など）により結合が生ずる
場合には該共重合体の反応原子団と添加剤反応基の数的
な組成割合は、該共重合体の反応原子団が添加剤反応基
に対し過剰であることが好ましい場合が多く、例えば、
１．２〜４．０倍がよい。

即ち、組成物反応生成物体には、共重合体の遊離の反応
原子団が存在することが好ましい場合が多い。

本発明でいう多官能インシアナート化合物あるいは（お
よび）その誘導体とは、分子内に少なくとも２ヶ以上の
インシアナート基および（あるいは）その誘導体基を有
するものであり、誘導体基ハ、例えば、ウレタン結合、
ウレア結合、ビユレット結合、アロファネート結合など
がある。

かかるインシアナート化合物として、例えば下記のもの
が使用できる。

ヘキサメチレンジイソシアナー）（ＨＭＤＩ）、ＨＭＤ
Ｉと水を反応させて（例えば、３：１モル比）えられる
ポリイソシアナート、トリメチロールプロパン（ＴＭＰ
）とＨＭＤＩの付加物（例に３モル比）：トルエンジイ
ソシアナート（ＴＤＩ）、ＴＭＰとＴＤＩの付加物（例
、１：３モル比）；キシリレンジイソシアナート（ＸＤ
Ｉ）、ＴＭＩとＸＤＩの付加物・リジンジイソシアナー
）（ＬＤＩ）、ＴＭＰとＬＤＩの付加物；２，４−トル
エンジイソシアナート、ダイマー；ヘキサントリオール
とＴＤＩの付加物・ポリメチレンポリフェニレンイソシ
アナートなどである。

アルキルエーテル化メチロールメラミンとその誘導体と
しては、例えばメラミンのアミン（イミノ基）が部分的
もしくは全量メチロール化された。

もので、そのメチロール基の一部もしくは全量がアルキ
ルエーテル化されたものである。

誘導体とじ又は、かかるアルキルエーテル化メチロール
メラミンの多量体（縮合物）あるいは他の反応性化合物
との付加反応体あるいは縮合反応体などかあ。

る。

例えば、次のものが使用できる。

メチルエーテル化メチロールメラミン ヘキサメチルエーテル化メチロールメラミンへキサブチ
ルエーテル化メチロールメラミン。

部分メチロール化部分アルキル化メラミンメラミンの６
Ｍの”イミノ基”中、５．５Ｍがメチロール化され、そ
の内５Ｍがアルキルエーテル（メチルあるいはブチル）
化されたもの。

上記において、メチロール基の内、３．５Ｍ＜がメチル
エーテル化されたものなどである。

本発明においては以上のように構成された積層体の上に
、更に高分子光導電体からなる光導電体層を設けたもの
であり、本発明は上記構成の積層体を採用したことによ
り、従来機械的性質が脆弱で成膜できなかった該高分子
光導電体を実用的に成膜することができたのであり、即
ち、本発明の構成によれば該高分子光導電体の溶液成膜
性を著しく改善することができ更に該高分子光導電体の
有する電子写真特性を１００係活用することを可能にせ
しめ得たものである。

本発明になる電子写真感光材料において、帯電特性と受
容電荷の光減衰特性の両立は、メ身ルメ１タアクリレー
トあるいは（および）スチレン共重合体の組成物層の膜
厚さのコントロールによってより好ましい結果をえるこ
とができる。

一般に電子写真感光材料にかかる中間層を設ける場合、
中間層の膜厚さを薄くするにつれ受容電荷の光減衰特性
が向上するが、帯電特性は悪化しとくに中間層の絶縁破
壊に誘発される光導電体層の絶縁破壊は致命的な欠陥と
なる。

従って、中間層は優れた光減衰特性を十分に発揮できる
程薄い膜厚さで十分な帯電特性を有することが好ましい
。

本発明の共重合体はかかる点においても優れた特性を有
する。

また、多官能インシアナート化合物あるいはアルキルエ
ーテル化メチロールメラミンの併用が、かかる特性の発
現に有効に働く場合がある。

例えば、かかる化合物を併用する場合、１ミクロンの膜
厚さでも帯電時絶縁破壊するときがなく、優れた光減衰
特性を発現できる。

係る本発明の高分子光導電体とは、縮合芳香族環あるい
は（および）縮合複素環を有する高分子あるいは高分子
の循環単位中に芳香族環あるいは（および）複素環を複
数個有する高分子光導電体であって、かかる環および（
あるいは）縮合多環は高分子の主鎖あるいは（および）
側鎖に導入されているものである。

該芳香族環は、ベンゼン環および非ベンゼン系芳香族環
に大別され、複素環は、例えば、オキサゾール、チアゾ
ール、イミダゾール、３−ピラゾリン、トリアゾール、
ピラン、ピリジン、ピリダジン、の冬場などがある。

縮合芳香族環は、二つ捷たはそれ以上の芳香族環が各々
少なくとも２個（あるいは２個以上）の原子を共有した
形で一体となった場合と芳香族環と環式炭化水素との同
様な縮合多環の場合に大別される。

前者の例としてナフタリン、アントラセン、フェナント
レン、ピレン、クリセン、ナフタセンの冬場などがあり
、後者の例として、インデン、フルオレン環なト力；あ
る。

縮合複素環は、二つまたはそれ以上の複素環ガ各々少な
くとも２個（あるいは２個以上）の原子を共有した形で
一体となった場合と複素環とその他の環（芳香族環、環
式炭化水素など）との同様な縮合多環の場合に大別され
る。

前者の例としてプリン、ナフチリジン、プテリジン、イ
ンドリジン、の多環などがある。

後者の例として、ペンツフラン、インドール、ベンゾオ
キサゾール、ベンゾイミダゾール、キノリン、ジベンゾ
フラン、カルバゾール、アクリジン、フェナントロリン
、■。

１０−フェナントロリン、フェノキサジン、の多環など
がある。

かかる環および（あるいは）縮合多環は、置換基を導入
（核置換）することもできる。

本発明に用いる高分子光導電体として例えば下記のもの
がある。

Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、あるいは共重合体３
，６−ジプロムー９−ビニルカルバゾールの重合体ある
いは共重合体、ビニルアンスラセンの重合体あるいは共
重合体、ビニルフェニルアンスラセンの重合体あるいは
共重合体（９（ｐ−ビニルフェニル）アンスラセン重合
体あるいｔｒｉ ９− （ｐ−ビニルフェニルアンスラ
センと他の共重合性モノマとの共重合体、あるいはこれ
ら重合体、共重合体の誘導体、（例えばハロケン化物な
ど）、９−（ｐ−エポキシフェニル）アンスラセンのエ
ポキシ開環化合物からなる高分子光導電体、ポＩＪ（Ｎ
−ビニルインドール）、更にＮ−ビニルインドールとＮ
−ビニルカルバゾールとの共重合体、Ｎ−ビニルピロリ
ドン共重合体、ポリビニルアジリジン、ポリアセナフチ
レン、Ｎ−置換（ナフタリンあるいはアントラセン）−
アクル酸アミド重合体、ポリ−Ｎ−ビニルナフト−（２
’、３’；３，４）−力ルバゾールなどを挙げ。

ることができる。

かかる高分子光導電体は、必要に応じ、増感処理して用
い、例えば染料増感、電荷移動錯体の形成、ラジカル発
生剤で処理するなどである。

本発明に用いる高分子光導電体は、２種以上の。

かかる光導電体を含有する組成物として使用することも
できる。

才だ、高分子光導電体には、必要に応じ、各種の添加剤
を併用することができる。

かかる本発明によれば、従来、電子写真特性が優れてい
るにもかかわらず、溶媒中溶液からの成膜ヰあるいは膜
の機械的特性が劣り使用できなかったかかる高分子光導
電体を用いても良質な成膜かえられ、かつ、ハンドリン
グにタフな電子写真材料を、該光導電体の電子写真特性
を損うことなく、作り上げることができるという点で極
めて有効である。

また、該高分子光導電体層を支持体に強固に接着せしめ
るとともに、耐湿性、経時安定性など耐久性がすぐれて
いる。

このように、本発明は、加工が困難な高分子光導電体を
用い、加工仕上りが良質で、電子写真特性が優れ、かつ
、実用強さ、安定性の良い諸性能を同時に満足すること
ができる電子写真材料かえられる。

実施例 １ 厚さ１００μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムに、パラジウムを直流２極スパツタリング法によ
りその厚さの平均重量が２８ ｍｇ／ｍ２となるように
島状分布状に被着した（第１層）。

導電層の面積分率は３０％である。

導電層の表面抵抗は５Ｘ１０”Ω／口である。

導電層表面に溶液重合法によりえた、メチルメタアクリ
レート８０重量％、エチルアクリレート１０重量類、２
−ヒドロキシエチルメタアクリレート９重量類、アクリ
ル酸１重量係からなる数平均分子量２万の共重合体のト
ルエン、酢酸ブチル混合溶媒中の溶液を塗布した後、乾
燥し厚さ３μの層を形成した（第２層）。

この上に、導電層に直接被覆すると成膜時に亀裂が発生
するポリビニルカルバゾールと２，４，７−ドリニトロ
ンルオレノンからなる光導電体材料のテトラヒト狛フラ
ン中溶液を塗布、乾燥しく乾燥後膜厚５μ）（第３層）
電子写真感光材料（ＡＩ）をえた。

該第２層の介入により、該光導電体溶液からの成膜は亀
裂を発生することなく良質の膜かえられた。

またその後の経時によっても亀裂が発生するようなこと
はなかった。

第１層導電体層に、直接に、上記光電体のテトラヒドロ
フラン中溶液を、同様に塗布・乾燥し被覆して電子写真
感光材料（Ａ２）を作製し両者の特性を比較した。

結果を第１表に示す。本発明による電子写真感光材料、
ＡＩは、実用強さと電子写真特性を両立した優れた性能
かえられた。

比較実施例 １ 実施例１において、支持体上の第２層に表２に示す組成
物を各々用いた各種、電子写真感光材料（第２層の厚さ
は、各々３μ）を作製し、本発明による感光材料Ａ１と
特性を比較した。

結果を第３表に示す。

実施例 ２ 厚さ１２５μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムに、予め十分に粉砕混練したＩｎ２Ｏ３と酸化ス
ズの混合物（酸化スズ含有率２係）を、酸素リークしな
がらエレクトロンビーム蒸着法により、導電層の厚さが
１０００人となるように被着した後（第１層）、１９０
℃で２分間熱処理し、導電化フィルムをえた。

導電層表面に実施例１．４１の電子写真感光材料の第２
層用共重合体とへキサメチレンジイソシアナート（３モ
ル）と水（１モル）との反応生成物からなる混合組成物
（共重合体中のＯＨ基と上記インシアナート誘導体のＮ
ＣＯ基の比率二〇Ｈ基／ＮＣＯ基＝１．６）のトルエン
・酢酸ブチル混合溶媒中の溶液を塗布した後、乾燥し厚
さ３μの層を形成した（第２層）。

この上に、溶液からの成膜時に亀裂を発生しやすく、捷
だ、機械的性質が脆弱なポリビニルフェニルアンスラセ
ンを主成分とスル光導電体組成物のモノクロルベゼン、
テトラヒドロフラン混合溶媒中溶液を塗布して乾燥しく
第３層、厚さ５μ）電子写真感光材料Ａ８をえた。

該第２層の介入により該光導電体溶液からの成膜は、亀
裂を発生することなく良質の膜かえられた。

また、第２層に、実施例１の第２層用共重合体の単独組
成物を用いて同様に作製し、電子写真感光材料扁７をえ
た。

また、第１層の導電層に直接、上記光導電体層を設けた
、電子写真感光材料Ａ９をえた。

本発明による電子写真感光材料、Ａ７および８は、実用
強さと電子写真特性を両立した優れた性能かえられた。

Ａ８は屋７に比べ透明性が良く、またさらにすぐれた電
子写真特性をえることができた。

Ａ７ 、８ 、、９電子写真感光材料の特性を、第４表
に示す。

比較実施例 ２ 実施例２において電子写真感光材料、扁３の第２層に用
いた共重合体（第２表参照）を使用し、実施例２と同様
にインシアナート誘導体との混合組成物を調合し、第２
層を形成し、引続き同様に光導電体層を形成して電子写
真感光材料Ａｌｌを作製した。

第２層の形成にあたっては、配合組成物間の架橋効果な
ども考慮し、乾燥後の加熱条件を変えるなど加工条件を
検討したが、光導電体溶液の成膜時の亀裂の発生を防止
することはできなかった。

実施例 ３ 実施例２において、導電層表面に、メチルメタアクリレ
ート４０重量係、メチレフ４０重量係、エチルアクリレ
ート１１重量係、２−ヒドロキシエチルメタアクリレー
ト６重量係、メタアクリル酸３重量係からなる数平均分
子量２７万の共重合体と部分ブチルエーテル化メチロー
ルメラミンからなる組成物（配合比率、７５ ： ２５
重量比）のキシレン、ブタノール混合溶媒中の溶液を塗
布したのち、乾燥し厚さ３μの層を形成した。

この上に、実施例２の光導電体組成物溶液を塗布して乾
燥しく厚さ５μ）電子写真感光材料、Ａｌ１を作製した
。

該光導電体溶液からの成膜は、亀裂を発生することなく
良質の膜かえられた。

該電子写真感光材料の特性を第５表に示すが、実用強さ
と電子写真特性を同時に満足する性能の電子写真材料か
えられた。

実施例 ４ 実施例１に用いたパラジウムの被着フィルム上に、実施
例２に用いたメチルメタアクリレート共重合体とへキサ
メチレンジイソシアナートと水との反応生成物からなる
混合組成物の溶液を、第６表に示すように各々、異なる
厚さに塗布（第２層）したものを作り、各々に実施例２
に用いたポリビニルフェニルアンスラセンを主成分とす
る光導電組成物の溶液を乾燥後、厚さ５μとなるように
塗；布して乾燥し、電子写真感光材料ＡＩ３〜１６をえ
た。

第２層の膜厚さ１μの電子写真感光材料Ａ１５は最適条
件下でゼログラフィ性能を満足することができる。

受容電位特性を低下することなく優れた光減衰特性をえ
るという点で特長があり、帯電時に絶縁破壊することも
なく安定して実用に供しうる。

本発明において、第２層の膜厚さは１±０．３μ程度に
おいて最適な条件かえられる場合が多い。

なお、本実施例においてへキサメチレンジイソシアナー
トと水との反応生成物を含まない共重合体の単独組成物
を用い、同様に第２層の厚さを変えたが、第２層の厚さ
が１μになると帯電時に絶縁破壊するようになり、電子
写真感光材料、屋１５のような優れた電子写真特性を達
成することはできなかった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 高分子基体上に、金属もしくは（および）金属化合
   物からなる導電層を設け、その上に、メチルメタアクリ
   レートするいは（および）スチレンを７０〜９８５重量
   ％と反応性原子団を有する共重合性成分１．５〜３０重
   量係とからなる共重合体を主成分とする組成物層を積層
   し、その上に縮合芳香族環あるいは（および）縮合複素
   環を有する高分子あるいは高分子の循環単位中に芳香族
   環あるいは（および）複素環を複数個有する高分子を主
   成分とする光導電体層を設けたことを特徴とする電子写
   真感光材料。