JPS5819893A - Ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents
Ｅｌ表示パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS5819893A JPS5819893A JP56118901A JP11890181A JPS5819893A JP S5819893 A JPS5819893 A JP S5819893A JP 56118901 A JP56118901 A JP 56118901A JP 11890181 A JP11890181 A JP 11890181A JP S5819893 A JPS5819893 A JP S5819893A
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- Japan
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- display panel
- transparent electrode
- insulating substrate
- dielectric layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクト四ル々ネッセンス（Ｊｄ下Ｅ Ｌと略
称する）表示パネルに係シ、特に安価な絶縁基板を用い
て低電圧駆動化を図ったＮＩＬ表示パネルの製造方法に
関するものである。
称する）表示パネルに係シ、特に安価な絶縁基板を用い
て低電圧駆動化を図ったＮＩＬ表示パネルの製造方法に
関するものである。
さんだ、−わゆる二重絶縁膜三層構造で構成した１１Ｌ
表示パネルが開発、実用化されている。このようなＥＬ
表示パネルの低電圧駆動化を図る一手段として誘電体層
をチタン酸鉛（Ｐｂ’ｌ”１０ｓ）のような強誘電体層
で形成して、ＩＩｆＬ層に印加される電圧を実質的に大
きくすると−う方法が採られている。
表示パネルが開発、実用化されている。このようなＥＬ
表示パネルの低電圧駆動化を図る一手段として誘電体層
をチタン酸鉛（Ｐｂ’ｌ”１０ｓ）のような強誘電体層
で形成して、ＩＩｆＬ層に印加される電圧を実質的に大
きくすると−う方法が採られている。
ところで、このような誘電体層にＰｂＴｉＯｓ 膜を用
いて低電圧駆動化を図った］！ＩＩ、表示パネルにおい
て、ＰｂＴｌＯ３膜を成膜するには絶縁基板温度を６０
０層程度に保持し良状態で高周波スノｉツタリング法に
よって成膜することから、その温度において変形等を生
じないような耐熱性を有する絶縁基板が必要となる。ま
たＥＬ層の形成後、そのｒＬ層に対して５８０ 、”Ｃ
！程度のアニール処理を施すのでその際の１！＋Ｌ層の
クラック等を防止するために熱膨張係数が菊〜９０（Ｘ
ＩＯ−’℃−１）程度の絶縁基板が必要となる。このよ
うな耐熱性およ、び所定の熱膨張係数を有した絶縁基板
、とじてガラス基板がめて高価であり、低電駆動可能な
ＩＬ表示パネルの低価格化の一つの大きな障害となワて
−るのが実情である０そζで高価なガラス基板を用いる
代りに、アル電す基体上にガラス層を積層した多層絶縁
基板をＩ＠ｖｈたＩＬ表示パネルが提案されている０こ
のような多層絶縁基板社グレーズ被覆アルミナ基板と呼
ばれ、へイブリッド集積回路用等のな特性を有するガラ
ス板に比べ安価に入手することができる。
いて低電圧駆動化を図った］！ＩＩ、表示パネルにおい
て、ＰｂＴｌＯ３膜を成膜するには絶縁基板温度を６０
０層程度に保持し良状態で高周波スノｉツタリング法に
よって成膜することから、その温度において変形等を生
じないような耐熱性を有する絶縁基板が必要となる。ま
たＥＬ層の形成後、そのｒＬ層に対して５８０ 、”Ｃ
！程度のアニール処理を施すのでその際の１！＋Ｌ層の
クラック等を防止するために熱膨張係数が菊〜９０（Ｘ
ＩＯ−’℃−１）程度の絶縁基板が必要となる。このよ
うな耐熱性およ、び所定の熱膨張係数を有した絶縁基板
、とじてガラス基板がめて高価であり、低電駆動可能な
ＩＬ表示パネルの低価格化の一つの大きな障害となワて
−るのが実情である０そζで高価なガラス基板を用いる
代りに、アル電す基体上にガラス層を積層した多層絶縁
基板をＩ＠ｖｈたＩＬ表示パネルが提案されている０こ
のような多層絶縁基板社グレーズ被覆アルミナ基板と呼
ばれ、へイブリッド集積回路用等のな特性を有するガラ
ス板に比べ安価に入手することができる。
第１図位このようなブレース被覆アルミナ基板を絶縁基
板として用いた従来の］ｉｌＬ表示パネルの要部断面図
であシ、アルミナ基体１ａ上にガラス層１ｂを積層した
絶縁基板１上には例えばモリブデンのような高融点金属
膜からなる線状の下部電極２が多数平行に形成′しであ
る。そしてそれら下部電極２表面を含も絶縁基板１表面
にＰｂＴｉＯｓの第１の誘電体層８．マンガンを添加し
た硫化亜鉛（ＺｎｌＨＭｍ）のよう′＆ＩＬ材料からな
る１１１層４および酸化イツトリウム（ＹｍＯｓ）から
なる第２０１！電体層もが順次積層しである◇そしてさ
らＫその＊ｉの誘電体層６上には線状のインジウム錫酸
化物（Ｉ’ｌ’Ｏ）からなる上部透明電極６が前記下部
電極２と直交する関係で彫成しである。このような構ｔ
＆において、下部電極２と上部透明電極６との各交点部
で発光セルを画定し、それら発光セルからの光を上部透
明電極６１１から観察するようになって−る＠ ところで前記上部透明電極６の形成は、ＢＬ層４上に第
２の誘電体層６としてのＹ２Ｏ２層を均一部透明電極６
を形成するのであるが、この際の蝕刻液社通常塩酸＜Ｈ
ＣＪ）を用いるので、ＹｍＯｓからなる第２の誘電体層
５も同時に蝕刻されて、上部透明電極６が第２の誘電体
層６上に？Ｐ！上がった形でパターンニングされるので
、その上部透明電極６の剥離を生じることがあり、その
結果パネルのＩＩ造歩留塾の低下な招く欠点があった。
板として用いた従来の］ｉｌＬ表示パネルの要部断面図
であシ、アルミナ基体１ａ上にガラス層１ｂを積層した
絶縁基板１上には例えばモリブデンのような高融点金属
膜からなる線状の下部電極２が多数平行に形成′しであ
る。そしてそれら下部電極２表面を含も絶縁基板１表面
にＰｂＴｉＯｓの第１の誘電体層８．マンガンを添加し
た硫化亜鉛（ＺｎｌＨＭｍ）のよう′＆ＩＬ材料からな
る１１１層４および酸化イツトリウム（ＹｍＯｓ）から
なる第２０１！電体層もが順次積層しである◇そしてさ
らＫその＊ｉの誘電体層６上には線状のインジウム錫酸
化物（Ｉ’ｌ’Ｏ）からなる上部透明電極６が前記下部
電極２と直交する関係で彫成しである。このような構ｔ
＆において、下部電極２と上部透明電極６との各交点部
で発光セルを画定し、それら発光セルからの光を上部透
明電極６１１から観察するようになって−る＠ ところで前記上部透明電極６の形成は、ＢＬ層４上に第
２の誘電体層６としてのＹ２Ｏ２層を均一部透明電極６
を形成するのであるが、この際の蝕刻液社通常塩酸＜Ｈ
ＣＪ）を用いるので、ＹｍＯｓからなる第２の誘電体層
５も同時に蝕刻されて、上部透明電極６が第２の誘電体
層６上に？Ｐ！上がった形でパターンニングされるので
、その上部透明電極６の剥離を生じることがあり、その
結果パネルのＩＩ造歩留塾の低下な招く欠点があった。
本発明位前述の点に鑑みなされたもので、その目的は上
部透明電極を形成する際に第２の誘電体層が蝕刻される
のを防ぐことにより上部透明電極のｉａｍを防止し、も
づて製造歩留りの向上を図った低電駆動可能なＩＬ表示
パネルの製麺方法を提供することであり、その特徴は絶
縁基板上に下部電極を形成し、該下部電極を含む絶縁基
板表面に第１０誘電体層と１１層および第２の誘電体層
を順次積層し、該第２の誘電体層上に所定形状の上部透
明電極を形成してなるＩＬ表示パネルの製造方法にお−
て、前記透明電極となるぺ自透明導電膜Ｏ下に１あらか
じめ当該透明導電膜に対する蝕１１１筐に耐蝕性を有す
る絶縁体からなる保護層を形成し良状態で前記上部透明
電極をパターンエングするようにし九とζろにある◎ 以下本発明の実施例につ自ｗｉ面を参照して説明する・ 第２図および第８図位本発明によるＩＬ表示パネルＯＩ
Ｉ″ｉ１方法を説明するための要部断面図で順次に示し
た工程図であって、第１図と同等部分に祉同−符号を付
した◇ まず第２図に示す上うに、アルミナ基体ｌａ上にガラス
層１ｂを積層した絶縁基板１を用意し、その絶縁基板１
上にＭＯからなる線状の下部電極２を並設する。そして
その下部電極２表面を含む絶縁基板１の表面ＫＰｂＴ１
０ｍ、の第１の誘電体層８を形成し、その誘電体層３上
にＺｎ８＋Ｍｎからなるｌ！ＩＬ層４およびＹｔＯｓの
第２の誘電体Ｎ５を順次形成する。ここまでの工程社従
来と同じであるが、本発明においては第２の誘電体層５
上に保護層７を形成し、その保護層γ上に上部透明電極
となるべ１１ Ｉ’ｌ’Ｏの透明導電膜６′が形成しで
ある。
部透明電極を形成する際に第２の誘電体層が蝕刻される
のを防ぐことにより上部透明電極のｉａｍを防止し、も
づて製造歩留りの向上を図った低電駆動可能なＩＬ表示
パネルの製麺方法を提供することであり、その特徴は絶
縁基板上に下部電極を形成し、該下部電極を含む絶縁基
板表面に第１０誘電体層と１１層および第２の誘電体層
を順次積層し、該第２の誘電体層上に所定形状の上部透
明電極を形成してなるＩＬ表示パネルの製造方法にお−
て、前記透明電極となるぺ自透明導電膜Ｏ下に１あらか
じめ当該透明導電膜に対する蝕１１１筐に耐蝕性を有す
る絶縁体からなる保護層を形成し良状態で前記上部透明
電極をパターンエングするようにし九とζろにある◎ 以下本発明の実施例につ自ｗｉ面を参照して説明する・ 第２図および第８図位本発明によるＩＬ表示パネルＯＩ
Ｉ″ｉ１方法を説明するための要部断面図で順次に示し
た工程図であって、第１図と同等部分に祉同−符号を付
した◇ まず第２図に示す上うに、アルミナ基体ｌａ上にガラス
層１ｂを積層した絶縁基板１を用意し、その絶縁基板１
上にＭＯからなる線状の下部電極２を並設する。そして
その下部電極２表面を含む絶縁基板１の表面ＫＰｂＴ１
０ｍ、の第１の誘電体層８を形成し、その誘電体層３上
にＺｎ８＋Ｍｎからなるｌ！ＩＬ層４およびＹｔＯｓの
第２の誘電体Ｎ５を順次形成する。ここまでの工程社従
来と同じであるが、本発明においては第２の誘電体層５
上に保護層７を形成し、その保護層γ上に上部透明電極
となるべ１１ Ｉ’ｌ’Ｏの透明導電膜６′が形成しで
ある。
前記保護層７は透明導電膜６′の蝕刻液であるＨｃｌに
対して耐蝕性を有する絶縁体からなり、本実施例にお−
て社層厚が１０００ Ａ〜５ｏｏｏ人の酸化アルミニウ
ム（ムＩｍｐｍ＞層で形成しである。そして透明導電膜
６′上にはホトレジスト層８が所定形状にパターンエン
グしである０このように上部透明電極となるべき透明導
電膜６′の下にあらかじめその透明導電膜６′に対する
蝕刻液に耐蝕性を有する保護層７を形成したー態でホト
レジスト愚８をマスタとして、透明導電膜６′を蝕刻す
る。そしてホシレジス）層８を除資すると、第８図に示
すように保護層７上Ｋ Ｉ’ｌ’Ｏからなる線上の上部
透明電極６が前記下部電極２と直交する関係でパターン
ニングされる〇 このように上部透明電極６をパターンニンダする際、あ
らかじめ前記のような保護層７を形成しておくことｋよ
シ、従来蝕１１液で蝕刻されていた第２の誘電体層５０
蝕＊が防止され、その誘電体層６の蝕１１１に起因して
生じて−た上部透明電極６０剥離を防ぐことが可能とな
るのである。かくして安価１６縁基板を用いて低電圧駆
動化を図ったＩＬ表示パネルを容１に形成することがで
きる。
対して耐蝕性を有する絶縁体からなり、本実施例にお−
て社層厚が１０００ Ａ〜５ｏｏｏ人の酸化アルミニウ
ム（ムＩｍｐｍ＞層で形成しである。そして透明導電膜
６′上にはホトレジスト層８が所定形状にパターンエン
グしである０このように上部透明電極となるべき透明導
電膜６′の下にあらかじめその透明導電膜６′に対する
蝕刻液に耐蝕性を有する保護層７を形成したー態でホト
レジスト愚８をマスタとして、透明導電膜６′を蝕刻す
る。そしてホシレジス）層８を除資すると、第８図に示
すように保護層７上Ｋ Ｉ’ｌ’Ｏからなる線上の上部
透明電極６が前記下部電極２と直交する関係でパターン
ニングされる〇 このように上部透明電極６をパターンニンダする際、あ
らかじめ前記のような保護層７を形成しておくことｋよ
シ、従来蝕１１液で蝕刻されていた第２の誘電体層５０
蝕＊が防止され、その誘電体層６の蝕１１１に起因して
生じて−た上部透明電極６０剥離を防ぐことが可能とな
るのである。かくして安価１６縁基板を用いて低電圧駆
動化を図ったＩＬ表示パネルを容１に形成することがで
きる。
なお前述Ｏ実施例で社保護層７をムｊ！０３で形成した
場合について述べたが、それＫｌｌらず醗化タンタルＣ
Ｔｍ重Ｏｓ）等のその他の耐蝕性を有する絶縁体で形成
することもで龜る０また第１の誘電体層１１ｄＰｂ’ｌ
’五〇５ＫｌｉＩらずＹ２Ｏ２等のその他の誘電体物質
で構成すること吃できるし、さらにまた絶縁基板として
アルミナ基体上にガラス層を積層した不透明なものを用
いず、透明なガラス基板上に透明な下部電極を形成し、
絶縁基板側と上部透明電極側の両側から発光セルの光を
取り出すよりなＭＬ表示パネルの形成に運用しても同様
の効果を得る仁とができる。
場合について述べたが、それＫｌｌらず醗化タンタルＣ
Ｔｍ重Ｏｓ）等のその他の耐蝕性を有する絶縁体で形成
することもで龜る０また第１の誘電体層１１ｄＰｂ’ｌ
’五〇５ＫｌｉＩらずＹ２Ｏ２等のその他の誘電体物質
で構成すること吃できるし、さらにまた絶縁基板として
アルミナ基体上にガラス層を積層した不透明なものを用
いず、透明なガラス基板上に透明な下部電極を形成し、
絶縁基板側と上部透明電極側の両側から発光セルの光を
取り出すよりなＭＬ表示パネルの形成に運用しても同様
の効果を得る仁とができる。
以上の説明から明らかなように要するに本発明は、絶縁
基板上に所定形状の下部電極を形成し、該下部電極表面
を含む絶縁基板表面に第１の誘電体層と１ｌｔＬ層およ
び第２の誘電体層を順次積層し、該第２の誘電体層上に
所定形状の上部透明電極を形成してなるＥＬ表示パネル
の製造方法において、前記上部透明電極となるべき透明
導電膜の下に、あらかじめ当該透明導電膜に対する蝕刻
液に耐蝕性を有する絶縁体からなる保護層を形成した状
態で前記上部透明電極をパターンエングすることにより
上部透明電極をパターンニングする際に第２の誘電体層
が蝕刻されるのを防止するようにしたもので、その誘電
体層が蝕刻されることに起因して生じて−た上部透明電
極の剥離を防止し得て、安価な絶縁基板を用いて低電圧
駆動を図った］！ＩＬ表示パネルを高い製造歩留りで形
成することができ、ＭＬ表示パネルの低価格化ができる
利点を有し、その実用的効果は大である。
基板上に所定形状の下部電極を形成し、該下部電極表面
を含む絶縁基板表面に第１の誘電体層と１ｌｔＬ層およ
び第２の誘電体層を順次積層し、該第２の誘電体層上に
所定形状の上部透明電極を形成してなるＥＬ表示パネル
の製造方法において、前記上部透明電極となるべき透明
導電膜の下に、あらかじめ当該透明導電膜に対する蝕刻
液に耐蝕性を有する絶縁体からなる保護層を形成した状
態で前記上部透明電極をパターンエングすることにより
上部透明電極をパターンニングする際に第２の誘電体層
が蝕刻されるのを防止するようにしたもので、その誘電
体層が蝕刻されることに起因して生じて−た上部透明電
極の剥離を防止し得て、安価な絶縁基板を用いて低電圧
駆動を図った］！ＩＬ表示パネルを高い製造歩留りで形
成することができ、ＭＬ表示パネルの低価格化ができる
利点を有し、その実用的効果は大である。
第１図は従来のＩＬ表示パネルの製造方法を説明するた
めの要部断面図、第２図および第８図蝶本発明のＥＬ表
示パネルの製造方法を説明するための要部断面図で順次
に示した工程図である。 １ｇ絶縁基板、１ｍ＝アルミナ基体、１ｂＨガラス層、
２Ｉ下部電極、８および５寡第１および第２の誘電体層
、４１１１Ｌ層、６Ｉ上部透明電極、６′走 ！部用導電膜、７：保護層、８ ”ホトレジスト層。 ｉｓ ｌ 図 第２図 第３図
めの要部断面図、第２図および第８図蝶本発明のＥＬ表
示パネルの製造方法を説明するための要部断面図で順次
に示した工程図である。 １ｇ絶縁基板、１ｍ＝アルミナ基体、１ｂＨガラス層、
２Ｉ下部電極、８および５寡第１および第２の誘電体層
、４１１１Ｌ層、６Ｉ上部透明電極、６′走 ！部用導電膜、７：保護層、８ ”ホトレジスト層。 ｉｓ ｌ 図 第２図 第３図
Claims (1)
- 絶縁基板上に所定形状の下部電極を形成し、該下部電極
表面を書も絶縁基板表面に第１の誘電体層と１１１層お
よび第！０誘電体層を順次積層し、該第２の誘電体層上
に所定形状の上部透明電極を形成してなるＩＬ表示パネ
ルの製造方法において、性を有する絶縁体からなる保護
層を形成した状態で前年上部透明電極をパターンエング
するようにしたことを特徴とするＩＬ表示パネルの製造
方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118901A JPS5819893A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | Ｅｌ表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118901A JPS5819893A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | Ｅｌ表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819893A true JPS5819893A (ja) | 1983-02-05 |
Family
ID=14747967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56118901A Pending JPS5819893A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | Ｅｌ表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819893A (ja) |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP56118901A patent/JPS5819893A/ja active Pending
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