JPS58209114A - 反応性気体充填方法 - Google Patents
反応性気体充填方法Info
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- JPS58209114A JPS58209114A JP57092612A JP9261282A JPS58209114A JP S58209114 A JPS58209114 A JP S58209114A JP 57092612 A JP57092612 A JP 57092612A JP 9261282 A JP9261282 A JP 9261282A JP S58209114 A JPS58209114 A JP S58209114A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の９８−以上の純度を有する半導体装置反応性気
体代表的にはシランまたはゲルマンを液化／気化工程を
少くとも１回行なわしめることによシ、さらに残留酸素
、水、炭化水素が０、 ＩＰＰＭ以下に保持された内面
が鏡面仕上がな貰ル され に充填したことによシ、精製して高純度の酸
素および炭素不純物の十分除去された反応性気体を容器
に充填することを目的として酸化物不純物特に酸化珪素
超微粉を除去することによシ精製された後の反応性気体
中に残存する酸素または炭素特に酸素濃度を３Ｘ１０
ａｍ以下好ましくは１×１０〜３Ｘ１０ ａｍとするこ
とを可能にさせることを目的としている。
体代表的にはシランまたはゲルマンを液化／気化工程を
少くとも１回行なわしめることによシ、さらに残留酸素
、水、炭化水素が０、 ＩＰＰＭ以下に保持された内面
が鏡面仕上がな貰ル され に充填したことによシ、精製して高純度の酸
素および炭素不純物の十分除去された反応性気体を容器
に充填することを目的として酸化物不純物特に酸化珪素
超微粉を除去することによシ精製された後の反応性気体
中に残存する酸素または炭素特に酸素濃度を３Ｘ１０
ａｍ以下好ましくは１×１０〜３Ｘ１０ ａｍとするこ
とを可能にさせることを目的としている。
従来半導体用反応性気体は鉄製のボンベに充填されてお
シ、これを半導体装置製造メーカ、研究所は単純にプラ
ズマ気相法用装置（ｐｃｖｎ装置）、減圧気相法用装置
（Ｌ Ｐ ＣＶ Ｄ装置）またはエピタキシアル成長装
置に用いていた。しかしかかる半導体用反応性気体代表
的しζはシランは原材料作製時においては化学的に作製
するもその純度は６Ｎ−’７Ｎ有し、不純物もＩＰＰＭ
以下である。それは原料シランを用いたＦＺ単結晶シリ
コン中の酸素濃度が１〜９Ｘ１０ ａｍ以下であること
よシ明らかである。し力；しかかる原材料を移動用タン
クに移し、さらに３．４ノ、１０１または４１又の一般
的な鉄製の高圧ボンベに小わけする際、その管理が不十
分であるため、油成分の炭化水素の混入、空気のリーク
による酸化珪素超微粉末の生成混入によシ特に酸化物を
含む酸素不純物は０．１〜ｏ、 ｏ１％も混入してしま
っていた０このため不発四人の出願になる特許願セミア
モルファス半導体（５５−２６３８８８５５，３，３出
願）または微結晶を用いたＰＭまたはＰ工Ｎ接合を有す
る光起電力発生用半導体装置（４９−７１７３８８４９
、６，２２出願）を作製しようとする時、すなわちＰＯ
ＶＤ法によシアモルファス半導体を含む水素化非単結晶
半導体を作製せんとする時、その酸素または炭素は酸化
珪素絶縁物として珪素半導体中に混入して半導体として
の特性を悪化してしまった。
シ、これを半導体装置製造メーカ、研究所は単純にプラ
ズマ気相法用装置（ｐｃｖｎ装置）、減圧気相法用装置
（Ｌ Ｐ ＣＶ Ｄ装置）またはエピタキシアル成長装
置に用いていた。しかしかかる半導体用反応性気体代表
的しζはシランは原材料作製時においては化学的に作製
するもその純度は６Ｎ−’７Ｎ有し、不純物もＩＰＰＭ
以下である。それは原料シランを用いたＦＺ単結晶シリ
コン中の酸素濃度が１〜９Ｘ１０ ａｍ以下であること
よシ明らかである。し力；しかかる原材料を移動用タン
クに移し、さらに３．４ノ、１０１または４１又の一般
的な鉄製の高圧ボンベに小わけする際、その管理が不十
分であるため、油成分の炭化水素の混入、空気のリーク
による酸化珪素超微粉末の生成混入によシ特に酸化物を
含む酸素不純物は０．１〜ｏ、 ｏ１％も混入してしま
っていた０このため不発四人の出願になる特許願セミア
モルファス半導体（５５−２６３８８８５５，３，３出
願）または微結晶を用いたＰＭまたはＰ工Ｎ接合を有す
る光起電力発生用半導体装置（４９−７１７３８８４９
、６，２２出願）を作製しようとする時、すなわちＰＯ
ＶＤ法によシアモルファス半導体を含む水素化非単結晶
半導体を作製せんとする時、その酸素または炭素は酸化
珪素絶縁物として珪素半導体中に混入して半導体として
の特性を悪化してしまった。
特にこの混入した酸素が水素化非単結晶半導体中に混入
すると、それが５〜５０ケの酸素クラスタを構成した場
合再結合中心として作用してしまい、さらに不対結合手
を有する場合は半導体をＮ型化するドナーセンタとして
作用してしまい、また７５ ／、％する場合は局部的な
絶縁性の電流のバリヤとして作用してしまい、あらゆる
面において半導体としての特性を悪化させてしまった０ 加えてかかる酸素は２００〜３００’Ｏの低温で１３．
５６ＭＨｚの高周波放電を利用するグロー放電法を用い
た非単結晶半導体の作製において、その量子論的な５〜
２００ムというショートレンジオーダでの、ｂ４性をｈ
オし、微結晶性を防げ“る材料であることが判明した。
すると、それが５〜５０ケの酸素クラスタを構成した場
合再結合中心として作用してしまい、さらに不対結合手
を有する場合は半導体をＮ型化するドナーセンタとして
作用してしまい、また７５ ／、％する場合は局部的な
絶縁性の電流のバリヤとして作用してしまい、あらゆる
面において半導体としての特性を悪化させてしまった０ 加えてかかる酸素は２００〜３００’Ｏの低温で１３．
５６ＭＨｚの高周波放電を利用するグロー放電法を用い
た非単結晶半導体の作製において、その量子論的な５〜
２００ムというショートレンジオーダでの、ｂ４性をｈ
オし、微結晶性を防げ“る材料であることが判明した。
これらを除去し本来あるべき・半導体としての珪素薄膜
をＰＯＶＤ法により作ろうとする時、本発明の出発特性
であるシランの精製がきわめて重要であることが判明し
た。
をＰＯＶＤ法により作ろうとする時、本発明の出発特性
であるシランの精製がきわめて重要であることが判明し
た。
本発明はかかる半導体特に酸素の添加による悪化効果の
著しい低温（室温〜４００°Ｃ代茨的には２００〜３０
０°Ｃ）での半導体膜の形成用の高純度シランを作製す
るための精製方法に関するものである。
著しい低温（室温〜４００°Ｃ代茨的には２００〜３０
０°Ｃ）での半導体膜の形成用の高純度シランを作製す
るための精製方法に関するものである。
以下に図面に従ってその詳細を説明する０第１図′は本
発明の半導体用反応性気体に特にシランを用いた場合の
精製方法を示すためのブロックダイヤグラムである。こ
れをシランのかわシにゲルマンをまたは水素等によシ希
釈されたジｌランまたはフオスヒンを作る場合も後述の
如く同様に作製可能である。
発明の半導体用反応性気体に特にシランを用いた場合の
精製方法を示すためのブロックダイヤグラムである。こ
れをシランのかわシにゲルマンをまたは水素等によシ希
釈されたジｌランまたはフオスヒンを作る場合も後述の
如く同様に作製可能である。
図面においてシランボンベ（１）、液化気化用筒１の容
器（２）、第２の容器（３）、第３の最終容器（４）、
パージ用水素α◆中の残留水分除去用容器（５）、液体
窒素を入れるデューア（６）、（））、（８）、容器を
加熱して脱気用ヒータ（９）、α０）、（３６）、とれ
らの温度コントローラα心、（２）、（ｓ′Ｑを有して
いる。この第１図のブロックダイヤグラムは２段精製の
場合であシ、１段または多段精製であっても同様である
。
器（２）、第２の容器（３）、第３の最終容器（４）、
パージ用水素α◆中の残留水分除去用容器（５）、液体
窒素を入れるデューア（６）、（））、（８）、容器を
加熱して脱気用ヒータ（９）、α０）、（３６）、とれ
らの温度コントローラα心、（２）、（ｓ′Ｑを有して
いる。この第１図のブロックダイヤグラムは２段精製の
場合であシ、１段または多段精製であっても同様である
。
図面において第１．２．３の容器およびそれらに連結す
る配管系の清浄化につき略記する。
る配管系の清浄化につき略記する。
第１表において第１図のブロックダイヤグラム図に基す
きその工程を示している。
きその工程を示している。
鞘装装置の清浄化
１、丁べてのバルブが閉であること、シランボンベｌの
と多つけ。
と多つけ。
２、コントローラ１ｍ、 １２．３Ｙにてヒータ９．
’１０．３６を２００〜３５０°ＯＫ加熱。
’１０．３６を２００〜３５０°ＯＫ加熱。
３、 町１３よシＶ３Ｂを開は流量計３９よシミキテＶ
２４． Ｖ２５． Ｖ２１． Ｖ４６開 谷ｍ ’＊
３＊ ２＊ ’：’を真空引。
２４． Ｖ２５． Ｖ２１． Ｖ４６開 谷ｍ ’＊
３＊ ２＊ ’：’を真空引。
約１〜５時間
乏ご そも ７９７１ｋ）
５、 Ｖｆｔ９開にて水素を【ザ４ブ７・ソ精製した
後導入し容器４内の水等の不純物を除去。約１〜３時間
。
後導入し容器４内の水等の不純物を除去。約１〜３時間
。
を加熱除去。約１間時間。
７．７２２閉、ｖ４６閉、ｖ２５開 容器２．３．４を
真空引。
真空引。
８、ヒータ９．１０．３６をコントローラ１１．１２．
３’７ Ｋでオス 表 １ 論物を除去した。特にこの除ステンレス製であ如かつ内
面が十分乎たんに鏡面仕上がなされた貸し幕グは、圧力
１５０Ｋｉｃｍ”ｂｓ−ｆ Ｉｔζ耐えるようにし、残
留微粉末が内壁の凹部に１着して除去できなくすること
がないようにした。
３’７ Ｋでオス 表 １ 論物を除去した。特にこの除ステンレス製であ如かつ内
面が十分乎たんに鏡面仕上がなされた貸し幕グは、圧力
１５０Ｋｉｃｍ”ｂｓ−ｆ Ｉｔζ耐えるようにし、残
留微粉末が内壁の凹部に１着して除去できなくすること
がないようにした。
さらに容器２．３．４ において吸着酸素、水を除素特
にオイル蒸気が逆流しないよ５にし九〇すなわち本発明
においては従来ボンベ容器内の真空引を単にロータリー
ポンプで１０〜１０ ｔｏｒｒまで真空引をして行なっ
ていたととＫよ如、炭化水素が００１ｔｌＡのオーダま
で混入してしまっていた事実をつきとめ、かかる不純物
の混入を除去なるまで十分真空引をした。
にオイル蒸気が逆流しないよ５にし九〇すなわち本発明
においては従来ボンベ容器内の真空引を単にロータリー
ポンプで１０〜１０ ｔｏｒｒまで真空引をして行なっ
ていたととＫよ如、炭化水素が００１ｔｌＡのオーダま
で混入してしまっていた事実をつきとめ、かかる不純物
の混入を除去なるまで十分真空引をした。
次に容器２を一１５＾に冷却して、シランの半導体用の
反応性気体をボンベ（１）よシ移した。さらにこの容器
２よシ今一度液体一気化精製をして第２段目の容器に容
器（４）よシ移した。この時気化温度は−１００−−ｅ
Ｏ’Ｏとし、１５−５０時間という長時間をかけて移し
た後、さらにかかる液化−気化精製をして精製されたシ
ランを容器番に充填した。このシランの液化−気化工程
を以下の表２に示す〇 シランガスの液化・気化精製 １、容器２．３．４が真空引されていることを連成計３
０．３１． ：５２ Ｋて確ｇ６ ２、排気系オン、村８． Ｖ４４．７２５． Ｖ２４．
Ｖ２３開、ｖ２６ｖ２フ、 Ｖ４６． Ｖ２２閉の確
認。
反応性気体をボンベ（１）よシ移した。さらにこの容器
２よシ今一度液体一気化精製をして第２段目の容器に容
器（４）よシ移した。この時気化温度は−１００−−ｅ
Ｏ’Ｏとし、１５−５０時間という長時間をかけて移し
た後、さらにかかる液化−気化精製をして精製されたシ
ランを容器番に充填した。このシランの液化−気化工程
を以下の表２に示す〇 シランガスの液化・気化精製 １、容器２．３．４が真空引されていることを連成計３
０．３１． ：５２ Ｋて確ｇ６ ２、排気系オン、村８． Ｖ４４．７２５． Ｖ２４．
Ｖ２３開、ｖ２６ｖ２フ、 Ｖ４６． Ｖ２２閉の確
認。
３、容器２のデユーアロに液体窒素充填−１５叶１０′
Ｏとした６ ４、 シランボンベ１のコック開、ｖ２１開、流菫針４
１をみながら液体窒素があふれないように供給しつつボ
ンベ中のシランを容器２にて液化 液化作業中は圧力計
３０は０．５−５気圧とする。
Ｏとした６ ４、 シランボンベ１のコック開、ｖ２１開、流菫針４
１をみながら液体窒素があふれないように供給しつつボ
ンベ中のシランを容器２にて液化 液化作業中は圧力計
３０は０．５−５気圧とする。
＆ シランボンベｌよ〕のシランを移し終えたらｖｇｘ
閉、コ７りζ ６、 Ｖ２！４閉、デユー７１に液体輩索を充填 容
器３を−１５０−Ｌ−１０’Ｏとした ７、ＶＢ２開 容器２の液化シランを容器３に時間をか
けて移１７液化気化精製を行なう（６）４０時間）流量
計４２は１０〜５００ ｃ ｃ／９代表的には１００ｃ
ｃ１５＋までとする 連成計は０．５−１５気圧とし、
容器２は−９０−−１００″ａにコントーーラによ確認 ９、 Ｖ２４． Ｖ２５開デューアフを一５ＯＮ−７
０”０として液化シランを容器４に移相１項目７．と同
様の注意をする １０、容器４（エンドボンベに対応）をＩＮ気圧に充填
した後７２５閉にて精製を完了表 ２ かかる精製工程において、ボンベ１中のシランの酸化物
は酸化珪素の微粉末Ｋｎつているため、年に液化気化の
精製だけでは十分でない。
閉、コ７りζ ６、 Ｖ２！４閉、デユー７１に液体輩索を充填 容
器３を−１５０−Ｌ−１０’Ｏとした ７、ＶＢ２開 容器２の液化シランを容器３に時間をか
けて移１７液化気化精製を行なう（６）４０時間）流量
計４２は１０〜５００ ｃ ｃ／９代表的には１００ｃ
ｃ１５＋までとする 連成計は０．５−１５気圧とし、
容器２は−９０−−１００″ａにコントーーラによ確認 ９、 Ｖ２４． Ｖ２５開デューアフを一５ＯＮ−７
０”０として液化シランを容器４に移相１項目７．と同
様の注意をする １０、容器４（エンドボンベに対応）をＩＮ気圧に充填
した後７２５閉にて精製を完了表 ２ かかる精製工程において、ボンベ１中のシランの酸化物
は酸化珪素の微粉末Ｋｎつているため、年に液化気化の
精製だけでは十分でない。
このためかかる微粉末を除去するため層上ステンレスフ
ィルターを各容器２．３に２ 段４ｑ ！＋コｔＬをｍ
化シランに浸し、このフィルターＫｇ粉末を吸着させて
除去する方法をとった０ かくすることによシすでに酸化してしまっている低級酸
化珪素の精ｍｕの容器等への混入を排除した。
ィルターを各容器２．３に２ 段４ｑ ！＋コｔＬをｍ
化シランに浸し、このフィルターＫｇ粉末を吸着させて
除去する方法をとった０ かくすることによシすでに酸化してしまっている低級酸
化珪素の精ｍｕの容器等への混入を排除した。
かくして精製後のシランは酸素濃度を０．０１ＰＰＭ（
Ｎｏ〜ｘＯｃｍ）にまですることができ、加えて炭素成
分を’ＩＰＰＭ以下にすることができるようになった。
Ｎｏ〜ｘＯｃｍ）にまですることができ、加えて炭素成
分を’ＩＰＰＭ以下にすることができるようになった。
これは従来が単に出発材料としてのシランは１０〜Ｎｏ
ａｍ の濃度の酸素成分が混入しているにスキないが
、このシランのつめかえに際しその容器が内壁の凹凸の
多いいわゆる 人間の腸の内壁 のようになってしまう
ため、その不純物の除去が十分でない０さらに充填に先
立つ真空引を単にロータリーポンプで行なったのみであ
ったため、本発明の如き容器を加熱しかつ１０ｔｏｒｒ
以下にすることによシ容器内の残留酸素、炭素成分をＯ
，ＩＰＰＭ以下にしたことはきわめて大きな進歩である
。
ａｍ の濃度の酸素成分が混入しているにスキないが
、このシランのつめかえに際しその容器が内壁の凹凸の
多いいわゆる 人間の腸の内壁 のようになってしまう
ため、その不純物の除去が十分でない０さらに充填に先
立つ真空引を単にロータリーポンプで行なったのみであ
ったため、本発明の如き容器を加熱しかつ１０ｔｏｒｒ
以下にすることによシ容器内の残留酸素、炭素成分をＯ
，ＩＰＰＭ以下にしたことはきわめて大きな進歩である
。
加えてその後のシランをとれまで化学精製のみであった
ものをそれに加えて物理精製をしたことによシ酸素濃度
をさらにそのＶｌｏｏの０．０ＩＰＰＭ以下にすること
ができたものである。 −最後に第１図に示した
本発明の精製方法により精製された後の不純物を含む容
器２．３に残留するシランの排気につき以下に略記する
０残留シランガス不純物の排気 １、 すべてのパルプが閉であることの確ｉ！。
ものをそれに加えて物理精製をしたことによシ酸素濃度
をさらにそのＶｌｏｏの０．０ＩＰＰＭ以下にすること
ができたものである。 −最後に第１図に示した
本発明の精製方法により精製された後の不純物を含む容
器２．３に残留するシランの排気につき以下に略記する
０残留シランガス不純物の排気 １、 すべてのパルプが閉であることの確ｉ！。
２、 Ｎ、’１３をＶ３Ｂをあけ流量計３９よシミキ
サ１〒を経由して排気１８゜ ３、 Ｈ２１４を７２９．７４６゜ＶＢ２゜ＶＢ２開
にて容器３．５に充填。
サ１〒を経由して排気１８゜ ３、 Ｈ２１４を７２９．７４６゜ＶＢ２゜ＶＢ２開
にて容器３．５に充填。
４、 Ｖ２２開、流量計４９ Ｋて５００１５［度よ
〕除々にミキサ１ツに流しΦ□十８１Ｍ、） ７Ｍ設置
００とするり。
〕除々にミキサ１ツに流しΦ□十８１Ｍ、） ７Ｍ設置
００とするり。
６、 ヒータ９．ｌＯを１０セ１５０ｂに加熱、水素を
０、５−２４今流しト字曳プ２．５内の不純物の排気１
〜５時間。
０、５−２４今流しト字曳プ２．５内の不純物の排気１
〜５時間。
７、 Ｖ嶋７２３．７２４． Ｖ４６． Ｖｆｆｉ９
閉、連成計３ｊ３１を０、５−３．０気圧に水素保持。
閉、連成計３ｊ３１を０、５−３．０気圧に水素保持。
表 ３
以上の如き反応性気体の精製方法およびそれＫよシ超高
純度の半導体用の反応性気体を高圧容協内に充填するこ
とができた０ かかる高純度のシランガスを用いてグロー放電法を用い
たプラズマＯＶＤ法によＪ） ０．１ｔｏｒｒ、ｔｆａ
’ｃＲＦ ａ３カ（１３，５ｅｎｔ助、） ｘｏｑ ｙ
、ｏｏｑ６ シランを用いる条件下にて卵巣結晶珪素半
導体を形成させた。
純度の半導体用の反応性気体を高圧容協内に充填するこ
とができた０ かかる高純度のシランガスを用いてグロー放電法を用い
たプラズマＯＶＤ法によＪ） ０．１ｔｏｒｒ、ｔｆａ
’ｃＲＦ ａ３カ（１３，５ｅｎｔ助、） ｘｏｑ ｙ
、ｏｏｑ６ シランを用いる条件下にて卵巣結晶珪素半
導体を形成させた。
図面において曲線聞は従来よ如知られ入シラる。すなわ
ち容器の内壁は鏡仕上をしてステンレス製の高耐圧、耐
熱性の容器を用いた０加えてシランを充填するＬ！：ｊ
合はかかる容器を１００″Ｃ以上好ましくは：５０−３
００°Ｃ）て力ｐＭｔＬ−て吸着物を十分排Ｑし六、も
のでを・る。かくの如くに容器それ自体を本発明の如く
工夫しさらにその充填方法を十分性ぷふするのみで混入
させた酸素等は１ｙ’ｌＯＯ〜の０００にまで下げるこ
とができた。
ち容器の内壁は鏡仕上をしてステンレス製の高耐圧、耐
熱性の容器を用いた０加えてシランを充填するＬ！：ｊ
合はかかる容器を１００″Ｃ以上好ましくは：５０−３
００°Ｃ）て力ｐＭｔＬ−て吸着物を十分排Ｑし六、も
のでを・る。かくの如くに容器それ自体を本発明の如く
工夫しさらにその充填方法を十分性ぷふするのみで混入
させた酸素等は１ｙ’ｌＯＯ〜の０００にまで下げるこ
とができた。
図面シておいて５５は残留シランがほとんどなくなった
ため容器内Ｋｌｄっている酸化珪素が外部に出てしまっ
たと推定される。
ため容器内Ｋｌｄっている酸化珪素が外部に出てしまっ
たと推定される。
また本発明の液化−気化精製を２段行なうとさらにそれ
らをｙ’ｘｏ−１／１ｏｏｏ Ｋまで下げることができ
た。特に容器内に残留するガスを全部用いてもその中に
は縁化珪索成分が増加しないことが（５７）の測定点が
（５５）の１ｌｌｔｌ定点の如く増加しないことによシ
判明した。
らをｙ’ｘｏ−１／１ｏｏｏ Ｋまで下げることができ
た。特に容器内に残留するガスを全部用いてもその中に
は縁化珪索成分が増加しないことが（５７）の測定点が
（５５）の１ｌｌｔｌ定点の如く増加しないことによシ
判明した。
また本発明方法における半導体用の反応性気体としてシ
ランを用いる時、第１図に示された容器はボンベ１を１
販ボンベとすると、充填シラ：／ ＄ ４８３ｇｒ、残
留置ｌｏｇ、残圧０．５Ｋｉａｍ”とし、さらにこのシ
ランを容器にては内容積１．５℃とし、容器２ Ｍ”）
ｉ ｌＯｇ、容器３” ／ｉ Ｌｏｇ ＋７） 残留カ
スオヨび不純物となるように設計し、容器４は１０．ｆ
！、ボンベとしてこの容器番へのシランの充填も容器２
．３と同様に一１５０±１０″ｃ３に冷却し、その後図
示する如く大気濃度として使用系１５へとパルプ２フを
開けて使用した。このため容器４の使用圧力を１５ト１
フＫｇ／ｃｒｎＬとすることができ、従来用いられてい
るシランボンベと全く同様にして用いることができると
いう特徴を有する。
ランを用いる時、第１図に示された容器はボンベ１を１
販ボンベとすると、充填シラ：／ ＄ ４８３ｇｒ、残
留置ｌｏｇ、残圧０．５Ｋｉａｍ”とし、さらにこのシ
ランを容器にては内容積１．５℃とし、容器２ Ｍ”）
ｉ ｌＯｇ、容器３” ／ｉ Ｌｏｇ ＋７） 残留カ
スオヨび不純物となるように設計し、容器４は１０．ｆ
！、ボンベとしてこの容器番へのシランの充填も容器２
．３と同様に一１５０±１０″ｃ３に冷却し、その後図
示する如く大気濃度として使用系１５へとパルプ２フを
開けて使用した。このため容器４の使用圧力を１５ト１
フＫｇ／ｃｒｎＬとすることができ、従来用いられてい
るシランボンベと全く同様にして用いることができると
いう特徴を有する。
この半導体用の反応性気体盆シ；Ｆ／ではなくゲルマン
、またはＹリューム、水素にて希釈されたジボラン、フ
オスヒンまたはアルシンとしてもよい。これらの化学的
特性を以下の＋４に示すＯ ８１町 ゲルマン ７６．６２ −９０ ２．６４ ３．
４３ ’１．５２３０ｅＨ。
、またはＹリューム、水素にて希釈されたジボラン、フ
オスヒンまたはアルシンとしてもよい。これらの化学的
特性を以下の＋４に示すＯ ８１町 ゲルマン ７６．６２ −９０ ２．６４ ３．
４３ ’１．５２３０ｅＨ。
ジボラン ２’７．６７ −９２．８ ０．９５
１１２ ０．４１ＯＢ、Ｈ。
１１２ ０．４１ＯＢ、Ｈ。
フオスヒｙ ３４．００ −８７．１ １．１４６
１．３８０ ８．７４６ＰＩ（。
１．３８０ ８．７４６ＰＩ（。
アル７／ １７．９５ −６２．４８ ２．６９５
３．４８ １．６０４ムｓＨ。
３．４８ １．６０４ムｓＨ。
表 番
すなわちこれらの反応性気体を用いる場合、それと１０
０チの濃度にするにはシランと同様にこれまで記した如
くに行なえばよい。また水素で希釈しようとするならば
、必要系の半導体用の反応性気体を充填した後第１図に
おいて水素を１４よシコールドトラップ５をへてバルブ
４６ヲへて加圧充填して５５０−５０００ＰＰの所定の
濃度例えば５０ト１１０００ＰＰに希釈すればよい。
０チの濃度にするにはシランと同様にこれまで記した如
くに行なえばよい。また水素で希釈しようとするならば
、必要系の半導体用の反応性気体を充填した後第１図に
おいて水素を１４よシコールドトラップ５をへてバルブ
４６ヲへて加圧充填して５５０−５０００ＰＰの所定の
濃度例えば５０ト１１０００ＰＰに希釈すればよい。
また希釈用の気体が水素またはヘリューム等においては
同様Ｋ（１４より導入すればよい。
同様Ｋ（１４より導入すればよい。
以上の説明よシ明らかな如く、本発明は半導体用反応性
気体を酸素、炭素の混入量をＩＰＰＭ以下好ましくは１
〜１ｏＯＰＰｂＫすべくその反応性気体をボンベに小わ
けの際に混入する不純物を排除し、加えてこの小わけの
際反応性気体の液化−気化精製および吸着方式を併用す
ることによシ従来ののｏｏｏｏ以下の酸化物気体の混入
量としたことを特徴としており、その精製された反応性
気体によりプラズマＯＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法への精製に
よる制御が初めて可能になった。
気体を酸素、炭素の混入量をＩＰＰＭ以下好ましくは１
〜１ｏＯＰＰｂＫすべくその反応性気体をボンベに小わ
けの際に混入する不純物を排除し、加えてこの小わけの
際反応性気体の液化−気化精製および吸着方式を併用す
ることによシ従来ののｏｏｏｏ以下の酸化物気体の混入
量としたことを特徴としており、その精製された反応性
気体によりプラズマＯＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法への精製に
よる制御が初めて可能になった。
第１図は本発明の反応性気体精製方法を示すブロックダ
イヤグラムである。 第２図は本発明方法°によシ得られたシランを用いて調
べた珪素中の残留酸素濃度を従来方法と比較し友もので
ある。
イヤグラムである。 第２図は本発明方法°によシ得られたシランを用いて調
べた珪素中の残留酸素濃度を従来方法と比較し友もので
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体用反応性気体を充填するための耐熱性かつ耐
触性密閉式の高圧容器において、容器内を清浄化するた
め１つの開閉栓を開として真空引しかかる容器を外部よ
シ１００°Ｃ以下Ｋまた真空引をする工程を有し、さら
に十分精製された前記反応性気体の充填を行なうことを
特徴とする半導体用反応性気体充填方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、１対を構成する２
つの開閉栓を有し、一方の栓は触よシ高圧容器の低部に
のびるガイド管を有しておシ、容器内を清浄化する際、
かかるガイド管より高純度水素を導入し、他方の開閉栓
より１０ ｔｏｒｒ以下にＪ（空引をすることによシ残
留酸素または酸化物を排除することを特徴とする半導体
用反応性気体充填方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092612A JPS58209114A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 反応性気体充填方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092612A JPS58209114A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 反応性気体充填方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP108584A Division JPS59144899A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 反応性気体充填方法 |
| JP3163869A Division JP2654466B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 反応性気体充填方法 |
| JP3163868A Division JP2532313B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 高圧容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209114A true JPS58209114A (ja) | 1983-12-06 |
| JPH0526324B2 JPH0526324B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=14059253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092612A Granted JPS58209114A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 反応性気体充填方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209114A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278172A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6247116A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
| JPS6251210A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6252924A (ja) * | 1985-09-01 | 1987-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6254422A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6269608A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092612A patent/JPS58209114A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278172A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6254422A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6247116A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
| JPS6251210A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6252924A (ja) * | 1985-09-01 | 1987-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6269608A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526324B2 (ja) | 1993-04-15 |
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