JPS58220484A - レ−ザユニツト - Google Patents
レ−ザユニツトInfo
- Publication number
- JPS58220484A JPS58220484A JP57103609A JP10360982A JPS58220484A JP S58220484 A JPS58220484 A JP S58220484A JP 57103609 A JP57103609 A JP 57103609A JP 10360982 A JP10360982 A JP 10360982A JP S58220484 A JPS58220484 A JP S58220484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- dew condensation
- laser unit
- bonded
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザユニット特に安定したビーム出力が得ら
れるレーザユニツ）Ｋ関するものである。
れるレーザユニツ）Ｋ関するものである。
近年１オフイスオートメーシヨン（以下０．Ａと称ス。
）ということが注目を集めオフイ２にコンピュータ、ワ
ードグロ七ツサ等の尋人が活発化してきている。仁のＯ
，Ａの最終段階ではベーパレス社会が実現される可能性
があるが、現時点に於いては紙の存在を否定し難←、こ
れらＯ，Ａ機器の最終出力は紙での活字化かはとんとで
ある。
ードグロ七ツサ等の尋人が活発化してきている。仁のＯ
，Ａの最終段階ではベーパレス社会が実現される可能性
があるが、現時点に於いては紙の存在を否定し難←、こ
れらＯ，Ａ機器の最終出力は紙での活字化かはとんとで
ある。
これら０．Ａ機器の出力端末装置として、高印字品質が
得られるレーザビームプリンタ（以下ＬＢＰと称す。）
が注目を集めている０ このＬＢＰａ基本的には第１図に示す様に、デジータル
信号により発光、停止を行なうレーザユニット１と、こ
のレーザ光を感光体であるドラム５の長手方向に定食す
る多面鏡２と、この多面鏡を高速回転するモータ３と、
レンズ系４及びレーザユニット１から発せられたレーザ
光により潜像を形成するための光半導体等を表面にコー
ティングされたドラム５とから構成されている。さらに
、ドラム５への潜像形成、顕像化、クリーニング、転写
材の給紙、転写、定着等のプロセスは一般に知られてい
るカールソン法、ＰＩＰ法婢の電子写真方式が用いられ
ている。またレーザとしては装置の小型化、低価格化等
の要求により近年は半導体レーザが利用され始めている
。
得られるレーザビームプリンタ（以下ＬＢＰと称す。）
が注目を集めている０ このＬＢＰａ基本的には第１図に示す様に、デジータル
信号により発光、停止を行なうレーザユニット１と、こ
のレーザ光を感光体であるドラム５の長手方向に定食す
る多面鏡２と、この多面鏡を高速回転するモータ３と、
レンズ系４及びレーザユニット１から発せられたレーザ
光により潜像を形成するための光半導体等を表面にコー
ティングされたドラム５とから構成されている。さらに
、ドラム５への潜像形成、顕像化、クリーニング、転写
材の給紙、転写、定着等のプロセスは一般に知られてい
るカールソン法、ＰＩＰ法婢の電子写真方式が用いられ
ている。またレーザとしては装置の小型化、低価格化等
の要求により近年は半導体レーザが利用され始めている
。
しかしこの半導体レーザもそれ自体の温度特性、出力−
寿命一温度の関係及びドラム感度−波長−出力の関係等
に、現在問題がおる。
寿命一温度の関係及びドラム感度−波長−出力の関係等
に、現在問題がおる。
特に温度との関係では第２図、第６図に示す様に温度の
変化によりその波長、出力が変化しまた寿命も高温にな
ればなる程短くなる。第２図は半導体レーザの発振ピー
クの温度特性を示すグラフ図で、縦軸を波長λ、横軸を
温度Ｔとした場合、温度Ｔが上昇する程、波長λが長く
なることを示している。第６図は半導体レーザの光電力
と宵１流特性を示すグラフ図で、縦軸を光出力Ｐ、横軸
を駆動電流工とした場合、温度が上昇する程、同じ駆ｔ
Ｊｂ電流でも光出力Ｐが減少することを示している。ま
た、感光ドラムは可視光側に一定の感度を持っているの
が普通である。現在の半導体レーザで可能な最も短波長
側８００ｒＬｒｎ付近で杜、第４図の様にドラム感度の
波長に対する変化が最大に傾いており波長の変化及び出
力の変化は結局ドラム感度の変動を生ずるので画像濃度
の変動となる。
変化によりその波長、出力が変化しまた寿命も高温にな
ればなる程短くなる。第２図は半導体レーザの発振ピー
クの温度特性を示すグラフ図で、縦軸を波長λ、横軸を
温度Ｔとした場合、温度Ｔが上昇する程、波長λが長く
なることを示している。第６図は半導体レーザの光電力
と宵１流特性を示すグラフ図で、縦軸を光出力Ｐ、横軸
を駆動電流工とした場合、温度が上昇する程、同じ駆ｔ
Ｊｂ電流でも光出力Ｐが減少することを示している。ま
た、感光ドラムは可視光側に一定の感度を持っているの
が普通である。現在の半導体レーザで可能な最も短波長
側８００ｒＬｒｎ付近で杜、第４図の様にドラム感度の
波長に対する変化が最大に傾いており波長の変化及び出
力の変化は結局ドラム感度の変動を生ずるので画像濃度
の変動となる。
このため、この様な電子写真方式に用℃・られる半導体
レーザに対しては１．；：・□通常、±１℃以下の温度
コントロールが必要であり、その設定温度もなるべく低
く、１５〜２０℃に設定することが望ましい。
レーザに対しては１．；：・□通常、±１℃以下の温度
コントロールが必要であり、その設定温度もなるべく低
く、１５〜２０℃に設定することが望ましい。
通常この様な特性をもつ半導体レーザの使用されるＬＢ
Ｐ等の内部環境温度社４０〜５０℃になっており、また
レーザ発光部からの発熱を考えるとレーザ発光部を冷却
する手段が不可欠である０従来、レーザ発光部を冷却す
るために、ペルチェ効果素子と放熱板を組み合せたもの
が多く用いられており、この種の従来技術を第５図を参
照して説明すれば、半導体レーザー１はマウント１２に
接着固定され、マウント１２はベルチェ素子１６に接着
固定されている。さらにベルチェ素子１３は基板１４に
接着固定される。また、基板１４は不図示の放熱板に直
接固定されている。半導体レーザー１の温度はサーミス
ター５によって検知される。また半導体レーザー１、ベ
ルチェ素子１６゜サーミスター５の端子は、基板１４（
放熱板）にあけられた穴を通じて外部と接続できる構成
となっている。１６社キャップ、１７社ガラス窓であ′
［す る。半導体レーザー１及びベルチェ素子１３１ｍ度から
保護するため、キャップ１６の内部はドライチッ素ガス
が封入されており、接合部は完全にシールされる。
Ｐ等の内部環境温度社４０〜５０℃になっており、また
レーザ発光部からの発熱を考えるとレーザ発光部を冷却
する手段が不可欠である０従来、レーザ発光部を冷却す
るために、ペルチェ効果素子と放熱板を組み合せたもの
が多く用いられており、この種の従来技術を第５図を参
照して説明すれば、半導体レーザー１はマウント１２に
接着固定され、マウント１２はベルチェ素子１６に接着
固定されている。さらにベルチェ素子１３は基板１４に
接着固定される。また、基板１４は不図示の放熱板に直
接固定されている。半導体レーザー１の温度はサーミス
ター５によって検知される。また半導体レーザー１、ベ
ルチェ素子１６゜サーミスター５の端子は、基板１４（
放熱板）にあけられた穴を通じて外部と接続できる構成
となっている。１６社キャップ、１７社ガラス窓であ′
［す る。半導体レーザー１及びベルチェ素子１３１ｍ度から
保護するため、キャップ１６の内部はドライチッ素ガス
が封入されており、接合部は完全にシールされる。
しかしながら、このような構成をとった場合、半導体レ
ーザ１１、マウント１２、ベルチェ素子１３、基板１４
、サーミスタ１５等すべての部品を接着固定し、また各
端子のボンディングを終了させた後ドライチッ素ガスを
封入し、シールを行なうことになる０したがって工程が
複雑なばかりか、レーザチップが露出した状態で、ボン
ディングや窒素ガスの封入等の各作業を行なうことにな
り、取扱いに細心の注意を必要とし、作業に時間がかか
る。工程が複雑になるため不良重電高い０さらに、レー
ザ１１に比べて大きなベルチェ素子１６をもドライチッ
素で封入することになるため、パッケージの小型化がで
きない。まだ、レーｆ（１’）必要とする防湿対策に比
べ、ベルチェ素子１３の防湿対策は多少不完全でも、電
流による制御が可能であり問題がないにもかかわらず、
半導体レーザとベルチェ素子が同一のパッケージ内にあ
るため、半導体レーザに施すだめの厳密な防湿対策を、
それをあまり必要としないベルチェ素子に４併せて集流
することになるので、無駄が多い。さらに、基板１４を
辿して外部に接続する端子の数もベルチェ素子を駆動す
る分だけ多くなり、これに伴うシール箇所の増大といっ
た種々の不利益を有している。
ーザ１１、マウント１２、ベルチェ素子１３、基板１４
、サーミスタ１５等すべての部品を接着固定し、また各
端子のボンディングを終了させた後ドライチッ素ガスを
封入し、シールを行なうことになる０したがって工程が
複雑なばかりか、レーザチップが露出した状態で、ボン
ディングや窒素ガスの封入等の各作業を行なうことにな
り、取扱いに細心の注意を必要とし、作業に時間がかか
る。工程が複雑になるため不良重電高い０さらに、レー
ザ１１に比べて大きなベルチェ素子１６をもドライチッ
素で封入することになるため、パッケージの小型化がで
きない。まだ、レーｆ（１’）必要とする防湿対策に比
べ、ベルチェ素子１３の防湿対策は多少不完全でも、電
流による制御が可能であり問題がないにもかかわらず、
半導体レーザとベルチェ素子が同一のパッケージ内にあ
るため、半導体レーザに施すだめの厳密な防湿対策を、
それをあまり必要としないベルチェ素子に４併せて集流
することになるので、無駄が多い。さらに、基板１４を
辿して外部に接続する端子の数もベルチェ素子を駆動す
る分だけ多くなり、これに伴うシール箇所の増大といっ
た種々の不利益を有している。
第６図に上述した種々の問題を解決したレーザユニット
の一例を示す０半導体レーザ１８のみをドライチッ素封
入した小さなパッケージ１９に入れ、そのパッケージ１
９をベルチェ素子１３に取付ける。（以下パッケージ１
９とベルチェ素子１６を合わせてレーザ部２９と称す。
の一例を示す０半導体レーザ１８のみをドライチッ素封
入した小さなパッケージ１９に入れ、そのパッケージ１
９をベルチェ素子１３に取付ける。（以下パッケージ１
９とベルチェ素子１６を合わせてレーザ部２９と称す。
）ベルチェ素子１３は取付板２０に取付けられている。
まだレーザ光を平行光とするだめのコリメータ２１は位
置を調整された後コリメータ支持部材２２にナツト２８
で固定され、コリメ〜り支持部材２２は取付、板２０に
固定される０さらに取付板２０にはヒーＦシンク２６が
熱伝導性グリ１ス等を介して取付けられている。第６図
の如く構成すれはレーザユニットを簡素化、小型化でき
、また組立等の扱いも非常圧簡単である。しかじ先に述
べた様にレーザユニットを高温・高湿の環境に長時間装
いた場合、レーザパッケージ１９は１５〜２０℃に温調
されるためパッケージの出射窓ガラス２４に結露が生じ
、レーザ光が散乱し、感光体ドラム上で光量不足、結像
スポット形状等の変化により画像の悪化を招くことがあ
る。この改良として出射窓ガラス２４を２重にしたもの
やコリメータ支持部材２２とレーザ部２９と取付板２０
との間に形成される空間をシール材２６等で満たすこと
亀考えられる。
置を調整された後コリメータ支持部材２２にナツト２８
で固定され、コリメ〜り支持部材２２は取付、板２０に
固定される０さらに取付板２０にはヒーＦシンク２６が
熱伝導性グリ１ス等を介して取付けられている。第６図
の如く構成すれはレーザユニットを簡素化、小型化でき
、また組立等の扱いも非常圧簡単である。しかじ先に述
べた様にレーザユニットを高温・高湿の環境に長時間装
いた場合、レーザパッケージ１９は１５〜２０℃に温調
されるためパッケージの出射窓ガラス２４に結露が生じ
、レーザ光が散乱し、感光体ドラム上で光量不足、結像
スポット形状等の変化により画像の悪化を招くことがあ
る。この改良として出射窓ガラス２４を２重にしたもの
やコリメータ支持部材２２とレーザ部２９と取付板２０
との間に形成される空間をシール材２６等で満たすこと
亀考えられる。
しかしシール材２６を用いた場合、ベルチェ素子１３の
端子６０は図に示す如くベルチェ素子１６の（１１１１
面に設けられるので、取付板２０、ヒートシンタ２３の
挿通孔３１，３２を通ってレーザユニット外に引き出さ
れる。このため端子３ｏとシール材２６との間にはすき
まができてしまい、挿通ＪＬ３１，３２を通じて水分が
レーザビーム）内に入り込む事がある。
端子６０は図に示す如くベルチェ素子１６の（１１１１
面に設けられるので、取付板２０、ヒートシンタ２３の
挿通孔３１，３２を通ってレーザユニット外に引き出さ
れる。このため端子３ｏとシール材２６との間にはすき
まができてしまい、挿通ＪＬ３１，３２を通じて水分が
レーザビーム）内に入り込む事がある。
また、シール効果を増すためにＯＲゴム等のシール材２
６の厚みはフリメータ支持部材２２の深さ）■よりやや
厚くし、シール材２６を多少つぶしレーザ部２９を入れ
るため各部の肉厚が不均一であり圧縮すると肉厚の薄い
部分がつぶれ、第７図に示す様にソール材側面にくぼみ
６４が生じコリメータ支持部材２２との間にシール圧力
の小さい部分ができてしまう。
６の厚みはフリメータ支持部材２２の深さ）■よりやや
厚くし、シール材２６を多少つぶしレーザ部２９を入れ
るため各部の肉厚が不均一であり圧縮すると肉厚の薄い
部分がつぶれ、第７図に示す様にソール材側面にくぼみ
６４が生じコリメータ支持部材２２との間にシール圧力
の小さい部分ができてしまう。
このシール圧力の小さい部分やレーザ部２９を入れるシ
ール月２６の複雑な形のためにレーザ部２９とシール材
２６とが確実に密着できずすきまが生じてしまう。この
すきまに上述した挿通孔３１．３２、あるいはコリメー
タ支持部拐２２と取伺板２０とのすきま２７等を通じて
流入した水分が出射窓ガラス２４に結露を生じさせる場
合があった。
ール月２６の複雑な形のためにレーザ部２９とシール材
２６とが確実に密着できずすきまが生じてしまう。この
すきまに上述した挿通孔３１．３２、あるいはコリメー
タ支持部拐２２と取伺板２０とのすきま２７等を通じて
流入した水分が出射窓ガラス２４に結露を生じさせる場
合があった。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、非常な高温、
高湿に於いても結露が生じないレーザユニットを提供す
るものである。
高湿に於いても結露が生じないレーザユニットを提供す
るものである。
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
＠８図は不発り」の一実施例であるレーザユニットを示
したものである。尚、第６図と同一部分には同一の参照
符号が付されており、その説明は省略する。第８図に於
ては、コリメータ支持部材２２、レーザ部２９、取付板
２０との間にできる空間にＯＲゴム等のシール月２６を
入れ、シール材２６と周辺部を接着し、レーザユニット
内の密閉性を高めるものである。例えばシール材２６と
取付板２０を接着することにより取付板２０にあけられ
たコード等を挿通するための挿通孔６１゜６２から流入
する水分を防ぐことができこれだけでも結露に対しかな
り効果がある。またコリメータ支持部材２２における、
レーザ出射方向に対して垂直方向の内面とシール材２６
とのすきま６６、あるいはシール材２６とコリメータ支
持部材２２内側上面とのすきま３６、さらにはその両方
のすきまを接着することＫより、すきま２７等より水が
流入することを防止できるので出射窓ガラス２４への水
分の到達を防ぐことができる。また、シール材２６とレ
ーザ部２９を接着すること罠より組立の際にレーザユニ
ット内に閉じ込められた湿潤空気がベルチェ素子の発熱
側６５付近で温められ膨張しシール材２６とレーザ部２
９とのすきまを通って出射窓ガラス２４に達し結露する
ということを防ぐことができる。
したものである。尚、第６図と同一部分には同一の参照
符号が付されており、その説明は省略する。第８図に於
ては、コリメータ支持部材２２、レーザ部２９、取付板
２０との間にできる空間にＯＲゴム等のシール月２６を
入れ、シール材２６と周辺部を接着し、レーザユニット
内の密閉性を高めるものである。例えばシール材２６と
取付板２０を接着することにより取付板２０にあけられ
たコード等を挿通するための挿通孔６１゜６２から流入
する水分を防ぐことができこれだけでも結露に対しかな
り効果がある。またコリメータ支持部材２２における、
レーザ出射方向に対して垂直方向の内面とシール材２６
とのすきま６６、あるいはシール材２６とコリメータ支
持部材２２内側上面とのすきま３６、さらにはその両方
のすきまを接着することＫより、すきま２７等より水が
流入することを防止できるので出射窓ガラス２４への水
分の到達を防ぐことができる。また、シール材２６とレ
ーザ部２９を接着すること罠より組立の際にレーザユニ
ット内に閉じ込められた湿潤空気がベルチェ素子の発熱
側６５付近で温められ膨張しシール材２６とレーザ部２
９とのすきまを通って出射窓ガラス２４に達し結露する
ということを防ぐことができる。
この様にシール材２６と取付板２０を接着すれば結露に
対しかなり効果があり、またシール材２６を取付板２０
とコリメータ支持部材２２の少々くとも１つの内面に接
着すれば結露に対し確実である。更にシール材２６とレ
ーザ部２９をも接着すれば結露をより確実に防止するこ
とができる。
対しかなり効果があり、またシール材２６を取付板２０
とコリメータ支持部材２２の少々くとも１つの内面に接
着すれば結露に対し確実である。更にシール材２６とレ
ーザ部２９をも接着すれば結露をより確実に防止するこ
とができる。
尚、本実施例に於てはゴム系及びエポキシ系等の接着剤
を用いれば充分結露防止の効果を得ることができる。
を用いれば充分結露防止の効果を得ることができる。
以上説明した様に本発明によれば結露防止効果の優れた
レーザユニットを提供することができる。
レーザユニットを提供することができる。
第１図はレーザビームプリンタの基本的構成を示す図、
第２図は半導体レーザの発振ピークの温度特性を示すグ
ラフ図、第６図社半導体レーザの光電力と電流特性を示
すグラフ図、第４図は半導体レーザの波長とドラム感度
の関係を示す図、第５図は従来のレーザユニットの構成
図、第６図は第５図のレーザユニットを改良シたレーザ
ユニットの構成図、第７図は第６図のレーザユニットの
剰視図、第８図は本実施例に於けるレーザ、ユニットの
構成図である０ ここで１はレーザユニット、２は多面鏡、４はレンズ系
、５は感光ドラム、１３はペルチェ素子、１８は半導体
レーザ、１９はパッケージ、２０は取付板、２１はコリ
メータ、２２はコリメータ支持部材、２３はヒートシン
ク、２４は出射窓ガラス、２６はシール材、２８はナツ
トである。 電胤Ｉ抗Ａ 波長入 男５【 千６畷
第２図は半導体レーザの発振ピークの温度特性を示すグ
ラフ図、第６図社半導体レーザの光電力と電流特性を示
すグラフ図、第４図は半導体レーザの波長とドラム感度
の関係を示す図、第５図は従来のレーザユニットの構成
図、第６図は第５図のレーザユニットを改良シたレーザ
ユニットの構成図、第７図は第６図のレーザユニットの
剰視図、第８図は本実施例に於けるレーザ、ユニットの
構成図である０ ここで１はレーザユニット、２は多面鏡、４はレンズ系
、５は感光ドラム、１３はペルチェ素子、１８は半導体
レーザ、１９はパッケージ、２０は取付板、２１はコリ
メータ、２２はコリメータ支持部材、２３はヒートシン
ク、２４は出射窓ガラス、２６はシール材、２８はナツ
トである。 電胤Ｉ抗Ａ 波長入 男５【 千６畷
Claims (1)
- 半導体レーザ部と、前記半導体レーザ部を封止するため
の封止手段と、前記半導体レーザ部と前記封止手段によ
り形成される空間を充填する充填部材と、を有し、前記
封止手段と前記充填部材を接着したことを特徴とするレ
ーザユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103609A JPS58220484A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | レ−ザユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103609A JPS58220484A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | レ−ザユニツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220484A true JPS58220484A (ja) | 1983-12-22 |
Family
ID=14358510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103609A Pending JPS58220484A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | レ−ザユニツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697880A (en) * | 1984-04-12 | 1987-10-06 | Telefunken Electronic Gmbh | Optical system for providing a collimated light beam |
| US11640104B2 (en) | 2020-06-15 | 2023-05-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light source device having a sealing member, method of manufacturing the light source device, and projector including the light source device |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP57103609A patent/JPS58220484A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697880A (en) * | 1984-04-12 | 1987-10-06 | Telefunken Electronic Gmbh | Optical system for providing a collimated light beam |
| US11640104B2 (en) | 2020-06-15 | 2023-05-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light source device having a sealing member, method of manufacturing the light source device, and projector including the light source device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4951064A (en) | Thin film electroluminescent edge emitter assembly and integral packaging | |
| US8405699B2 (en) | Light stabilizer, light stabilization method, and printer | |
| JPS6063981A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6148265B2 (ja) | ||
| JPS58220484A (ja) | レ−ザユニツト | |
| JPH03274781A (ja) | レーザダイオード | |
| US20040222439A1 (en) | Optical power monitoring for a semiconductor laser device | |
| US20230344194A1 (en) | Laser light source and method of manufacturing the same | |
| JPH08288594A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| WO2019188106A1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS5895884A (ja) | レ−ザユニツト | |
| JP2001177176A (ja) | レーザビーム光源装置 | |
| WO2020153334A1 (ja) | 光源装置及び測距装置 | |
| JP2004214478A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS5923583A (ja) | レ−ザユニツト | |
| US10261311B2 (en) | Electro-optic device, electro-optic unit, and electronic apparatus | |
| JPH11307871A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2017181625A (ja) | 電気光学装置、電気光学ユニットおよび電子機器 | |
| JP2823381B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2021015849A (ja) | 光モジュール、ステム部品 | |
| JP2002246653A (ja) | 光半導体パッケージ | |
| JPS6152998B2 (ja) | ||
| JP4905163B2 (ja) | 発光装置及び印刷装置 | |
| JPH08213708A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS59200481A (ja) | 電子装置 |