JPS58219686A - 二次元座標を検出する装置 - Google Patents
二次元座標を検出する装置Info
- Publication number
- JPS58219686A JPS58219686A JP57103489A JP10348982A JPS58219686A JP S58219686 A JPS58219686 A JP S58219686A JP 57103489 A JP57103489 A JP 57103489A JP 10348982 A JP10348982 A JP 10348982A JP S58219686 A JPS58219686 A JP S58219686A
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- gradient layer
- electrodes
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
０ この発明は座標を検出する装置に関するものである
。
。
Ｏ従来ある面での座標を検出する装置としては、導電性
面を対向させ、若干間隙を保持して平行に位置させ、更
に両フィルムに各導電性面と通電可能な電極を設けたも
のが知られている。この装置は、例えば映像を映し出し
た平らな面上に設置し、その映像中の位置（座標）を知
りたい特定点に対応する導電性フィルム（透明性を有す
る）上の点をペン先などで抑圧（タッチ）することによ
って両電極間より座標信号を取り出せるようにしたもの
である。
面を対向させ、若干間隙を保持して平行に位置させ、更
に両フィルムに各導電性面と通電可能な電極を設けたも
のが知られている。この装置は、例えば映像を映し出し
た平らな面上に設置し、その映像中の位置（座標）を知
りたい特定点に対応する導電性フィルム（透明性を有す
る）上の点をペン先などで抑圧（タッチ）することによ
って両電極間より座標信号を取り出せるようにしたもの
である。
しかしこの装置では二次元座標を検出するために、Ｘ座
標の検出と、Ｙ座標の検出を別々に行なわざるを得す、
そのためにＸ座標とＹ座標の検出のための切りかえ装置
を必要とし、電子回路が複雑でノイズが発生しやすいと
いう欠点があった。
標の検出と、Ｙ座標の検出を別々に行なわざるを得す、
そのためにＸ座標とＹ座標の検出のための切りかえ装置
を必要とし、電子回路が複雑でノイズが発生しやすいと
いう欠点があった。
本発明者らは、かかる欠点を改良すべく鋭意研究した結
果、本発明に到達した。即ち、両側部に対向する２本の
電極部を有する電位勾配層と導電層より成る検出層とが
押圧されたとき、電気的に接触するために十分な柔軟性
を有する対になっており、この対の２組が柔軟性を有す
る絶縁体をかいして、電位勾配層にもうけられた電極部
がほぼ直交する様に重ねられており、電位勾配層の電極
部間に電圧を印′加して押圧されたときにその位置に対
応する電圧を検出層から検出することを特徴とする２次
元座標を検出する装置である。
果、本発明に到達した。即ち、両側部に対向する２本の
電極部を有する電位勾配層と導電層より成る検出層とが
押圧されたとき、電気的に接触するために十分な柔軟性
を有する対になっており、この対の２組が柔軟性を有す
る絶縁体をかいして、電位勾配層にもうけられた電極部
がほぼ直交する様に重ねられており、電位勾配層の電極
部間に電圧を印′加して押圧されたときにその位置に対
応する電圧を検出層から検出することを特徴とする２次
元座標を検出する装置である。
本発明において電位勾配層とは一般に１Ω／口〜ＩＯＫ
Ω／口の表面抵抗を有する導電層をいい、導電性インク
たとえばカーボンペーストを基体フィルム上に塗布した
り、製膜したりして、又基体フィルム上に導電性物質を
蒸着して設けることによって、柔軟性を有、 する導
電層を得ることができる。特に後者の場合において、透
明基体フィルム上に金やインジウム錫酸化物等の導電性
薄膜を蒸着したものは透明な電位勾配層となり得る。そ
して１ 電位勾配層の形は一般に長方形である。
Ω／口の表面抵抗を有する導電層をいい、導電性インク
たとえばカーボンペーストを基体フィルム上に塗布した
り、製膜したりして、又基体フィルム上に導電性物質を
蒸着して設けることによって、柔軟性を有、 する導
電層を得ることができる。特に後者の場合において、透
明基体フィルム上に金やインジウム錫酸化物等の導電性
薄膜を蒸着したものは透明な電位勾配層となり得る。そ
して１ 電位勾配層の形は一般に長方形である。
Ｎ、極は電位勾配層の両側部命中に設けられ、互いに平
行に形成される。電極は導電ペイン位勾配層に積層して
設けることができる。又、電極部は電位勾配層に用いら
れる導電層よりもはるかに高導電性である必要がある。
行に形成される。電極は導電ペイン位勾配層に積層して
設けることができる。又、電極部は電位勾配層に用いら
れる導電層よりもはるかに高導電性である必要がある。
検出層は一般にＩＯＫΩ／口以下の表面抵抗の導電性を
有する導電層であればなんでもよく、電位勾配層と同じ
ものや、アルミなどの導電性の金属箔を用いれば柔軟性
を有する。
有する導電層であればなんでもよく、電位勾配層と同じ
ものや、アルミなどの導電性の金属箔を用いれば柔軟性
を有する。
検出層の形は電位層の形と同様一般に長方形である。
電位勾配層と検出層とを押圧されたとぎに電気的に接触
するためには一般に次の方法を用いることができる。第
一はエヤーギャップを介して対向させる方法であり、そ
のために４周にスペーサーを介して電位勾配層と検出層
とを接着する。第二はメッシュ又はドツト状のスペーサ
ーを電位勾配層又は及び検出層の表面に形成する。第三
は異方性導電ゴムのような感圧性導電ゴムや圧電性物質
を介して積層する等の方法がある。第四は、本発明の二
次元座標を検出する装置がＣＲＴにフィツトするように
曲面加工された場合、電位勾配層−と検出層の曲率を外
側に配置されるものの方が小さくなるようにする方法で
ある。
するためには一般に次の方法を用いることができる。第
一はエヤーギャップを介して対向させる方法であり、そ
のために４周にスペーサーを介して電位勾配層と検出層
とを接着する。第二はメッシュ又はドツト状のスペーサ
ーを電位勾配層又は及び検出層の表面に形成する。第三
は異方性導電ゴムのような感圧性導電ゴムや圧電性物質
を介して積層する等の方法がある。第四は、本発明の二
次元座標を検出する装置がＣＲＴにフィツトするように
曲面加工された場合、電位勾配層−と検出層の曲率を外
側に配置されるものの方が小さくなるようにする方法で
ある。
このような電位勾配層と検出層の対の２組を絶縁体を介
して重ねあわせるが、用いられる絶縁体は十分な柔軟性
を有する一般の絶縁体であればなんでもよく、たとえば
高分子フィルム、ゴム、紙等があげられ、特に二軸延伸
ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィル
ムを用いれば絶縁体も透明とすることかてぎる。
して重ねあわせるが、用いられる絶縁体は十分な柔軟性
を有する一般の絶縁体であればなんでもよく、たとえば
高分子フィルム、ゴム、紙等があげられ、特に二軸延伸
ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィル
ムを用いれば絶縁体も透明とすることかてぎる。
上記の２組の対は電位勾配層に設けられたそれぞれの電
極を直行するように重ねあわせられることが好ましいが
、平行以外の重ねあＪっせかたであれば本発明の目的と
する二次元圧□□□を検出する装置となり得る。
極を直行するように重ねあわせられることが好ましいが
、平行以外の重ねあＪっせかたであれば本発明の目的と
する二次元圧□□□を検出する装置となり得る。
２組の電位勾配層と検出層の対及び絶縁体の重ねあわせ
方は種々あるがそれらを列記すると ■ 検出層／電位勾配層／絶縁体／検出層／電位勾配層 ■ 検出層／電位勾配層／絶縁体／電位勾配・層／検出
層 ■ 電位勾配層／検出層／絶縁体／検出層／電位勾配層 ■ 電位勾配層／検出層／絶縁体／電位勾配層／検出層 があげられるが、いずれも本発明を達成できるが■の重
ねあわせ方が電磁じゃへい効果をも有するためノイズの
辛生が少なく好適である。
方は種々あるがそれらを列記すると ■ 検出層／電位勾配層／絶縁体／検出層／電位勾配層 ■ 検出層／電位勾配層／絶縁体／電位勾配・層／検出
層 ■ 電位勾配層／検出層／絶縁体／検出層／電位勾配層 ■ 電位勾配層／検出層／絶縁体／電位勾配層／検出層 があげられるが、いずれも本発明を達成できるが■の重
ねあわせ方が電磁じゃへい効果をも有するためノイズの
辛生が少なく好適である。
上記の絶縁体の両側の層は一枚の絶縁体の両面に形成す
ることができ、この場合３枚のシートで本発明のシート
を製作することができるので製作が簡単である。
ることができ、この場合３枚のシートで本発明のシート
を製作することができるので製作が簡単である。
本発明による二次元座標を検出する装置の構成は上記の
如くであるが、以下に二次元座標を検出する方法を記述
する。
如くであるが、以下に二次元座標を検出する方法を記述
する。
まず電位勾配層の両Ｔ［極に電圧を印加し−般に一方を
アースする。電圧は一般に常時印加されるが少くとも同
時に印加される。両電位勾２配層にかける電圧は等しく
なくてもよいが、一般に、同電圧にするのが便利である
。電圧は一般に１ｖ以上１５Ｖ以下の直流電圧が用いら
れる。両電位勾配層の電極をそれぞれ結線してもよく、
この場合両電位勾配層には同じ電圧が同時ｔこ印加され
るが、リード線の数を２本減らず事が可能となる。
アースする。電圧は一般に常時印加されるが少くとも同
時に印加される。両電位勾２配層にかける電圧は等しく
なくてもよいが、一般に、同電圧にするのが便利である
。電圧は一般に１ｖ以上１５Ｖ以下の直流電圧が用いら
れる。両電位勾配層の電極をそれぞれ結線してもよく、
この場合両電位勾配層には同じ電圧が同時ｔこ印加され
るが、リード線の数を２本減らず事が可能となる。
０ このようにして、２枚の電位勾配層【こ電圧を印加
すると両電極間に互いにほぼ直交する電極に平行な等電
位線が形成される。従って押圧されたとき、その位置に
対応する２つの電位を２つの検出層から検出することに
より、押圧された位置の二次元座標を決定できる。
すると両電極間に互いにほぼ直交する電極に平行な等電
位線が形成される。従って押圧されたとき、その位置に
対応する２つの電位を２つの検出層から検出することに
より、押圧された位置の二次元座標を決定できる。
このような等電位線を形成するために、電位勾配層はそ
の面内て均一な導電性を有する必１１１１１１１ 要があるとともに電位勾配層に設けられた電極は電位勾
配層よりもはるかに高導電性である必要がある。
の面内て均一な導電性を有する必１１１１１１１ 要があるとともに電位勾配層に設けられた電極は電位勾
配層よりもはるかに高導電性である必要がある。
装置は電位勾配層と検出層が独立しているため、位置検
出のための電子回路が簡単となる。
出のための電子回路が簡単となる。
又、Ｘ及びＹ座標を同時に検出することが可能で、検出
速度がはやくなるとともに、電圧を常時加えることがで
きるので、電圧の切り替えに基ずくノイズの発生がない
。
速度がはやくなるとともに、電圧を常時加えることがで
きるので、電圧の切り替えに基ずくノイズの発生がない
。
以下本発明の一例を示す。
第一図に示すごとく、ポリメチルメタアクリレートシー
ト（厚さ２ ｔｚ ）の基板１に１２５μｍの二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート２に金の薄膜を蒸着するこ
とにより電位勾配層３を形成し、その両側部に銀ペース
トで電極４．４′を形成し、リード線５．５′を取り出
した。次にポリヵーボネートン−１（厚さ０５闘）ヲス
ペー゛サー６とし、その上に１２５μｎ＋の二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルム７０両面にインジ□
ウム錫酸化物の薄膜を蒸着した検出層８．９及びそれら
の４周に形成したｔｉｌｏ、１１及ヒリ−１’Ｍ１２，
１３その上にポリカー、示ネートシー巨厚さ０．５ＭＮ
）をスペーサーエ４とし、さらにその上に１２５μ用
の二１’４延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム１
５」二に金の薄膜を蒸着することにより、電位勾配層１
６を形成し、その両側部に銀ペーストで電極１７．１７
′及びリード線１８．１８′を形成した。電極１４．１
４’と電極４．４′はほぼ直行させた。
ト（厚さ２ ｔｚ ）の基板１に１２５μｍの二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート２に金の薄膜を蒸着するこ
とにより電位勾配層３を形成し、その両側部に銀ペース
トで電極４．４′を形成し、リード線５．５′を取り出
した。次にポリヵーボネートン−１（厚さ０５闘）ヲス
ペー゛サー６とし、その上に１２５μｎ＋の二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルム７０両面にインジ□
ウム錫酸化物の薄膜を蒸着した検出層８．９及びそれら
の４周に形成したｔｉｌｏ、１１及ヒリ−１’Ｍ１２，
１３その上にポリカー、示ネートシー巨厚さ０．５ＭＮ
）をスペーサーエ４とし、さらにその上に１２５μ用
の二１’４延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム１
５」二に金の薄膜を蒸着することにより、電位勾配層１
６を形成し、その両側部に銀ペーストで電極１７．１７
′及びリード線１８．１８′を形成した。電極１４．１
４’と電極４．４′はほぼ直行させた。
Ｏ電位勾配層３及び１３はシーラシン社製の金蒸着透明
導電性フィルムイントレ、り７Ｇ−３４ＦＸを使用した
。表Ｉｎ抵抗は、約２０ ・Ω／口、光線透過率は約７
０％であった。検出層７．８はンーラシン社製のインジ
ウム゛錫酸化物蒸着の透明導電性フィルムイントレクス
に−ＨＣ（両面コート品）で作成し、導電層７．８とも
表面抵抗は約５００Ω／口であった。該透明導電性フィ
ルムイントレ、クスに−ＨＣ（両面コート品）や光線透
過率は約７５％であった。従って、本発明の実施例過率
は約４０％でＣＲＴやＦＩ、等のディスプレイの表面に
設置するインプット装置としては充分な透明性を有して
いた。
導電性フィルムイントレ、り７Ｇ−３４ＦＸを使用した
。表Ｉｎ抵抗は、約２０ ・Ω／口、光線透過率は約７
０％であった。検出層７．８はンーラシン社製のインジ
ウム゛錫酸化物蒸着の透明導電性フィルムイントレクス
に−ＨＣ（両面コート品）で作成し、導電層７．８とも
表面抵抗は約５００Ω／口であった。該透明導電性フィ
ルムイントレ、クスに−ＨＣ（両面コート品）や光線透
過率は約７５％であった。従って、本発明の実施例過率
は約４０％でＣＲＴやＦＩ、等のディスプレイの表面に
設置するインプット装置としては充分な透明性を有して
いた。
０ 次にリード線４と１８及び４′と１８′をそれぞれ
結線し、４と１８に一←１．２ｖを印加し、４′と１８
′をアースした。フ ルム１５を押圧すると、リード線
１２．１３がらそれぞれＶ ｘ 、 Ｖ ｙの二つの電
圧が検出され、Ｖｘ及びＶｙの電圧の大きさはフィルム
１５を指で押圧した位置に対応していた。
結線し、４と１８に一←１．２ｖを印加し、４′と１８
′をアースした。フ ルム１５を押圧すると、リード線
１２．１３がらそれぞれＶ ｘ 、 Ｖ ｙの二つの電
圧が検出され、Ｖｘ及びＶｙの電圧の大きさはフィルム
１５を指で押圧した位置に対応していた。
１ 基板
２、 電位勾配Ｎ ａのベースフィルム３ 電位勾配
層 ４．４′ 電位勾配層の両側部の電極５０．５′ 電
極４．４′のリード線 ６、 スペーサー ７ 検、出層８及び９のベースフィルム９、 電位勾配
層１６の検出層 １０． 検出層８の電極 １１、 検出層９の電極 １２ 電極ｌＯのリード線 １３ 電極１１のリード線 １４、 スペーサー １５電位勾配層ｔ ６のベースフィルム１６ 電位勾
配層
層 ４．４′ 電位勾配層の両側部の電極５０．５′ 電
極４．４′のリード線 ６、 スペーサー ７ 検、出層８及び９のベースフィルム９、 電位勾配
層１６の検出層 １０． 検出層８の電極 １１、 検出層９の電極 １２ 電極ｌＯのリード線 １３ 電極１１のリード線 １４、 スペーサー １５電位勾配層ｔ ６のベースフィルム１６ 電位勾
配層
Claims (1)
- 両＠１部に対向する２本の！極部を有する電位勾配層と
導電層より成る検出層とが押圧されたとき、電気的に接
触するために十分な柔軟性を有する対になっており、こ
の対の２組が柔軟性を有する絶縁体をかいして、電位勾
配層にもうけられた電極部がほぼ直交する様に重ねられ
ており、電位勾配層の電極部間に電圧を印加して押圧さ
れたときに、その位置に対応する電圧を検出層から検出
することを特徴とする２次元座標を検出する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103489A JPS58219686A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 二次元座標を検出する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103489A JPS58219686A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 二次元座標を検出する装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219686A true JPS58219686A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14355411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103489A Pending JPS58219686A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 二次元座標を検出する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219686A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159925A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-21 | Seiko Epson Corp | 入力装置 |
| JPS60158241U (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-21 | 横河電機株式会社 | タツチ式入力装置 |
| JPS6143329A (ja) * | 1984-08-07 | 1986-03-01 | Mitsutoyo Mfg Co Ltd | 信号入力装置 |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP57103489A patent/JPS58219686A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159925A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-21 | Seiko Epson Corp | 入力装置 |
| JPS60158241U (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-21 | 横河電機株式会社 | タツチ式入力装置 |
| JPH021623Y2 (ja) * | 1984-03-27 | 1990-01-16 | ||
| JPS6143329A (ja) * | 1984-08-07 | 1986-03-01 | Mitsutoyo Mfg Co Ltd | 信号入力装置 |
| JPH0157367B2 (ja) * | 1984-08-07 | 1989-12-05 | Mitutoyo Corp |
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