JPS58222050A - 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルの新規な製法 - Google Patents
12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルの新規な製法Info
- Publication number
- JPS58222050A JPS58222050A JP57105496A JP10549682A JPS58222050A JP S58222050 A JPS58222050 A JP S58222050A JP 57105496 A JP57105496 A JP 57105496A JP 10549682 A JP10549682 A JP 10549682A JP S58222050 A JPS58222050 A JP S58222050A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、下記式(1)
で表わされる12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸
アルキルの新規な製法に関する。
アルキルの新規な製法に関する。
史に峰しくけ、従来公知文献法記載の下記式(2)但し
式中、Rは低級アルキル基を示す、で表わされる12−
(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−ドデ
セン酸アルキルを酸触媒と接触せしめることを特徴とす
る前記式(1) 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセ
ン酸アルキルの製法に関し、前記式(2+ 5IT規化
合物は、たとえば。
式中、Rは低級アルキル基を示す、で表わされる12−
(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−ドデ
セン酸アルキルを酸触媒と接触せしめることを特徴とす
る前記式(1) 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセ
ン酸アルキルの製法に関し、前記式(2+ 5IT規化
合物は、たとえば。
下目己式(3)
%式%(3)
但し式中、Rは低級アルキル基を示す。
で表わされる8−ホルミルオクタン酸アルキルから容易
に製造することができる。
に製造することができる。
本発明方法で工業的に有利に製造できる前記式(111
2−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルは5柚
子中の香気成分として公知のミント調の甘い果実用香気
を有する9−ドデセン−12−オライドの重要な合成中
間体として有用である。
2−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルは5柚
子中の香気成分として公知のミント調の甘い果実用香気
を有する9−ドデセン−12−オライドの重要な合成中
間体として有用である。
従来、12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸エチル
の合成に関して、特開昭56−90076号には、12
−ヒドロキシ−9−ドデシ/酸エテルヲリンドラー触媒
を用いて部分水素添加して12−ヒドロキシ−シス−9
−ドデセン酸エチルが得られたことが記載されている。
の合成に関して、特開昭56−90076号には、12
−ヒドロキシ−9−ドデシ/酸エテルヲリンドラー触媒
を用いて部分水素添加して12−ヒドロキシ−シス−9
−ドデセン酸エチルが得られたことが記載されている。
しかしながら。
原料12−ヒドロキシ−9−ドブシン酸エチルの合成経
路については記載されておらず、その合成には多工程ヲ
敏すると考えられる。
路については記載されておらず、その合成には多工程ヲ
敏すると考えられる。
本発明者等は、前記式(In2−ヒドロキシ−シス−9
−ドデセン岐低級アルキルエステルを工業的に有利に製
造できる方法を開発すべく研究を行ってきた。
−ドデセン岐低級アルキルエステルを工業的に有利に製
造できる方法を開発すべく研究を行ってきた。
その結果、前記式(2)で衣わされる従来公知文献法記
載の12−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス
−9−ドデセン酸が、市場で容易に入手でキルオレイン
酸アルギルから容易に合成できる前記式(3)の8−ホ
ルミルオクタン酸アルキルから容易に製造できることを
発見した。更に、該式(2)新規化合物は酸触媒を接触
させるだけで容易に且つ高収率をもって、式(1)12
−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルに転化で
きることを発見した。
載の12−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス
−9−ドデセン酸が、市場で容易に入手でキルオレイン
酸アルギルから容易に合成できる前記式(3)の8−ホ
ルミルオクタン酸アルキルから容易に製造できることを
発見した。更に、該式(2)新規化合物は酸触媒を接触
させるだけで容易に且つ高収率をもって、式(1)12
−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルに転化で
きることを発見した。
更に、上記式(2)新規化合物の酸触媒による式(1)
化合物への転化は、容易な操作で且つ約80%を超える
畠収率で進行する利点に加えて、たとえばシス比93%
を超える優れた立体特異性をもって目的とする弐(11
化合物を選択的に取得できる利益があることがわかった
。
化合物への転化は、容易な操作で且つ約80%を超える
畠収率で進行する利点に加えて、たとえばシス比93%
を超える優れた立体特異性をもって目的とする弐(11
化合物を選択的に取得できる利益があることがわかった
。
従って1本発明の目的は、優れた収率及び立体特異aを
もって式(2)新規化合物から式(1)化合物を工業的
に容易な操作及び装置で有利に製造できる新しい合成方
法を提供するにある。
もって式(2)新規化合物から式(1)化合物を工業的
に容易な操作及び装置で有利に製造できる新しい合成方
法を提供するにある。
本発明の上記目的及び更(多くの他の目的ならびに利点
は、以下の記載から一層明らかとなるであろう。
は、以下の記載から一層明らかとなるであろう。
本発明方法で用いる式(2)新規化合物は1例えば、オ
レイン酸アルキルをオゾン酸化して容易に得ることので
きる式(3)8−ホルミルオクタン酸アルキルから、た
とえば、該式(3)化合物を有機溶媒の存在下、3−デ
トラヒドロビラニルオキシプロピレントリフェニルホス
ホランと接触せしめることにより、容易に合成すること
ができる。
レイン酸アルキルをオゾン酸化して容易に得ることので
きる式(3)8−ホルミルオクタン酸アルキルから、た
とえば、該式(3)化合物を有機溶媒の存在下、3−デ
トラヒドロビラニルオキシプロピレントリフェニルホス
ホランと接触せしめることにより、容易に合成すること
ができる。
本発明方法によれば、たとえば上述のようにして得るこ
とのできる式f2+12−(2−テ]・ラヒドロビラニ
ルオキシ)−シス−9−ドデセン敞アルキル盆酸触媒と
接触せしめることにより、優れた収率及び立体特異性を
もって、操作及び装置上有イII V(短い工桿で式(
1)化合’12J i:工業的に有利に製造す/bこと
ができる。
とのできる式f2+12−(2−テ]・ラヒドロビラニ
ルオキシ)−シス−9−ドデセン敞アルキル盆酸触媒と
接触せしめることにより、優れた収率及び立体特異性を
もって、操作及び装置上有イII V(短い工桿で式(
1)化合’12J i:工業的に有利に製造す/bこと
ができる。
」二記式(2)化合物の製造例令加えて1図式的に示す
と、以下のように示すことができる。尚、式中、Rpよ
、たとえばメチル、エチル、フ0ロピル、ブチル、ペン
チルなどの如き低級アルキル基ヲ示す。
と、以下のように示すことができる。尚、式中、Rpよ
、たとえばメチル、エチル、フ0ロピル、ブチル、ペン
チルなどの如き低級アルキル基ヲ示す。
又、Phはフェニル基を、ぞしてTHPはデトラピ1°
ロピシニル基金示す。
ロピシニル基金示す。
0flCC0OR−(31
・・・(1)
使用するph、pグ\10THPは、ハロゲン化3−テ
トラピラニルオキシ−11−グロビルトリフエニルボス
ホニウム塩CPA、7)/\/\0THP”JX(式中
、Xはハロダン原子を示す)と塩基を反応させることに
より得ることができる。
トラピラニルオキシ−11−グロビルトリフエニルボス
ホニウム塩CPA、7)/\/\0THP”JX(式中
、Xはハロダン原子を示す)と塩基を反応させることに
より得ることができる。
上記式[Ph、PA/X0TIIF:]Xで示しえ2、
ログン化3−テトラヒドロピラニルオキシ−n−プロピ
ルトリフェニルホスホニウム塩と塩基の反応は、不活性
有機溶媒の存在下で行うことができる。このような溶媒
の例としては1例えば、N。
ログン化3−テトラヒドロピラニルオキシ−n−プロピ
ルトリフェニルホスホニウム塩と塩基の反応は、不活性
有機溶媒の存在下で行うことができる。このような溶媒
の例としては1例えば、N。
N−ツメチルホルムアミド、ツメチルスルホキシド、テ
トラヒドロフラン、エーテル、ソオキサン。
トラヒドロフラン、エーテル、ソオキサン。
1.2−ジメトキシエタンなどのほかに、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、リプロインなどの芳香族および脂肪
族炭化水累類を例示することができる。
ルエン、キシレン、リプロインなどの芳香族および脂肪
族炭化水累類を例示することができる。
これら有機溶媒は単独でも複数軸併用してでも利用する
ことができる。また、その使用量には特別な制約はない
が、向えば、ハロゲン化3へテトラヒドロピラニルオキ
シ−n〜グフロルトリフェニルポスホニウム塩に対して
、好ましくは約2〜約50重量倍程度、一層好ましくは
、約2〜約5重量倍程度の使用量を例示することができ
る。
ことができる。また、その使用量には特別な制約はない
が、向えば、ハロゲン化3へテトラヒドロピラニルオキ
シ−n〜グフロルトリフェニルポスホニウム塩に対して
、好ましくは約2〜約50重量倍程度、一層好ましくは
、約2〜約5重量倍程度の使用量を例示することができ
る。
又、ハロゲン化3−テトラヒドロピラニルオキシ−n−
プロピルトリフェニルホスホニウム塩のハロダンの例と
しては、塩素、臭素及び沃素を好ましくしu示できる。
プロピルトリフェニルホスホニウム塩のハロダンの例と
しては、塩素、臭素及び沃素を好ましくしu示できる。
更に、塩基の列としては、2チルリチウム、フェニルリ
チウム、リチウムジエチルアミド、ナトリウムメトキシ
ド、水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、水素化カリ
ウム、ナトリウム−tertブトキサイドなど全例示す
ることができる。これら塩基の使用量も適当に変更選択
できるが、好ましくは、当モル前後ないし少しく過剰址
で用いるのがよく、列えば、上記ハロゲン化3−テトラ
ヒドロピラニルオキシ−n−プロピルトリフェニルホス
ホニウム塩に対して、約1〜約2倍モル程度の使用量を
例示できる。
チウム、リチウムジエチルアミド、ナトリウムメトキシ
ド、水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、水素化カリ
ウム、ナトリウム−tertブトキサイドなど全例示す
ることができる。これら塩基の使用量も適当に変更選択
できるが、好ましくは、当モル前後ないし少しく過剰址
で用いるのがよく、列えば、上記ハロゲン化3−テトラ
ヒドロピラニルオキシ−n−プロピルトリフェニルホス
ホニウム塩に対して、約1〜約2倍モル程度の使用量を
例示できる。
上記3−テトラヒドロピラニルオキシプロピレントリフ
ェニルホスホラン形成反応は、 Ftlえば。
ェニルホスホラン形成反応は、 Ftlえば。
約−78℃〜約100℃程度の広い範囲で適宜に選択し
て行うことができる。反応は、例えば、約0.5〜約2
0時間程度で行うことができる。又。
て行うことができる。反応は、例えば、約0.5〜約2
0時間程度で行うことができる。又。
反応系が実質的に無水の状態で行うのが好ましく。
更に1例えば、窒素、アルゴンその他の不活性ガス雰囲
気下で実施することが好ましい。
気下で実施することが好ましい。
本発明方法で用いる式(2)化合物は、たとえば上述の
ようにして、有機溶媒の存在下、ノ・ロダン化3−テト
ラヒドロピラニルオキシ−n−プロビルトリフェニルホ
スホニウム塩と塩基とを反応させて得ることのできる3
−テトラヒドロピラニルオキシプロピレントリフェニル
ホスホランと上記式(3)8−ホルミルオクタン酸アル
キルとを反応させることにより製造することができる。
ようにして、有機溶媒の存在下、ノ・ロダン化3−テト
ラヒドロピラニルオキシ−n−プロビルトリフェニルホ
スホニウム塩と塩基とを反応させて得ることのできる3
−テトラヒドロピラニルオキシプロピレントリフェニル
ホスホランと上記式(3)8−ホルミルオクタン酸アル
キルとを反応させることにより製造することができる。
反応は前記ホスホランの形成反応に関して、四〇示した
と同様な有機溶媒の存在下に行うことができる。反応は
。
と同様な有機溶媒の存在下に行うことができる。反応は
。
室温でも進行し、レリえば、約40℃以下の温度で行う
ことができるが1発熱反応であるので1例えば、水冷条
件下その他適当な冷却条件下に行うのが好都合である。
ことができるが1発熱反応であるので1例えば、水冷条
件下その他適当な冷却条件下に行うのが好都合である。
反応は、同様に実質的に無水条件下、不活性がス雰囲気
下で実施するのが好ましい。反応に際しでは、3−テト
ラヒドロピラニルオキシプロピレントリフェニルホスホ
ランを分離して用いる必要はなく、該ホスホランを形成
した反応生成物液に8−ホルミルオクタン醒アルキル式
(3)全添加して行うことができる。上記式(3)化合
物に対して上記3−テトラヒドロピラニルオキシ−n−
プロピレン) IJフェニルホスホランが約1〜約2倍
モル程度の量となるように反応を行うのが好ましく、約
1〜約1.2倍モル程度が一層好ましい。反応時間には
特別の制約はなく、列えば、約0.5〜約20時間程度
、より好ましくは、約0.5〜約5時間程度の範囲が例
示できる。反応終了後、溶t#、を留去し、残渣より油
分子:例えばn−ヘキサンにて抽出し、油層を飽1・1
1食塩水で洗浄し7’C後、n−へキサ 。
下で実施するのが好ましい。反応に際しでは、3−テト
ラヒドロピラニルオキシプロピレントリフェニルホスホ
ランを分離して用いる必要はなく、該ホスホランを形成
した反応生成物液に8−ホルミルオクタン醒アルキル式
(3)全添加して行うことができる。上記式(3)化合
物に対して上記3−テトラヒドロピラニルオキシ−n−
プロピレン) IJフェニルホスホランが約1〜約2倍
モル程度の量となるように反応を行うのが好ましく、約
1〜約1.2倍モル程度が一層好ましい。反応時間には
特別の制約はなく、列えば、約0.5〜約20時間程度
、より好ましくは、約0.5〜約5時間程度の範囲が例
示できる。反応終了後、溶t#、を留去し、残渣より油
分子:例えばn−ヘキサンにて抽出し、油層を飽1・1
1食塩水で洗浄し7’C後、n−へキサ 。
ンを留去し、減圧蒸留又はシリカグルカラムクロマトに
より分離することにより、目的とする式(2)12−(
2−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−ドデセ
ン酸アルキルを高純度、隔収率で得ることができる。上
記反応ではシス型の化合物が選択的に生成しそしてトラ
ンス型の化合物は。
より分離することにより、目的とする式(2)12−(
2−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−ドデセ
ン酸アルキルを高純度、隔収率で得ることができる。上
記反応ではシス型の化合物が選択的に生成しそしてトラ
ンス型の化合物は。
通常約7%以下、多くの場合実質的に零である。
上記式(2)化合物の具体例及びその沸点全下記に例示
する。
する。
沸点 収率
酸メチル
本発明方法によれば、上記式(1112−ヒドロキシ−
9−ドデセン酸アルキルは、たとえは上記のようにして
得ることのできる式(2)化合vlJ’e、好ましくは
アルコール溶媒中、酸触媒と接触させることにより脱テ
トラヒドローピラニル化して容易に得ることができる。
9−ドデセン酸アルキルは、たとえは上記のようにして
得ることのできる式(2)化合vlJ’e、好ましくは
アルコール溶媒中、酸触媒と接触させることにより脱テ
トラヒドローピラニル化して容易に得ることができる。
脱テトラヒドロピラニル化ハ、fjuえば、約5°〜約
80℃程度、より好ましくは約10°〜約50℃稈度の
温度で、例えば、約0.5〜約24時間極度の反応条件
で容易に行うことができる。反応に使用する酸触媒の例
としては、リン酸、塩酸、硫酸、p−トルエンスルホン
酸などの無機及び有機酸を好ましく例示できる。これら
触媒の使用Mは、適宜に選択して行うことができ、上記
式(2)化合物に対して1例えば約0.O1〜1〜約1
0%イM度Ω範囲をν1j示することができる。
80℃程度、より好ましくは約10°〜約50℃稈度の
温度で、例えば、約0.5〜約24時間極度の反応条件
で容易に行うことができる。反応に使用する酸触媒の例
としては、リン酸、塩酸、硫酸、p−トルエンスルホン
酸などの無機及び有機酸を好ましく例示できる。これら
触媒の使用Mは、適宜に選択して行うことができ、上記
式(2)化合物に対して1例えば約0.O1〜1〜約1
0%イM度Ω範囲をν1j示することができる。
又、有機溶媒としては1例えば、メタノール、エタノー
ルなどの如きアルコールが好ましく使用できる。該有慎
溶媒の使用量は適宜に選択でき、上記式(2)化合物に
対して1例えば約1倍〜約5倍重歓程度の範囲の1史用
蓋を例示することができる。
ルなどの如きアルコールが好ましく使用できる。該有慎
溶媒の使用量は適宜に選択でき、上記式(2)化合物に
対して1例えば約1倍〜約5倍重歓程度の範囲の1史用
蓋を例示することができる。
反応終了後は、たとえば、適箔なアルカリ土類金属水洗
浄し、溶媒を留去して上記式(1)化合物を容易に得る
ことができる。
浄し、溶媒を留去して上記式(1)化合物を容易に得る
ことができる。
以下、実施例により、本発明方法実施の数態様について
更に詳しく説明する。
更に詳しく説明する。
参考レリ1
8−ホルミル−オクタン酸メチルの合成オレイン酸メチ
ル(59p)ei化メチレン(310F)に爵解、−7
8℃にてオゾン(112)を導入する。終了後亜鉛末(
25t)と酢酸(759)のけんだく液中に注入、還元
分解反応を行う。終了後p過し母液を水洗1重ソー水洗
中和、乾燥処理後塩化メチレンを回収する。得られた残
液を減圧下に蒸留精製することにより沸点115〜12
0℃(3關f1g)を有する8−ホルミル−オクタン酸
メチル38f(収率83%)を得る。
ル(59p)ei化メチレン(310F)に爵解、−7
8℃にてオゾン(112)を導入する。終了後亜鉛末(
25t)と酢酸(759)のけんだく液中に注入、還元
分解反応を行う。終了後p過し母液を水洗1重ソー水洗
中和、乾燥処理後塩化メチレンを回収する。得られた残
液を減圧下に蒸留精製することにより沸点115〜12
0℃(3關f1g)を有する8−ホルミル−オクタン酸
メチル38f(収率83%)を得る。
参考例2
参考例2
オレインはメチルに代えオレイン酸エチル62tk用い
、参考レリ1と同様に反応を行うことにより、沸点12
0〜122℃<svmHy)を有する8−ホルミルオク
タン酸エチル439”f得る。
、参考レリ1と同様に反応を行うことにより、沸点12
0〜122℃<svmHy)を有する8−ホルミルオク
タン酸エチル439”f得る。
(収率89%)
参考flIJ 3
12−(2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−
9−ドデセン酸メチルの合成 3−テトラヒドロピラニルオキシプロピルトリフェニル
ホスホニウムブロミド69f’i(アルゴン雰囲気下、
乾燥THF 500 txl中にけんだくさせる。−3
0℃に冷却、1.5#−s−ブチルリチウムヘキサン溶
液F30rnlfこの中に滴下反応赤色のホスホラン溶
gを形成する。次いで8−ホルミルオクタン酸メチル2
2?の乾燥THF501dΩ溶液を同温度で滴下反応す
る。滴下終了後冷却浴をけずし室温にまで戻す。反応終
了後減圧下にTHFを回収、残渣をn−Ettzan−
にて抽出する。抽出層を水洗、乾燥処理後、n−Hgc
αnef:回収、残液を蒸留することにより沸点135
〜140℃(0,01wHg )會有する1 2− (
2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−ドデ
セン酸メチル272を得る。収率83%、尚シス比はG
LCPeak比により(シス/トランス=93/7)で
あった。(PEG20MZmI史用)参考例4 12−(2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−
9−ドデセン酸メチルの合成 実施例1において、THFの代りにジメトキシエタン(
DME)−f用い、n−ブチルリチウムの代すにL゛−
ブトキシカリウムを用い、更に、8〜ホルミルオクタン
酸エチル24ff用い以下−mに操作全行うことにより
、沸点139〜142℃(001闘Hy)を有する12
−(2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−
ドデセン敵エチル29v(収率87%)を得る。(シス
比98.3%up ) 実 施 例 1 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸メチル参考例
3により得7’c12−(2’−テトラヒドロピラニル
オキシ)−シス−9−ドデセン酸メチル20 f’に1
%ノ9ラドルエンスルホン79 (PTSA)−メタノ
ール2002と共に室温下−夜装置する。
9−ドデセン酸メチルの合成 3−テトラヒドロピラニルオキシプロピルトリフェニル
ホスホニウムブロミド69f’i(アルゴン雰囲気下、
乾燥THF 500 txl中にけんだくさせる。−3
0℃に冷却、1.5#−s−ブチルリチウムヘキサン溶
液F30rnlfこの中に滴下反応赤色のホスホラン溶
gを形成する。次いで8−ホルミルオクタン酸メチル2
2?の乾燥THF501dΩ溶液を同温度で滴下反応す
る。滴下終了後冷却浴をけずし室温にまで戻す。反応終
了後減圧下にTHFを回収、残渣をn−Ettzan−
にて抽出する。抽出層を水洗、乾燥処理後、n−Hgc
αnef:回収、残液を蒸留することにより沸点135
〜140℃(0,01wHg )會有する1 2− (
2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−ドデ
セン酸メチル272を得る。収率83%、尚シス比はG
LCPeak比により(シス/トランス=93/7)で
あった。(PEG20MZmI史用)参考例4 12−(2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−
9−ドデセン酸メチルの合成 実施例1において、THFの代りにジメトキシエタン(
DME)−f用い、n−ブチルリチウムの代すにL゛−
ブトキシカリウムを用い、更に、8〜ホルミルオクタン
酸エチル24ff用い以下−mに操作全行うことにより
、沸点139〜142℃(001闘Hy)を有する12
−(2’−テトラヒドロピラニルオキシ)−シス−9−
ドデセン敵エチル29v(収率87%)を得る。(シス
比98.3%up ) 実 施 例 1 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸メチル参考例
3により得7’c12−(2’−テトラヒドロピラニル
オキシ)−シス−9−ドデセン酸メチル20 f’に1
%ノ9ラドルエンスルホン79 (PTSA)−メタノ
ール2002と共に室温下−夜装置する。
ソーダ灰粉末10Fを加えメタノールを回収、残渣をエ
ーテル抽出、食塩水洗浄、乾燥処理後エーテルを回収、
残液全滅圧下に蒸留することにより(沸点108〜11
0℃10.5冨*IIgf有する)12−ヒドロキシ−
シス、9−ドデセン1波メチル12f(収率85%)を
得る。
ーテル抽出、食塩水洗浄、乾燥処理後エーテルを回収、
残液全滅圧下に蒸留することにより(沸点108〜11
0℃10.5冨*IIgf有する)12−ヒドロキシ−
シス、9−ドデセン1波メチル12f(収率85%)を
得る。
実施例2
l2−ヒドロキシ−ジス−9−ドデセし故エチル参考レ
リ4により侍た12−(2’−テトラヒドロピラニルオ
キシ)−シス−9−ドデセン威エチル252を用い、1
%P ’I’ S A−メタノールに代え、1%硫酸−
エタノール系で実施向lと同様に反応を行ない沸点11
0−112°C/ 0.5 mu HQケ有スる12−
ヒドロキシ−シス−9−トテセ:、yt1グエIル15
v(収率84%)を得た。
リ4により侍た12−(2’−テトラヒドロピラニルオ
キシ)−シス−9−ドデセン威エチル252を用い、1
%P ’I’ S A−メタノールに代え、1%硫酸−
エタノール系で実施向lと同様に反応を行ない沸点11
0−112°C/ 0.5 mu HQケ有スる12−
ヒドロキシ−シス−9−トテセ:、yt1グエIル15
v(収率84%)を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記式(2) 但し式中、Rは低級アルキル基を示す。 で表わされる12−(2−テトラヒドロぎラニルオキシ
)−シス−9−ドデセン酸アルキルヲ嘔触媒と接触せし
めることを特徴とする下記式(])80式%(1) 但し式中、Rは上記したと同義。 で表わされる12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸
アルキルの製法。 2 下記式(3) %式%(3) 但し式中、Rは低級アルキル基を示す。 で表わされる8−ホルミルオクタン醒アルキルを。 有機爵媒の存在下、3−テトラヒドロピラニルオキシフ
ロピレントリフェニルホス示う/と接触せしめて下記式
(2) 但し式中、Rは前記したと同義、 で表わされる12−(2−テトラヒドロピラニルオキシ
)−シス−9−ドデセン酸アルキルヲ形成し、該化合物
を酸触媒と接触せしめることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57105496A JPS58222050A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルの新規な製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57105496A JPS58222050A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルの新規な製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58222050A true JPS58222050A (ja) | 1983-12-23 |
JPH0210141B2 JPH0210141B2 (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=14409201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57105496A Granted JPS58222050A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 12−ヒドロキシ−シス−9−ドデセン酸アルキルの新規な製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58222050A (ja) |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP57105496A patent/JPS58222050A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0210141B2 (ja) | 1990-03-06 |
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