JPS58205982A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPS58205982A JPS58205982A JP57088232A JP8823282A JPS58205982A JP S58205982 A JPS58205982 A JP S58205982A JP 57088232 A JP57088232 A JP 57088232A JP 8823282 A JP8823282 A JP 8823282A JP S58205982 A JPS58205982 A JP S58205982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supporting
- magnetic field
- bubble memory
- plane
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ装置に関する。
従来、この柚の磁気バブルメモリ装置は、８１図に示す
ように磁気バブルメモリ素子１Ｏｔ−保持するための基
板１１と、メモリ素子に回転磁界を印加するための一対
のコイル１２及び１３と、イキ号°ＩｗＩｌ會引出すた
めのリードフレーム１４’に有する磁気バブルメモリブ
レーン１０（１，上下一対の保持部材１により保持し、
この組み合わせた保持部材の上下面に形成された磁石保
持部分に傾斜ａｌｔ設け、これに同様な傾斜ｔもったヨ
ーク２と平面磁石３を実装する事により垂直バイアス磁
界と面内バイアス磁界と全印加していた。第２図はヨー
ク２と平面磁石３のｌＩ４１１面図を示し第２図に示す
とおり、平面磁石３より発する磁界を傾斜ヨーク２より
垂直軸に対しθ１ だけ傾斜させ、これによりメモリ素
子１０部分の磁界ｆ（ｔ ＨＢ ＝ Ｈｃａｓ ｔｌ
１ 。
ように磁気バブルメモリ素子１Ｏｔ−保持するための基
板１１と、メモリ素子に回転磁界を印加するための一対
のコイル１２及び１３と、イキ号°ＩｗＩｌ會引出すた
めのリードフレーム１４’に有する磁気バブルメモリブ
レーン１０（１，上下一対の保持部材１により保持し、
この組み合わせた保持部材の上下面に形成された磁石保
持部分に傾斜ａｌｔ設け、これに同様な傾斜ｔもったヨ
ーク２と平面磁石３を実装する事により垂直バイアス磁
界と面内バイアス磁界と全印加していた。第２図はヨー
ク２と平面磁石３のｌＩ４１１面図を示し第２図に示す
とおり、平面磁石３より発する磁界を傾斜ヨーク２より
垂直軸に対しθ１ だけ傾斜させ、これによりメモリ素
子１０部分の磁界ｆ（ｔ ＨＢ ＝ Ｈｃａｓ ｔｌ
１ 。
ＨＩＮＩ＝Ｈ幽θｌと磁界方向を水平軸と垂直軸方向に
分解し、垂直方向成分を垂直バイアス磁界、水平方向成
分ｔ−面内バイアス磁界としている。
分解し、垂直方向成分を垂直バイアス磁界、水平方向成
分ｔ−面内バイアス磁界としている。
この様に、この種の磁気バブルメモリ装置においては一
方向にしか面内バイアス磁界を印加しないため、メモリ
素子１０の実装精度や回転磁界の変化に対し動作マージ
ンが狭くなるという欠点があった。
方向にしか面内バイアス磁界を印加しないため、メモリ
素子１０の実装精度や回転磁界の変化に対し動作マージ
ンが狭くなるという欠点があった。
本発明は面内バイアス磁界を２方向から印７ＩＬｌする
ことにより上記欠点を解決し、動作マージンの広いイぎ
軸性の高い磁気バブルメモリ装置全提供することにある
。
ことにより上記欠点を解決し、動作マージンの広いイぎ
軸性の高い磁気バブルメモリ装置全提供することにある
。
本発明によるとバブルを発生する磁気バブルメモリ素子
と、該メモリ素子を保持する基板と、前記メモリ素子に
回転磁界を印加する一対のコイルを備える磁気バブルメ
モリプレーントＳ ｔＪｒＪ記；ｌモリ素子に垂直バイ
アス磁界２而内バイアス磁界を印加する一組の永久磁石
とを上下一対の保持部付で保持する構造をもつ磁気バブ
ルメモリ装置ＶＣおいて、前記保持部材により前記メモ
リ素子全類けて保持することを特徴とする磁気バブルメ
モリ装置が得られる。
と、該メモリ素子を保持する基板と、前記メモリ素子に
回転磁界を印加する一対のコイルを備える磁気バブルメ
モリプレーントＳ ｔＪｒＪ記；ｌモリ素子に垂直バイ
アス磁界２而内バイアス磁界を印加する一組の永久磁石
とを上下一対の保持部付で保持する構造をもつ磁気バブ
ルメモリ装置ＶＣおいて、前記保持部材により前記メモ
リ素子全類けて保持することを特徴とする磁気バブルメ
モリ装置が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第３図は本発明に於いて用いる保持部材の一実施例の斜
視図、第４図は面内バイアス磁界の方向上表わすための
原理図である。第３図金谷照すると、保持部材４は第１
図に示す保持部材１の磁気バブルメモリブレーン１００
會保持する部分倉傾斜させ、磁気バブルメモリブレーン
１００ｔ−傾斜実装できるようにしたものである。
視図、第４図は面内バイアス磁界の方向上表わすための
原理図である。第３図金谷照すると、保持部材４は第１
図に示す保持部材１の磁気バブルメモリブレーン１００
會保持する部分倉傾斜させ、磁気バブルメモリブレーン
１００ｔ−傾斜実装できるようにしたものである。
即ち、図に示すように永久磁石３及びヨーク２倉保持す
る部分にはθ１の傾斜、磁気バブルメモリブレーンｔｏ
ｏｌ保持する部分にはθ２の傾斜が設けである。これｔ
第２図と同様の考え方で市内バイアス磁界だけを近似式
で表わしてみると、以下のようになる。
る部分にはθ１の傾斜、磁気バブルメモリブレーンｔｏ
ｏｌ保持する部分にはθ２の傾斜が設けである。これｔ
第２図と同様の考え方で市内バイアス磁界だけを近似式
で表わしてみると、以下のようになる。
ＨＩＮｌ＝Ｈｇｌｎ＃Ｉ
ＨＩＮ２＝Ｈ＊θ２
従って、第４図に示す様に磁気バブルメモリ素子１０に
印加される面内バイアス磁界はθｌ、θ２による各方向
の面内バイアス磁界の合力とする事ができ次式で表わさ
れる。
印加される面内バイアス磁界はθｌ、θ２による各方向
の面内バイアス磁界の合力とする事ができ次式で表わさ
れる。
ＨｒＮ＝ｆｆ−Ｇｂｊｌつ”’＋ （）１１１１戸−（
２方向が直交する場合） モ 又、合力の方向は各面内バイアス磁界の大きさで決定さ
れるので０１．θ２の大きさ全変化する事により、必要
な方向へ自由に設定する事や像調整する事が可能である
。
２方向が直交する場合） モ 又、合力の方向は各面内バイアス磁界の大きさで決定さ
れるので０１．θ２の大きさ全変化する事により、必要
な方向へ自由に設定する事や像調整する事が可能である
。
本発明は以上説明したように、動作マージンが広く安定
した％信頼性の高い磁気バブルメモリ装置ｔを提供でき
る。
した％信頼性の高い磁気バブルメモリ装置ｔを提供でき
る。
第１図は従来の磁気バブルメモリ装置の斜視図、第２図
は第１図に示す構造により得らｆる面内バイアス磁界の
方向を示すための原理図、第３図は本発明で用いる保持
部材の一実施例の斜視図、第４図は本発明により得らｎ
る面内バイアス磁界の方向を示すための原理図である。 １，４・・・・・・保持部材、２・・・・・・ヨーク、
３・・・・・・永久磁石、１０・・・・・・磁気バブル
メモＩＪ ｇ子、１１・・・・・・基板、１２．１３・
・・・・・回転磁界印加用コイル、１４・・・・・・リ
ードフレーム、１００・・・・・・磁気バブルメモリブ
レーン。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 Ｂ方向 θよ 第３図
は第１図に示す構造により得らｆる面内バイアス磁界の
方向を示すための原理図、第３図は本発明で用いる保持
部材の一実施例の斜視図、第４図は本発明により得らｎ
る面内バイアス磁界の方向を示すための原理図である。 １，４・・・・・・保持部材、２・・・・・・ヨーク、
３・・・・・・永久磁石、１０・・・・・・磁気バブル
メモＩＪ ｇ子、１１・・・・・・基板、１２．１３・
・・・・・回転磁界印加用コイル、１４・・・・・・リ
ードフレーム、１００・・・・・・磁気バブルメモリブ
レーン。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 Ｂ方向 θよ 第３図
Claims (1)
- バブル？発生する磁気バブルメモリ素子と、該メモリ素
子全保持する基板と、前記メモリ素子に回転磁界全印加
する一対のコイル全備える磁気バブルメモリブレーンと
、前記メモリ素子に垂直バ□イアス磁界９面内バイアス
磁界を印加する一組の永久磁石とを上下一対の保持部材
で保持する構造にもつａｆｉバブルメモリ装置において
、前記保持部材により前記メモリ素子を傾けて保持する
ことｔｌ−特徴とする磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088232A JPS58205982A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088232A JPS58205982A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205982A true JPS58205982A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13937115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57088232A Pending JPS58205982A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58205982A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0189926A2 (en) * | 1985-01-31 | 1986-08-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory module |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP57088232A patent/JPS58205982A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0189926A2 (en) * | 1985-01-31 | 1986-08-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory module |
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