JPS58213875A - スパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS58213875A JPS58213875A JP9719882A JP9719882A JPS58213875A JP S58213875 A JPS58213875 A JP S58213875A JP 9719882 A JP9719882 A JP 9719882A JP 9719882 A JP9719882 A JP 9719882A JP S58213875 A JPS58213875 A JP S58213875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- targets
- sputtering
- substrate
- high frequency
- vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はスパッタリング方法の改良に関するものでりる
。
。
（’ｂ） 技術の背景
回路素子を接続するだめの導電性の配線出金Ｘ膜全形成
する場αや、絶縁基板上に磁性体の薄膜を形成する際に
対向ターゲット方式のスパッタリング方法が用いられて
いるのは周知である。□（Ｃ１従来技術と問題点 従来技術の例として直流（ＤＣ）対向ターゲット方式に
ついて第１図を用いながら説明する。
する場αや、絶縁基板上に磁性体の薄膜を形成する際に
対向ターゲット方式のスパッタリング方法が用いられて
いるのは周知である。□（Ｃ１従来技術と問題点 従来技術の例として直流（ＤＣ）対向ターゲット方式に
ついて第１図を用いながら説明する。
図示するように真空に排気されたステンレス等よりなる
真空槽ｌ内には基板２七に形成すべき薄膜の成分よりな
る複数のターゲットａＡ、８Ｂが対向して配置され、該
ターゲラ１−８Ａ、８Ｂには直流電源６ ＶＣより負の
直流電圧が１−０加されている。
真空槽ｌ内には基板２七に形成すべき薄膜の成分よりな
る複数のターゲットａＡ、８Ｂが対向して配置され、該
ターゲラ１−８Ａ、８Ｂには直流電源６ ＶＣより負の
直流電圧が１−０加されている。
また一方真空室ｌは接地されている。
一方Ｊｉ板２は複数のターケラ）８Ａ、ＩＩＩＢの対向
領域４よりずれた位置に該ターゲラ）８Ａ、８Ｂに対し
て垂１に方向に設置されている。
領域４よりずれた位置に該ターゲラ）８Ａ、８Ｂに対し
て垂１に方向に設置されている。
このような状態で真空室内ケ１０ °ｒｏｒｒの程度
の真空度になる迄排気してからスパッタリング用ノア
／Ｌ／：Ｚ” ７ （Ａｒ ） ガス全導入する。該ア
ルゴンガよって１（電離されアルニＩンカスブツス゛マ
（アルコ゛ンイオノＡｒ とエレクト１１ン（］−）と
なり、Ａｒ イるようにする。この４０うなスパッタリ
ングの方式は直流（ＪＪ Ｃ） ｉｔ向ターゲット方式
と呼ばれ、従来の＾（板とグーゲットとＫ・対向させる
例えば二極式スパッタ法に比して）、（板がＡｒガスプ
ラズマ中にさらされないため幅Ｊト１熱又はイオン衝撃
による基板温度の上昇が少なく、比較的低温で薄膜を成
長させらｆｆＬるので最近良く利＃１］されるようにな
っている。
の真空度になる迄排気してからスパッタリング用ノア
／Ｌ／：Ｚ” ７ （Ａｒ ） ガス全導入する。該ア
ルゴンガよって１（電離されアルニＩンカスブツス゛マ
（アルコ゛ンイオノＡｒ とエレクト１１ン（］−）と
なり、Ａｒ イるようにする。この４０うなスパッタリ
ングの方式は直流（ＪＪ Ｃ） ｉｔ向ターゲット方式
と呼ばれ、従来の＾（板とグーゲットとＫ・対向させる
例えば二極式スパッタ法に比して）、（板がＡｒガスプ
ラズマ中にさらされないため幅Ｊト１熱又はイオン衝撃
による基板温度の上昇が少なく、比較的低温で薄膜を成
長させらｆｆＬるので最近良く利＃１］されるようにな
っている。
ところが上述したノＪ法でｔ、１、エレクトロンは負電
位のターゲラ１−ＨＡ、８）３とアースレベルノ真空槽
１との間に生じる静市：場にそって加速されることから
、ノｉ（板２に１町嬰ｊ２てＩｋ板温度を上昇されると
いう点で１だ李満足である。
位のターゲラ１−ＨＡ、８）３とアースレベルノ真空槽
１との間に生じる静市：場にそって加速されることから
、ノｉ（板２に１町嬰ｊ２てＩｋ板温度を上昇されると
いう点で１だ李満足である。
このようＶＣスパッタリングの作業中で基板の温度が」
ニヤ１．すると基板］−に形ｌ＋１５される薄膜の成長
温度が高くなりｅ）結晶を引き起こし、合−金の場合に
は偏析したり、磁性杓料の場ａにｌ’ｊ： Ｉｒｄ性か
劣化するなどの問題が生じる。
ニヤ１．すると基板］−に形ｌ＋１５される薄膜の成長
温度が高くなりｅ）結晶を引き起こし、合−金の場合に
は偏析したり、磁性杓料の場ａにｌ’ｊ： Ｉｒｄ性か
劣化するなどの問題が生じる。
（６）発明の目的
本発明Ｖｉ北述した欠点を除去し、スパッタの作業中に
スパッタリング用ガスが電離して発生したエレクトロン
が基板表面に関突して基板の温度を１昇させるのを防止
するようなスパッタ方法の程供を目的とするものである
。
スパッタリング用ガスが電離して発生したエレクトロン
が基板表面に関突して基板の温度を１昇させるのを防止
するようなスパッタ方法の程供を目的とするものである
。
（ｅ＋ 発明の構成
かかる目的を達成するための不拍明のスパッタ方法は、
真空に排気した室内に是敗北に形成すべき薄膜の成分よ
りなるターゲットを対向配置して設置し、前記基板ケ該
ターゲットの対向領域の側面（・こ垂直に設置し、前記
クーゲットのそれぞれに位相の異った高周波電圧をｉＦ
］ ７Ｊｒｌ Ｌ、釘にＭｉｌ記室自室内パッタリング
用のガスを導入し、前記ターゲットに印加された高層ｅ
電圧ＶＣより−ｉＪ記ガヌをイ映を形１戊することを特
徴とするものである。
真空に排気した室内に是敗北に形成すべき薄膜の成分よ
りなるターゲットを対向配置して設置し、前記基板ケ該
ターゲットの対向領域の側面（・こ垂直に設置し、前記
クーゲットのそれぞれに位相の異った高周波電圧をｉＦ
］ ７Ｊｒｌ Ｌ、釘にＭｉｌ記室自室内パッタリング
用のガスを導入し、前記ターゲットに印加された高層ｅ
電圧ＶＣより−ｉＪ記ガヌをイ映を形１戊することを特
徴とするものである。
（ｆ′）発明の実施例
以下図面を用いて本５ｉ明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第２図は＋発明のスパッタ方法を説明するだめの概略図
である。図７ｊくするように例えばステンレス製の真空
槽１ ＋ ＋ｉ：＋ ｖｃはガラス：争の絶縁性基板１
２上に形１戊′すべき薄膜の１戊分を自するターゲラ）
１８Ａと１ ！（Ｂとが対向し゛Ｃ配置ちれている。ま
た一方ターケ・ソト１８Ａと１８日とが不］向してＡｒ
ガスプラズマが形成されているｌ・１向饋域１４よφ位
置をずらし、該対向領域と真空槽１１の中間部分にガラ
ス寺の基板１２が１１にターゲットに垂直に設置されて
いる。そして真空槽がアース醒位に接地され、ターゲラ
） ｔａＡと１８Ｂとの周囲には該ターゲット１８Ａと
１８Ｂとの月面するｔ６−分以外の同所がシールトカｔ
＜−１５Ａ、 １５１Ｊで囲まれアースレベルノ真空
＋伽ｌｌＫ接地さねている。
である。図７ｊくするように例えばステンレス製の真空
槽１ ＋ ＋ｉ：＋ ｖｃはガラス：争の絶縁性基板１
２上に形１戊′すべき薄膜の１戊分を自するターゲラ）
１８Ａと１ ！（Ｂとが対向し゛Ｃ配置ちれている。ま
た一方ターケ・ソト１８Ａと１８日とが不］向してＡｒ
ガスプラズマが形成されているｌ・１向饋域１４よφ位
置をずらし、該対向領域と真空槽１１の中間部分にガラ
ス寺の基板１２が１１にターゲットに垂直に設置されて
いる。そして真空槽がアース醒位に接地され、ターゲラ
） ｔａＡと１８Ｂとの周囲には該ターゲット１８Ａと
１８Ｂとの月面するｔ６−分以外の同所がシールトカｔ
＜−１５Ａ、 １５１Ｊで囲まれアースレベルノ真空
＋伽ｌｌＫ接地さねている。
このようなヌパツタ装置の真空４：＠ ｔ ｔの内部を
例えば１０ ’ｆ’ｏｒｒ の真ンμ度になる−ま
で排気してから、スパッタリング月１のＡｒガスを１Ｏ
−３〜１０−２ＴＯｒｒ の真孕曳ＶＣなるまで４人
す・っ。その後発振周波数［５６１φＨｚで出力ＩＫＷ
程度の品周波・電源１６より８ＫＷ程度の、電圧の高層
ｅ電圧を収り出し、インビ〜ダンメ堅台ｉ＋１路１７に
より電源と負傭とのマツチングをとるようにする。
例えば１０ ’ｆ’ｏｒｒ の真ンμ度になる−ま
で排気してから、スパッタリング月１のＡｒガスを１Ｏ
−３〜１０−２ＴＯｒｒ の真孕曳ＶＣなるまで４人
す・っ。その後発振周波数［５６１φＨｚで出力ＩＫＷ
程度の品周波・電源１６より８ＫＷ程度の、電圧の高層
ｅ電圧を収り出し、インビ〜ダンメ堅台ｉ＋１路１７に
より電源と負傭とのマツチングをとるようにする。
次Ｑ（コンデンサーとコイルよりなる位４；１］調整回
絡１８Ｖ（より泣イ゛目差が１８０１／（１：なった二
つの高周波電圧を形成し、バイアス印加用１ぽ列容ｊｉ
１９．２０を経てからターゲット１８Ａ、ターゲラｉ
１ＢＢに高圧の尚周波電圧を印加する。ここで例えばタ
ーゲラ） ｌ；（Ａが正の電位のときターゲラ１−Ｇ（
Ｂが負電位となるようにし次の半周期時間が経過した時
点でターゲットＬＥＡが負の電位に、クーゲラＦ１８Ｂ
が正電位になる。このようにすると導入されたスパッタ
リング用のＡ、ｒカスが放電されて生じるエレクトロン
がこのターゲット１８Ａと１８Ｂとの間を往復するよう
になり、したがって基板へエレクトロンが＃突する機会
が従来の直流回圧をターケラ１−１８Ａ、 １１に印
加した場＆ｖ′ｃ比して少なくなる。
絡１８Ｖ（より泣イ゛目差が１８０１／（１：なった二
つの高周波電圧を形成し、バイアス印加用１ぽ列容ｊｉ
１９．２０を経てからターゲット１８Ａ、ターゲラｉ
１ＢＢに高圧の尚周波電圧を印加する。ここで例えばタ
ーゲラ） ｌ；（Ａが正の電位のときターゲラ１−Ｇ（
Ｂが負電位となるようにし次の半周期時間が経過した時
点でターゲットＬＥＡが負の電位に、クーゲラＦ１８Ｂ
が正電位になる。このようにすると導入されたスパッタ
リング用のＡ、ｒカスが放電されて生じるエレクトロン
がこのターゲット１８Ａと１８Ｂとの間を往復するよう
になり、したがって基板へエレクトロンが＃突する機会
が従来の直流回圧をターケラ１−１８Ａ、 １１に印
加した場＆ｖ′ｃ比して少なくなる。
イ１乃かめ且躬ｌハｌ胆計 １−諷萌ζ１山山シ引
１４植ζすて温度−ヒｙ１．により出結晶をきたすよ
うな結晶性材料のｔｉＤ ｌ換を形成する場ば１．＋：
発明の方法を用いれば基板の温度が、１−ゲ１するのが
防止され再結晶温度以［で博１漢が形成さＩする。
１４植ζすて温度−ヒｙ１．により出結晶をきたすよ
うな結晶性材料のｔｉＤ ｌ換を形成する場ば１．＋：
発明の方法を用いれば基板の温度が、１−ゲ１するのが
防止され再結晶温度以［で博１漢が形成さＩする。
（２）発明の効果
以に述べたように＋発明のｌｆ法によれば、スパッタ作
業中に基板の１品度１１ヤ１が少なくなるため低温成畏
が容易となる利点ケ生じる。
業中に基板の１品度１１ヤ１が少なくなるため低温成畏
が容易となる利点ケ生じる。
第１１メ１は従来のスバツタノｊ法を説明するだめの概
略図、第２図は＋清明のスパッタ方法を説明するだめの
概略図である。 図において１．ｌｌｒよ真空室、２．１２は基板、３Ａ
、３Ｂ、１８Ａ、１８０はターゲット、４，１４はえ１
向領域、５Ａ、５０． １５Ａ、 １５Ｂはアースシ
ールド、６は直流市；ｄ６（，１６は画周波電源、１７
は整ば回路、１８は位相調整回路、１９．２０はコンデ
ンサーを７’ｌ＜す。 第１図 第２図
略図、第２図は＋清明のスパッタ方法を説明するだめの
概略図である。 図において１．ｌｌｒよ真空室、２．１２は基板、３Ａ
、３Ｂ、１８Ａ、１８０はターゲット、４，１４はえ１
向領域、５Ａ、５０． １５Ａ、 １５Ｂはアースシ
ールド、６は直流市；ｄ６（，１６は画周波電源、１７
は整ば回路、１８は位相調整回路、１９．２０はコンデ
ンサーを７’ｌ＜す。 第１図 第２図
Claims (1)
- 真空に排気した室内に基板上に形成すべき薄膜の１成分
よりなるターゲットを対向配置して設置し、前記基板金
彩ターゲットの対向領域の側面に設置し、前記ターゲッ
トのそれぞれに位相の異なった高周波電圧を印加し、更
に前記室内にヌパッタリング用のガス全導入し、前記タ
ーゲットに印加さｎた高周ｅ電圧により前記ガス全イオ
ン化し、該イオン化せるスパッタリング用ガスによりタ
ーゲット成分をたたき出して、基板とに＋４膜を形成す
ることを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9719882A JPS58213875A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | スパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9719882A JPS58213875A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | スパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58213875A true JPS58213875A (ja) | 1983-12-12 |
Family
ID=14185895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9719882A Pending JPS58213875A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | スパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58213875A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142123A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-28 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02156082A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156081A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156080A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156083A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02258976A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-10-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP9719882A patent/JPS58213875A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142123A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-28 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02258976A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-10-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156082A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156081A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156080A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02156083A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
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