JPS58221842A - 高温度フオトレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特に高温度適用のために有用であるポジチブ作
用フオトレジストに関し、そしてより詳しくはビイルフ
エノールのホモポリマー又はコポリマーからなるアルカ
リ可溶バインダー中のボジチブ作用感光性化合物からな
るホトレジスト組成物、高温度抵抗性を得るだめの方法
およびそこから形成された製品に関する。

従来技術σ）記載 フォトレジスト組成物は、従来知られており、そして　
ＤｅＦｏｒｐ、ｓｔ　、　Ｐｈｏｉｏｒｅｓｉｓｔ　Ｍ
ａｔｅｒｉａｌ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ＋ＭｃＧ
ｒａｗ−Ｈｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　ｏｍｐａｎｙ＋Ｎｅｗ　
Ｙｏｒｋ　１９７５を含む刊行物に記載されている。フ
ォトレジスト１１適当な波長の光に真先された時、化学
的に成る種の溶剤（現像剤）に可溶性になる乾燥フィル
ムとして適用されるか又は溶液から形成された被覆から
なろ。二つのタイプは知られている。そのネガチブ作用
レジストは初期にはそれの現像剤中に可溶であり、しか
し活性放射に八光されて現像剤に蝙　　　　不溶性にな
り、それによって潜像を定めろ混合物１！ｆ開昭５８−
２２１８４２　（３）であるうそれと反対のボジチプ作
用レジストは現ｆ＃剤中に可溶なレジストを露光によっ
て形成する。

ボジチプ作用フォトレジストはネガチブ作用ホトレジス
トよりも高価であるが、しかしすぐれた解１１’力をも
たらす５例えは上記に記載したボジチブ作用フォトレジ
ストは１ミクロン又はそれ以下程度の小さい線幅のレリ
ーフ１象を生じさせるように現像できる。加えて、その
フォトレジストの交差断面を考慮して現１象によってそ
のレジスト中に形成されたチャンネルは平方角を有しそ
して最小の傾斜をもったサイド壁を形成する。

ボジチブ作用ホトレジストはフィルム形成性ポリマーバ
インダー中の感光性化合物からなる。その感光性化合物
はしばしばセンシタイザ−と呼ばれ０−キノンジアジド
スルホン酸およびカルボン、酸から形成されたエステル
およびアミドである。

これらのエステルおよびアミドは、　　ＤｅＦｏｒｅｓ
ｔｓｕｐｒａ’　４７−５５良に記載されている。これ
らの感光性化合物およびそれを作るために使用した方法
は西独特許８６５，１４０および米国特許第２．７６７
．０９２　　；３．０４６，１　１０　　：３．０．４
．６，１１　２　　：３．０４（Ｓ、１１９　；３．０
４６，１２１　：ろ、０４６．１２２および３．１０６
．４６５に記載されている。ボジチブ作用ホトレジスト
の組成物中において使用された追加の２ルホンアミドセ
ンシタイザーは米国特許３．６３７，３８４に記載され
ている。これらの物質は芳香族スルホニルクロライドの
適当なジアジドと適当な樹脂アミンとの反応によって形
成されろ。

これらのセンシタイザ−の製造方法およびそれの例は米
国特許第２，７９７，２１５に示されている。仙σ）ボ
ジチブ作用ジアゾ化合物は特別な目的ｆ）ために使用さ
れた７例えば、９いＵ、Ｖ平版印刷用σ〕ボジチプ作用
フォトレジストとして使用されたジアゾ化合物はメルド
ラムジアゾであり、それはＣＩＰＣ；Ｉｋ　ｅｔ　ａ！
　＋　’Ｉ’ｐｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｐ
　Ｂｕｌｌｐｔｉｎ　ｒＶｏｌ　、２４　、Ａ４　、　
Ｓｐｐｔｅｍｂｐｒ　１９８１　、　ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ
、＋ｐｐ１９０７および１９０８　に記載されている。

レーザー１ｉｋｌ像用に適するＯ−キノンジアジド化合
物は米国￥ｆ許第４，２０７，１０７に示されて℃・ろ
。

工業的用途において０−キノンジアジドと一緒にしばし
ば使用された樹脂バインダーはノボラック樹脂として知
られているアルカリ可溶なフェノールホルムアルデヒド
樹脂である。このよっなポリマーを使用するフォトレジ
ストは米国特許第１．１１０．０１７号に記載されてい
る。これらの物質は条件σ）もとでフェノールとホルム
アルデヒドとの反応生成物であり、それによって熱可塑
性ポリマー１′！約１２５℃の融点で形成される。１２
５℃を連える融点を持ったノボラックは公知セあるが。

しかし一般（フォトレジスト組成物中に使用されていな
い、ブＩぜならそハらはしばしは脆く、また（ｉそれ島
の用途乞限定する他の性債乞有する。〇−キノンジアジ
ドと一諸に使用された他のクラスのバインダーはビニル
フェノールのホモポリマー又はコポリマーである。この
種Ｑ）フォトレジストは米国特訓第３．８６９，２９２
号に記載されている。

ビニルフェノールから形成されたポリマーのバインダー
を使用するフォトレジストハエ東上使用されなかったと
化んじられている。

従来において、バインダーとして、ノボラツク樹脂を使
用する上記に記載したボジチブレジスト１１もっともひ
んばんに写＾製版において化学的腐食剤から基板を保護
するためのマークとして使用されている５例えは印刷配
線板の製造の通常の方法において、銅被覆基板は活性放
射で亦光されてボジチブ作用ホトレジストの層で被覆さ
れており。

そのフォトレジスト被覆中に潜在的な配線板を形成し、
液体現像剤で現１象されてレリーフ（１’を形成しそし
て化学的腐食剤で腐食され、それによって望まない＠は
除去されそしてそのフォトレジストマークによって保護
された銅が配線模様に残される。印刷配線板の製造のた
め、そσ）フォトレジスＨ工化学的抵抗性を有し、配線
板基板に接着し。

セして胃密度配線板のために細かい線の解像力を有しな
ければならない。

同株なフォトレジストは又半導体の製造に使用されろ、
印刷配線板の製造においてのようにそのフォトレジスト
は半導体ウエンアーの表面に被；シされ、゛それからｌ
［ｆ１１１象化されそして現１兼される。現像ｅ）次ぎ
に、そのウェファ−は典型的［１１腐食剤で腐食され、
それによってそのフォトレジ７ト０現家によって裸のウ
ェファ−の部分は溶解し、一方フオドレジストで被覆さ
れたウェファ−の部分は保護され、それＶＣよって配腓
模様ン定める・半導体の製造において使用のためそのフ
ォトレジスト１１化学的腐食剤に抵抗性を有し、その半
導体ウェファ−の表面に接着しそして非常に細かい糾の
解像ン５Ｊ能にする。

半導体製造におけるより最近の発見は配゛線板？定める
湿った化学的り祐食用Ｏ）乾燥したプラズマ腐食を構成
する。プラズマ腐食はグロー放電、によって形成された
化学的に活性なガス状ラジカルとσ）反応によって物迎
を腐食することでトる。それは簡便さおよび改良′され
た寸法解像力および許容値をもたらす点で短詞化学的腐
食よりも利Ａをもたら１゜プラズマ腐食用の手順１１１
例えは　Ｊ、Ｖａｃ。

Ｓｃｉ、Ｔｅｃｂｎｉｃａｌ＋　Ｖｏｌ、　１４＊　Ａ
ｌ　ｌ　Ｊａｎ、／Ｆ’ｅｂ、　１９７７　＊ｐｐ　２
６６−２７４に６己載されている。

半導体か短面化学的腐食剤又はグラメマ腐艮を使用して
製造されるかとうＤ）は画（象模様を足めるためおよび
腐食を望まないウェファ−の表面を保護するために必要
である。しかしながら、そのレジストに対する要求はプ
ラズマ腐食ケ使用する場合よりも十分に大ぎい。湿潤腐
食およびプラズマ腐食の両方にとってそのレジストＩｉ
基板に接着しなければならず、そして細かい紳の解ｆ象
力を可能にしなければならない。プラズマ腐食にとって
これらの性５ｉに加えてそのレジストはしばしばプラズ
マ腐食がそのウェファ−表面に高温で発生するにつれて
画Ｉ変形なしに又は侵食なしに高温に耐えることができ
なければならない。

上記に記載した従来技術のボジチプｒ「用レジストは良
好な化学的腐食に対する抵抗性および細かい線の画イ象
解ｆｌを可能にする。しかしながらそれらは１２０℃を
越える温度で乾化しそして流れ始める。加えて、これら
σ］レジストは、プラズマ腐食中に発生したガスｉＫよ
って功隼された時慢良される傾向にある。これ１１その
レジスト画嘗の望ましい平方角な丸ろクシ、そＱ）レジ
ストの現（ｗによって形成されたチャンネル中Ｋｆｉれ
を起こさせ。

そしてレジスト層自体を薄くさせる。このようなことが
起ると画像のゆがみおよび乏しい画像解像力を生じさせ
ろ。

本発明の費約 本発明は従来Ｑ）レジストと同じ目的に有用であるづジ
チプ作用フォトレジストに関する。加えて。

画像・のゆがみなしに高温に耐えろことのできろ能力ヲ
備えているためそのレジスト１１反応性イオン間食、プ
ラズマ腐食およびイオノ移植のような高温にさらすこと
を含む処理に又有用である。

そのフォトレジストはポリビニルフェノールによって支
配されたバインダー中００−キノ／ジアジドスルホン酸
又はカルボ／ｒｆＬのエステシス１１アミドであるセン
シタイザ−からなる。しかしそれ１１他の任意σノ絵加
物を含んでいても良（゛。本発明は高温でそのセンシタ
イザ−とその／；インダー中のポリビニルフェノール成
分との反応が起るという発見に基づいている。その／く
インダー１１．ソのレジストが像のゆがみなしに耐える
ことのできろ温度を実質上増加させている。第二次分解
温度を特開昭５８−２２１８４２（５） いたろうつ 記載されたように画数形成されたレジストの温度の上昇
がそのフォトレジスト物質の流れ抵抗温度より屯＾い温
度に耐えることのできる最終的なフォトレジスト画１象
を生じさせることは驚くべきことでありそして予想外で
あろう例えば、比較のため従来技術において記載された
ようなフォトレジストの組成中に通常使用されたノボラ
ック樹脂バインダー中のセンシタイザ−からなるラオト
レジストリその後の焼成によってはほとんど又＋Ｓ全く
改良がなされない。

本発明のフォトレジストの性質は、多くの従来のレジス
トが適さなかった目的のための有用性をそのフォトレジ
ストに付与する。例えば本発明のフォトレジストは特に
プラズマ腐食高温度反応性イオン腐食に特に有用であり
、そのレジストは画像ゆがみなしに高温度に耐えること
ができそしてそのレジスト用のガスストリッパー？含ま
ないプラズマ流れによっては温度に優良されない、上述
のように従来のレジストはプラズマ腐食に使用さあげて
起る場合がある。熱重量分析によってその実施例１の高
温度センシタイザーおよび実施例１５および１６の低親
度センシタイザ−σ）分解が第１図のように示される。

その上部カーブは実施例１のセンシタイザ−のものであ
り、そのカーブの上の方１ｉセンシタイザーロの分解ヲ
描くカーフ゛であり、そしてそのカーブの下の方はセン
シタイザ−１３の分ＩＩＮを描くカーブである。実施例
１の残りのセンシタイザ−の分解カーブは形成され１こ
範囲内である。その低い方のカーブ１１実施例１５およ
び１６のセンシタイザ−のものである、そσ〕カーブカ
ニら、テストされたすべてのセンシタイザ−の第一次分
解は約１２５℃の温度で開拓し、そしてセンシタイザ−
の全獣址の約６〜８％Ｑ）拶失が生じる約１５０℃まで
継続する。その後、実施例１のセンシタイザ−では、２
２０−２７０℃σ）温度ではセンシタイザ−の急速な分
解を生じる物質σ）損失があまり起っていない。比較の
ため実施例１５および１６では物質の′＃：質の損失は
初ル］損失の後に起っている。

高温度センシタイザ−と）１そのレジストの製造におい
て使用されたセンシタイザ−とポリビニルフェノール間
で反応が起る温度と等しいが又１１それ以上の第二次号
Ｍ温度を持つセンシタイザ−である。

ポリビニルフェノールの［流れ＆、　Ｉｌｌ、　Ｊはそ
のポリマーの移動が起る漂、度として定義される。この
温度は必ずしもそのポリマーの融点ではない。知られて
いるように固体ポリマーが加熱されろとき。

単一の温度よりもやヤある範囲σ〕酪序にわたって固体
から液体に通７に変化する。溶融が起る温度および油体
状態のそのポリマーの粘度がそのポリマーの重量平均分
子量、そのポリマーの分子を分布。

架槁の粘度等に依存する。それの液体又は半液体状！Ｑ
＋において、そσ）ポリマーの粘度１工そＱ）ポリマー
が移動しない程度に十分ＫＭい。しかしながら。

加熱を継続するにつれ、そσ）ポリマーＯ）粘度は一般
ＶＣ，減少しそして最後にそのポリマーの移動は起る。

移動か起る温度１↓本発明の目的のため［１１そのポリ
マーの流れ温度であると考えられる。

［７オトレジストゆがみ温度」とは画１象解１象力カ窓
テストと同一な下記のテストの豊作を満たすのに十分で
ない温度として定義される。そ（ｒ）テスト方法）まそ
のテストレジストでクロム基板を被覆し、そしてそのレ
ジストを画１象化して約１ミクロンの厚さおよび１．５
ミクロンの幅によって分離されている長方形の２つの平
行な壁を有するレジスト被覆の開放長方形の画像乞形成
する。テストの目的では、そのレジストリｖｉ、覆にお
ける長方形配置σ）レジスト画１象は与えられた高温に
まで加熱されそし′ｃ５０分この温度で保持される。加
熱および冷却の＠９ｏｏ倍の顕微鏡検査によってそのレ
ジストが流れ、そしてそのレジス［・の界面での形又は
長方形かくずれそしてそのクロム基板がゆがんでいたな
らばそのテスト湿度はそのレジストのゆがみ温度である
と考慮される。別法としてもし七〇）長方形が加熱σ〕
後後方方形開放σ）ままであり。

そしてその界面でのゆがみが観察されないならばそのテ
スＨ７，度はそのレジストの１ｉｉ１１［象ゆがみ温度
以下であると考慮される。その得られた結果１ｉ。

七のクロムを腐食し、七〇〕レジストを除去しそしてｗ
８微鏡で画像再生用のｇ貴重（＃を検査する。テストが
完ｒした時、その長方形のレジスト壁の形）ま、フオト
レジス）ｉ！ｕｆｌ″のゆがみなしに改良できろ、ａ光
および現傳された時、そのレジスト画像の断面は鋭いか
どを示す。蔑温での長〜・時間のへ尤の後、これらの鋏
いかどは性分丸くなるが、しかしこの変化はそのレジス
ト１傷のゆがみと混同されない。なぜなら画１４ゆがみ
はレジストが扱復されているその基板との界面でそのフ
ォトレジストの移動によって起る。

本発明のフォトンジス１１ポリビニルフエノールによっ
て支配されて（・ろバインダー中の高温度ボジチブ作用
ジアゾセンシタイザ−からなり、その場合そのポリビニ
ルフェノール１まそのセンシタイザとポリビニルフェノ
ール間の反応か起るｉＡ［ｌに等しいか又はそれ以上の
流れ温度を有する。本発明のフォトレジストは２００℃
以上、しはしは２５０℃以上σ〕温度の画像ゆがみ温度
を有する。

本発明の感光性フォトレジスト組成物を形成するために
使用した好ましいセンシタイザ−は（ａｌＱ−キノンジ
了シトスルホニルクロライド又を１カルボニルクロライ
ドと（ｈ）そのスルホニル又はカルボニルクロライド反
応する官能基を有する化合物とを縮合させエステル又は
アミド結合を形成することによって形成される。説明の
目的のために〇−キノンジアジドスルホニルクロライド
乞使用し。

これらの化合物は典型的に１ｉ下記の一般式の一つに該
当する。

１）開昭５８−２２１８４２　（７） ０ （式中Ｒは有機基であり、従来においソ「バラスト基」
としてしばしば呼はれていた。そのバラスト基は２個を
越えろヒドロキシル基又はアミン基で置換されていても
良く、それによってトリエステル、テトラエステル、ト
リアミドおよびテトラアミドがジエステル又はジアミド
よりもやや形成され得ろ。上記のタイプの反応１１文献
に記載さね公知である。

バラスト基１′！多官能性繰返しユニット基を持った重
合体であっても良い。この具体的において。

そのスルホニル又はカルボニルクロライドはそのポリマ
ーからなる繰返しユニット上で縮合される。

シストが２００’Ｃを越える画像ゆがみ温度を保持する
という条件で混合物０）−檀がＦＦＪＡ度センシタイザ
−でなくても良い。２ｆ！４半なセンシタイザ−は例え
ば米国特許３，０４６．１１０　；ろ、０４６，１１８
；ろ、１０５．４６５；ろ、１３０．０４８；３．１８
８．２１０：６．６３７．５８４　；　ａｎｄ　３．９
５０．１７５　、に記載されている。

センシタイザ−と組合せて使用されるポリビニルフェノ
ールは米国特許第３，８６９，２９２鍔に記載サレ、ソ
のセンシタイザ−とポリビニルフェノールとり）ｌ司の
反応が起る温度を越えるｉＬｈ温度を有するポリマーで
ある。実験データに基づけばその流れ温度は好ましく１
１１５０℃以上である。そのポリビニルフェノールｌ’
ｉｏ−＋ｍ−およびｐ−ビニルフェノールσ）ホモポリ
マー又はコポリマーである。ポリマーを形成するために
使用されたビニルフェノールは非置換であっても良く又
Ｉ′ｉ発光したレジスト画像？現像するための能力に慾
影響を与えない置換基乞有していても良い。例えはこの
ような置換基はメトキン又はエトキシ基のようなアルコ
キシメチル又はプロピルのようなアルキル基。

カルボキシル基、ヒドロキシル基又は塩素又は臭素のよ
うなハロゲンであり、しかしアルキ／Ｉ／置換）まその
得られたポリマーの流れ温度を過度に低下させるかも知
れない。オルソおよびバラビニルフェノールのホモポリ
マー１１．特に有利である。しかしポリビニルフェノー
ルは他のホモポリマー又は、スチレン、アクリル酸、ア
クリル酸エステル。

メタクリル酸、およびメタクリル酸エステルのような他
のビニルアクリル化合物とのコポリマーであっても良い
。

そのポリマーの重量平均分子短は、そのセンシタイザ−
および七〇）ポリビニルフェノール間０）　反応用に必
要な温度以上の流れ温度、好ましくは１５０’Ｃを越え
ろ流れ温度を持ったポリマーを提供するのに十分である
べきである。３５００〜４６０．０００の重量平均分子
鉦のポリマーが有用であり、しかしその流れ招匿が上記
に記載した通りであるという条件で４０００〜１５００
００本警平均分子錘を有するポリマーが好ましい。

そのポリビニルフェノールは三沸化硼素ゝ−テレ−）（
＋）ようブエカチオン系触媒の存在において対応するモ
ノマーのブロック重合、乳化重合又１ま溶液重合によっ
て幽整できる。このような方法は従来において十分に公
知である。

ｙ？’　ＩＪママ−製造用に有用なビニルフェノールは
。

例えば市馳のクマリン、又は置換クマリノを加水分解し
１次いで得られたヒドロキシ桂皮酸の脱カルボキシル化
によって調整でとる。有用たビニルポリマー１１対応す
るヒドロキシアルキルフェノールの脱水によって又は置
換又は非置換ヒドロキシベンズアルデヒドとマロン酸と
の反応から生ずるヒドロキシ桂皮酸σ）脱カルボキシル
化によって咋ろことかできる。ビニルフェノールの製造
用に適する６柚の方法が詳＃ｆ＋１ＶｃＪｏｕｒｎａｌ
　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｐｉｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、　Ｖｏｌ
　３　、１９５８．５４４−５４９　　負に記載されて
いる。

甫′に基準で感光性組成物？調節する場合において、そ
σ）重合体バインダーは典型的には過半量以上使用され
、そしてそのセンシタイザ−は過半を以下使用される。

しかしこれは絶対的す件ではない。同体ベースに基づけ
ば、そσ）センシタイザ−１ま、好ましく％１全組成物
の１Ｏ−５０Ｗｔチの濃度で存在し、そしてより好まし
くｊｔ１５−６０ｗｔチの旨存在する。その感光性化合
物は十分なに使用されるべきであり、それによってその
ポリビニルフェノールと十分に反応し２００℃を越えろ
レジスト画像ゆがみ温度を生じさせる。

本発明に従って７オトレジストを１Ａ整する時。

必姿な偏度性を有するレジスト組成物の選択において注
意かなされるべきである。例えはポリビニルフェノール
Ｑ〕そσン流れ温Ｊｌｆ決定１″る正確な方法は存在し
ない。６［ＪＯＯ’ｋＭえろ比較的大きな重量平均分子
社を持ったポリビニルフェノールは多分必費な流れｔ＋
、を所持している。別法として６０００以下の比較的低
いＬ−ｉ平均分子１１ン持ったポリビニルフェノールは
公費な流れ温度ン有していない。

これらσ）２つのポリマーの間ではポリビニルフェノー
ルのす／プルが必要な流れ性？保持しているかどうか予
＆ｌ＋　ｊることが固液である。それがため。

この発明の目的σパこめにポリビニルフェノールの適性
を決定するや良な方法は公知の筒温度セ／シタイザーか
らブエろ組成物の実ｈテストであり、そして間シ゛飄の
そのポリビニルフェノール警１上記に記載した１、５ミ
クロンウィンドーテストを使用してテストされろ。

こり】テストを適用’ｆろ場合、ボーダライン又は限界
物ブトで）工、マイクロエレクトロニクス印業において
使用さねる写＾平版印刷と一致するテスト方法が有効な
結果を得ろために使用されブエければならブｘい、例え
ば窓を形成するために使用されたマスクＣ）変化ハを祷
らｊｔたそσ）結果の変化を起こす。

そσンフオトレジストバインダー１ｉ染料、軟化剤。

′＃Ｉｔ剤、酊ｒＲ変牲削および特別な目的のための他
のイケ１脂σ〕ような他の任意な添加剤と共にそσ）ポ
リビニルフェノールから７′ｊろ。これらσ）任意な添
加ＷＩＩＬ　７オトレジストフイルムの化’：ｉ＝　ｔ
ｌｋ　抗性、　ソの可怖性σ】改良、それσ）引かき抵
抗性の改良、それの電り、的性質の改良、それの被覆特
性の改良。

それの陀出速田二の増加、それとそれσ）ａ！−根とσ
〕間１４開昭５８−２２１８４２　（９） となしに、それの許容濃度は大きくなる５例えばノボラ
ック樹脂はそのポリビニルフェノール樹脂と混合できる
。そのノボラック樹脂は、一般に約９５℃〜１３０℃の
間の範囲内の流れ温度を有している。大部分のノボラッ
ク樹脂はアルカリ可溶であり、そして真先したフォトレ
ジストの現ＩＩＩを妨害しないので、ノボラックはその
ポリビニルフェノールと５０〜６０ｗｔ％の量許容され
る（実施例４６参照）比較的低い流れ温度を有するこれ
らのノボラックは十分な量許容できる。実施例５０では
そのバインダーは約１０５℃の流れ温度でノボラック２
８％を含んでいた。

ナフトールホルムアルデヒド樹脂は米国特許出願し１９
８２年５月６日付に記載されており、それはホルムアル
、デヒドのようなアルデヒドと１−ナフトールおよびフ
ェノール類の芳香族アルコール混合物の酸触媒縮合によ
って形成されたコポリマーである。その反応の生成物は
、温度がそのポリマー基体中のナフトールラジカルのた
めに増加する場合高融点ノボラックタイプ樹脂である。

らの物質が比較的低い流れ湯度な保持する場合。

それらを使用する場合注意が公費である。なぜならそれ
らを過ｆ’ｔｊＫ使用する時、その最終フォトレジスト
フィルムの画ｆ象ゆがみ温度Ｙ２Ｏ０℃以下に下げるか
も知れないからである。その添加樹脂の濃度に関する限
定１耘その画１象ゆがみ温度を２００℃以下に下げない
ことおよび画像化レジストの現像を抑制しないことであ
る。

こσ〕発明σ）フォトレジストは普通の方法で感光性被
覆を形厄するのに使用される。そσ）フォトレジストは
スピン被覆、カーテン被覆、ロール被覆。

ｗｈｉｒｌ被覆、ドクター、浸漬、スプレーであるなら
はそのフォトレジストは液体被覆溶液として適用されろ
。

液体フォトレジストの組成用の適当な溶剤はアルコール
類ケトン類、エーテル類、ジメチルホルムアミドσ）よ
うなアミド類、セロソルブエステルおヨヒグリコールエ
ステルのようなエステル類。

グリコールエーテル類および他の溶剤およびそれらの混
合物であり、これらは知られている。別法としてそのフ
ォトレジストハ公知の従来技術に従って熱および圧力？
使用して乾燥フィルム状に適用される。

そのフォトレジスト組成物が電体被覆組成物として基板
上に適用されろならば、そのフォトレジストの適用の徒
、同伴した溶剤を除去するため約１００℃で軟焼成され
ろことが望ましい。その後そのフォトレジスト被覆は所
望のｔｈ像模様Ｋ１ｍ光され、そして水性アルカリ溶液
で現像される。その方法において茜Ｕが使用されるなら
ば、そのレジメ１１画像ゆがみなしに高温に耐える。そ
のセンシタイザ−がそのポリビニルフェノールと反応す
る温曵以下の温度にそのレジストフィルムの温度を上昇
させろ時ｉｉ！ｔｌｌ＃ゆがみは起らない。なぜならそ
σ〕レジストを調整するために使用された物質ｊｉ約１
５０〜１６０℃までの温度に耐えろようＶＣ選択されて
いるからである。その方法がそのレジストの温度をその
レジスト成分の反応温度以上にまで上昇させろならば１
ｊｋｌｌｌｌＦゆがみは起らない。なぜならはその反応
はそのフォトレジスト１隊ゆがみ温度を十分に増加させ
るからである。そのためもし所望ならそのレジストの画
像ゆがみ湿度を増加させろために高温度後焼成が使用で
きるけれども１画ｆ象ゆがみ温度を上昇させる反応がそ
の方法において起こっているので、それは不必要である
。

この発明のレジストは印刷分野を含む従来技術において
も使用できろ、高温度特性のため、その発明σ〕フオト
レジスｌｉｔ、従来ｑ〕レジストが使用できなかった高
渦度方法にも使用できろ二適当なセンシタイザ−を選択
することによって、そのフォトレジストは、深ＬＪ、Ｖ
、　、電子線、レーザー又は他の活性エネルギーによっ
て画像化できる。

加熱の手段によりそのフォトレジストの画像ゆがみ温度
の増加は予想外である５例えばフォトレジスト組成物σ
）製造において普通に使用されたノボラックと高温度セ
ンシタイザ−をからなるフォトレジストを使用する画像
がゆがむ温度は後焼成によって十分に増加せずそして事
実もしこのようなフォトレジストが画像化されそして１
５０℃又はそれ以上の温度まで加熱されるならば、実質
的な画像ゆがみ力１起るだろう。

狸論的根拠は明らかではないが、高温にまでフォトレジ
ストを加熱すること１ｉ未ｎ光センシタイザ−とそのバ
インダーのポリビニルフェノールとの間に化学反応を起
こさせ、それ（でよってそのフォトレジストリ画（象ゆ
がみの十分な増加ｔもたらすと信んじられて（・る。も
し現ｆＩＩ′されたフォトレジストフィルムが加熱前に
センシタイザ−を分解するプランケラ）ｌ光であるなら
ばその加熱工程はその画ｆ象ゆがみ温度を増加させない
という観察によってこの誤腕は支持される。これは特に
職くべきである。なぜならＵ、Ｖ、＾光および第一次熱
分解が窒素の損失を生じさせ、しかし熱的に分解された
センシタイザーがそのポリビニルフェノールと反応する
ように見えるからである。

そのレジスト成分（駅ゆがみ温度を増加させるためのそ
のポリビニルフェノールと反応するＵ、Ｖ。

膓光センシタイザ−の無能性が従来技術のノボラック樹
脂と明白に区別している。文献（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　
ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｌｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅ
１ｙ　＋　Ｖｏｌ　１２８　管１ａ　１２　＊１９８１
年１２月２６４４−２６４７負）は従来技術のノボラッ
クベースレジストのＵＶ１１＆光が高温での流れ抵抗性
を増大させろことを示唆しており、これは本発明のレジ
ストで得られた結果と反対の結果である。

本発明によるレジスト組成は、従来の方法に従つ１乾燥
転写フイルムとして又１１液体＊ｔｉ組成物として調整
できる。乾燥フィルムとしてそのフォトレジスト１１典
型的［１１担体シート上１ｃ注型されそして基板に転写
される。′ｅ、体核復組成物として。

そのフオ）Ｌ／レジストその被覆組成物のレオロジにも
依存するが１０〜６０Ｗｔチの固体含有になるようにそ
のフォトレジスト成分は溶剤又Ｖｉ溶剤混合物Ｋｆ６解
されろ。そのフォトレジス目１．センシタイザ−が総固
体分の１０〜５０Ｗ１％、好ましくは１５〜５Ｑｗｔチ
であるセンシタイザ−とそのバインダーからなる。その
センシタイザ−１ｉ満足すべき曲１て象Ｗｔ（象をもた
らし、そして２００℃を越える画ｆｌ：ゆかみ温度を祷
るためそのポリビニルフェノールと適当な反応をもたら
１０に十分な濃度に肴在しなければならない。

この発明のフオトレジス）４１多くの産業用の用途に適
する。例えは半導体の製造において、超小型化が非常に
必要になってくる。一般に半導体産業は６ミクロン以下
の腐食画像を作る。しかし産業上の目標１１１ミクロン
又は０．５ミクロン画像である。５ミクロン以下の画像
を作るために、そのフォトレジストはイオン植付け、プ
ラズマ腐食。

反応性イオン腐食、　ｍｐｌａｌ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ
ｇおよび他の新規な現像方法の使用を許容するため高温
度熱安定性を有する。この発明のフォトレジストはこの
ような新°規な技術に必要な高温度適性を有するのみな
らず、過度の厚さ損失、線幅損失又は端の鋭さの欠如起
こすことなしにプラズマ腐食に耐える画丁象化したフォ
トレジストフィルムの能力によって特徴ずけられる。加
えて、本発明σンフオトレジストは半ミクロン画ＩＷヲ
再現できる。

この発明のフォトレジストは十分な画像ゆがみなしに少
なくとも２００℃のｏＡ度に耐える能力を有する。１゜
５ミクロンの広さの窓および間隔は２００℃以上の温度
にまで加熱する間、開放のままであり、一方画像化され
た棒および線はそのフォトレジストとその基板との界面
でそれらの形および端鋭さを保持するであろう。この発
明の好ましいフォトレジストは画像ゆがみなし［２５０
℃までの温度に耐えろ能力を有する。

印刷配線板の裏道において、配線託密度化は。

特に重要である。産業上の目標は１ミル以上の厚さで２
ミル広さσ）配線を製造するための能力である。これを
完成させろために、フォトレジストはすぐれた解１家を
もたらし、はんだ操作を耐えろことσ）できろよ５に高
温度能力を保持し、数時間強アルカリメッキ浴に対し抵
抗性を保持し、メッキ銅を含むように垂直サイド壁を持
った１ミルより大きい厚さの被覆をもたらすことができ
、そしてはんだ操作中はんだフラツクスに対する抵抗性
を保持する。この発明のフォトレジスト１これらの厳重
な要件を満たすことができろｔ、１２５℃を越えろ温度
にまでの加熱工程１工面闇化したフォトレジストの解像
に急影響を及ぼすことなしに強アルカリに必要な抵抗性
をもたらす。この使用のため。

そのフォトレジストは永久マスクとして適用されそして
最終印刷配線板の一部分になる。

この発明のフォトレジストの適用は写真画像化はんだマ
スクとしてであり、その場合そのフオトレジスＸｉ最終
印刷配絢板上に適用される。そのはんだマスクはそのメ
タル導体に対するはんだ接続が望ましい区域を除いて、
はんだ操作から印刷配線板の金属導体を保護する。

半導体および混成配線板産業において、受動被覆ｊ１密
刺ンールとしてｆｔ用するため選択性の区域において使
用される。この使用のための要件は画像安定性および良
好な品を特性を持った高温度能力である。この発明のフ
ォトレジストは写真製版に又有用である。例えばそのフ
ォトレジストは金絹上に被覆され１画像化されそしてそ
の下塗り金属を）シ食するため腐食レジストとして使用
さねる。

典型的な写Ａ製版方法１ｉ二元金篇印刷板の製造であろ
う 下記σ〕実実施例１本本発明より明らかにするための作
用をなすっその実施例の多くはテストレジストのゆがみ
温度の栄件での結果を与えろ、上述のその１．５ミクロ
ン窓テストはゆがみ湿度を決定するために使用された。

実施例　１ ボジチプ作用、高温度ジアゾセ／シタイザーは従来の一
般的な手順に従って製造された。下記の表ｊ’１１３造
されたセンシタイザ−およびそのセンシタイザ−を作る
ための従来技術を示す。

上記のセンシタイザ−はパージガスとしてＧ２およびｔ
ｑ２の混合物においてＰｅｒｋｉｎ　Ｅ１ｍｅｒＴｈｅ
ｒｍｏｇｒａｐｈｅｉ系２を使用して熱重量分析された
。

温度を１０℃／分の速度で増加させた。その結果Ｓ’Ｌ
　上記σ）センシタイザ−用として図面に記載され゛上
方カーブはセンシタイザ−Ｄであり、下方カーブはセン
シタイザ−Ｂである。ソの他のセンシタ１’−４そのカ
ーブ間の区域内でカーブを与えろ。

すべてのセンシタイザ−にとって第一次分解は約１２０
〜１６０℃の温度で起り、そしてその後第二次分解１１
約２２０℃の温度で起こりそして実質上すべてのセンシ
タイザ−が崩壊するまで継続する。

フォトレジスト溶液は、各種の溶剤中にジアゾセンシタ
イザ−とポリビニルフェノールヲ溶解することによって
作られる。その使用された物質およびその濃度は下記の
表に示される：例　　　　柁（８旨（１）　　　　拉１
脂チ（２）　　　　センシタイザ−（３）２　　　　　
　ＡＡ　　　　　　　７８　　　　　　　　　　Ａ５　
　　　　　ＡＡ　　　　　　　７８　　　　　　　　　
　Ｂ４　　　　　　ＡＡ　　　　　　　７８　　　　　
　　　　　　Ｇ５　　　　　　ＡＡ　　　　　　７８　
　　　　　　　　　Ｄ６　　　　　　ＡＡ　　　　　　
　７８　　　　　　　　　　Ｂ７　　　　　８Ｂ　　　
　　　　８０　　　　　　　　　　　Ａ８　　　　　８
Ｂ　　　　　　　７８　　　　　　　　　　Ｂ９　　　
　　８Ｂ　　　　　　　８０　　　　　　　　　　　Ｇ
１０　　　　　８Ｂ　　　　　　　７８　　　　　　　
　　　Ｄｌｌ　　　　　　ＧＯ７８Ａ １２　　　　　　ＣＣ：　　　　　　　７８　　　　　
　　　　　Ｂ１３　　　　　　Ｃ０７８Ｇ １４　　　　　０Ｏ７８Ｄ センシタイザ−％　　　　溶　剤　　　　　　固体チ２
２　　　　　　　　ＭＯＡ　　　　　　　　２７２２　
　　　　　　　ＯＡ　　　　　　　　　２７２２　　　
　　　　　ＯＡ　　　　　　　　　２７２２　　　　　
　　　Ｄｉｇｌｙｒ＋〕ｅ　　　　　　５Ｑ５０　　　
　　　　ＤＭＦ／Ｄｉｇ）ｙｍｅ　　　　　２８２０　
　　　　　　　ＭＣ；Ａ　　　　　　　　３０２２　　
　　　　　　ＭＣＡ　　　　　　　　３Ｑ２０　　　　
　　　　ＭＯＡ　　　　　　　　５０２２　　　　　　
　　Ｄｉｇｌｙｍｅ　　　　　　３５２０　　　　　　
　　Ｍ　ＣＡ　　　　　　　　３３２２　　　　　　　
　ＭＯＡ　　　　　　　　５０２０　　　　　　　　Ｍ
ＣＡ　　　　　　　　３Ｑ２２　　　　　　　　Ｍ（、
Ａ　　　　　　　３３１４閏日０５６−２２１８４２（
１３）べての部分は新鮮な空気循環のもとで環流タイプ
オープン中で約１００℃の温度で４５分間乾燥された。

その被覆された部分１１それから幅１〜５０ミクロン範
囲の棒およびウィンドーを持つ０ｐｔｏ　−Ｌ　ｉｎｅ
　　ガラス多密度解像ターゲットを通して露光された。

その真光ユニットは０ｒｉｅ！　Ｍｏｄｒ、１８４１０
ホトマスクプリンターであった。約２０秒の真先時間）
ま使用された。その部品はそれからゆるい渦巻による攪
拌しながらきれいな現像を行なうために設計された２強
度で水性アルカリ溶液（アメリカンホエクスト・コーポ
レーションのＡＺ現像剤）中に浸漬現像した。そσ）Ｖ
置時間の長さを６０〜１２０秒の範囲で変化させ４０チ
光伝４を現像したが、しかし数Ｓは２０チ光伝導工程を
現像するために十分に少ない時間現像された。その部品
はそれからきれいな流れている水で完全にゆすぎ。

そして空気乾燥した。少なくとも室温で数時間放置の後
、テスト目的のため、その部品を２００℃まで予備加熱
されている新鮮な空気循環対流オープン内に置いた。そ
の部品馨そのオープン内で２　合格　合格　ゆかみ　　
２０ ２０ ２０ ２０ ６　　合格率　　　　　　　　合格＊４５７　　ゆがみ
　　ゆがみ　　　ゆがみ　　　　１２８　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　１２９　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　１２１ｏ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　１４１１　　　　ｔｔ　　　　　　　
　　　　−−１２１２−−１２ １６−１２ １４１４ ＊　検出可能な流れ、しかし界面に画像は完全である。

その結果は高温度センシタイザ−と適当な流れ特性を有
するポリビニルフェノールとの組合せが２５０℃ノヨう
な高温でもゆがみのないフオトレジス）Ｙもたらす。逆
に高温度センシタイザ−と不十分な流れ特性を持ったポ
リビニルフェノールとの組合せは２００℃以下の温度で
ゆがむフォトレジストをもたらす。

実施例２−５は本発明の好ましい具体例を構成する。

その結果１ま反応温度以上の温度に加熱する前にそのフ
ォトレジストのブランケット罪光はその反応が起こるの
を防止することを示す。

実施例６−１４の方法が繰返された。［２がし０ｐｔｉ
　−Ｌｉｎｅ　石英多密度解像ターゲットは前の例のガ
ラスターゲットの代りに使用された。実施例６−１０の
組成を持つこれらの組成物はそのテストを合格させ、す
べてのケースの結果は実施例１−５のフォトレジストを
使用して得られた結果よりも劣った。実施例１１−１４
の組成を持つこれらの組成物１１そのテストを失敗させ
た。実施例６−１０で得られた異った結果を説明するこ
とは困難であり、そして実施例６−１０＋ｚガラスター
ゲツトの代りに石英を使用して繰返したりしかしながら
、前の実施例において使用したガラ７′−ゲラＸｉその
画像の緑で光散乱を生じさせルヨウ１不十分に洗浄され
たと信んじられているこ）光散乱は乏しい画像ゆがみお
よび拡大のもとでのゆがみの外観を生じさせる真先と同
等であったと信んじられている。その異なった結果は、
５００００重量平均分子３ｋを有するポリビニルフェノ
ールが本発明の目的のためには限界物質であり、ぞして
したがってより好ましくない物質がそσ）用途において
必要であることを指摘している。約８０００の車ゑ平均
分子量を有する樹脂ＡＡが明白に有用な物質であり、一
方６００００重量平均分子量を有するＣｏｔｉ明白に受
は入れられないことは指摘されるべきである。

実施例１５および１６ ボジチブ作用低温度モノエステルジアゾセンシタイザ−
はナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（４）−スル
ホン酸クロライドとｐ−７ミルフエノールとを米国特許
第３．６４０．９９２の方法に従って縮合させることし
でよって１乍「）れる。このセンシタイザ−１エセ／シ
タイザーＦと言５゜フォトレジストｇＫｆ、Ｈｆｆｆ脂
ＡＡと呼ばれろポリビニルフェノールおよび高温度セン
シタイザ−（センシタイザ−Ｃ）と低り度センシタイザ
−（センシタイザ−Ｆ）とび〕混合力・ら咋られる。ｇ
Ｊ剤としてメチルセロソルブアセテート？利用したフォ
トレジスト＋＝固体ベースで樹脂７８チモしてレジスト
２２チからなり。

２７チの固体含量で、ｆ−１７Ｉｏ実九例２−１４の方
法Ｋ　従；ｒ−４？クロムマスク；エフオドレジストで
破覆されそして２５０℃と２００℃とでウィンドーテス
トされ１こ。そして第５番目σ）テストでは、フ゛ラン
ケット１１光後ウィンドーテストされた。こＱ）結果ｔ
１下記σ）表に示される。

１’　　　　５１１１２ ＊　検出可能な流れ、しかし界面での画（’ＩＩは完全 上記の結果は低温度センシタイザ−が高温度センシタイ
ザ−と混合され、適当なポリビニルフェノール６１脂と
組合わされる時満足のい（結果が得られることを示すが
、低温度センシタイザ−を使用しないことが好ましい。

実施例１７−２４ フォトレジスト溶液は、ポリビニルフェノール（ＡＡ）
とポリビニルフェノール（ＢＢ）とセンシタイザ−（Ｃ
）と一端に割合を変えて混合することによって作られろ
、固体のうちそのポリビニルフェノールはフォトレジス
ト固体の７８ＷＬ％からなり、そしてセンシタイザ−２
２ＷｔＳからなる。

作られた各鴇のフォトレジストハ実施例２−１４のテス
ト方法によってテストされ、そして２５０℃および２０
Ｄ’Ｃの温度で後プランケラ）Ｑ光γ行ない又は行なわ
ずにウィンドーテストされた。

実施例２−１４において使用されたそのガラスタ特開昭
５８−２２１８４２００ ウィンドーテストをバスしたポリビニルフェノールと混
合でき、そのレジストはウィンドーテストをパスした。

フォトレジスト溶液はポリ・ビニルフェノールと各種の
禁の各種のセンシタイザ−とを混合することにより″′
ｒ：調節された。これらのフォトレジストの組成１上下
記の表に示されろ。

２５’　　　ＡＡ　　　　５０　　　　　Ｅ　　　　　
　５０　　　　　ろ０２６　　　ＡＡ　　　６０　　　
　Ｅ　　　　４０　　　２９２７　　　ＡＡ　　　７０
　　　　ｇ　　　　３０　　　２８２８　　　ＡＡ　　
　８０　　　　Ｅ　　　　２０　　　２７２９　　ＡＡ
−ＢＢ　　７５　　　　Ｂ　　　　２５　　　２７５０
　ＡＡ−ＢＢ　　８０　　　　Ｂ　　　　２０　　　２
７３１　　ＡＡ−ＢＢ　　８５　　　　Ｂ　　　　１５
　　　２７３２ＡＡ−ＢＢ　　９０　　　　Ｂ　　　　
１０　　　２７５３　ＡＡ−ＢＢ　　７５　　　　Ｇ　
　　　２５　　　２７３４ＡＡ−ＢＢ　　８０　　　　
Ｇ　　　　２０　　　２７では、その溶剤はメチルセロ
ソルブアセテートである。

実比例２０手順に従がいそしてクロムマスクを使用して
そのフォトレジストはそのマスク上に被覆さ・れ、乾燥
さた。結党され、現ｆ争され、２５０℃で後焼成され、
そして１４食された。そσ）結果１１下記の表に示され
ろ。

２５　　合格型　　合格　　　　ゆがみ　　　　７５２
６　　合格　　　　　　　　　合格＊６０２７　　合格
章　　　、　　　　　　　　　　　　４５２８　　　　
＃　　　　　　　　　　　　　　　　　　３０２９　　
合格　　　　　　　　　ゆがみ　　　　２０５０　　　
　＃　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０５１　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０５２　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　１８５ｘ、　　　　
ｐ　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０５４　　
　　ｔ　　　　　　　　　　　　　　　　　　１８６５
　　合格　　　合格　　　　ゆがみ　　　　１８６６　
　ゆがみ　　　　　　　　　　　　　　　　１８６７　
　合格　　　　　　　　　　　　　　　　２２３８　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０６９　　　
　　　　　　　　　　合格＊１８４０　　　　　　　　
　　＃　　　　　　ｌ　　　　　　１６４１　　　　　
　　　戸　　　　ゆがみ　　　　２２４２　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　２２４５　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　２２４４　　ゆがみ　　　　　
　　　　　　　　　　　２２＊　検出可能な流れ、界面
において画像は完全（１）　　すべての増合において、
その現像剤ｊ”！、ＡＺ現像剤として知られて水性アル
カヌ溶液であった。異った強度はそのフォトレジスト組
成物良好なＭ像を得るために必要な強度に基づいて使用
される。

その結果はそのセンシタイザ−の濃度が解（のためは勿
論、熱安定性のためＩＣ１！！である。センシタイザ−
Ｅは２００℃テスト前のブランケット露光“よって悪影
響を受けないフォトレジストを形成した。少量のセンシ
タイザ−八は同様に影響が少な（、シかしすべてのケー
スにおいてブランケット霧光１ｉ解像の十分な損失をも
たらした。

フォトレジスト１１ポリビニルフエノールＡ　Ａ　カ他
の樹脂と混合しそして実施例１のセンシタイザ−Ｄを使
って作られた。そのフォトレジストはその溶剤としてｄ
ｉｇｌｙｍｅ　Ｙ使用しそしてそのセンシタイザ−１ｉ
総固体の２２チの濃度で存在した。使　　′用した樹脂
およびそれの濃度は以下に示す。

実施例　　　樹　脂（１）　　　　濃度（傾　　ＡＺ現
像剤（チ）４５　　ノボランク−１１００２５ ４９ノボラック−２１００２５ ５４ＡＡ　　　　　　　　１００　　　　２０ｉｌ＋　
　ノボラック−１１１約１５０℃の融点および約１５５
℃の流れ点を持ったフェノール−ホルムアルデヒド樹脂
であろ；ノボラック−２１１約１１０℃の融点および約
１０５℃の流れ点を持った同様な樹脂である。ＰＶＭＥ
％ｉ。

約４５のＫＭを有しモして宸温で乾燥状帖で粘着性があ
るポリビニルメチルエーテルである。それ１１室温以下
σ）流れ点を示唆する。

実施例２−１４の方法に従って、上記組成物の各４３つ
のセットを乾燥し、霧光し、現像しそして後焼成した。

そのように被覆した第１のセットは２５０℃で後焼成さ
れ、第２のセットを２００℃で後焼成し、そして第６の
セットをブランケット真先の後２００℃で後焼成した。

その結果は下記の表に示す： ４５　　ゆがみ　　　ゆがみ　　　　ゆがみ４６　　　
　　、　　　　　合格＊ ４７　　合格＊　　　合格 ４８　　合格　　　　合格 ４９　　ゆがみ　　　ゆがみ ５０　　　　　　　　　合格＊ ５１　　合格　　　合格 ２ ５ ４ ろ、しかし多量の使用は熱安定性を劣化させる。

実施例４Ｂ＋ｉこの発明の好ましい具体例を特徴する 特許精求の範囲に使用された用語は発明の詳細な説明に
よる。これらの用語１′！特許請求の範囲に使用されて
いる時１発明の詳細な説明の解釈による。

【図面の簡単な説明】

図はセンシタイザ−の加熱温度と重量減との関係を示す
グラフである。 特許出願人　シラプレー・カンパニー・１Ｂ開口ｎ　５
Ｂ−２２１８４２（１７）手続補正ｉｌ（方式） １事件の表示 昭和ｌ−８年Ｉコ詩願第　　Ｌ１３ｏ３フ　号３補正を
する者 事件との関係　　出　願　人 住所 名１ラ−’−１ｔ　７＝ｔ、−７’７　ンハ’二−−イ
′−クーナ’　　ｒ’Ｊ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　ポリビニルフェノール樹脂からなるバインダー系
   におけろ高温度ボジチブ作用ジアゾ感光剤からなるフォ
   トレジスト組成物において前記ポリビニルフェノール樹
   脂は、その感光剤とそのポリビニルフェノールとの間の
   反応が起る温度に等しいがそｎ以上の流れ温度を有し、
   約２００℃を越える像ゆがみ温度を前記フォトレジスト
   が有するのに手分な濃度で前記バインダー中に存在する
   ことからなるフォトレジスト組成物。 ２、　その感光剤がＯ−キノ／ジアジドスルホ／酸又１
   １カルボン酸クロライドのエステルおよびアミドからな
   る群から選ばれる特許請求の範囲第１項記載のフォトレ
   ジスト組成物。 ６、その感光剤はその感光剤とそのポリビニルとの間の
   反応が起る温度に少なくとも等しい第二次分解温度を有
   する特許請求の範囲第２項記載の組成物。 ４、ソのポリビニルフェノールは少なくとも１５０℃の
   流れ温度を有する特許請求の範囲第２項記載の組成物。 ５、その感光剤は少なくとも１５０℃の第二次分解温度
   ？有する特許請求の範囲第２項記載の組成物。 ６、その感光剤は少なくとも２００℃の第二次分解温度
   を有する特許請求の範囲第２項記載の組成物。 １　そσ〕感光剤ｌ′ｉｏ−ナフトキノンジアジドスル
   ホン酸又はカルボン酸クロライドのエステル又はアミド
   である特許請求の範囲第２項記載の組成物。 ８、その感光剤はＯ−ナフトキノ／ジアジドスルホン酸
   クロライドのエステルである特許請求の範囲第７項記載
   の組成物。 ９　その感光剤は０−ナフトキノ／ジアジドスルホン酸
   クロライドおよび芳香族化合物の縮合生成物である特許
   請求の範囲第８項記載の組成物。 １０、その感光剤はマルチエステルである特Ｙｔ　請求
   の範囲第８項８己載の組成物。 １１、ソの感光剤）１０−ナフトキノンスルホン酸クロ
   ライドと２又はそれ以上のヒドロキシル基で１１換され
   ている芳香族化合物との縮合生成物である特許請求の範
   囲第８項記載σ）組成物。 １２、その感光剤はモノエステルと１神父１ま２種以上
   の多エステルとの混合物である特許請求の範囲第８項記
   載の組成物。 １３、その感光剤は高温度感光剤と高温度感光剤以外の
   感光剤との混合物であり、そのフォトレジストは約２０
   ０℃を越えろ像ゆがみ温度を有する特許請求の範囲第８
   項記載の組成物。 １４、そのｆ象ゆがみ温度は約２５０℃ｙ！ｌ−越える
   特許請求の範囲第１５項記載の組成物。 １５、そσ〕樹脂系はポリビニルフェノールと１種又は
   それ以上の追加の樹脂からなり、七〇〕フォトレジスト
   は約２００″Ｃを越える像ゆがみ温度を有する特許請求
   の範囲第８項記載の１組成物。 １６、その凛ゆがみ温度は約２５０℃を越えろ特許請求
   の範囲第１５項記載の組成物。 １Ｚ　　その追加の樹脂はその感光剤とボリビ３ルフェ
   ノールとの間の反応が起る温度以下の流れ温度を有する
   特許請求の範囲第１５項記載の組成物０１８、その他の
   樹脂はアルカリ不溶性樹脂、ノボラック樹脂、ポリエス
   テル、ポリビニルアルキルエーテル、アクリル樹脂、ナ
   フトールとホルムアルデヒドとの縮合生成物、メラミン
   樹脂またはぺ／ゾグアニジン樹脂である特許請求の範囲
   第１５項記載の組成物。 １９、その感光剤は乾燥固体１０〜５０％からなる特許
   請求の範囲第８項記載の組成物。 ２０、　　溶剤中のフォトレジストとしての特許請求の
   範囲第８項記載の組成物。 ２１．１０〜６０チの固体含有値を有する特許請求の範
   囲第２０項記載σ）組成物。 ２２、乾燥フィルムとしての特許請求の範囲第８項記載
   の組成物。 ２６、永久被覆としての特許請求の範囲第８項記載の組
   成物。 ２４、ポリビニルフェノールの樹脂系におけろＯ−ナフ
   トキノンジアジドスルホン醜クロライドのエステルであ
   るボジチプ作用高傷度感光剤からなるフォトレジスト組
   成物において、前記感光剤は第二次分解臥度を有し、そ
   の＾ＳＪ記ポリビニルフェノールハソの感光剤とそのポ
   リビニルフェノールとσ）間の反応が起るｒ度に少なく
   と屯等しい流れ温度乞有し、前記フォトレジスト１工約
   ２００℃を越えろ溝ゆがみ温度？有するフォトレジスト
   組成物。 ２５、禾声光高温度ボジチブ作用ジアゾ感光剤とポリビ
   ニルフェノール間の反応が起る温度と少なくとも等し〜
   ・流ｎｍ度を有するポリビニルフェノールのバインダー
   とその感几剤との間の反応によって形成された生成物で
   ある組成物を・有し、−約２００℃を越えろ浄ゆがみ温
   度ケ有するフォトレジストフィルム。 ２６、約２００°Ｃを越える温度にまでフォトレジスト
   フィルムのｆＮ！、ゆがみ温度を増加させる方法におい
   て、前記フォトレジストフィルムは高温度。 ボジチプ作用ジアゾ感光剤とポリビニルフェノール樹脂
   の樹脂系からなり、前記感光剤は第二次分ＭＰ度を有し
   、そして前記ポリビニルフェノールは２つ間の反応が起
   る温度を越える流れ温度を有し、前鰐Ｃ方法は画１１！
   模様状に活性化放射によって前記フィルム￥鶴光し、前
   記フィルムを現像しそして前記感光剤と前記ポリビニル
   フェノール間で起る反応を起こさせるのに少な（とも十
   分な温度まで前記フィルムを加熱させることからなる方
   法。 ２Ｚ　　その加熱工程は後ｔｈ（象焼成である特許請求
   の範囲第２６項記載の方法。 ２８、その加熱工程１１そσ）フォトレジストフィルム
   の下にある基質中の１象を形成する工程と付随している
   特許請求の範囲第２６墳５ピ載の方法。 ２９　　その下塗り基質中の１象１１．プラズマ腐食に
   よって形成される特許請求の範囲第２８項記載の方法。 ３０、その下塗り基質中の像は反応性イオン腐食によっ
   て形成されろ特許請求の範囲第２８項記載の方法。