JPS58222443A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS58222443A JPS58222443A JP57105955A JP10595582A JPS58222443A JP S58222443 A JPS58222443 A JP S58222443A JP 57105955 A JP57105955 A JP 57105955A JP 10595582 A JP10595582 A JP 10595582A JP S58222443 A JPS58222443 A JP S58222443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rust preventive
- recording medium
- magnetic recording
- oxygen
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高湿度中での耐食性が改善された強磁性金属薄
膜型磁気記録媒体に関する。
膜型磁気記録媒体に関する。
ポリエステル、ポリイミド等のプラスチックフィルムや
、アルミ板、ガラス板等の非磁性材側から成る基板の表
面に、真空中で蒸着、イオンブレーティング、スパツタ
リング等によ］Ｆｅ、Ｎｉ。
、アルミ板、ガラス板等の非磁性材側から成る基板の表
面に、真空中で蒸着、イオンブレーティング、スパツタ
リング等によ］Ｆｅ、Ｎｉ。
ＣＯあるいはそれらの合金を主体とし酸素を含む強磁性
薄膜を形成せしめた磁気記録媒体は、ビデオ信号記録の
ごとき高密度記録に適したものであるが、強磁性金属薄
膜の膜厚がＯ−０５〜０６μｍと小さいために高湿度中
、とくに温度変化が太きく結露が発生するような環境下
で放置された場合表面に腐食を生じやすく、その腐食が
ある程度進行すると、電磁変換特性に影響を及ぼし、ま
だへラドタッチ、耐摩耗性等の実用特性を劣化させる。
薄膜を形成せしめた磁気記録媒体は、ビデオ信号記録の
ごとき高密度記録に適したものであるが、強磁性金属薄
膜の膜厚がＯ−０５〜０６μｍと小さいために高湿度中
、とくに温度変化が太きく結露が発生するような環境下
で放置された場合表面に腐食を生じやすく、その腐食が
ある程度進行すると、電磁変換特性に影響を及ぼし、ま
だへラドタッチ、耐摩耗性等の実用特性を劣化させる。
この腐食を防錆剤で抑制する場合、ヘッド・磁性層間の
スベー、シングロスの関係で磁性層表面に形成し得る保
護膜の厚さにも厳しい制限があるだめ数分子層程度の付
着まだは吸着で充分効果のある防錆剤が望まれていた。
スベー、シングロスの関係で磁性層表面に形成し得る保
護膜の厚さにも厳しい制限があるだめ数分子層程度の付
着まだは吸着で充分効果のある防錆剤が望まれていた。
Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｇｏ あるいはそれらの合金を主
体とし酸素を含む強磁性薄膜はそれらの純金属から成る
薄膜に比べて抗磁力が高く、耐食性も秀れているもので
あるが、酸素が含有されていること、すなわち部分的に
酸化されているだめに、防錆効果を発揮する利判−防錆
剤一もＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ 等のバルク金属に用
いられる公知のものが必ずしも適当であるとはいえず、
実際それらの防錆剤を適用してみると、逆に腐食を促進
させる場合もあるため、新たに酸素を含む強磁性薄膜に
適合するものを探すことが必要となった。
体とし酸素を含む強磁性薄膜はそれらの純金属から成る
薄膜に比べて抗磁力が高く、耐食性も秀れているもので
あるが、酸素が含有されていること、すなわち部分的に
酸化されているだめに、防錆効果を発揮する利判−防錆
剤一もＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ 等のバルク金属に用
いられる公知のものが必ずしも適当であるとはいえず、
実際それらの防錆剤を適用してみると、逆に腐食を促進
させる場合もあるため、新たに酸素を含む強磁性薄膜に
適合するものを探すことが必要となった。
そこで、本発明者らが種々検討しに結果、酸素を含む強
磁性薄膜に対する防錆剤として、ベンゼンスルホン酸置
換体を主成分とするものが適当であることを見出しだ。
磁性薄膜に対する防錆剤として、ベンゼンスルホン酸置
換体を主成分とするものが適当であることを見出しだ。
すなわち、本発明は非磁性基板上に酸素を含む強磁性金
属薄膜を形成せしめた磁気記録媒体において、上記強磁
性金属薄膜に、ベンゼンスルホン酸置換体を主成分とす
る防錆剤を刊着せしめたことを特徴とするものである。
属薄膜を形成せしめた磁気記録媒体において、上記強磁
性金属薄膜に、ベンゼンスルホン酸置換体を主成分とす
る防錆剤を刊着せしめたことを特徴とするものである。
非磁性基板としては、ボリエヌテルフイルムフポリイミ
ドフィルム等のプラスチソクフイ７レム・アルミ板、ス
テンレス板などの金属板、ガラス板のような無機質の板
などが用いられ、これらの上に直接あるいは非磁性薄膜
層を介して、微量の酸素ガスの存在する真空中で蒸着、
スパッタ、イオンブレーティングなどの方法で斜めある
いは垂直柱状結晶から成る厚さ０・０６〜０・６μｍの
Ｇｏ。
ドフィルム等のプラスチソクフイ７レム・アルミ板、ス
テンレス板などの金属板、ガラス板のような無機質の板
などが用いられ、これらの上に直接あるいは非磁性薄膜
層を介して、微量の酸素ガスの存在する真空中で蒸着、
スパッタ、イオンブレーティングなどの方法で斜めある
いは垂直柱状結晶から成る厚さ０・０６〜０・６μｍの
Ｇｏ。
Ｆｅ ＋ Ｆｅ −Ｎｉ 、 Ｇｏ −Ｎｉ 、
Ｆｅ −Ｇｏ 、 Ｆｅ −Ｎｉ−Ｇｏ 等を主
体と腰酸素￥磁性金属とめ原子比で３〜４５％含有する
単層あるいは多層の強磁性薄膜を形成せしめたものにベ
ンゼンスルホン酸置換体を主成分とする防錆剤を適用す
る。
Ｆｅ −Ｇｏ 、 Ｆｅ −Ｎｉ−Ｇｏ 等を主
体と腰酸素￥磁性金属とめ原子比で３〜４５％含有する
単層あるいは多層の強磁性薄膜を形成せしめたものにベ
ンゼンスルホン酸置換体を主成分とする防錆剤を適用す
る。
本発明におけるベンゼンスルホン酸置換体とは、ベンゼ
ンヌルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、 １１３．５−
ベンゼントリヌルホン ホアミド、ニトロベンゼンヌルホン酸，フェノールスル
ホン酸，フェノ−ｔＬ／−２＋４−ジヌルポン酸，カテ
コール−３．６−ジヌルホン酸，カテコール−３．６−
ジヌルホン酸ナトリウム、２−ニトロフェノ−／Ｌ’ー
４ースルホン酸，オルタニル酸。
ンヌルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、 １１３．５−
ベンゼントリヌルホン ホアミド、ニトロベンゼンヌルホン酸，フェノールスル
ホン酸，フェノ−ｔＬ／−２＋４−ジヌルポン酸，カテ
コール−３．６−ジヌルホン酸，カテコール−３．６−
ジヌルホン酸ナトリウム、２−ニトロフェノ−／Ｌ’ー
４ースルホン酸，オルタニル酸。
メタニル酸，スルファニル酸，スルファニルアミド、２
−アミノフェノール−４−スルホン酸，ベンゼンチオヌ
ルホン酸，ベンゼンチオヌルホン酸。
−アミノフェノール−４−スルホン酸，ベンゼンチオヌ
ルホン酸，ベンゼンチオヌルホン酸。
ベンゼンジチオヌルホン酸，等カアル。
そして、本発明における防錆剤は、これらの４４体ある
いは２種以上の混合体を主体としく望ましくは少くとも
８０係以上含有）必要に応じて、ベンゼンスルホン酸置
換体以外の有機化合物、たとエバ、ナフト−／Ｌ’ 姑
：、・・、ハイドロキノン類，アセトフェノン類，キノ
ン類等を少量添加したものである。
いは２種以上の混合体を主体としく望ましくは少くとも
８０係以上含有）必要に応じて、ベンゼンスルホン酸置
換体以外の有機化合物、たとエバ、ナフト−／Ｌ’ 姑
：、・・、ハイドロキノン類，アセトフェノン類，キノ
ン類等を少量添加したものである。
これらの防錆剤は、強磁性薄膜や少くとも表面可能であ
れば内部、あるいは強磁性薄膜が形成されている下地と
の界面に接する状態で存在せしめることにより、その効
果を発揮せしめる。その適量は磁気記録媒体１ｍ３当り
０・５〜５００■程度である。具体的な存在のさせ方と
しては、防錆剤をそれ自体、あるいは高分子化合物等の
被膜形成能を有するものに混合せしめた状態で必要なら
ば溶剤で希釈して強磁性薄膜表面に塗布する方法、防錆
剤の蒸気を強磁性薄膜表面にあてる方法、さらに、磁気
記録媒体がテープ状である場合にはその裏面に存在せし
めておきテープが巻込捷れたとき強磁性薄膜表面に転写
せしめるようにする方法、等公知の手段を用いることが
できる。また、防錆剤と共に、通常の潤滑剤，帯電防止
剤等の添加剤を用いる９ととも可能である。
れば内部、あるいは強磁性薄膜が形成されている下地と
の界面に接する状態で存在せしめることにより、その効
果を発揮せしめる。その適量は磁気記録媒体１ｍ３当り
０・５〜５００■程度である。具体的な存在のさせ方と
しては、防錆剤をそれ自体、あるいは高分子化合物等の
被膜形成能を有するものに混合せしめた状態で必要なら
ば溶剤で希釈して強磁性薄膜表面に塗布する方法、防錆
剤の蒸気を強磁性薄膜表面にあてる方法、さらに、磁気
記録媒体がテープ状である場合にはその裏面に存在せし
めておきテープが巻込捷れたとき強磁性薄膜表面に転写
せしめるようにする方法、等公知の手段を用いることが
できる。また、防錆剤と共に、通常の潤滑剤，帯電防止
剤等の添加剤を用いる９ととも可能である。
次に具体的に本発明の実施例について説明する。
厚さ１０μｍのポリエステルフィルムを円筒キャンの周
面上に沿わせて６×１０−５ＴＯｒｒ の真空度で酸素
ガスを０・３１／ｙｅｎの速度で導入して電子ビーム加
熱により溶融したｃｏ阻金合金Ｎｉ含有量２０ｗｔ％）
を連続斜め蒸着（低入射角度成分３０。
面上に沿わせて６×１０−５ＴＯｒｒ の真空度で酸素
ガスを０・３１／ｙｅｎの速度で導入して電子ビーム加
熱により溶融したｃｏ阻金合金Ｎｉ含有量２０ｗｔ％）
を連続斜め蒸着（低入射角度成分３０。
以下カット）シ、厚さ１ ０００人の酸素含ｉ’ｃｏＮ
ｉ強磁性薄膜をフィルム上に形成せしめたもの（試料Ａ
）と、」二記と類似の条件で真空度５ Ｘ １ ０”Ｔ
ｏｒｒ 、酸素ガス導入なしで酸素を含有せしめないＣ
ｏＮｉ強磁性薄膜を形成せしめたもの（試，Ｉｔ Ｂ
）を用意した。膜中の酸素量をオージェ電子分光分析法
を主体に測定した結果、試料Ａの膜中の平均で１０係で
あり、試料Ｂのそれは１チ以下であった。これらの試料
表面にベンゼンスルホン酸置換体を主成分とする防錆剤
をエチルアルコール、アセトン、トルエン等に溶解せし
めて塗布乾燥（塗布量は１０〜１００■／ ｍ３となる
よう調節した）したのちに５０℃， Ｇｏ％ Ｒ．
Ｈ． 雰囲気中に放置し、その間、定期的に取出し顕
微鏡観察することにより錆発生状態を調べた。その結果
を次の表に示す。
ｉ強磁性薄膜をフィルム上に形成せしめたもの（試料Ａ
）と、」二記と類似の条件で真空度５ Ｘ １ ０”Ｔ
ｏｒｒ 、酸素ガス導入なしで酸素を含有せしめないＣ
ｏＮｉ強磁性薄膜を形成せしめたもの（試，Ｉｔ Ｂ
）を用意した。膜中の酸素量をオージェ電子分光分析法
を主体に測定した結果、試料Ａの膜中の平均で１０係で
あり、試料Ｂのそれは１チ以下であった。これらの試料
表面にベンゼンスルホン酸置換体を主成分とする防錆剤
をエチルアルコール、アセトン、トルエン等に溶解せし
めて塗布乾燥（塗布量は１０〜１００■／ ｍ３となる
よう調節した）したのちに５０℃， Ｇｏ％ Ｒ．
Ｈ． 雰囲気中に放置し、その間、定期的に取出し顕
微鏡観察することにより錆発生状態を調べた。その結果
を次の表に示す。
表より明らかなように、ベンゼンヌルホン酸置換体を主
成分とする防錆剤は酸素を含むＣｏ Ｎｉ薄膜に対し防
錆効果大であった。この効果は、酸素含有量３〜４５
％ （７） Ｃｏ Ｎｉ薄膜（Ｎｉ１０〜５５ｗｔ％）
では同様であり、ＧＯ薄膜、Ｆｅ Ｎｉ薄膜、Ｆｅ −
Ｇｏ薄膜等においても類似していた。
成分とする防錆剤は酸素を含むＣｏ Ｎｉ薄膜に対し防
錆効果大であった。この効果は、酸素含有量３〜４５
％ （７） Ｃｏ Ｎｉ薄膜（Ｎｉ１０〜５５ｗｔ％）
では同様であり、ＧＯ薄膜、Ｆｅ Ｎｉ薄膜、Ｆｅ −
Ｇｏ薄膜等においても類似していた。
なお、防錆を施さない未処理品は、試料Ａ、 Ｂとも
に１週間以内に錆が発生した。
に１週間以内に錆が発生した。
以」二に説明したように本発明によると高湿度中での耐
食性を容易に改善することができる。
食性を容易に改善することができる。
Claims (1)
- 非磁性基板上に酸素を含む強磁性金属薄膜を形成し、か
つ上記強磁性金属薄膜にベンゼンヌルホン酸置換体を主
成分とする防錆剤を付着せしめたことを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105955A JPS58222443A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105955A JPS58222443A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222443A true JPS58222443A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14421240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57105955A Pending JPS58222443A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222443A (ja) |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP57105955A patent/JPS58222443A/ja active Pending
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