JPS5823740B2 - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS5823740B2 JPS5823740B2 JP3125480A JP3125480A JPS5823740B2 JP S5823740 B2 JPS5823740 B2 JP S5823740B2 JP 3125480 A JP3125480 A JP 3125480A JP 3125480 A JP3125480 A JP 3125480A JP S5823740 B2 JPS5823740 B2 JP S5823740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- lens barrel
- vibration
- beam exposure
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光方法、特に露光装置自体の振動
を補正して高精度に露光する方法に関する。
を補正して高精度に露光する方法に関する。
現在、電子ビーム露光装置全体は防振台上に載せて、外
部よりの振動防止をはかつており、外乱振動は概して問
題とはならない。
部よりの振動防止をはかつており、外乱振動は概して問
題とはならない。
しかし電子ビーム露光方法は高速化と高精度化の両面よ
り鋭意検討がなされており、ステップアンドリピート方
式は被露光試料を塔載したステージを間欠的に高速移動
させる必要がある。
り鋭意検討がなされており、ステップアンドリピート方
式は被露光試料を塔載したステージを間欠的に高速移動
させる必要がある。
例えば１２５８角の大きさの被露光試料を塔載するステ
ージの重さは約１００ｋｇであり、これを０．１秒間に
２１ｒｒＩｒＬ移動する際には如何に堅固な剛体構造と
してもその加速度のため露光装置内で別個の振動が発生
し、これを除去することは困難で、実際に電子光学系が
収納されているコラムとステージを有する試料室との間
にも例えば０．１μｍ前後の振動が発生する。
ージの重さは約１００ｋｇであり、これを０．１秒間に
２１ｒｒＩｒＬ移動する際には如何に堅固な剛体構造と
してもその加速度のため露光装置内で別個の振動が発生
し、これを除去することは困難で、実際に電子光学系が
収納されているコラムとステージを有する試料室との間
にも例えば０．１μｍ前後の振動が発生する。
一方、高精度化された電子ビーム露光方法は既にパター
ン精度が±０．１μｍ程度となっており、上記の振動の
影響を無視することはできない状況となってきた。
ン精度が±０．１μｍ程度となっており、上記の振動の
影響を無視することはできない状況となってきた。
本発明はこの様な振動の影響を除去して、電子ビーム露
光方法による描画パターンを更に高精度化せしめんとす
るもので、その特徴とするところは電子ビーム露光装置
において、電子光学鏡筒を１支点で固定し、該鏡筒と試
料室とを軟接続し、上記鏡筒の振動をレーザ干渉計で検
出して、その検出量を電子ビームの補正量に加えること
により、該鏡筒の振動を補正して露光することにある。
光方法による描画パターンを更に高精度化せしめんとす
るもので、その特徴とするところは電子ビーム露光装置
において、電子光学鏡筒を１支点で固定し、該鏡筒と試
料室とを軟接続し、上記鏡筒の振動をレーザ干渉計で検
出して、その検出量を電子ビームの補正量に加えること
により、該鏡筒の振動を補正して露光することにある。
以下、図面を参照して詳細に説明すると、第１図は従来
の電子ビーム露光装置の外形図であり、該装置は試料室
１と電子光学鏡筒（以下単に鏡筒と呼ぶ）２との二つの
ブロックから構成され、全体を重量２ ｔｏｎ位の防振
台３上に載せられて、外部よりの振動を防止している。
の電子ビーム露光装置の外形図であり、該装置は試料室
１と電子光学鏡筒（以下単に鏡筒と呼ぶ）２との二つの
ブロックから構成され、全体を重量２ ｔｏｎ位の防振
台３上に載せられて、外部よりの振動を防止している。
試料室１内にはマスク乾板や半導体ウェー・・などの被
露光試料を保持しているステージがあり、上記の様にス
テップアンドリピート方式は試料面を多数のフィールド
に区分けし、２ｍｍＸ２ｍ＋＋＋程度の面積をもつ一つ
のフィールドを露光し終ると、ステージを高速で動かし
て次のフィールドが露光できる位置に移動する。
露光試料を保持しているステージがあり、上記の様にス
テップアンドリピート方式は試料面を多数のフィールド
に区分けし、２ｍｍＸ２ｍ＋＋＋程度の面積をもつ一つ
のフィールドを露光し終ると、ステージを高速で動かし
て次のフィールドが露光できる位置に移動する。
その際、鏡筒２は試料室に対して０．１μｍ前後の振れ
を起して露光パターンの精度を劣化させる。
を起して露光パターンの精度を劣化させる。
鏡筒は使用している電磁レンズの数によす相異はあるが
、複数のパーツをネジ止めして一体化したもので、通常
高さは約１７７Ｚ、重量は１００Ａｙに近く、この様な
構造であるから振動はパーツ毎に別れた複雑な振動とな
る。
、複数のパーツをネジ止めして一体化したもので、通常
高さは約１７７Ｚ、重量は１００Ａｙに近く、この様な
構造であるから振動はパーツ毎に別れた複雑な振動とな
る。
第２図は本発明による電子ビーム露光装置の外形図で、
上記の様に鏡筒は複雑な振動をするため、これを単純な
振動とする様に試料室１１と鏡筒１２との間を自在性の
あるベローズ１４る用いて軟接続し、且つアーム１５を
防振台１３に収り付けて鏡筒１２はアームの先端の１支
点で固定し、ステージの移動による振動をコラムの下端
位置に付設せしめたＸ方向とＹ方向との２個のミラー１
２ＭＸ、１２ＭＹよりレーザ干渉計１６によって検出し
、これを照射する電子ビームの補正量として加えて、鏡
筒の振動の影響を消去せしめるものである。
上記の様に鏡筒は複雑な振動をするため、これを単純な
振動とする様に試料室１１と鏡筒１２との間を自在性の
あるベローズ１４る用いて軟接続し、且つアーム１５を
防振台１３に収り付けて鏡筒１２はアームの先端の１支
点で固定し、ステージの移動による振動をコラムの下端
位置に付設せしめたＸ方向とＹ方向との２個のミラー１
２ＭＸ、１２ＭＹよりレーザ干渉計１６によって検出し
、これを照射する電子ビームの補正量として加えて、鏡
筒の振動の影響を消去せしめるものである。
従来もステージの移動距離はレーザ干渉計で測量し、て
いるが、本発明はその測量中に鏡筒の振動分をも同時に
加えて測量する方法で、第３図はそのモデル図を示して
いる。
いるが、本発明はその測量中に鏡筒の振動分をも同時に
加えて測量する方法で、第３図はそのモデル図を示して
いる。
図において、光源２１より照射したレーザ光はミラー２
２で反射させて、・・−フミラー２３を通って鏡筒１２
の下端位置にあるミラー１２ＭＸ（又は１２ＭＹ）に入
り、それを反射させてハーフミラ−２３にかえり更にハ
ーフミラ−２４から試料室内のステージ２５に付設した
ミラー２５ＭＸ（又は２５ＭＹ）に入って、それより反
射したレーザ光が光検知器２６に入り検出する。
２で反射させて、・・−フミラー２３を通って鏡筒１２
の下端位置にあるミラー１２ＭＸ（又は１２ＭＹ）に入
り、それを反射させてハーフミラ−２３にかえり更にハ
ーフミラ−２４から試料室内のステージ２５に付設した
ミラー２５ＭＸ（又は２５ＭＹ）に入って、それより反
射したレーザ光が光検知器２６に入り検出する。
レーザ干渉計は光の干渉色をカウントして微小な光路差
を読み取るものであるか呟 ミラー１２ＭＸ（又は１２
ＭＹ）の振動もミラーδＭＸ（又は２５ＭＹ）が検出し
た移動量に同時に加えられた移動量を検知することがで
きる。
を読み取るものであるか呟 ミラー１２ＭＸ（又は１２
ＭＹ）の振動もミラーδＭＸ（又は２５ＭＹ）が検出し
た移動量に同時に加えられた移動量を検知することがで
きる。
次に第４図に第３図のモデル図に基づいて既に実施して
いるステージ移動距離の測量とその補正量にＸ方向、Ｙ
方向共に本発明の鏡筒の振動による補正を加えた要部説
明図を示す。
いるステージ移動距離の測量とその補正量にＸ方向、Ｙ
方向共に本発明の鏡筒の振動による補正を加えた要部説
明図を示す。
従来、例えばステージを２謳移動させるのに僅かに０．
１秒で終了するが、１０〜２０μｍのオーバドライブを
起して、これが静止するには２秒の整定時間を必要とし
ていだが、それでは操作時間の浪費が大きく、露光処理
の高速化に反するので、充分の整定時間を待たずに素早
く、所要フィールド内の露光操作を開始する方法が採ら
れている。
１秒で終了するが、１０〜２０μｍのオーバドライブを
起して、これが静止するには２秒の整定時間を必要とし
ていだが、それでは操作時間の浪費が大きく、露光処理
の高速化に反するので、充分の整定時間を待たずに素早
く、所要フィールド内の露光操作を開始する方法が採ら
れている。
その補正はレーザ干渉計から得られた測量値とそれとは
別に設けた目標値指示器との差をとり、その情報を電子
計算機より鏡筒の電子光学系の偏向器に与える主データ
に加算するもので、本発明の鏡筒の振動をもその情報内
に加えて吸収させるものである。
別に設けた目標値指示器との差をとり、その情報を電子
計算機より鏡筒の電子光学系の偏向器に与える主データ
に加算するもので、本発明の鏡筒の振動をもその情報内
に加えて吸収させるものである。
第４図を用いて判り易く説明すると、鏡筒で、電子銃３
１より発射した電子ビームは電磁レンズ３２で集束さへ
偏向器３３で偏向されながら試料室内の被露光試料３４
を照射する。
１より発射した電子ビームは電磁レンズ３２で集束さへ
偏向器３３で偏向されながら試料室内の被露光試料３４
を照射する。
そして鏡筒と試料室内とは同一の排気系（図示せず）に
より真空となっており、被露光試料３４を載せたステー
ジδの移動は試料室外より連結されたＸ方向及びＹ方向
のモーター３５Ｘ、３５Ｙによって行なわれ、移動量は
ステージ２５のＸテーブル及びＹテーブルの側端に付設
したミラー２５ＭＸ、２５ＭＹＫよって検出されてレー
ザ干渉計１６により測量される。
より真空となっており、被露光試料３４を載せたステー
ジδの移動は試料室外より連結されたＸ方向及びＹ方向
のモーター３５Ｘ、３５Ｙによって行なわれ、移動量は
ステージ２５のＸテーブル及びＹテーブルの側端に付設
したミラー２５ＭＸ、２５ＭＹＫよって検出されてレー
ザ干渉計１６により測量される。
その際に鏡筒の振動も同時に下端側面位置に付設したＸ
方向及びＹ方向のミラー１２ＭＸ。
方向及びＹ方向のミラー１２ＭＸ。
１２ＭＹによって検出され、又ステージのオーバドライ
ブの変動量も同時に検出され、それらを加え併せた測量
値がレーザ干渉計により測量される。
ブの変動量も同時に検出され、それらを加え併せた測量
値がレーザ干渉計により測量される。
そのし２−ザ干渉計の測量値と目標値指示器３６の指示
値とを減算器３７に与えて、その差が一定値以下なれば
その情報を変換器３８に入力して、その位置の差を電子
ビームの偏向量に変換する。
値とを減算器３７に与えて、その差が一定値以下なれば
その情報を変換器３８に入力して、その位置の差を電子
ビームの偏向量に変換する。
この偏向量が電子計算機（図示せず）の主偏向データー
と一緒に加算器３９に入力され、加算器に接続している
ＤＡ変換器４０でアナログ量に変換されて、増巾器４１
を経て鏡筒内の偏向器３３に印加され、照射する電子ビ
ームを偏向せしめるものである。
と一緒に加算器３９に入力され、加算器に接続している
ＤＡ変換器４０でアナログ量に変換されて、増巾器４１
を経て鏡筒内の偏向器３３に印加され、照射する電子ビ
ームを偏向せしめるものである。
この様にして電子ビームの主偏向データに補正量として
加えることにより、オーバドライブや振動などの変化を
も同時に補正して露光操作を行なうので、ステージ移動
の影響は描画パターンに全熱影響することがなくなる。
加えることにより、オーバドライブや振動などの変化を
も同時に補正して露光操作を行なうので、ステージ移動
の影響は描画パターンに全熱影響することがなくなる。
以上の様に本発明は鏡筒の保持方法を変えてその振動を
単純化し、鏡筒と試料室との振動差を電子ビームにフィ
ードバックして露光する方法であるから、高精度にパタ
ーン精度グするに役立ち、高速操作する電子ビーム露光
装置のパターン精度を更に向上させる効果の大きいもの
である。
単純化し、鏡筒と試料室との振動差を電子ビームにフィ
ードバックして露光する方法であるから、高精度にパタ
ーン精度グするに役立ち、高速操作する電子ビーム露光
装置のパターン精度を更に向上させる効果の大きいもの
である。
第１図は従来の電子ビーム露光装置の外形図。
第２図は本発明の電子ビーム露光装置の外形図、第３図
は本発明の振動検出のモデル図、第４図は同じく本発明
の振動検出して、それを補正し露光する電子ビーム露光
装置の要部説明図である。 図中、１，１１は試料室、２，１２は鏡筒、３゜１３は
防振台、１４はベローズ、１５は鏡筒を固定するアーム
、１６はレーザ干渉計を示している。
は本発明の振動検出のモデル図、第４図は同じく本発明
の振動検出して、それを補正し露光する電子ビーム露光
装置の要部説明図である。 図中、１，１１は試料室、２，１２は鏡筒、３゜１３は
防振台、１４はベローズ、１５は鏡筒を固定するアーム
、１６はレーザ干渉計を示している。
Claims (1)
- １ 電子ビーム露光装置において、電子光学鏡筒を１支
点で固定し、該鏡筒と試料室とを軟接続し上記鏡筒の振
動をレザー干渉計で検出して、その検出量を電子ビーム
の補正量に加えることにより該鏡筒の振動を補正して露
光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125480A JPS5823740B2 (ja) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125480A JPS5823740B2 (ja) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56126927A JPS56126927A (en) | 1981-10-05 |
| JPS5823740B2 true JPS5823740B2 (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=12326215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125480A Expired JPS5823740B2 (ja) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823740B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274870A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Nec Corp | ロジックアナライザ |
| US4948971A (en) * | 1988-11-14 | 1990-08-14 | Amray Inc. | Vibration cancellation system for scanning electron microscopes |
| JP2897237B2 (ja) * | 1989-01-18 | 1999-05-31 | 日本電気株式会社 | 荷電ビーム装置のビーム位置制御方法 |
| US5632667A (en) * | 1995-06-29 | 1997-05-27 | Delco Electronics Corporation | No coat backside wafer grinding process |
| JPH10208679A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| WO1999030346A1 (en) * | 1997-12-11 | 1999-06-17 | Philips Electron Optics B.V. | Particle-optical apparatus provided with an acceleration sensor for the compensation of specimen vibrations |
-
1980
- 1980-03-12 JP JP3125480A patent/JPS5823740B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56126927A (en) | 1981-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5386294A (en) | Pattern position measuring apparatus | |
| US6259511B1 (en) | Scanning type exposure apparatus | |
| US4464030A (en) | Dynamic accuracy X-Y positioning table for use in a high precision light-spot writing system | |
| JPH0362011B2 (ja) | ||
| US6285437B1 (en) | Method for controlling stages, apparatus therefor, and scanning type exposure apparatus | |
| US7397039B2 (en) | Real-time compensation of mechanical position error in pattern generation or imaging applications | |
| JPH07117371B2 (ja) | 測定装置 | |
| JPS5823740B2 (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| US7548321B2 (en) | Method for enhancing the measuring accuracy when determining the coordinates of structures on a substrate | |
| JPS631743B2 (ja) | ||
| US7329881B2 (en) | Charged-particle beam system | |
| JP5009199B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| US5966200A (en) | Charged particle beam exposure apparatus | |
| JP5344947B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP3010853B2 (ja) | 座標測定システム | |
| JP2010192508A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2536059B2 (ja) | 物体の表面状態測定装置及び表面の高さ測定装置 | |
| JPH09166415A (ja) | 露光装置 | |
| JPS60117721A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH0640003B2 (ja) | 試料面位置測定方法 | |
| JP2010074107A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH0786114A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH11307034A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPH08329476A (ja) | 光ディスク原盤露光装置および光ディスク原盤露光装置の制御方法 | |
| JPH11111598A (ja) | 加工方法、加工装置及び電子ビーム描画装置 |