JPS58206280A - 固体リニアイメ−ジセンサ - Google Patents
固体リニアイメ−ジセンサInfo
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- JPS58206280A JPS58206280A JP57090065A JP9006582A JPS58206280A JP S58206280 A JPS58206280 A JP S58206280A JP 57090065 A JP57090065 A JP 57090065A JP 9006582 A JP9006582 A JP 9006582A JP S58206280 A JPS58206280 A JP S58206280A
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- image sensor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000449980 Mansa Species 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明0)技術分野〕
本発明は固体リニアイメージセン廿に係4)、特に亀荷
転送形リニアイメージセンナに関する。
転送形リニアイメージセンナに関する。
第1図は従来の電荷転送形リニアイメージセン4F1の
構成例を示すもので、これは半導体チップとして形成さ
れている。3は入射光に応答して信号電荷を発生し蓄積
でる感光画素(たとえばpn接合フォトダイオード)が
直線的に配列された一列の感光画素配列(受光部)であ
って、これは半導体基板2の一表面内に形成されている
。4および5は上記受光部3の両側に沿って設けられた
CCD(電荷結合素子)シフトレンスダ、6′Aよび7
は受光部3と上記CCDシフトレジスタ4および5との
間(=設けられた転送料イ囲手段たとえはンフト電礪で
あり、これらのシフト電i6.7およびCCDシフトレ
ジスタ4.5によ()前記受光部3の信号電荷?読み出
すものである。すなわち、受光部3が一定時間感光した
後、シフト上極6,7にパルス電圧を印加してシフト竜
↑執下の遊位障壁を小さくし、つま))ゲート?開乏、
受光部3の奇数番目ノ感光画素の信号電荷をCCDシフ
トレジスタ4に、また偶数番目の感光画素の信号電荷を
CCDシフトレジスタ5(:転送する。次に、CCDシ
フトレジスタ4.5にグロックを印10することによI
)信号電荷を出力部(図示せず)へ順次転送し、ここで
電圧信号に順次変換して取り出て。
構成例を示すもので、これは半導体チップとして形成さ
れている。3は入射光に応答して信号電荷を発生し蓄積
でる感光画素(たとえばpn接合フォトダイオード)が
直線的に配列された一列の感光画素配列(受光部)であ
って、これは半導体基板2の一表面内に形成されている
。4および5は上記受光部3の両側に沿って設けられた
CCD(電荷結合素子)シフトレンスダ、6′Aよび7
は受光部3と上記CCDシフトレジスタ4および5との
間(=設けられた転送料イ囲手段たとえはンフト電礪で
あり、これらのシフト電i6.7およびCCDシフトレ
ジスタ4.5によ()前記受光部3の信号電荷?読み出
すものである。すなわち、受光部3が一定時間感光した
後、シフト上極6,7にパルス電圧を印加してシフト竜
↑執下の遊位障壁を小さくし、つま))ゲート?開乏、
受光部3の奇数番目ノ感光画素の信号電荷をCCDシフ
トレジスタ4に、また偶数番目の感光画素の信号電荷を
CCDシフトレジスタ5(:転送する。次に、CCDシ
フトレジスタ4.5にグロックを印10することによI
)信号電荷を出力部(図示せず)へ順次転送し、ここで
電圧信号に順次変換して取り出て。
一方、8a〜8Sはボンディング用パッドであり、これ
らは出力信号を外部へ取り出したを)、あるいはリニア
イメージセンナIを動作させるのに必要な直i竜圧やグ
ロックパルスを印加でるために外部回路とリニアイメー
ジセン+FZとを結線するためのものである。
らは出力信号を外部へ取り出したを)、あるいはリニア
イメージセンナIを動作させるのに必要な直i竜圧やグ
ロックパルスを印加でるために外部回路とリニアイメー
ジセン+FZとを結線するためのものである。
ところで、2000〜3000画素のリニアイメージセ
ンサC二おいては、内1記バ・ソド8a〜8Sけ、第1
図に示すようにチップ箇辺部丁なわちCCDシフトレジ
スタ4.5の配列方回ζ二浩う外41111およびCC
Dシフトレジスタ4.5、シフk 電ciA6.7およ
び受光部3の各配9;1の延長上の領域に配置されてい
る。また、チップサイズは感光画素配列方向(X)の寸
法x1が約31、Jull、このX方向に直交するX方
向の寸法y1が1〜2u程度であ【)、チ゛ツブ形状は
非常C二細長1.%矩形をしている。
ンサC二おいては、内1記バ・ソド8a〜8Sけ、第1
図に示すようにチップ箇辺部丁なわちCCDシフトレジ
スタ4.5の配列方回ζ二浩う外41111およびCC
Dシフトレジスタ4.5、シフk 電ciA6.7およ
び受光部3の各配9;1の延長上の領域に配置されてい
る。また、チップサイズは感光画素配列方向(X)の寸
法x1が約31、Jull、このX方向に直交するX方
向の寸法y1が1〜2u程度であ【)、チ゛ツブ形状は
非常C二細長1.%矩形をしている。
しかし、第1因を見て明らかなように、チップ周辺部の
うちCCDンフトレンレン4’、50)中央部分に沿う
イ即方の領域、丁なゎちバヅド8dと8eとの間および
81と8mとの間は何も利用されていない無駄な領域左
なっている。
うちCCDンフトレンレン4’、50)中央部分に沿う
イ即方の領域、丁なゎちバヅド8dと8eとの間および
81と8mとの間は何も利用されていない無駄な領域左
なっている。
このように、従来のリニアイメージセンサlは、大きい
無効領域を含んでいるため、チップサイズが大よくなっ
ており、したがって1枚のウェハから得られるチップ数
が少なくなり、マンサの製造コストが高くなる欠点があ
った。
無効領域を含んでいるため、チップサイズが大よくなっ
ており、したがって1枚のウェハから得られるチップ数
が少なくなり、マンサの製造コストが高くなる欠点があ
った。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、細長いチ
ップJe状を持つリニアイメージセンサにおけるチップ
サイズを小さくでと、これによって製造コストを低減し
当る固体リニアイメージセンサを提供するものである。
ップJe状を持つリニアイメージセンサにおけるチップ
サイズを小さくでと、これによって製造コストを低減し
当る固体リニアイメージセンサを提供するものである。
丁なわち、本発明の固体リニアイメージセンナは、チッ
プ上の感光画素配列の配列方間(X方向)の両端部領域
であって、このX方向に直交するy方[司においては感
光画素配列および信号読み出し手段の各配列の延長上領
域からチップ周辺部へはみ出さない領域にパッド群を設
けたことを特徴とでるものである。したがって、パッド
周辺部のうちX方向(二沿う領域においては、従来存在
したパッド相互間Q)大きな無効領域が無くなり、この
ような無駄な画成が無くなった分にほぼ見合うだけテッ
プサイズの小型化が可能(二なる。
プ上の感光画素配列の配列方間(X方向)の両端部領域
であって、このX方向に直交するy方[司においては感
光画素配列および信号読み出し手段の各配列の延長上領
域からチップ周辺部へはみ出さない領域にパッド群を設
けたことを特徴とでるものである。したがって、パッド
周辺部のうちX方向(二沿う領域においては、従来存在
したパッド相互間Q)大きな無効領域が無くなり、この
ような無駄な画成が無くなった分にほぼ見合うだけテッ
プサイズの小型化が可能(二なる。
以下、図面を参照して本発明の一実施伝を詳細に説明す
る。
る。
第2図は半導体チップ上に構成された亀11訂tS送形
リニアイメージセンサlO?示すもので、第1因ケ参照
して前述したリニアイメージセンサlに比べて、バ・ソ
ド8a〜8S?チ゛ツブのX方向の両端部領域であって
、チップのX方向においてはCCDシフトレジスタ4.
5の配列の延長上の領域より外部1へはみ出さない領域
に配置し、これに伴ってチップのX方向の境界なCCD
シフトレジスタ4.5の外側縁に近い位置まで狭くして
、y方向寸法y2を従来のy方向寸法ylに比べてかな
6)小さくすると共にX方向寸’/L X zを従来の
X方向寸法x、i二比べて若干大六<シた点が異なjl
、その他は同じであるから第2図中第11図と同一部分
は同一符号ケ付してその説明を省略する。
リニアイメージセンサlO?示すもので、第1因ケ参照
して前述したリニアイメージセンサlに比べて、バ・ソ
ド8a〜8S?チ゛ツブのX方向の両端部領域であって
、チップのX方向においてはCCDシフトレジスタ4.
5の配列の延長上の領域より外部1へはみ出さない領域
に配置し、これに伴ってチップのX方向の境界なCCD
シフトレジスタ4.5の外側縁に近い位置まで狭くして
、y方向寸法y2を従来のy方向寸法ylに比べてかな
6)小さくすると共にX方向寸’/L X zを従来の
X方向寸法x、i二比べて若干大六<シた点が異なjl
、その他は同じであるから第2図中第11図と同一部分
は同一符号ケ付してその説明を省略する。
丁なわち、第2■のバヅド配置C二よれは、第1喝のハ
ツト配置に比べて、X方向に関してはパッドのX方向寸
法60)2倍(バ・ラド2個分)と、バンドとCCDシ
フトレジスタ4.5の外僻縁との間の余裕領域寸法mの
2倍との合計分2 (/、4m )だけ小さくなる。こ
の短縮量は通常の設計では200〜300μmに相当し
、y2は従来のy1=l!に比べて20〜b小さい07
〜0.81LIとなる。
ツト配置に比べて、X方向に関してはパッドのX方向寸
法60)2倍(バ・ラド2個分)と、バンドとCCDシ
フトレジスタ4.5の外僻縁との間の余裕領域寸法mの
2倍との合計分2 (/、4m )だけ小さくなる。こ
の短縮量は通常の設計では200〜300μmに相当し
、y2は従来のy1=l!に比べて20〜b小さい07
〜0.81LIとなる。
一方、X方向に関しては、全てのパッド8a〜8s?チ
ツプのX方向の両端部に集約し−たことによりx2はX
I より若干長くなる。この増大者は通常の設計では1
〜21程度とな1)、x2はX 1 ”: 3 Q A
11に比べて3〜7チ大きい31〜82aとなる。
ツプのX方向の両端部に集約し−たことによりx2はX
I より若干長くなる。この増大者は通常の設計では1
〜21程度とな1)、x2はX 1 ”: 3 Q A
11に比べて3〜7チ大きい31〜82aとなる。
したがって、チヅブ面稙としては、従来仔1では3 U
m (= 1 +U x8 U Jl )であるのに
対して、上記実施例では21.7 trtrit (=
0.7 vrJA x 31 m )〜25.6−、
(、0,8’142 X ’a 271111 、ッ
まj+ 72〜イ 85%となる。このため、本実施例によれば一枚のウェ
ハから得られるチ・ツブ数が多くな1)、1上記リニア
イメージセンサ−0の製造シフトo)低減が可能となる
、 本発明は上記実施例(に限られるものではなく、第3図
に示すように感光画素配列3に対して片4i11に設け
られたシフト電極6およびCCDシフトレジスタ4?読
み出し手段とする電荷転送形リニアイメージセンナ2θ
ぜ二も前記実施例ζ二車じて適用できる。この場合には
、X方向においてはCCDシフトレジスタ4および感光
画素配列3の外イ011 縁より内偵1に、すなわちC
CDシフトレジスタ4および感光画素配列3の各配列の
延長上領域からチ・ツブ笥辺部へはみ出さないようにパ
ッド811〜87を配置している。なお、第3図中第2
図に対応する部分には第2図と同一符号を付してその悦
dμを省略する。
m (= 1 +U x8 U Jl )であるのに
対して、上記実施例では21.7 trtrit (=
0.7 vrJA x 31 m )〜25.6−、
(、0,8’142 X ’a 271111 、ッ
まj+ 72〜イ 85%となる。このため、本実施例によれば一枚のウェ
ハから得られるチ・ツブ数が多くな1)、1上記リニア
イメージセンサ−0の製造シフトo)低減が可能となる
、 本発明は上記実施例(に限られるものではなく、第3図
に示すように感光画素配列3に対して片4i11に設け
られたシフト電極6およびCCDシフトレジスタ4?読
み出し手段とする電荷転送形リニアイメージセンナ2θ
ぜ二も前記実施例ζ二車じて適用できる。この場合には
、X方向においてはCCDシフトレジスタ4および感光
画素配列3の外イ011 縁より内偵1に、すなわちC
CDシフトレジスタ4および感光画素配列3の各配列の
延長上領域からチ・ツブ笥辺部へはみ出さないようにパ
ッド811〜87を配置している。なお、第3図中第2
図に対応する部分には第2図と同一符号を付してその悦
dμを省略する。
また、上記各実施例において、CCDシフトレジスタの
代わりにBBD(バケヅトブリゲード素子)シフトレジ
スタを甲いてもよく、要は9荷転送形シフトレクスタで
あればよい。
代わりにBBD(バケヅトブリゲード素子)シフトレジ
スタを甲いてもよく、要は9荷転送形シフトレクスタで
あればよい。
また、CODレジスタの代わりに、MOS(絶嫌ゲート
形)トランジスタスイ・ソチとこれを順次スイッチ制御
でるアドレス回路と0)粗金せからなる所謂MO8形セ
ンサを読み出し手段として用いてもよい。
形)トランジスタスイ・ソチとこれを順次スイッチ制御
でるアドレス回路と0)粗金せからなる所謂MO8形セ
ンサを読み出し手段として用いてもよい。
上述したように木兄りによれば、細長いチ・ツブ形状ヲ
持つリニアイメージセンサにおいて、そのチップサイズ
ケ小さくてさ、9造コストを低減できるようにな6)、
たとえはILIL)U画素以上の固ヨリニアイメージセ
ンチ(=適用して効果面である。
持つリニアイメージセンサにおいて、そのチップサイズ
ケ小さくてさ、9造コストを低減できるようにな6)、
たとえはILIL)U画素以上の固ヨリニアイメージセ
ンチ(=適用して効果面である。
第1囚は従来の1荷転送形リニアイメージセンナを示f
体成説明図、第2因は本発明0)一実施例ζ二係る電荷
転送形リニアイメージセン斗を示す構成説明図、第、3
図は藺じく他の実施例を示す構成説明図である。 1.1θ、20・・・電荷転送形リニアイメージセンナ
、2・・・半導体巻取、3・・・感光画素配列1」(受
九部)、4.5・・CCDシフトレジスタ、6.7・・
・シフト電極、8a〜8S・・・ボンディング用バ・・
Iドー
体成説明図、第2因は本発明0)一実施例ζ二係る電荷
転送形リニアイメージセン斗を示す構成説明図、第、3
図は藺じく他の実施例を示す構成説明図である。 1.1θ、20・・・電荷転送形リニアイメージセンナ
、2・・・半導体巻取、3・・・感光画素配列1」(受
九部)、4.5・・CCDシフトレジスタ、6.7・・
・シフト電極、8a〜8S・・・ボンディング用バ・・
Iドー
Claims (2)
- (1)半導体チ゛ツブの半導体基板の一表面内に直線的
に配列して設けられた一列の感光画素配列と、この感光
画素配列の配列方向(X方向)に沿う片使もしくは両便
1に設けられ上記感光画素配列からの信号電荷を読み出
すだめの信号読み出し手段と、前記チップ上で前記X方
向の両端部の領域であってこのX方向と直交するX方向
においては前記感光画素配列および信号読み出し手段の
各配列方向の延長上の領域からチ・ツブ川辺部へはみ出
さない領域に設けられた複数個Q)ボンディング用バ・
シトとを具備してなることケ特徴とでる固体リニアイメ
ージセンサ。 - (2)前記信号読み出し手段は、感光画素配列の信号礒
荷?転送制個手段のゲートを開いて電荷転送形シフトレ
レスタに転送するように4[されてなることケ特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の固体リニアイメージセン
ナ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57090065A JPS58206280A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57090065A JPS58206280A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58206280A true JPS58206280A (ja) | 1983-12-01 |
JPH0376072B2 JPH0376072B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13988139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57090065A Granted JPS58206280A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58206280A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4663656A (en) * | 1984-03-16 | 1987-05-05 | Rca Corporation | High-resolution CCD imagers using area-array CCD's for sensing spectral components of an optical line image |
JPH056984A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Nec Corp | 一次元イメージセンサ |
CN108540737A (zh) * | 2017-03-01 | 2018-09-14 | 佳能株式会社 | 光电转换装置、传感器单元和图像形成装置 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP57090065A patent/JPS58206280A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4663656A (en) * | 1984-03-16 | 1987-05-05 | Rca Corporation | High-resolution CCD imagers using area-array CCD's for sensing spectral components of an optical line image |
JPH056984A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Nec Corp | 一次元イメージセンサ |
CN108540737A (zh) * | 2017-03-01 | 2018-09-14 | 佳能株式会社 | 光电转换装置、传感器单元和图像形成装置 |
US10714527B2 (en) | 2017-03-01 | 2020-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, sensor unit, and image forming apparatus |
CN108540737B (zh) * | 2017-03-01 | 2021-07-30 | 佳能株式会社 | 光电转换装置、传感器单元和图像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0376072B2 (ja) | 1991-12-04 |
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