JPS58202530A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPS58202530A JPS58202530A JP57087123A JP8712382A JPS58202530A JP S58202530 A JPS58202530 A JP S58202530A JP 57087123 A JP57087123 A JP 57087123A JP 8712382 A JP8712382 A JP 8712382A JP S58202530 A JPS58202530 A JP S58202530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- film
- mask
- frame
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線マスクに関する。
従来、Ｘｆ／ｉＡマスクは、８１枠内での２μ常厚程度
の薄いＳ１メンプラン膜上へのＡｕパターン形成、ある
いは８１枠内での５１０２膜とＳｉ、Ｎ。
の薄いＳ１メンプラン膜上へのＡｕパターン形成、ある
いは８１枠内での５１０２膜とＳｉ、Ｎ。
膜を２μ倶厚程度で薄く貼り合わせたメンプラン膜上へ
のＡｕパターン形成あるいは、第１＠に示す如き、パイ
レックス・ガラス枠内へのＢＮ膜とポリイミド膜３を貼
り合わせた２μ濯厚程度のメンプラン膜上へのＡｕパタ
ーン４の形成の如き構成をしていた。
のＡｕパターン形成あるいは、第１＠に示す如き、パイ
レックス・ガラス枠内へのＢＮ膜とポリイミド膜３を貼
り合わせた２μ濯厚程度のメンプラン膜上へのＡｕパタ
ーン４の形成の如き構成をしていた。
しかし、上記従来技術では、Ｓｌの熱膨張率が、２．３
Ｘ１０″″’ ／ ３ｇ Ｓ ｉ ３ Ｎ ４ の熱膨
張率が２、７ Ｘ １０−”／’Ｃ，，Ｂ Ｎの熱膨張
率がＩ Ｘ １ ｏ４／℃程度と、いずれもＳｌの熱膨
張率と同程度の熱膨張率のＸ線マスク枠およびメンプラ
ンを用いるため、Ｘ線露光時に、メンプラン膜等がＸ線
を吸収して、昇温し、被照射物であるＳ１ウエー八等よ
す高温であり、マスク、パターンにずれが発生するとい
う欠点があった。
Ｘ１０″″’ ／ ３ｇ Ｓ ｉ ３ Ｎ ４ の熱膨
張率が２、７ Ｘ １０−”／’Ｃ，，Ｂ Ｎの熱膨張
率がＩ Ｘ １ ｏ４／℃程度と、いずれもＳｌの熱膨
張率と同程度の熱膨張率のＸ線マスク枠およびメンプラ
ンを用いるため、Ｘ線露光時に、メンプラン膜等がＸ線
を吸収して、昇温し、被照射物であるＳ１ウエー八等よ
す高温であり、マスク、パターンにずれが発生するとい
う欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、Ｘ線露光中で
も熱膨張によるマスク・パターンずれの発生しないマス
ク構造を提供することを目的とする。
も熱膨張によるマスク・パターンずれの発生しないマス
ク構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、Ｘ
線マスクに於て、周辺が厚い石英材からなる枠で構成さ
れ、内部は少なくとも薄いメンプラン状石英膜からなる
事を特徴とする。
線マスクに於て、周辺が厚い石英材からなる枠で構成さ
れ、内部は少なくとも薄いメンプラン状石英膜からなる
事を特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一例を示すＸ線マスクの断面図であり
、石英枠１１の内部は２μ脩厚程度の薄い石英膜１２で
構成され、該石英膜１２上にはＡｕによるパターン１３
が構成されて成る。
、石英枠１１の内部は２μ脩厚程度の薄い石英膜１２で
構成され、該石英膜１２上にはＡｕによるパターン１３
が構成されて成る。
第２図のＸｉマスクの製法の一例としては、後程石英枠
となる１＋＋ｏｎ肉厚の石英管の内部に合成樹脂又は金
属材料等を埋め込んだ後、該内部充填石英管をスライス
して１謹厚から１０叫厚の板状となし、該内部充填石英
板表面に化学蒸着法等によりＳｉｎ、膜を２μ慨厚に形
成後、一般のＸ線マスクの製造方法にのっとり、Ａｕパ
ターンを形成する。その後、内部充填物を冷却により収
縮させるか、あるいは化学的にエツチングして除去する
ことにより、第２図に示す如き、石英枠内に石英メンプ
ランが構成されたＸ線マスクを製作することができる。
となる１＋＋ｏｎ肉厚の石英管の内部に合成樹脂又は金
属材料等を埋め込んだ後、該内部充填石英管をスライス
して１謹厚から１０叫厚の板状となし、該内部充填石英
板表面に化学蒸着法等によりＳｉｎ、膜を２μ慨厚に形
成後、一般のＸ線マスクの製造方法にのっとり、Ａｕパ
ターンを形成する。その後、内部充填物を冷却により収
縮させるか、あるいは化学的にエツチングして除去する
ことにより、第２図に示す如き、石英枠内に石英メンプ
ランが構成されたＸ線マスクを製作することができる。
上記の如く、石英枠内に少なくとも石英メンプランを構
成したＸ線マスクに於ては、石英の熱膨張率が０．４
Ｘ １０″″Ｖ℃程度であるところから、Ｘ線露光時の
Ｘ線吸収等によるマスク温度の変化により、マスクパタ
ーンがずれるという現象が避けられる効果がある。
成したＸ線マスクに於ては、石英の熱膨張率が０．４
Ｘ １０″″Ｖ℃程度であるところから、Ｘ線露光時の
Ｘ線吸収等によるマスク温度の変化により、マスクパタ
ーンがずれるという現象が避けられる効果がある。
本発明はメンブレン膜は石英膜のみならず石英膜とポリ
イミド膜の貼付けた多層膜構造等、石英膜を基体にした
多層膜としても良い。
イミド膜の貼付けた多層膜構造等、石英膜を基体にした
多層膜としても良い。
第１図は従来のＸ線マスク、第２図は本発明にｘＩ！マ
スクの一実施例の断面図を示す。 １・・・・・・枠 ２・・・・・・ＢＮ膜３・
・・・・・ポリイミ ド膜 ４・・・・・・Ａｕパターン １１・・・・・・石英枠 １２・・・・・・石英メンプラン膜 １３・・・・・・Ａｕパターン 以 上
スクの一実施例の断面図を示す。 １・・・・・・枠 ２・・・・・・ＢＮ膜３・
・・・・・ポリイミ ド膜 ４・・・・・・Ａｕパターン １１・・・・・・石英枠 １２・・・・・・石英メンプラン膜 １３・・・・・・Ａｕパターン 以 上
Claims (1)
- 周辺が厚い石英材からなる枠で構成され、内部は少なく
とも薄いメンプラン状石英膜からなる事を特徴とするＸ
線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087123A JPS58202530A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087123A JPS58202530A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202530A true JPS58202530A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13906174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087123A Pending JPS58202530A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310124A2 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing an X-ray mask |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP57087123A patent/JPS58202530A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0310124A2 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing an X-ray mask |
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