JPS58202529A - 荷電ビ−ム光学鏡筒 - Google Patents
荷電ビ−ム光学鏡筒Info
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- JPS58202529A JPS58202529A JP8593482A JP8593482A JPS58202529A JP S58202529 A JPS58202529 A JP S58202529A JP 8593482 A JP8593482 A JP 8593482A JP 8593482 A JP8593482 A JP 8593482A JP S58202529 A JPS58202529 A JP S58202529A
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- Japan
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- deflectors
- deflection
- deflector
- series
- parallel
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光装置やイオンビーム露光装置
等の荷電ビーム装置に用いられる荷電ビーム光学鏡筒の
改良に関する。
等の荷電ビーム装置に用いられる荷電ビーム光学鏡筒の
改良に関する。
近時、半導体ウェハやマスク基板等の試料に微細ｉ４タ
ーンを形成するものとして各種の電子ビーム露光装置が
開発されている。そして、これらの装置のうちで電子ビ
ームの寸法および形状を可変しながら描画を行う、所謂
ビーム寸法可変型の電子ビーム露光装置が高速描画に最
も適していると云われている。
ーンを形成するものとして各種の電子ビーム露光装置が
開発されている。そして、これらの装置のうちで電子ビ
ームの寸法および形状を可変しながら描画を行う、所謂
ビーム寸法可変型の電子ビーム露光装置が高速描画に最
も適していると云われている。
第１図はこのような装置に用いられる従来の電子ビーム
光学鏡筒の要部を示す概略構成図である。図中１はビー
ム整形用の第１７・臂−チャマスク、２はコンデンサレ
ンズ、ｓは偏向器、４はビーム整形用の第２アパーチヤ
マスクである。第１アパーチヤマスク１の上方に形成さ
れた第１クロスオーバＰ１は、レンズ２にょシ偏 。
光学鏡筒の要部を示す概略構成図である。図中１はビー
ム整形用の第１７・臂−チャマスク、２はコンデンサレ
ンズ、ｓは偏向器、４はビーム整形用の第２アパーチヤ
マスクである。第１アパーチヤマスク１の上方に形成さ
れた第１クロスオーバＰ１は、レンズ２にょシ偏 。
内器３の偏向中心に結像され、この偏向中心に第２ り
ｏ スオーバＰ２が形成されている。第１アパーチヤマ
スク１のアパーチャは、レンズ２によシ第２アパーチャ
マスク４上に投影され、このマスク４上にアノ９−チャ
像Ｐ３が形成されている。しかして、偏向器３によシミ
子ビームを所定方向に偏向すると、上記アパーチャ像Ｐ
３の第２７ノｊ−チャマスク４のアパーチャに対する位
置が変化する。すなわち、第２ア・臂−チャマスク４の
ア・母−チャとアパ−チャ重Ｐ３の重なシ状態が変化す
る。これによシ、図示しないレンズ等によって第２アパ
ーチヤマスク４のアパーチャを試料面に結像すると、最
終的に試料面に結像される像は前記第２アパーチヤマス
ク４のアノｊ−チャとアパーチャ像Ｐ３との重なり部分
となる。しだがっ□て、偏向器３で電子ビームを偏向す
ることによって、試料面に照射されるビーム寸法および
形状を可変できることになる。
ｏ スオーバＰ２が形成されている。第１アパーチヤマ
スク１のアパーチャは、レンズ２によシ第２アパーチャ
マスク４上に投影され、このマスク４上にアノ９−チャ
像Ｐ３が形成されている。しかして、偏向器３によシミ
子ビームを所定方向に偏向すると、上記アパーチャ像Ｐ
３の第２７ノｊ−チャマスク４のアパーチャに対する位
置が変化する。すなわち、第２ア・臂−チャマスク４の
ア・母−チャとアパ−チャ重Ｐ３の重なシ状態が変化す
る。これによシ、図示しないレンズ等によって第２アパ
ーチヤマスク４のアパーチャを試料面に結像すると、最
終的に試料面に結像される像は前記第２アパーチヤマス
ク４のアノｊ−チャとアパーチャ像Ｐ３との重なり部分
となる。しだがっ□て、偏向器３で電子ビームを偏向す
ることによって、試料面に照射されるビーム寸法および
形状を可変できることになる。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。すなわち、前記第１図に示した構成では、偏
向板３の偏向中心にクロスオーバＰ！がないと、ビーム
の寸法や形状等を変えたときに試料面に照射されるビー
ム強度が変動する。このため、偏向板３の偏向中心にり
ＯＸオー／？ Ｐ ２ を形成するだめのレン、ｘ”
２ カ不可欠となｐｌこれがために構成の複雑化および
コスト高を招いた。また、構成が複雑になることからそ
の調整が煩雑で安定性に欠ける等の問題があった。
があった。すなわち、前記第１図に示した構成では、偏
向板３の偏向中心にクロスオーバＰ！がないと、ビーム
の寸法や形状等を変えたときに試料面に照射されるビー
ム強度が変動する。このため、偏向板３の偏向中心にり
ＯＸオー／？ Ｐ ２ を形成するだめのレン、ｘ”
２ カ不可欠となｐｌこれがために構成の複雑化および
コスト高を招いた。また、構成が複雑になることからそ
の調整が煩雑で安定性に欠ける等の問題があった。
このような問題を解決するものとして本発明者等は第２
図に示す如き電子ビーム光学鏡筒を提案した（特願昭５
６−１０１４５２号）。この提案は２枚のア・千−チャ
マスクを近接配置し、アパーチャマスクに入射する荷電
ビームの入射角を変えることによって、各アパーチャマ
スクのアパーチャ重なシ状態を可変するようにしたもの
である。例えば、第２図に示す如く２枚のビーム整形層
ア・母−チャマスク１１．１２を微小距離りだけ離して
対向配置し、これらのア・千−チャマスク１１．１２の
上方（ビーム入射側）に第１および第２の偏向器１３．
１４をそれぞれ配置する。さらに、ア・９−チャマスク
１１゜１２０下方（試料側）に第３および第４の偏向器
１５．１６をそれぞれ配置すると共に、偏向器１５．１
６の下方に対物レンズ１７を配置する。なお、第２図中
１８は試料面を示し、１９は対物レンズ１７の主面に設
けられたアミ４−チャマスクを示している。
図に示す如き電子ビーム光学鏡筒を提案した（特願昭５
６−１０１４５２号）。この提案は２枚のア・千−チャ
マスクを近接配置し、アパーチャマスクに入射する荷電
ビームの入射角を変えることによって、各アパーチャマ
スクのアパーチャ重なシ状態を可変するようにしたもの
である。例えば、第２図に示す如く２枚のビーム整形層
ア・母−チャマスク１１．１２を微小距離りだけ離して
対向配置し、これらのア・千−チャマスク１１．１２の
上方（ビーム入射側）に第１および第２の偏向器１３．
１４をそれぞれ配置する。さらに、ア・９−チャマスク
１１゜１２０下方（試料側）に第３および第４の偏向器
１５．１６をそれぞれ配置すると共に、偏向器１５．１
６の下方に対物レンズ１７を配置する。なお、第２図中
１８は試料面を示し、１９は対物レンズ１７の主面に設
けられたアミ４−チャマスクを示している。
しかして、いま第１の偏向器１３によシミ子ビームを一
方向（紙面左方向）に偏向すると共に第２の偏向器１４
によシ同ビームを上記と逆方向に偏向し、ア・ぐ−チャ
マスク１１上でのビーム位置が変わらない条件で、同マ
スク１ノに入射する電子ビームの傾きを変える。これに
よＪ） 、７ ｚ＋−チャマスク１１．１２のアパーチ
ャ重なシが変化し、ビーム寸法およびビーム形状が可変
される。ここで、電子ビームの光軸（図５− 中１点鎖線で示す）に対する傾きをφとすると、Ｌ・φ
積だけ重なシの領域が減少することになる。
方向（紙面左方向）に偏向すると共に第２の偏向器１４
によシ同ビームを上記と逆方向に偏向し、ア・ぐ−チャ
マスク１１上でのビーム位置が変わらない条件で、同マ
スク１ノに入射する電子ビームの傾きを変える。これに
よＪ） 、７ ｚ＋−チャマスク１１．１２のアパーチ
ャ重なシが変化し、ビーム寸法およびビーム形状が可変
される。ここで、電子ビームの光軸（図５− 中１点鎖線で示す）に対する傾きをφとすると、Ｌ・φ
積だけ重なシの領域が減少することになる。
また、偏向器１３．１４による最大偏向角φｍａＸは、
第３図に示す如くア・ぐ−チャ径をＤとすると次式で示
される。
第３図に示す如くア・ぐ−チャ径をＤとすると次式で示
される。
φｍａｘキｖし・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・（１）次に、アパーチャマスク１１．
１２を介して整形された電子ビームを第３および第４の
偏向器１５．１６によυそれぞれ逆方向に偏向し１．ビ
ームの傾きφを補正すると共にビームの軸を前記光軸に
一致せしめる。これによ如、上記整形されたビームは対
物レンズ１７を介して試料面１８上に結像されることに
なる。
・・・・・・・・（１）次に、アパーチャマスク１１．
１２を介して整形された電子ビームを第３および第４の
偏向器１５．１６によυそれぞれ逆方向に偏向し１．ビ
ームの傾きφを補正すると共にビームの軸を前記光軸に
一致せしめる。これによ如、上記整形されたビームは対
物レンズ１７を介して試料面１８上に結像されることに
なる。
ところが、このような構成で′は偏向器の数だけ側方用
電源が必要となシ、シかもそれらを一定の関係で動作さ
せる必要がある。このため、偏向器を駆動するだめの電
源が複雑化し、その制御が極めて困難になる等の問題を
招いた。なお、上述した問題は電子ビーム光学鏡筒に限
らず、イオンビーム光学鏡筒についても同様に云えるこ
とである。
電源が必要となシ、シかもそれらを一定の関係で動作さ
せる必要がある。このため、偏向器を駆動するだめの電
源が複雑化し、その制御が極めて困難になる等の問題を
招いた。なお、上述した問題は電子ビーム光学鏡筒に限
らず、イオンビーム光学鏡筒についても同様に云えるこ
とである。
本発明の目的は、偏向器を駆動する電源を１個とするこ
とができ、構成の簡略化および偏向制御の容易化をはか
り得て、ひいては信頼性の向上をはかし得る荷電ビーム
光学鏡筒を提供することにある。
とができ、構成の簡略化および偏向制御の容易化をはか
り得て、ひいては信頼性の向上をはかし得る荷電ビーム
光学鏡筒を提供することにある。
本発明の骨子は偏向器に直列或いは並列に可変インピー
ダンス負荷を接続し、それぞれの偏向器の感度を可変で
きるようにしたことＶある。
ダンス負荷を接続し、それぞれの偏向器の感度を可変で
きるようにしたことＶある。
すなわち本発明は、２枚のビーム整形用ア・ぐ−チャマ
スクおよび２組以上の偏向器を備え、荷電ビームの寸法
および形状を可変制御し該ビームを試料面上に照射する
荷電ビーム光学鏡筒において、上記偏向器の少なくとも
１つに可変インピーダンス負荷を直列或諭は並列接続し
、かつこれらの偏向器を同一電源に接続するようにした
ものである。
スクおよび２組以上の偏向器を備え、荷電ビームの寸法
および形状を可変制御し該ビームを試料面上に照射する
荷電ビーム光学鏡筒において、上記偏向器の少なくとも
１つに可変インピーダンス負荷を直列或諭は並列接続し
、かつこれらの偏向器を同一電源に接続するようにした
ものである。
本発明によれば、偏向器の偏向中心にクロスオー・々を
形成するためのレンズを要することなくビームの寸法お
よび形状を可変し得るのは勿論のこと、複数の偏向器を
同一の電源で駆動することができる。したがって、構成
の簡略化および制御の容易化をはかシ得、ひいては信頼
性の向上をはかり得る。
形成するためのレンズを要することなくビームの寸法お
よび形状を可変し得るのは勿論のこと、複数の偏向器を
同一の電源で駆動することができる。したがって、構成
の簡略化および制御の容易化をはかシ得、ひいては信頼
性の向上をはかり得る。
第４図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム光学鏡筒
を示す概略構成図である。なお、第２図と同一部分には
、同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。前記
第１乃至第４の偏向器１３．〜，１６はそれぞれ電磁偏
向コイルからなるもので、これらの偏向コイル１３〜。
を示す概略構成図である。なお、第２図と同一部分には
、同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。前記
第１乃至第４の偏向器１３．〜，１６はそれぞれ電磁偏
向コイルからなるもので、これらの偏向コイル１３〜。
１６は直列接続されて電源２０に接続されている。偏向
コイル１３．〜，１６には可変抵抗器（可変インピーダ
ンス負荷）２１．〜２４がそれぞれ並列接続されている
。そして、可変抵抗器２１．〜２４を可変設定すること
によって、偏向コイル１３．〜，１６の各偏向感度がそ
れぞれ調節されるものとなっている。
コイル１３．〜，１６には可変抵抗器（可変インピーダ
ンス負荷）２１．〜２４がそれぞれ並列接続されている
。そして、可変抵抗器２１．〜２４を可変設定すること
によって、偏向コイル１３．〜，１６の各偏向感度がそ
れぞれ調節されるものとなっている。
このように構成された電子ビーム光学鏡筒の作用を説明
する。まず、前記４つの偏向コイル１３、〜，１６を同
一の電源２０で動作させるには、各偏向コイル１３．〜
，１６の配置位置を第４図に示す如く定め、それぞれの
偏向感度を次式のように決めればよい。
する。まず、前記４つの偏向コイル１３、〜，１６を同
一の電源２０で動作させるには、各偏向コイル１３．〜
，１６の配置位置を第４図に示す如く定め、それぞれの
偏向感度を次式のように決めればよい。
ここで、ａは第１および第２（第３および第４）の偏向
コイル間距離、ｂは偏向ビーム軸および光軸の交点８と
第２（第３）の偏向コイルとの間の距離、θｌは第１お
よび第４の偏向コイル１３．１６によるビーム偏向角度
、θ２は第２および第３の偏向コイル１３．１４による
ビーム偏向角度である。
コイル間距離、ｂは偏向ビーム軸および光軸の交点８と
第２（第３）の偏向コイルとの間の距離、θｌは第１お
よび第４の偏向コイル１３．１６によるビーム偏向角度
、θ２は第２および第３の偏向コイル１３．１４による
ビーム偏向角度である。
上記第２式および第３式よシθを消去すると、ａθ１−
ｂ（θ２−０１） （ａ＋ｂ）θ１””ｂ”！ ９− この第４式から第１の偏向コイル１３と第２の偏向コイ
ル１４との偏向感度比をｂ：（ａ十ｂ）にすればよく、
第４の偏向コイル１６と第３の偏向コイル１５との偏向
感度比も同様とし、第１および第４の偏向コイル１３．
１６の偏向感度を等しくすればよいことが判る。
ｂ（θ２−０１） （ａ＋ｂ）θ１””ｂ”！ ９− この第４式から第１の偏向コイル１３と第２の偏向コイ
ル１４との偏向感度比をｂ：（ａ十ｂ）にすればよく、
第４の偏向コイル１６と第３の偏向コイル１５との偏向
感度比も同様とし、第１および第４の偏向コイル１３．
１６の偏向感度を等しくすればよいことが判る。
ところが、実際にはコイルの取付精度、その他の関係で
ａ、ｂの寸法が正確でないとか、コイルの巻数の１ター
ン以下の処理のやの方等の誤差のため、偏向感度を上記
比率（ａ：ａ十ｂ）に精度良く設定することが困難で、
同一電源で各偏向コイルを駆動した場合、電子ビームの
寸法および形状を精度良く制御することはできない、そ
こで、上記誤差分を前記可変抵抗器２１゜〜、２４によ
り微調整することによシ、これを解決することができた
。すなわち、任意の一状態において可変抵抗器２１．〜
，２４の抵抗値を微調整し、偏向コイル１３．〜，１６
に流れ１０− る電流の比を定めておけば、電源２０の電圧を可変した
場合も上記電流の比は不変となる。つまシ、可変抵抗器
２１．〜，２４の調整によシ偏向コイル１３．〜，１６
の偏向感度を所定の比率に高精度に設定することができ
、かつ電源電圧が可変してもこの比率を保持することが
可能となる。これによυ、ビームの寸法や形状を可変さ
せた場合のビーム位置不動、軸条性不動、アパーチャ照
明条件一定の関係を満足させることができた。なお、偏
向コイルの抵抗が数〔Ω〕であるのに対し、可変抵抗器
の抵抗に数１０〔ｋΩ〕であった。
ａ、ｂの寸法が正確でないとか、コイルの巻数の１ター
ン以下の処理のやの方等の誤差のため、偏向感度を上記
比率（ａ：ａ十ｂ）に精度良く設定することが困難で、
同一電源で各偏向コイルを駆動した場合、電子ビームの
寸法および形状を精度良く制御することはできない、そ
こで、上記誤差分を前記可変抵抗器２１゜〜、２４によ
り微調整することによシ、これを解決することができた
。すなわち、任意の一状態において可変抵抗器２１．〜
，２４の抵抗値を微調整し、偏向コイル１３．〜，１６
に流れ１０− る電流の比を定めておけば、電源２０の電圧を可変した
場合も上記電流の比は不変となる。つまシ、可変抵抗器
２１．〜，２４の調整によシ偏向コイル１３．〜，１６
の偏向感度を所定の比率に高精度に設定することができ
、かつ電源電圧が可変してもこの比率を保持することが
可能となる。これによυ、ビームの寸法や形状を可変さ
せた場合のビーム位置不動、軸条性不動、アパーチャ照
明条件一定の関係を満足させることができた。なお、偏
向コイルの抵抗が数〔Ω〕であるのに対し、可変抵抗器
の抵抗に数１０〔ｋΩ〕であった。
カくシて本実施によると、４つの偏向コイルζ／ Ｊ
奢二、 、 ／ ｆμを同一の電源２．で駆動制御する
ことができる。したがって従来４つの偏向用電源を必要
としたのに比べ１／４の簡略化がはかれ、かつ調整を短
時間で行うことができ、さらに故障の確立も大幅に減ら
すこ′とができる。また、何らかの要因で電源電圧が変
動した場合、４つの電源で制御したときのようにビーム
軸がずれる等の不都合を避けることができ、ビーム安定
性の向上をもはかシ得る。
奢二、 、 ／ ｆμを同一の電源２．で駆動制御する
ことができる。したがって従来４つの偏向用電源を必要
としたのに比べ１／４の簡略化がはかれ、かつ調整を短
時間で行うことができ、さらに故障の確立も大幅に減ら
すこ′とができる。また、何らかの要因で電源電圧が変
動した場合、４つの電源で制御したときのようにビーム
軸がずれる等の不都合を避けることができ、ビーム安定
性の向上をもはかシ得る。
第５図は他の実施例を示す概略構成図である。
この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、偏向器
を２つとしたことである。すなわち、ビーム整形剤アパ
−チャマスク１１．１２の間に２つの偏向コイル１３．
１４が設けられ、これらの偏向コイル１３．１４は先の
実施例と同様に直列に電源２０と接続され、かつそれぞ
れ可変抵抗器２１．２２が並列接続されている。このよ
うな構成であっても先の実施例と同様の効果を奏するの
は勿論のことである。
を２つとしたことである。すなわち、ビーム整形剤アパ
−チャマスク１１．１２の間に２つの偏向コイル１３．
１４が設けられ、これらの偏向コイル１３．１４は先の
実施例と同様に直列に電源２０と接続され、かつそれぞ
れ可変抵抗器２１．２２が並列接続されている。このよ
うな構成であっても先の実施例と同様の効果を奏するの
は勿論のことである。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記偏向器は電磁偏向コイル
に限るものではなく、静電偏向板であってもよい。この
場合、第６図に示す如く、偏向板と直列に可変抵抗器を
接続し、これらを並列にして電源に接続するようにすれ
ばよい。また、電子ビーム光学鏡筒の他にイオンビーム
光学鏡筒に適用できるのは勿論のことである。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記偏向器は電磁偏向コイル
に限るものではなく、静電偏向板であってもよい。この
場合、第６図に示す如く、偏向板と直列に可変抵抗器を
接続し、これらを並列にして電源に接続するようにすれ
ばよい。また、電子ビーム光学鏡筒の他にイオンビーム
光学鏡筒に適用できるのは勿論のことである。
第１図は従来の電子ビーム光学鏡筒の要部を示す概略構
成図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の基本とな
る電子ビーム光学鏡筒を示す概略構成図、第４図は本発
明の一実施例に係わる電子ビーム光学鏡筒を示す概略構
成図、第５図は他の実施例を示す概略構成図、第６図は
変形例を示す要部構成図である。 １１．１２・・・アパーチャマスク、１３．１４゜１５
．１６・・・偏向器、１７・・・対物レンズ、２０・・
・電源、２１，２２，２３，２４・・・可変抵抗器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 本・彦１３− 第１図 第２図 第３図 １５図 第４図 １２３− 第６図 １−・
成図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の基本とな
る電子ビーム光学鏡筒を示す概略構成図、第４図は本発
明の一実施例に係わる電子ビーム光学鏡筒を示す概略構
成図、第５図は他の実施例を示す概略構成図、第６図は
変形例を示す要部構成図である。 １１．１２・・・アパーチャマスク、１３．１４゜１５
．１６・・・偏向器、１７・・・対物レンズ、２０・・
・電源、２１，２２，２３，２４・・・可変抵抗器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 本・彦１３− 第１図 第２図 第３図 １５図 第４図 １２３− 第６図 １−・
Claims (3)
- （１） ２枚のビーム整形用アパーチャマスクおよび
２組以上の偏向器を備え、荷電ビームの寸法および形状
を可変制御し該ビームを試料面上に照射する荷電ビーム
光学鏡筒において、上記偏向器の少なくとも１つに可変
インピーダンス負荷を直列或いは並列接続し、かつこれ
らの偏向器を同一電源に接続してなることを特徴とす
゛る荷電ビーム光学鏡筒。 - （２）前記偏向器として電磁偏向コイルを用い、これら
の偏向コイルを直列接続すると共に、該偏向コイルに前
記可変インピーダンス負荷を並列接続したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の荷電ビーム光学鏡筒。 - （３）前記偏向器として静電偏向板を用い、該偏向板に
前記可変インピーダンス負荷を直列接続すると共に、こ
れらを並列接続したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の荷電ビーム光学鏡筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8593482A JPS58202529A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8593482A JPS58202529A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202529A true JPS58202529A (ja) | 1983-11-25 |
| JPS638610B2 JPS638610B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=13872582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8593482A Granted JPS58202529A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202529A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093571A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-25 | ||
| JPS522176A (en) * | 1975-06-13 | 1977-01-08 | Ibm | Method of forming integrated circuit pattern |
| JPS52131963U (ja) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | ||
| JPS545664A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Device for exposing electron beam |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8593482A patent/JPS58202529A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093571A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-25 | ||
| JPS522176A (en) * | 1975-06-13 | 1977-01-08 | Ibm | Method of forming integrated circuit pattern |
| JPS52131963U (ja) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | ||
| JPS545664A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Device for exposing electron beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS638610B2 (ja) | 1988-02-23 |
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