JPS5823114A - 複合フイルム - Google Patents

複合フイルム

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JPS5823114A
JPS5823114A JP56121196A JP12119681A JPS5823114A JP S5823114 A JPS5823114 A JP S5823114A JP 56121196 A JP56121196 A JP 56121196A JP 12119681 A JP12119681 A JP 12119681A JP S5823114 A JPS5823114 A JP S5823114A
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JP
Japan
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composite film
layer
dielectric
film
base layer
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JP56121196A
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English (en)
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徹 佐々木
寺崎 収二
諏佐 友雄
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Kureha Corp
Original Assignee
Kureha Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、コンデンサ等の銹電体材料に用いて好適な複
合フィルムに関するものである。
例えば、コンデンサや容量型スイッチなどに、ポリオレ
フィン、熱可塑性ポリエステル、ポリアミド、ポリカー
ボネート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、
ポリテトラフ″オルエチレン、ポリ塩化ビニル、その他
各種の熱可塑性樹脂フィルムが使用されている。これら
のフィルムを用いたコンデンサ等の静電容量は、周知の
ように、フィルムの誘電率に比例し、フィルムの厚みに
反比例する。従って、フィルムの厚みはできる限り薄い
ことが好ましいが、この薄膜化には従来限度があった。
例えばヤング率の高い熱可塑性ポリエステルフィルムで
は2μのものも市販されているが、その他の樹脂のフィ
ルムでは3μ程度が限度であり、それより薄いフィルム
を工業的に製造することは極めて困難であった。また、
仮令得られたとしても、例えばポリフッ化ビニリデンや
ポリプロピレンなどのポリエステルフィルムに比べてヤ
ング率が格段に小さな材料からなるフィルムでは、薄い
フィルムをしわなく巻き取る際に必要な巻取応力がフィ
ルムの弾性限界応力を超える場合があり、巻回してコン
デンサを製造することは困難である。即ち、従来のフィ
ルムコンデンサ等においては、これらの点から厚さを薄
くすることができず、従ってその静電容量を大きくする
ことが困難であった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、製造時の作業性の良い厚みを有し、かつ単位表面積
当りの静電容量が大きい・コンデンサ等を形成可能なフ
ィルム材料を提供しようとするものである。
以下、本発明を実施例につき図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示すものであって、複
合フィルム(1)は、基体フィルム層(2)と、その両
面に積層された誘電体層(3X3)’とからなっている
。基体フィルム層(2)は熱可塑性樹脂(4)の中に金
属粉末又はカーボンブラック等の導電性微粒子(5)が
ほぼ均一に分tされて構成されている。また、誘電体層
(3X3)’は、電気絶縁性の良い熱可塑性樹脂で夫々
構成されている。なお、誘電体層(3)又は(3Yは基
体フィルム層(2)の片面のみに設けられても良く、ま
た、両面に設ける場合でも、これら両面の樹脂の種類、
膜厚などを互いに異ならせて良い。
本例のような複合フィルム(1)は、例えば導電性微粒
子(5)を含有する熱可塑性樹脂(4)と、誘電体膜を
形成する熱可塑性樹脂(3)及び/又は(3)′とを別
々の押出機より押出し、これを複合ダイス内で共押出し
した後、−軸若しくは二軸方向に延伸することにより容
易に製造することができる。この場合、熱可塑性樹脂(
4)と熱可塑性樹脂(3)及び/又は(3)′との比″
4を適当に選定することにより、誘電体フィルム層(3
)及び/又は(3)′を例えば1μ若しくはそれ以下(
こ任意に薄膜化することができる。また基体層(2)に
おける導電性微粒子(5)の含有量を増加すると、この
層(2)の誘電率はいくらでも増加させることができ、
例えば導体に近づけることができて、複合フィルム(1
)全体の誘電率を大巾に増大させることができる。
即ち、本例のような複合フィルム(l)(但し、誘電体
層(3)のみが形成されている場合)により形成される
コンデンサにおいて、基体層(2)の厚みをtl、誘電
率をC1、また、誘電体層(3)の厚みをt2、誘電率
をC2と丁れば、夫々の層(2)及び(3)の静電容量
c1及びC2は、面積Sのフィルムについて、2 となり、この複合フィルム(1)全体の静電容量Cは、
となる。従って、基体層(2)中の導電性微粒子(5)
の含有量が増大して基体層(2)の誘電率ε1が無限大
に近づけば、Ckq C2となる。
また、基体層(2)の両側に誘電体層(3X3)’が夫
々設けられている場合には、各誘電体層(3)及び(3
)′の静電容量を夫々C2及びCsとすれば、同様にし
て、もし両側の誘電体層(3X3)’が同一の樹脂でか
つ同一の厚みとすればC2”’CXとなり、CkqC2
/2となる。
場合には、Cに対するC1の寄与は小さくなり、誘基体
層(2)は導電性微粒子(5)を含有した熱可塑性樹脂
層であり、その表面に付された熱可塑性樹脂の誘電体層
(3)及び/又は(3)′と共に延伸することができる
ので、延伸前のフィルムの厚み、各層の厚み比及び延伸
倍率を適宜選択することにより、誘電体層(3)及び/
又は(3yの厚みを、誘電体層(3X3)’と能である
。また延伸することなく、単に共押出することによって
も複合フィルム(1)を得ることができる。この他、プ
レス若しくはキャスティングなどにより積層した複合フ
ィルムでも良い。
基体層(2)及び誘電体層(3X3)’の樹脂は任意に
選ぶことができるが、両層の樹脂は相互に良好な接着性
を有するものであるのが好門1シい。両層の樹脂が互い
に接着性を有しない場合には接着剤を使用することも可
能であるが、接着剤層は1つの誘電体層となり、全体と
しての誘電体層の厚みが増加するばかりでなく、誘電体
層(3X3)’に誘電率の高い樹脂を使用する場合には
、上記接着剤層の存在により誘電体層の平均の誘電率を
低下させるのであまり好ましくない。誘電体層(3X3
)’は誘電率の高い樹脂を使用すれば、複合フィルム(
1)の静電容量を高める上からも有利であり、例えば、
導電性微粒子(5)がカーボンブラックの場合、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリトリフロロエ
チレンなどの高誘電率の樹脂を用いるのが好ましい。
一方、基体層(2)を導体に近づけるために導電性微粒
子(5)として金属粒子を使用する場合には、ポリフッ
化ビニリデンやポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルなど
は融点以上の高温で金属粒子と接触すると分解する恐れ
があるので、誘電率は比較的低いが金属に不活性な樹脂
、例えばポリプロピレンなどを誘電体層(3X3)’と
する場合もあり、その他加工性、薄膜フィルムの絶縁性
などを考慮して適轟な熱可塑性樹脂を選択すれば良い。
スIIIK体、分散助剤、その他の成分を含有せしめる
ことができる。
才た、誘電体層(3X3)’にも、樹脂の他にセラミッ
クス誘電体、分散助剤、その他の成分を必要により含め
ることができる。なかでもセラミックス誘電体は#電体
層(3X3)’の静電容量を高め、ひいては複合フィル
ム(1)の静電容量をより一層高めることができるので
好ましい。セラミックス誘電体としては、BaTj05
系セラミックス、チタンジルコン酸鉛系セラミックス、
ニオブ酸系セラミックス等のセラミックス強誘電体;酸
化チタン、アルミナ等のセラミックス非強誘電体等が用
いられても良い。
好ましくは、  1KHzにおけるII誘電率10以上
、更に好ましくは50以上のセラミックスl1w体が用
いられる。誘電体層(3X3)’中におけるセラミック
ス#電体の割合は体積比で2〜50Isであるのが好ま
しく、5〜45チ、更には10〜40%の範囲が特に好
ましい。セラミックス誘電体の形状、大きさは特に限定
されるものではないが、大きさが小さい程、延伸したと
きにボイドができにくいという長所を有する反面、押出
加工の際に混ざりに<<、可撓性も相対的に小さいとい
う欠点を有しているため、好ましくは50〜500声、
より好ましくは100〜400μの範囲のものを用いる
のが良い。
基体層(2)と誘電体層(3X3)’との厚み比は任意
に選択できるが、誘電体層(3X3)’があまり厚いと
本例−による複合の効果が小さくなって好ましくない。
一般には誘電体層(3X3)’の厚みは基体層(2)の
厚みのルム(1)全体の厚みも製造可能な範囲で任意に
選ぶことができるが、一般Iこは2〜200μ、更に好
ましくは4〜100声である。
本例のような複合フィルム(1)は、その片面又は両面
に、例えば蒸着、スパッタリングなどにより薄膜電極を
付して、積層コンデンサ、重ね巻きコンデンサ等のフィ
ルムコンデンサや容量型スイッチの銹電体材料として使
用される。
次に、本発明の第2の実施例を第2図に示す。
本例による複合フィルムaυの基体層a2には、その所
々に、導電性微粒子(I!19を含まない誘電体樹脂I
からなる線条部員が設けられている。この基体層02の
導電性微粒子(isを含有している部分の電気抵抗は低
く、面方向にかなり自由に導通する場合もあるが、導電
性微粒子←9を含まない線条部(leは絶縁層となって
その両側の部分を互いに絶縁している。
従って、第6図に示すように、本例の複合フィルム任υ
に電極αηを付したもの(但し、’l!、6図(こおい
ては、作図の便宜上、フィルムαυ及び電極(I′r)
、とりわけ電極αηの厚みが誇張されている)を互いに
積層してコンデンサを形成した場合、メタリコン接続部
08がフィルムαηの側面部分に接触しても、この部分
が、対向電極(171X 17b)の存在する部分から
絶縁されているので、両電極(171X17b)間がシ
ョートする恐れは全(ない。S電性微粒子(へ)を含有
しない線条部αQの巾は0.1〜5閣程・度とするのが
好ましい。なお、第2図において、参照符号α瀦四′は
誘電体層である。
次に、実験例につき説明する。
実験例1−1〜1−5及び比較実験例1−1〜1−2基
体mm脂としてポリフッ化ビニリデンホモポリマー(以
下、  「PVDFJと略す)にカーボンブラックを体
積比で8%添加し、ブレンドして溶融押出を行ない、カ
ーボンブラックがPVDFに均一に分散されたベレット
を作製した。
一方、誘電体層樹脂としてやはりPVDFB用い、上記
基体層樹脂を芯層として誘電体層樹脂をその両面に積層
し、表面層となるように240Cの温度で共押出した後
、衆1に示す延伸条件で縦方向に延伸を行った。
この共延伸後における基体層の厚みと両面の誘電体層各
々の厚みは表1に示す通りであった。なお、各誘電体層
の厚さは同一である。
これに対し、比較実験例として、基体層樹脂又は誘電体
層樹脂単体常開じ240Cで押出し、160Cで2.5
倍に延伸した。
これらのシートの両面にN蒸着を施し、IKHIにおけ
る比誘電率及び−δ、直流100vを印加して1分後の
体積固有抵抗を夫々測定した。結果は表1に示す通りで
あった。なお、表1には、各コンデンサの単位表面積当
りの静電容量も夫々示した。
(以下次頁に続く) 68 実験例2 実験例1−2の一軸延伸フイルムを更に横方向に温度1
70C,倍率4.5倍で延伸を行ない、厚さ13.5μ
の二軸延伸フィルムを得た。このフィルムの比誘電率、
−一及び直流10Vを印加して1分後の体積固有抵抗は
夫々55.0.02.13x1014Ω・口であった。
実験例6 実験例1−5の一軸延伸フイルムを更に横方向に温度1
68C,倍率4.6倍で延伸を行ない、4.5μの二軸
延伸フィルムを得た。
このフィルムの比誘電率、−δ及び直流10Vを印加し
て1分後の体積固有抵抗は夫々70.0.021.1.
OX 10Ω@儲であった。
実験例4 実験例1で用いた基体層樹脂を芯層とし、 PVDFに
BaTiO3を体積比で2〇−均一に分散させた誘電体
層樹脂が上記基体層樹脂の両面に積層されるように、2
50Cの温度で共押出し、145tl:’、倍率3.0
倍で縦方向に一軸延伸を行ない、基体層の厚みが60μ
、各誘電体層の厚みが6.3μの積層フィルムを得た。
このシートの比誘電率、−δ及び直流100vを印加し
て1分後の体層固有抵抗は夫々290.0.027.1
.2 X 10’SΩ・■であった。
実験例5−1〜5−2及び比較実験例5−1〜5−2基
体層樹脂としてポリプロピレン樹脂にカーボンブラック
を体積比で9チ添加し、ブレンドして溶融押出を行ない
、カーボンブラックがポリプロピレン樹脂に均一に分散
されたベレットを作製した〇 一方、誘電体層樹脂としてやはりポリプロピレン樹脂を
用い、上記基体層樹脂を芯層とし、て誘電条件で縦方向
に延伸を行な、つた。この共延伸後における基体層の厚
み右誘電体層各々の厚みは表2に示す通りであった。な
お、各誘電体層の厚みは同一である。これに対し、比較
実験例として上記基体層樹脂又は誘電体層樹脂単体を同
じ< 250Cで押出し、135t:’で7.5倍に延
伸した。これらのフィルムの両面にM蒸着して電極とな
し、1KHzにおける比誘電率及び−δ、直流1oov
を印加して1分後の体積固有抵抗を夫々測定した。結果
を表2に示す。
(以下次頁に続く) 実験例6 実験例1−3の基体層樹脂と誘電体層樹脂とを共押出し
する際、基体層樹脂の巾方向の10mm間隔に0.5 
wのPVDF線条部全条部た以外は実験例1−3と全く
同じ厚み構成、共押出、共延伸条件で一軸延伸フイルム
を得た。得られたシートの比誘電率、−δ、体積固有抵
抗は夫々40.0.02.1.8X10Ω・口であった
。また、巾方向の基体層抵抗値は40■巾、40■長で
101sΩ以上であった。これに対し、0.5■のPV
DF線条部全条部ない基体層抵抗値は380にΩであっ
た。
以上の実験例からも明らかなように、本発明による複合
フィルムでは、導電性微粒子を含有した熱可塑性樹脂単
独のものと比べて、体積固有抵抗及び−δが大巾に改善
されると共に、誘電率及び単位面積当たりの静電容量が
、誘電体層単独のものと比べて顕著に改善される。従っ
て、本発明による複合フィルムは、例えばフィルムコン
デンサ等に用いて特に好適なものである。
以上説明したように、本発明においては、導電性微粒子
を含有した熱可塑性樹脂からなる基体層の少なくとも一
方の面に、熱可塑性樹脂からなる誘電体層を設けている
。従って、コンデンサ等の製造時の作業性の良い厚みで
もって、単位表面積当りの静電容量を大巾に改善するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
@1図は本発明の第1の実施例による複合フィルムの部
分縦断面図、第2図は第2の実施例による第1図と同様
の部分縦断面図、第3図は上記第2の実施例による複合
フィルムを用いた積層コンデンサの縦断面図である。 なお図面に用いた符号において、 (2)・・・・・・・・・・・・・・・基体層(3X3
)’−・・・・・・・・・・・誘電体層(5)・・・・
・・・曲面導電性微粒子aa−・・・・・・・・・・・
・・・基体層(liQ3’・・・・・・・・・・・・誘
電体層(ハ)・・・・・・・・・・・・・・・導電性微
粒子である。 代理人 土星 勝 第3図 (自発)手続補正書 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和56年特許願第121196号 2°′″’A″g[、合フィルム 東京都中大区日本lI襦−町壱丁目九査拾堂号(iio
)呉羽化学工S体式会社 6、補正により増加する発明の数 (1)、明#114fFか63行[)ri伸Jを11m
押または溶融−伸」に補正する。 (2)、同10頁6行目の「500μ」を「5Llom
μJ番こ補正する。 (3)、同10負4行目O「40 U p Jを「40
0mpJに補正する。 (4)、同11頁14行目の「側面hμ分」を[四面部
分(19a 〜19d) Jに補正する。 (5)、同11頁15.16行目のr (17a)(1
,7b) Jを[(18a) (18b) Jに補正す
る◇(6)、同11jj17行目の「ショート」を「4
通」−以 上−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 導電性微粒子を含有した熱可塑性樹脂からなる基
    体層と、この基体層の少なくとも一方の面に設げられた
    熱可塑性樹脂からなる誘電体層とを夫々具備する複合フ
    ィルム。 2、導電性微粒子がカーボンブラックである特許請求の
    範囲第1項に記載の複合フィルム。 6、積層された複合フィルムが共押出積層フィルムであ
    る特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の複合フィル
    ム。 4、積層された複合フィルムが共延伸積層フィルムであ
    る特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項に記載
    の複合フィルム。 5、 基体層中に、導電性微粒子を含有していない熱可
    塑性樹脂からなる線条部分が設けられた特許請求の範囲
    第1項〜第4項のいずれか1項に記載の複合フィルム。 6、 基体層及び誘電体層を構成する熱可塑性樹脂が夫
    々ポリフッ化ビニリデン系樹脂である特許請求の範囲第
    1項〜第5項のいずれか1項に記載の複合フィルム。 2 誘電体層が、セラミックス誘電体を分散させた熱可
    塑性樹脂からなる特許請求の範囲第1項〜第6項のいず
    れか1項に記載の複合フィルム。
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