JPS58206089A - 赤外線炉 - Google Patents
赤外線炉Info
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- JPS58206089A JPS58206089A JP58049058A JP4905883A JPS58206089A JP S58206089 A JPS58206089 A JP S58206089A JP 58049058 A JP58049058 A JP 58049058A JP 4905883 A JP4905883 A JP 4905883A JP S58206089 A JPS58206089 A JP S58206089A
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- JP
- Japan
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- gas
- baffle
- chambers
- infrared furnace
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
- H05K3/1291—Firing or sintering at relative high temperatures for patterns on inorganic boards, e.g. co-firing of circuits on green ceramic sheets
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/06—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated
- F27B9/08—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity heated without contact between combustion gases and charge; electrically heated heated through chamber walls
- F27B9/082—Muffle furnaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/14—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment
- F27B9/20—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace
- F27B9/24—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor
- F27B9/243—Endless-strand conveyor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/009—Heating devices using lamps heating devices not specially adapted for a particular application
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1126—Firing, i.e. heating a powder or paste above the melting temperature of at least one of its constituents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は赤外線炉、更に具体的には、電子素子を非反応
環境下で焼成させるのに適した赤外線炉に関わるもので
ある。
環境下で焼成させるのに適した赤外線炉に関わるもので
ある。
本件出願人の出願に係る１９８１年９月２８日付米国特
蔚出願第３０６，２００＠ （特開昭５８−１６５９１
）には、厚膜電子回路を焼成させる方法並びにこの方
法を実施することができる赤外線炉が開示されている。
蔚出願第３０６，２００＠ （特開昭５８−１６５９１
）には、厚膜電子回路を焼成させる方法並びにこの方
法を実施することができる赤外線炉が開示されている。
この出願に記載のように、この赤外線炉では厚膜電子回
路を非常に効果的に焼成させることができる。多数の材
料、例えば酸化ルテニウム、銀、金、ガラス及び誘電体
の複数の層は大気環境下で焼成させることができる。こ
のような場合、前記出願の赤外線炉は素子焼成中環境を
十分に制御することができる。その他の材料、例えば銅
などの層は非大気環境下で焼成させるようにしないと、
反応、例えば空気による当該材料の酸化を防止すること
ができない。このような場合、前記出願の炉は必らずし
も満足すべき機能を果すことができない。
路を非常に効果的に焼成させることができる。多数の材
料、例えば酸化ルテニウム、銀、金、ガラス及び誘電体
の複数の層は大気環境下で焼成させることができる。こ
のような場合、前記出願の赤外線炉は素子焼成中環境を
十分に制御することができる。その他の材料、例えば銅
などの層は非大気環境下で焼成させるようにしないと、
反応、例えば空気による当該材料の酸化を防止すること
ができない。このような場合、前記出願の炉は必らずし
も満足すべき機能を果すことができない。
なぜなら、周囲空気が焼成室内に漏入し焼成４へき材料
と反応する司能性かあるから（゛ある。。
と反応する司能性かあるから（゛ある。。
発明の要約
本発明によれば、鼻外線力１は焼成室４協え（Ｊｊす、
この焼成室には２、感外線１ネル１゛−瞭か配設されて
いると共に、み外線１．ネルへ−を透過さｌる性質の細
長い外被体かこの焼成室を貫通づる状態に延設されてい
る。Ｓの外被体は焼成全の外ａｆｔに第１及び第２１ｊ
ｌｔｌｉ形端部を備えＣいる。この外被体筒１及び第２
端部はイれそれ第］及び第２バツフル室によって包囲さ
れている。製品−１ンベ髪７は両バッフル室及び外被体
の内部を通・〕で本み外線炉内を走行するようになって
おり、また本清、外線炉から両バッフル室への気体の流
入並ひに焼成室から両バッフル室への気体の流入はぐき
ｂいようになっている。従つ（、厚膜回路などのような
製品を制御環境下で、つまり実質−ヒ周囲空気の存在し
ない環境下で焼成させることがでさる１゜具体的には、
望ましい実施例では、４１人気性気体を両バツノル室に
給入し、この中を人気月Ｊ、す高い月力状態にしく、本
赤外線炉の外部から両バッフル至への気体の流入を防止
するようにしである１、この非人気性気体の排出は一方
のバッフル室から行なうようにし、これにより他方のバ
ッフル室から外被体を通る非人気性気体の流れを誘発す
るようにしである。各バッフル室と焼成室の間にシール
（密閉）室を配設して、シール室がらバッフル室及び焼
成室へ外被体の周囲部の所で気体の漏入が起こるように
しである。この漏入を最小限に抑えるため、パツキンを
外被体の周囲部及びシール室の壁部に１１接させるよう
に設けた。また、焼成室からバッフル室への気体の流入
を防止するため、シール室を非大気性気体で加圧するよ
うにした。
この焼成室には２、感外線１ネル１゛−瞭か配設されて
いると共に、み外線１．ネルへ−を透過さｌる性質の細
長い外被体かこの焼成室を貫通づる状態に延設されてい
る。Ｓの外被体は焼成全の外ａｆｔに第１及び第２１ｊ
ｌｔｌｉ形端部を備えＣいる。この外被体筒１及び第２
端部はイれそれ第］及び第２バツフル室によって包囲さ
れている。製品−１ンベ髪７は両バッフル室及び外被体
の内部を通・〕で本み外線炉内を走行するようになって
おり、また本清、外線炉から両バッフル室への気体の流
入並ひに焼成室から両バッフル室への気体の流入はぐき
ｂいようになっている。従つ（、厚膜回路などのような
製品を制御環境下で、つまり実質−ヒ周囲空気の存在し
ない環境下で焼成させることがでさる１゜具体的には、
望ましい実施例では、４１人気性気体を両バツノル室に
給入し、この中を人気月Ｊ、す高い月力状態にしく、本
赤外線炉の外部から両バッフル至への気体の流入を防止
するようにしである１、この非人気性気体の排出は一方
のバッフル室から行なうようにし、これにより他方のバ
ッフル室から外被体を通る非人気性気体の流れを誘発す
るようにしである。各バッフル室と焼成室の間にシール
（密閉）室を配設して、シール室がらバッフル室及び焼
成室へ外被体の周囲部の所で気体の漏入が起こるように
しである。この漏入を最小限に抑えるため、パツキンを
外被体の周囲部及びシール室の壁部に１１接させるよう
に設けた。また、焼成室からバッフル室への気体の流入
を防止するため、シール室を非大気性気体で加圧するよ
うにした。
本発明の特徴の１つは、１本または２本以上の中空コン
ベヤ支持棒を用いて外被体内部に非大気性気体をより多
量に供給できるようにしたことである。
ベヤ支持棒を用いて外被体内部に非大気性気体をより多
量に供給できるようにしたことである。
なお、添付図面には、本発明の実施にＲ適と思われる具
体的実施例の諸特徴が示されている。
体的実施例の諸特徴が示されている。
具体的実施例の詳細な説明
第１図【こつい（述べると、本発明の！宗埋を組み込ん
だ赤外線炉は上記のような複数個の相１ｊ連辿状゛室か
ら成っている。ｌｌＩす、人１１室１０及びこれと通じ
たバッフル室１１と、バッフル室１１とンツフル付き焼
成室１３を連通させるシール室１２と、焼成４シ１３と
バッフル室１５を連通させるシール室１４と、出［］室
１６及びこれとバッフル室１５を連通さける冷ｋｌ室１
７かそれて・ある。上記により詳しく説明しくあるよう
に、前記参考出願に記載のｈ法（構成さｔｌだ製品コン
ベヤは、シール室１２及び１４を通−）で両バッノル室
１１及び１５へと伸びている焼成室１３内のマツフルを
含む前記諸室内を走行する。このンツノルの両端部は開
放形であるが、この両端部はｆれぞれバッフル室１１及
び１５によ？−（包囲され（いる。
だ赤外線炉は上記のような複数個の相１ｊ連辿状゛室か
ら成っている。ｌｌＩす、人１１室１０及びこれと通じ
たバッフル室１１と、バッフル室１１とンツフル付き焼
成室１３を連通させるシール室１２と、焼成４シ１３と
バッフル室１５を連通させるシール室１４と、出［］室
１６及びこれとバッフル室１５を連通さける冷ｋｌ室１
７かそれて・ある。上記により詳しく説明しくあるよう
に、前記参考出願に記載のｈ法（構成さｔｌだ製品コン
ベヤは、シール室１２及び１４を通−）で両バッノル室
１１及び１５へと伸びている焼成室１３内のマツフルを
含む前記諸室内を走行する。このンツノルの両端部は開
放形であるが、この両端部はｆれぞれバッフル室１１及
び１５によ？−（包囲され（いる。
人「１室１０．バッフル室１１．及びシール゛４Ｎ１２
は第２図に示されている１、多孔」ンベヤベルｉ・１８
（ま本券外線炉内を水平／ｊ向に細にく延びた通路２０
を通って移動する。焼成リペさ製品、例えｔＪ’ Ｉソ
膜回路１に載置された銅層は、搬送トレー（図示せず）
に八−）だ状態Ｃコンベヤベルト１８に載って通路２０
内をｋから６に移動ｑる。隔１２２は水平ブラケット４
３に揺動可能に取り付けられているが、これは、気体が
通路２０を通って本赤外線炉の外部に流出するのを妨げ
るためのものである。搬送トレーは、隔壁２２の下りを
通過する際、隔壁２２に接触してこれを、第２図に示づ
ように、逆時計方向に旋回させる。別法としでは、搬送
トレーに対して隙間を有する静止形隔壁を配設すること
もできる。入口室１０の端部の近傍（・は、垂直方向上
向きに排気管２５が通路２０と連通している。排気管２
５内に配設された送Ｊ！＠機（図示せｆ）で気体を通路
２０から送り出づ。１つまたは２つ以上のダンパ２６が
配設されＣいるが、これは、祷気管２５内を流れる排出
気体の流量を制御するためのものである。出口室１６は
、す［気管が存在しイ１いことを除くと入口室１０と同
じＣ・あり、従って【の詳細については図示しない。
は第２図に示されている１、多孔」ンベヤベルｉ・１８
（ま本券外線炉内を水平／ｊ向に細にく延びた通路２０
を通って移動する。焼成リペさ製品、例えｔＪ’ Ｉソ
膜回路１に載置された銅層は、搬送トレー（図示せず）
に八−）だ状態Ｃコンベヤベルト１８に載って通路２０
内をｋから６に移動ｑる。隔１２２は水平ブラケット４
３に揺動可能に取り付けられているが、これは、気体が
通路２０を通って本赤外線炉の外部に流出するのを妨げ
るためのものである。搬送トレーは、隔壁２２の下りを
通過する際、隔壁２２に接触してこれを、第２図に示づ
ように、逆時計方向に旋回させる。別法としでは、搬送
トレーに対して隙間を有する静止形隔壁を配設すること
もできる。入口室１０の端部の近傍（・は、垂直方向上
向きに排気管２５が通路２０と連通している。排気管２
５内に配設された送Ｊ！＠機（図示せｆ）で気体を通路
２０から送り出づ。１つまたは２つ以上のダンパ２６が
配設されＣいるが、これは、祷気管２５内を流れる排出
気体の流量を制御するためのものである。出口室１６は
、す［気管が存在しイ１いことを除くと入口室１０と同
じＣ・あり、従って【の詳細については図示しない。
トレー４５はす１気管２５の下方に通路２０の幅全体に
負っＣ水平に伸長しくいて、水平通路２４内で凝縮する
可能性のある揮発物を捕獲する。トレー４５は人口室１
０及びバッフル室１１の全長にロリ伸長しくいる。
負っＣ水平に伸長しくいて、水平通路２４内で凝縮する
可能性のある揮発物を捕獲する。トレー４５は人口室１
０及びバッフル室１１の全長にロリ伸長しくいる。
第３図には、バッフル室１１と、シール室１２ど、焼成
室１３の一部とが図示されている。焼成室１３内には水
平方向に１列の赤外線ランプ列３０と１列の赤外線ラン
プ列３２が前記参考出願に記載のｈ法（・取り付けられ
ている。管形マツノル３４はフン７列３０及び３２から
放射される赤外線エネルギーを透過させる性質の融解石
英その他の材料から作られ１．、：真直な細長状外被体
であって、ランプ列３０と３２どの間で焼成室１３を貫
通している。マツノル３４ Ｇ、Ｌ焼成室１３の外部に
バッフルｖ１１により包囲された開放形端部３６と、焼
成室１３の外部にバラ−ノル室１５により包囲された開
放形端部（図示せず）庖備え（いる。第３図に示すよう
に、］ンベＡ７ベルト１８はマツノル３４を貫通してい
る。本赤外線炉全体に１」リコンベヤベルト１８の下に
複数本の中空棒３８ヲ配設しこれでコンベヤベルｉ・１
８を支持するよ・）１．： １．。
室１３の一部とが図示されている。焼成室１３内には水
平方向に１列の赤外線ランプ列３０と１列の赤外線ラン
プ列３２が前記参考出願に記載のｈ法（・取り付けられ
ている。管形マツノル３４はフン７列３０及び３２から
放射される赤外線エネルギーを透過させる性質の融解石
英その他の材料から作られ１．、：真直な細長状外被体
であって、ランプ列３０と３２どの間で焼成室１３を貫
通している。マツノル３４ Ｇ、Ｌ焼成室１３の外部に
バッフルｖ１１により包囲された開放形端部３６と、焼
成室１３の外部にバラ−ノル室１５により包囲された開
放形端部（図示せず）庖備え（いる。第３図に示すよう
に、］ンベＡ７ベルト１８はマツノル３４を貫通してい
る。本赤外線炉全体に１」リコンベヤベルト１８の下に
複数本の中空棒３８ヲ配設しこれでコンベヤベルｉ・１
８を支持するよ・）１．： １．。
である。マツフル３４内（は１木ま／＝は２木以１の中
空棒３８の一部に複数個の孔４０が穿たれていて、中空
棒３８の内部と外部とが連通ずるようになっている。
空棒３８の一部に複数個の孔４０が穿たれていて、中空
棒３８の内部と外部とが連通ずるようになっている。
焼成室１３は前記出願に記載の方法で構成されている。
通路２０の上部は入口室１０及びバッフル室１１の全長
にロリ、水平方向に延びた断熱層４２で覆われている。
にロリ、水平方向に延びた断熱層４２で覆われている。
また、通路２０底部は入口室１０及びバッフル室１１の
全長にロリ水平方向に延びた多孔断熱層４４で覆われて
いる。与圧された非大気性気体、望ましくは窒素ガスを
配管４８を介して一連の溝（図示せず）を備えた断熱層
４４に給送して、断熱層４４の総ての部分に気体を分配
し易くした。与圧された窒素は断熱層４４の孔から流出
して、通路２０の内部の並びにマツノル３４の゛開放形
端部３６の周囲に低流速の非大気性環境を形成する。こ
の窒素ガスによりマツノル３４の開放形端部３６の周囲
に大気圧より高い圧力状態の雰囲気が形成される。従っ
て、気体は排気管２５に向ってゆっくりと而も連続的且
つ単一方向に流れ、またその一部が入口室１０を通つ−
Ｃ人気中に流れるだけであるから、反対方向には即ちマ
ツフル３４の開放形端部３６ｈ商には気体は流れられな
いようになっている。このため、周囲空気による汚染の
可能性はなくなった。
全長にロリ水平方向に延びた多孔断熱層４４で覆われて
いる。与圧された非大気性気体、望ましくは窒素ガスを
配管４８を介して一連の溝（図示せず）を備えた断熱層
４４に給送して、断熱層４４の総ての部分に気体を分配
し易くした。与圧された窒素は断熱層４４の孔から流出
して、通路２０の内部の並びにマツノル３４の゛開放形
端部３６の周囲に低流速の非大気性環境を形成する。こ
の窒素ガスによりマツノル３４の開放形端部３６の周囲
に大気圧より高い圧力状態の雰囲気が形成される。従っ
て、気体は排気管２５に向ってゆっくりと而も連続的且
つ単一方向に流れ、またその一部が入口室１０を通つ−
Ｃ人気中に流れるだけであるから、反対方向には即ちマ
ツフル３４の開放形端部３６ｈ商には気体は流れられな
いようになっている。このため、周囲空気による汚染の
可能性はなくなった。
非大気性気体、望ましくは窒素ガスを、１本または２本
以上の中空棒３８に供給して、マツノル３４の内部に直
接流入する。
以上の中空棒３８に供給して、マツノル３４の内部に直
接流入する。
気体は、焼成室１３及びバッフル室１１との境界部にあ
るマツフル３４周囲部の周囲のギャップを通って掘出す
る可能性がある。シール室１２はこの漏出量を最小限に
抑え且つ漏れ方向を制御できるように設計されている。
るマツフル３４周囲部の周囲のギャップを通って掘出す
る可能性がある。シール室１２はこの漏出量を最小限に
抑え且つ漏れ方向を制御できるように設計されている。
具体的には、シール室１２はシールフランジ５０に６よ
り焼成室１３に、またシールフランジ５２によりバッフ
ル室１１に連結されている。
り焼成室１３に、またシールフランジ５２によりバッフ
ル室１１に連結されている。
圧縮可能パツキン５４を設け、これでシール室１２内の
マツフル３４周囲部を包囲するようにしである。
マツフル３４周囲部を包囲するようにしである。
パツキン５４を、マツフル３４の周囲部とバッフル室１
１及び焼成室１３に隣接するシール室１２の側９どに圧
接させて、マツフル３４の周囲部の漏れ４” ＋・ツブ
を覆わせる。パツキン５４とシール室１２外周部の間の
空間部で略環形のプレ１ム（ρ１ｆ３ｎｕｌ） ５６を
形成し、ここに配管５８を介して非大気性気体、望まし
くは与圧された窒素を給入する。
１及び焼成室１３に隣接するシール室１２の側９どに圧
接させて、マツフル３４の周囲部の漏れ４” ＋・ツブ
を覆わせる。パツキン５４とシール室１２外周部の間の
空間部で略環形のプレ１ム（ρ１ｆ３ｎｕｌ） ５６を
形成し、ここに配管５８を介して非大気性気体、望まし
くは与圧された窒素を給入する。
シール室１２の端部断面図を第４図に示す。望ましくは
、パツキン５４はリフラジル（Ｒｅｆｒａｓｉ ｌ ）
の商品名で販売されている二酸化珪素／二酸化アルミニ
ウム繊維をガーターばね６０で圧縮したものがよい。プ
レナム５６内の圧力は焼成室１３内の圧力または断熱層
４２及び４４の間のバッフル室１１の部分の圧力より高
い。このため、シール室１２から漏れギャップを介して
バッフル室１１へ及び焼成室１３へ、窒素の緩慢な連続
的且つ単一方向の流れが発生し、従って気体は焼成室１
３からバッフル室１１には流入できないようになってい
る。
、パツキン５４はリフラジル（Ｒｅｆｒａｓｉ ｌ ）
の商品名で販売されている二酸化珪素／二酸化アルミニ
ウム繊維をガーターばね６０で圧縮したものがよい。プ
レナム５６内の圧力は焼成室１３内の圧力または断熱層
４２及び４４の間のバッフル室１１の部分の圧力より高
い。このため、シール室１２から漏れギャップを介して
バッフル室１１へ及び焼成室１３へ、窒素の緩慢な連続
的且つ単一方向の流れが発生し、従って気体は焼成室１
３からバッフル室１１には流入できないようになってい
る。
焼成室１３の他方端、シール室１４及びバッフル室１５
は、それぞれ、第３図の焼成室１３のその部分、シール
室１２及びバッフル室１１と同じである。冷却室１７は
図中には詳しく示されていないが、これには、焼成済み
製品を出口室１６から出るのに先立って所望の温度まで
冷却するための熱伝達フィンが具備されている。
は、それぞれ、第３図の焼成室１３のその部分、シール
室１２及びバッフル室１１と同じである。冷却室１７は
図中には詳しく示されていないが、これには、焼成済み
製品を出口室１６から出るのに先立って所望の温度まで
冷却するための熱伝達フィンが具備されている。
要約すると、製品が焼成室１３内で焼成されている間、
−品の周囲に非大気性気体環境が維持されるようになっ
ているということである。なぜなら、製品は空気が焼成
室１３内に入れないようマツフル３４によって保護され
ていると共に、マツノル３４の両端部はバッフル室１１
及び１５により包囲されているからである。大気圧下の
気体の流れは第２図及び第３図に矢印で示されている。
−品の周囲に非大気性気体環境が維持されるようになっ
ているということである。なぜなら、製品は空気が焼成
室１３内に入れないようマツフル３４によって保護され
ていると共に、マツノル３４の両端部はバッフル室１１
及び１５により包囲されているからである。大気圧下の
気体の流れは第２図及び第３図に矢印で示されている。
赤外線ランプ３０及び３２から発生された赤外線エネル
ギーはマツ゛ノル３４の壁部を通過して、コンベヤベル
ト１８上を移動する製品に衝突し且つこれを加熱する。
ギーはマツ゛ノル３４の壁部を通過して、コンベヤベル
ト１８上を移動する製品に衝突し且つこれを加熱する。
マツノル３４の内部には、はぼ完全な窒素環境が維持さ
れる。具体的には、焼成室１３からマツフル３４の両端
部への空気の漏入がシール’１１２により防止される。
れる。具体的には、焼成室１３からマツフル３４の両端
部への空気の漏入がシール’１１２により防止される。
また、入口室１０及び出口室１６を介するマツノル３４
両端部への空気漏入は、それぞれ、バッフル室１１及び
１５によってｖＡｔＬされる。窒素の緩慢、連続、単一
方向の流れは、排気管２５の位置の影響ぐ一１ンベヤベ
ルト１８と反対の方向に発生する。非人気性環境が維持
される結果、焼成すべき層と空気との間の好ましくない
化学反応を防止することができる。
両端部への空気漏入は、それぞれ、バッフル室１１及び
１５によってｖＡｔＬされる。窒素の緩慢、連続、単一
方向の流れは、排気管２５の位置の影響ぐ一１ンベヤベ
ルト１８と反対の方向に発生する。非人気性環境が維持
される結果、焼成すべき層と空気との間の好ましくない
化学反応を防止することができる。
以上に記載の本発明の実施例は本発明の概念の望ましい
且つ例証的実施例であり、従って本発明はこの実施例に
限定されるものではない。本発明の思想及び範囲を越え
ない限り、当業者であればその他の多種多様な構成を案
出することができる。
且つ例証的実施例であり、従って本発明はこの実施例に
限定されるものではない。本発明の思想及び範囲を越え
ない限り、当業者であればその他の多種多様な構成を案
出することができる。
例えば、焼成すべき材料次第では、窒素の代りにその他
の非大気性気体を用いることもできる。また、状況によ
っては、前記室のうちの１つまたは２つ以上の室を本赤
外線炉から取り除くこともでき、排気管は除去または配
置変えすることもでき、あるいは焼成室の他方端に第２
の排気管を別設することもでき、あるいは気体のマツフ
ルへの直接尋人を省略することも可能である。
の非大気性気体を用いることもできる。また、状況によ
っては、前記室のうちの１つまたは２つ以上の室を本赤
外線炉から取り除くこともでき、排気管は除去または配
置変えすることもでき、あるいは焼成室の他方端に第２
の排気管を別設することもでき、あるいは気体のマツフ
ルへの直接尋人を省略することも可能である。
第１図は本発明の原理を組み′□込んだ赤外線炉の概略
ブロック図である。 第２図は一方の入口室の側１ｉ？Ｉｉ図である。 第３図は一方のバッフル室、一方のシール室、及び焼成
室の一部の側断面図である。 第４図は第３図を線４−４に沿って切った 方のシール
室の縦断端面図ぐある。 １０・・・入日室 ｉｔ 、１５・・・バッフル質
１２．１４・・・シール室 １３・・・焼成室 １６・
・・出口室 １７・・・冷却￥１８・・・コンベヤベル
ト ２０・・・通路 ２２・・・隔壁２４・・・水平通
路 ２５・・・排気管 ２６・・・ダンパ ３０．３２
・・・赤外線ランプ列 ３４・・・マツフル ３６・・
・端部 ３８・・・中空棒 ４０・・・孔 ４２．４４
・・・断熱層 ４３・・・水゛）ｌブラケット ４５・
・・トレー ４８．５８・・・配管 ５０．５２・・・
シール７ランジ ５４・・・パツキン ５６・・・プレ
ブム６０・・・ばね 特許出願人 レイディアント テクノ［］ジーコーポ
レイション 代理人弁理士 古 村 悟 ： −−− −
ブロック図である。 第２図は一方の入口室の側１ｉ？Ｉｉ図である。 第３図は一方のバッフル室、一方のシール室、及び焼成
室の一部の側断面図である。 第４図は第３図を線４−４に沿って切った 方のシール
室の縦断端面図ぐある。 １０・・・入日室 ｉｔ 、１５・・・バッフル質
１２．１４・・・シール室 １３・・・焼成室 １６・
・・出口室 １７・・・冷却￥１８・・・コンベヤベル
ト ２０・・・通路 ２２・・・隔壁２４・・・水平通
路 ２５・・・排気管 ２６・・・ダンパ ３０．３２
・・・赤外線ランプ列 ３４・・・マツフル ３６・・
・端部 ３８・・・中空棒 ４０・・・孔 ４２．４４
・・・断熱層 ４３・・・水゛）ｌブラケット ４５・
・・トレー ４８．５８・・・配管 ５０．５２・・・
シール７ランジ ５４・・・パツキン ５６・・・プレ
ブム６０・・・ばね 特許出願人 レイディアント テクノ［］ジーコーポ
レイション 代理人弁理士 古 村 悟 ： −−− −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 赤外線炉であって、 焼成室と、 該焼成室内の赤外線エネルギー源と、 該赤外線エネルギーを透過させる材料から作られていて
、該焼成室を貫通していると共に、該焼成室の外部に開
放形の第１及び第２端部を有して成る細長状外被体と、 それぞれ該外被体筒１及び第２端部を包囲して成る第１
及び第２バツフル室と、 本赤外線炉内を該両バッフル室及び上記外被体を通って
走行する製品コンベヤと、本赤外線炉の外部から上記両
バッフル室内への気体の流入を防止するための第１気体
流入防止部材と、 上記焼成室から上、２両バッフル室内への気体の流入を
防止するための第２気体流入防止部材と から成る赤外線炉。 （２）前記第１気体流入防止部材が、前記外被体筒１及
び第２端部の近傍の前記両バッ゛ノル室の領域に、大気
圧より高い圧の且つ低速の非大気性気体を、前記両バッ
フル室から本赤外線炉の外部に該非大気性気体の単一方
向連続流を誘発するように供給する部材から成る特許請
求の範囲第（１）項に記載の赤外線炉。 （３）前記第２気体流入防ＩＦ部材が、各バ、ツーノル
室と前記焼成室の間に位置するシール室であって、前記
バッフル室との共通壁、前記焼成室との共通壁、及び各
共通壁と前記外被体の間のギャッＩから成るシール室と
、該シール室内で前記外被体の周囲に配設された圧縮可
能なパツキンと、該パツキンを圧縮して前記外被体の周
囲部及び−Ｆ配向共通壁に圧接させるための部材と、与
圧状態の非大気性気体を前記焼成室及び前記両バッノル
室の中の圧力より高い圧力下で上記シール室内に案内す
るだめの部材とから成る特許請求の範囲第（２） ＩＱ
に記載の赤外線炉。 （４） 前記非人気性気体を前記バッフル室の一方の
みから排出し、これにより、他方のバッフル室から前記
外被体を通る前記非大気性気体の流れを誘発するための
部材が具備されて成る特許請求の範囲第（２）項に記載
の赤外線炉。 （５） 前記製品コンベヤを前記外被体内に支持する
ための中空棒部材と、前記外被体の該棒部材内に穿設さ
れた複数の開口部と、与圧状態の非大気性気体を該棒部
材内の開口部を介して前記外被体の内部に給入するため
の部材とが具備されて成る特許請求の範囲第（４）項に
記載の赤外線炉。 （■ 前記第２気体流入防止部材に、各バッフル室と前
記焼成室の間に位置付けられたシール室と、該シール室
から前記焼成室に非大気性気体の単一方向連続欅を誘発
するための部材が具備されて成る特許請求の範囲第（１
）項に記載の赤外線炉。 （７）赤外線炉であって、 入口部及び出口部を備えていると共に赤外線エネル・ギ
ーを透過させる性質の中空状管形マツフルと、 該マツフルの外部にある赤外線ｌンルＶ−源と、 該マツフル入口部を包囲する第１バツノル室と、 該マツフル出［」部を包囲する第２ハツノル室と、 本赤外線炉の外部と上記第１バツノル至゛を連結する入
口室と、 上記第２バツフル室と本赤外線炉の外部を連結する出口
室と、 上記各室を介して１゜記マツフル内をその人口部から出
口部まで製品を搬送するための部材と、非大気性気体源
と、 大気性気体が上記入口及び出口両室から上記両バッフル
室内に流入しないように、上記気体源から上記両バッフ
ル室に気体を給送するための部材と から成る赤外線炉。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US381901 | 1982-05-25 | ||
| US06/381,901 US4460821A (en) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | Infrared furnace with muffle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206089A true JPS58206089A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=23506805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58049058A Pending JPS58206089A (ja) | 1982-05-25 | 1983-03-25 | 赤外線炉 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4460821A (ja) |
| JP (1) | JPS58206089A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537268A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Sony Corp | オーデイオ信号のインターフエイス回路 |
| US5864119A (en) * | 1995-11-13 | 1999-01-26 | Radiant Technology Corporation | IR conveyor furnace with controlled temperature profile for large area processing multichip modules |
| US20010031229A1 (en) * | 1998-10-20 | 2001-10-18 | Spjut Reed E. | UV-enhanced, in-line, infrared phosphorous diffusion furnace |
| WO2001014811A1 (en) | 1999-08-23 | 2001-03-01 | Radiant Technology Corporation | Continuous-conduction wafer bump reflow system |
| US6495800B2 (en) | 1999-08-23 | 2002-12-17 | Carson T. Richert | Continuous-conduction wafer bump reflow system |
| ATE261555T1 (de) * | 1999-09-03 | 2004-03-15 | Jurid Werke Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur thermischen behandlung von reibbelagoberflächen |
| US8865058B2 (en) | 2010-04-14 | 2014-10-21 | Consolidated Nuclear Security, LLC | Heat treatment furnace |
| WO2012009636A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Despatch Industries Limited Partnership | Firing furnace configuration for thermal processing system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833150A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-05-08 | ||
| JPS5143718U (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | ||
| JPS5390033A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-08 | Hitachi Ltd | Heat treatment equipment |
| JPS5499111A (en) * | 1977-10-07 | 1979-08-04 | Welko Ind Spa | Kiln |
| JPS5551331A (en) * | 1978-10-12 | 1980-04-15 | Toshimasa Kawanishi | Vibration adding device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3086764A (en) * | 1961-04-18 | 1963-04-23 | Beck Jacob Howard | Tandem furnace |
| US3293879A (en) * | 1965-01-11 | 1966-12-27 | Kitchens Of Sara Lee Inc | Gas barriers for an article conveyor |
| US3415503A (en) * | 1967-08-18 | 1968-12-10 | Btu Eng Corp | Conditioned atmosphere furnace muffle |
| US3626154A (en) * | 1970-02-05 | 1971-12-07 | Massachusetts Inst Technology | Transparent furnace |
| DE2254769C3 (de) * | 1972-11-09 | 1985-06-05 | Vereinigte Aluminium-Werke AG, 1000 Berlin und 5300 Bonn | Durchlaufofen zum flußmittellosen Löten von Aluminiumwerkstoffen unter Schutzgas |
| DE2656288C3 (de) * | 1976-12-11 | 1981-06-11 | Vita Zahnfabrik H. Rauter GmbH & Co KG, 7880 Bad Säckingen | Brennofen für dental-keramische Arbeiten |
| DE3064754D1 (en) * | 1979-07-09 | 1983-10-13 | Electrovert Ltd | Method and apparatus for vapour phase soldering |
-
1982
- 1982-05-25 US US06/381,901 patent/US4460821A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-03-25 JP JP58049058A patent/JPS58206089A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833150A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-05-08 | ||
| JPS5143718U (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | ||
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| JPS5551331A (en) * | 1978-10-12 | 1980-04-15 | Toshimasa Kawanishi | Vibration adding device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4460821A (en) | 1984-07-17 |
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