JPS5821734Y2 - 記録装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は感熱記録、静電記録あるいは放電記録等に使用
される記録装置に関し、特に記録ヘッド部の小形化と歩
留りの向上を図った記録装置に関する。

最近、ファクシミリあるいはプリンタ等において、多数
個の発熱抵抗体を一列に並べた記録ヘッドで記録を行な
う感熱記録方式が実用化されつつある。

この方式は、感熱記録に限らず、静電記録や放電記録等
でもいえることであるが、非常に多数個（一般に数百な
いし＋側程度）の記録素子を駆動するために、記録素子
と駆動回路との接続が問題となる。

普通、この接続部分を簡略化するために、第１図に示す
ように、ダイオードマトリクスを用いて駆動回路への接
続端子数を減らしている。

第１図において、Ｒ１１〜Ｒｔｎ 、 Ｒ２１〜Ｒ２ｎ
、・・・・・・は記録素子列で、連続するｎ個ずつから
なる複数のブロックＢｌ、Ｂ２．・・・・・・に区分さ
れ、その各一端はブロック毎に共通接続されている。

記録素子列Ｒ１１〜Ｒ１ｎ。Ｒ２□〜Ｒ２ｎ 、・・・
・・・の各他端は、ダイオードＤ１、〜Ｄｔｎ、Ｄ２１
〜Ｄ２ｎ 、・・・・・・をそれぞれ介して、各ブロッ
クＢｌ、Ｂ２．・・・・・・で同一位置の記録素子にそ
れぞれ共通に設けられた導電線Ｌ１〜Ｌ、に接続され、
この導電線Ｌ１〜Ｌ、は駆動回路に接続されている。

上記構成によると、導電線Ｌ１〜Ｌ、を記録素子列の各
ブロックＢｌ、Ｂ２．・・・・・・に共通に用いている
ため、その本数は１ブロツク内の記録素子数ｎと同じで
済み、記録回路との接続は簡単となるが、記録素子列と
ダイオードマトリックス回路との間の接続線数は全記録
素子数分だけ必要となる。

従来、この間の接続法として、高密度の平行導電線を印
刷したフレキシブルケーブルの両端を記録素子列および
ダイオードマトリックス回路印刷基板にそれぞれ圧着す
る方法が採られていた。

しかしながら、この方法によると、装置が大形になるこ
と、取扱いおよび接続工程の煩雑さ等が問題となる。

一方、上記問題点を解消するために、第２図に示すごと
き厚膜技術による多層印刷法が考案されている。

これは記録素子である発熱抵抗体が形成される絶縁基板
１上にダイオードとマスリクス配線を同時に形成するも
ので、図には多層配線部分のみち示している。

このように構成すると、上記した問題点は解消するが、
新たに次のようなことが問題となってくる。

すなわち、第２図中１１□〜ｌ Ｉｎ、’２１〜ｌ ２
ｎ、・・・・・・は前記ダイオードＤＩｌ〜Ｄｉｎ、Ｄ
２１〜Ｄ２ｎ 、・・・・・・から導かれる第１の導電
線で、記録素子列と同一密度で絶縁基板１上に印刷され
る。

ファクシミリ記録装置では、この密度は４本／ｍｍ〜６
本／ｍｍであるから、この導電線の間隔Ｐは１６７〜２
５０μｍとなる。

この導電線１１□〜ｌｌｎ、１２１〜ｌ ２ｎ、・・・
・・・は、終端が全体として鋸歯状になるように、記録
素子列の１つのブロックに対応する１つの群内で異なっ
た長さに形成され、この上に絶縁層２が印刷される。

この絶縁層２は導電線１１□〜１１ｎ、１２□〜ｌ ２
ｎ、・・・・・・の終端に対向した位置に連絡孔３を有
し、この連絡孔３内には導体が充填される。

そして、絶縁層２上には第１の導電線１１１〜ｌｌｎ、
１２□〜ｌ ２ｎ、・・・・・・の各群間で同一長さの
導電線終端部に対応する連絡孔３内の導体相互間を短絡
接続するように、第２の導電線り、〜Ｌ、が印刷され、
この第２の導電線Ｌ１〜Ｌ、は図示してない駆動回路に
接続される。

ここで、上記のように構成した場合には、前記連絡孔３
の近傍における第１の導電線１１１〜ｌ Ｉｎ。

ｌ ２１〜ｌ ２ｎ、・・・・・・相互間のショートの
発生が問題となってくる。

すなわち、連絡孔３の径は導線幅より多少大きめにしな
ければ、第１の導電線１１、〜ｌ ｉｎ、１２１〜ｌ
２ｎ＋・・・・・・と第２の導電線Ｌ１〜Ｌ、どの接続
が不確実になる。

このようにした場合、我々の経験によると、第１の導電
線相互間の間隔Ｐは２００μｍが限界で、これ以下にす
るとショート事故が多発し、製品の歩留りが極度に低下
することが判明した。

間隔Ｐを３００μｍ以上に選べば、このようなショート
の発生は少なくなるが、このためには記録素子の間隔が
前述したように１６７〜２５０μｍであるから、第１の
導電線１１１〜ｌｌｎ、１２□〜ｌ ２ｎの間隔を途中
で広げることが必要となる。

しかし、こうするとヘッド全体が非常に大形化する結果
を招く。

第３図に従来のより改良された感熱記録装置の記録ヘッ
ド部の結線図を示す。

Ｒ１□〜Ｒ１ｎ、Ｒ２□〜Ｒ２ｎ 、・・・・・・は発
熱抵抗体からなる記録素子列であり、その配列方向にお
いて同数ずつの素子からなる複数のブロックＢｌ、Ｂ２
．・・・・・・に区分されている。

この記録素子列Ｒ１□〜Ｒ１楔、Ｒ２□〜Ｒ２ｎ 、・
・・・・・の各一端はブロックＢｌ、Ｂ２．・・・・・
・毎に選択端子ＣＩ。

Ｃ２，・・・・・・に共通接続されており、また各他端
はダイオードＤ１□〜Ｄ□。

、Ｂ２、〜Ｄ２ｎ 、・・・・・・の各一端に接続され
ている。

このダイオードＤ１□〜Ｄ工。、Ｄ２□〜Ｄ２ｎ 、・
・・・・・の各他端は複数群の第１の導電線１１、 ｌ
２．・・・・・・にそれぞれ接続されている。

この第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・は、そ
れぞれ記録素子列Ｒ１、〜Ｒ１ｎ、Ｒ２□〜Ｒ２ｎ 、
・・・・・・の隣り合うブロックＢ１Ｂ２間、Ｂ３−Ｂ
４間、・・・・・・の境界線Ｅｌ、 Ｂ３．・・・・・
・に対して線対称位置にある各一対の記録素子相互間を
上記ダイオードＤＩｌ〜Ｄ１ｎ、Ｄ２１〜Ｄ２ｎ 、・
・・・・・を介して接続するものである。

すなわち、第１の導電線１１、 ｌ ２．・・・・・・
は各群がｎ本の導電線からなっており、記録素子列Ｒ１
１〜Ｒ１ｎ、Ｒ２□〜Ｒ２ｎ、・・・・・・の隣り合う
ブロックＢＩ Ｂ２間、８３Ｂ４間、・・・・・・に
おいて、配列方向における順序がｉ番目（ｉ ＝１．２
．・・・・・・ｎ）の記録素子と（ｎ＋１−ｉ）番目の
記録素子とが、それぞれに接続されたダイオードを介し
て、上記第１の導電線ｌ １． ｌ ２．・・・・・・
により接続されるのである。

例えば゛、ブロックＢ１−Ｂ２間に着目すると、Ｒ１１
Ｒ２ｎ、 Ｒ１２Ｒ２）ｎ−ｘｔ、”・・” ＲｔｎＲ
２１の相互間がガイオードＤｏ Ｄ２ｎ、Ｄｔ□Ｄ２
）ｎ−１２，＋＋＋・＋＋Ｄｉｎ−Ｄ２１をそれぞれ介
して、導電線１１により接続される。

そして上記第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・
は第２の導電線りに接続される。

この第２の導電線りはｎ本の導電線Ｌ１〜Ｌｎからなっ
ており、第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・の
各群間の前記境界線Ｅ、、Ｅ３゜・・・・・・に対して
同一位置にある記録素子に対応した導電線相互間を接続
するものである。

上記したような結線方法によれば、第１図に示したよう
な結線方法に比べて第１の導電線ｌ□。

１２、・・・・・・と第２の導電線りとの接続点数が１
ブロツク内の記録素子数をｎ、ブロック数をｍとすると
、ｎＸ７と半減するので歩留りの向上が期待できる。

本考案は第２図に示した如き結線の記録ヘッドの実装構
造を改良することによって、歩留りの非常により記録装
置を提供しようとするものであり、以下図面を参照して
実施例を説明する。

第４図は本考案の一実施例として、第２図の結線の記録
ヘッドを厚膜多層印刷によって構成した場合のマトリク
ス配線部の平面図を示したものである。

１１は前記記録素子Ｒｕ 〜Ｒ１゜＋ Ｒ２１Ｒ２ｎ。
・・・・・・およびダイオードＤ１□〜Ｄｉｎ、Ｄ２□
〜Ｄ２ｎ 、・・・・・・が形成された絶縁基板であり
、この基板１１上には、さらに上記ダイオードＤ１□〜
Ｄ工。

、Ｄ２□〜Ｄ２１１゜・・・・・・の各一端が接続され
た第１の導電線１１． ｌ ２゜・・・・・・が厚膜印
刷技術により形成される。

この第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・はＵ字
形に形成されており、記録素子列Ｒ１□〜Ｒ１ｎ、Ｒ２
□〜Ｒ２ｎ 、・・・・・・の配列方向における間隔Ｐ
は記録素子列Ｒｕ〜Ｒ１ｎ、Ｒ２□〜Ｒ２ｎ ＋・・・
・・・の配列間隔、例えば１６７〜２５０μｍと等しく
、またこれと直角方向における間隔ＱはＰより大きく例
えば３００μｍ以上に選ばれる。

この第１の導電線ｌ １． ｌ ２．・・・・・・の上
には絶縁層１２が厚膜印刷により設けられる。

この絶縁層１２は第１の導電線１１． ｌ ２．・・・
・・・を形成するＵ字形導体の底辺部を横切る位置に長
孔１３を有する。

この絶縁層１２上には、記録素子列Ｒ１□〜Ｒ１ｎ、Ｒ
２□〜Ｒ２ｎ 、・・・・・・の配列方向と平行に、か
つ上記Ｕ字形導体の底辺部の間隔Ｑと等間隔で第２の導
電線りが形成される。

そして、第１の導電線ｌ １． ｌ ２．・・・・・・
と第２の導電線りとは、長孔１３を通して接続されてい
る。

このように構成すれば、第３図に示したような結線が実
現されることになる。

上記構成によれば、第１の導電線ｌ工、１２・・・・・
・と第２の導電線りとの接続部の、隣接導体との間隔は
、第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・の導体間
隔を従来と等しく選んだ場合、図の左右方向において、
最も近接した場所でも３倍以上にすることができる。

したがって、第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・
・の間隔はＰ ＝ １６７μｍ（密度で表わすと６本／
ｍｍ）まで小さくしても、Ｐ＜Ｑとしたことと相まって
第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・相互間にお
けるショートの発生のおそれは非常に少なくなる。

このため、歩留りが向上するのみならず、第１の導電線
１１． ｌ ２゜・・・・・・の間隔を記録素子列Ｒ□
１〜Ｒ工。

、Ｒ２□〜Ｒ２ｎ１・・・・・・の配列間隔以上に拡げ
ていないので、記録ヘッド全体を小形化し得る。

さらに、第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・と
第２の導電線りとは、長孔１３を通して接続されている
ため、第２図の如く接続点毎に連絡孔を設ける方法のよ
うに、連絡孔に充填される導体が周囲に拡がって接続点
間を短絡させるおそれがなく、この点からも歩留りの向
上が期待できる。

一方、第５図の例は第４図の例における第１の導電線ｌ
□、１２．・・・・・・の印刷工程までは同じであるが
、第４図における絶縁層１２の代りに可撓性絶縁フィル
ムを用いたものである。

すなわち、第５図中２１は例えば３０〜１００μｍ程度
の厚みのポリイミドフィルムからなる可撓性絶縁フィル
ムであり、前記第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・
・・上に印刷形成されている。

このフィルム２１上には５０〜１００μｒｒ４の銅箔を
エツチングして形成した第２の導電線りが配線され、こ
の第２の導電線りは、上記可撓性絶縁フィルム２１の前
記第１の導電線１１． ｌ ２．・・・・・・を形成す
るＵ字形導体の底辺の中央部に対向する位置に設けた長
孔２２を通して、半田等により第１の導電線１１． ｌ
２．・・・・・・と接続される。

第６図はこの接続部分の拡大斜視図である。

この第５図の例によっても、第４図の場合と同様な効果
が得られる。

また、この第５図の例によると、可撓性絶縁フィルム２
１の端部を図示のように延長して、コネクタ２３に直接
導くことも可能である。

さらに、この場合第５図に示したように第２の導電線り
を一本おきに左右に振り分けて引出すようにすれば、導
電線抵抗の片寄りによる発色濃度の左右方向（記録素子
列配列方向）における傾斜を全体として平均化できる利
点もある。

なお、本考案の場合記録素子列Ｒ１１〜Ｒａｎ、Ｒ２、
〜Ｒ２ｎ 、・・・・・・は第２の導電線Ｌ（Ｌ、〜Ｌ
ｏ）に対する接続順序が隣接するブロック毎に逆となっ
ている。

すなわち、ブロックＢｌ、 Ｂ３．・・・・・・の記録
素子列Ｒ１１〜Ｒ１ｎ、 Ｒ３１−Ｒ３ｎ、−・・・・
−とブロックＢ２． Ｂ４゜・・・・・・の記録素子列
Ｒ２１〜Ｒ２ｎ、Ｒ４１〜Ｒ４ｎ、・・・・・・の第２
の導電線りに対する接続順序は互いに逆である。

したがってシリアルに入力される記録情報信号をそのま
まの順序で第２の導電線りに供給すると、例えば偶数番
目のブロックＢ２． Ｂ４．・・・・・・の記録素子列
Ｒ２１〜Ｒ２ｎ、Ｒ４□〜Ｒ４ｎ、・・・・・・による
記録状態が左右逆となってしまい、正常な記録側が得ら
れない。

そこで、本考案では第２の導電線Ｌ１〜Ｌ、に対し、記
録情報信号をブロックＢｌ、Ｂ２．・・・・・・の選択
毎に順序を反転させて供給するが、このような処理機能
を有する記録回路の一例を第７図に示す。

以下、記録素子数、ｎ＝７の場合について説明する。

第７図において、ＳＲ１，ＳＲ２はシフトレジスタであ
り、ＳＲ１はＱ７からＱｌの方向へ、ＳＲ２はＱｌから
Ｑ７の方向へシフト動作するものとする。

いま、記録情報信号Ｓ。

とじて、例えば記録素子列のブロックＢ１に対応するシ
リアルな画像信号が入力されるとき、レジスタ選択信号
Ｓ２が１となり、シフトパルスＳ１がアンドゲートＧ１
を介してシフトレジスタＳＲ１に供給され、これにより
シフトレジスタＳＲ１に画像信号が書込まれる。

このときシフトレジスタＳＲ２は停止状態にある。

シフトレジスタＳＲ１に７ビツト分の画像信号が書込ま
れると、レジスタ選択信号Ｓ２がＯとなり、インバータ
Ｇ３の出力が１となるため、今度はシフトパルスＳ１が
アンドゲートＧ２を介してシフトレジスタＳＲ２に供給
され、これによりシフトレジスタＳＲ２に画像信号が書
込まれ始め、シフトレジスタＳＲ１は停止状態となる。

このとき、シフトレジスタ選択信号Ｓ２が０になると、
ブロックＢ１の選択端子Ｃ，（第３図参照）に駆動電源
が接続されると同時に、インバータＧ３の出力１となる
ことによって、シフトレジスタＳＲ１のＱ１〜Ｑ７の内
容がアンドゲートＧ１□〜Ｇ１７を介してパラレルに読
出される。

この読出された画像信号はオアゲートＧ３１〜Ｇ３７お
よび゛図示してないドライブ用トランジスタを介して前
記第２の導電線りのＬ１〜Ｌ７に供給される。

これにより、ブロックＢ１の記録素子列Ｒ１、〜Ｒ１ｎ
による記録が行なわれる。

一方、シフトレジスタＳＲ２に７ビツト分の画像信号が
書込まれると、レジスタ選択信号Ｓ２が１に復帰するこ
とによって、停止状態となっていたシフトレジスタＳＲ
１が再び始動する。

そして、ブロックＢ２の選択端子Ｃ２に駆動電源が接続
されると同時に、シフトレジスタＳＲ２のＱ１〜Ｑ７の
内容がアンドゲートＧ２□〜Ｇ２７を介して読出され、
同様にオアゲート６３□〜Ｇ３７および゛ドライブ用ト
ランジスタを介して第２の導電線りのＬ１〜Ｌ７に供給
される。

これにより、ブロックＢ２の記録素子列Ｒ２□〜Ｒ２７
による記録が行なわれる。

この場合、シフトレジスタＳＲ２の書込み時のシフト動
作は前述したようにシフトレジスタＳＲ１とは逆の方向
に行なわれるため、シフトレジスタＳＲ２より読出され
た画像信号は、第２の導電線りのＬ１〜Ｌ７に対し、シ
フトレジスタＳＲ工より読出された画像信号とは逆の順
序で供給される。

したがって、ブロックＢ２においても正常な記録が行な
われる。

このように、奇数番目のブロックＢｌ、 Ｂ３． Ｂｓ
、・・・・・・では画像信号はそのままの順序で、又偶
数番目のブロックＢ２゜Ｂ４． Ｂ、、・・・・・・で
は画像信号は逆の順序で供給され、正常な画像記録がな
されることになる。

このように一方向にのみシフト動作可能なシフトレジス
タを２個用いこれらを選択するブロックに応じて切り換
え用いているので、このような回路も記録ヘッド部分に
設けることが可肯雪で゛あり、構成が簡単で小形な記録
装置が得られる。

なお、本考案は以上の実施例に限定されるものではなく
、例えば第４図および第５図では絶縁基板の一方の側面
に第１および第２の導電線を絶縁層を介して形威したが
、絶縁基板の一方の面に第１の導電線を、他方の面に第
２の導電線をそれぞれ形威し、両者をスルーホールを介
して接続するようにしてもよい。

また、第６図の例では可撓性絶縁フィルム２１に長孔２
２を設け、この長孔２２を通して第１の導電線１１．
ｌ ２．・・・・・・と第２の導電線上とを接続したが
、この代りに、可撓性絶縁フィルム２１上に上記長孔２
２と同様の形状の部分を除いて第２の導電線りを構成す
る銅箔表面に絶縁層を形成し、可撓性絶縁フィルム２１
を第６図の場合と表裏逆にして設け、第１の導電線１１
． ｌ ２．・・・・・・と第２の導電線りとを接続す
るようにしてもよい。

さらに、前記実施例では感熱記録装置に本考案を適用し
た場合について説明したが、本考案は静電記録、放電記
録等にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の感熱記録装置における記録ヘツド部の結
線図、第２図は第１図の記録ヘッド部のマトリクス配線
部分の構成例を示す平面図、第３図は従来の感熱記録装
置における記録ヘッド部の他の例を示す結線図、第４図
は本考案の一実施例に係る記録装置における記録ヘッド
部のマトリクス配線部分の構成例を示す平面図、第５図
は同マトリクス配線部分の他の構成例を示す平面図、第
６図は第５図の要部を拡大して示す斜視図、第７図は本
考案装置における記録回路部の構成例を示す図である。 Ｒ１□〜Ｒ１□、Ｒ２□〜Ｒ２１１、・・・・・・記録
素子（発熱抵抗体）、１１，１２・・・・・・第１の導
電線、Ｌ・・・・・・（Ｌ、〜Ｌ、）・・・・・・第２
の導電線、１１・・・・・・絶縁性基板、１２・・・・
・・絶縁層、１３・・・・・・長孔、２１・・・・・・
可撓性絶縁フィルム、２２・・・・・・長孔、２３・・
・・・・コネクタ、ＳＲ１，ＳＲ２・・・・・・シフト
レジスタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 同数の記録素子からなる複数のブロックに区分された記
   録素子列と、この記録素子列の隣り合うブロック間でこ
   のブロック間の境界線に対して線対称な位置にある各一
   対の記録素子相互間を接続する複数の第１の導電線と、
   この複数の第１の導電線を各ブロックの対応する導電線
   毎に共通接続する複数の第２の導電線と、前記記録素子
   列の各ブロックを選択すると共に記録情報信号を前記第
   ２の導電線に供給する記録回路とを備え、この記録回路
   は、一方向にのみシフト動作すると共にこのシフト方向
   に対して互いに逆の位置にある各出力端子が前記第２の
   導電線に接続された２つのシフトレジスタと、前記選択
   されたブロックの位置に応じて前記２つのシフトレジス
   タのいずれか一方を選択する手段とからなる記録装置。