JPS62268092A - エレクトロルミネセンス薄膜発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、交流電源によって駆動され平面表示装置ξに
用いられるのに適したエレクトロルミネセンス薄膜発光
素子の改良に関するものである。

（従来技術） 最近、この種のエレクトロルミネセンス薄膜発光素子は
三層構造のものが実用化されている。この構造の発光素
子は、高い輝度と信頼性を有するので実用化されている
が、２００Ｖの高い駆動電圧で駆動されるので高価とな
る欠点があり、駆動電圧を低くするためには発光層の上
下に設けられた材料の誘電率と絶縁耐圧を高くする必要
があって従来の材料と製法とでは限界があった。このた
め、近年セラミック基板とこのセラミック基板の上に印
刷して形成されたリード用下部電極とこの下部電極を覆
うようにセラミック基板の上に設けられた高誘電体セラ
ミック層とこの高誘電体セラミック層の上に設けられた
エレクトロルミネセンス発光層とエレクトロルミネセン
ス発光層の上に設けられた透明Ｍｆ、極とを備えた薄膜
発光素子が提案されているセラミック基板は通常Ａｌ２
Ｏ３のセラミックグリンシートから成り、下部電極はＡ
ｇ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｄ等の導電ペーストを印刷して形成
され、高誘電体セラミック層はＢ　ａ　Ｔ　ｉ　０３　
。

Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　０３等の誘電率が１Ｏ０００以上の材
料を積層して形成されている。またエレクトロルミネセ
ンス発光層は稀土類、遷移金属の発光センタを０．２乃
至２．０重量％含むＺｎＳ　。

Ｚｎ５ｅ、ＣａＳ等のＩＩ−ＶＩ族材料をＥＢ革着法、
スパッタリング法、ＭＯ−ＣＶＤ法等によって成膜して
形成され、透明′電極はＩＴＯ、ＺｎＯ等の材料で形成
されている。このような構造はドツトマトリックス型の
発光素子には好ましいが、７セグメント、シンボル等の
表示には透明電極をＩＴＯのエツチングプロセスによっ
て形成する必要があるので高価となる欠点があった。

（発明の目的） 本発明の目的は、７セグメント表示、シンボル表示等に
必要な透明電極をＩＴＯのエツチングプロセスを必要と
することなく、従って安価に得ることができるエレクト
ロルミネセンス薄膜発光素子を提供することにある。

（発明の構成） 本発明に係るエレクトロルミネセンス薄膜発光素子は、
セラミック基板と、このセラミック基板の上に印刷して
形成されたリード用下部電極と、この下部電極を覆うよ
うにセラミック基板の上に設けられた高誘電体セラミッ
ク層と。

この高誘電体セラミック層の上に設けられたエレクトロ
ルミネセンス発光層と、このエレクトロルミネセンス発
光層の上に設けられた透明電極とを備えているが、セラ
ミック基板と高話′電体セラミック層との間に設けられ
下部電極と電気的に接触すべき位置に小孔を有する絶縁
ペースト印刷層から成る絶縁層と、この絶縁層の小孔を
介して下部電極に接触するように絶縁層の上に印刷して
形成されたセグメント電極とを更に備えていることを特
徴としている。

このようにセラミック基板と高誘電体セラミック層との
間に絶縁層の上に印刷して形成されたセグメント電極を
有すると、透明電極はエツチングプロセスを必要とする
ことなく印刷技術によって形成することができるので簡
単な工程で安価に得ることができる。

（実施例） 本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図は本発明に係るエレクトロルミネセンス薄膜発光素
子１０を示し、このエレクトロルミネセンス薄膜発光素
子１０は、セラミック基板１２と、このセラミック基板
１２の上に印刷して形成されたリード用下部電極１４と
７この下部電極１４を覆うようにセラミック基板１２の
上に設けられた高誘電体セラミック層１６と、この高誘
電体セラミック層１６の上に設けられたエレクトロルミ
ネセンス発光層１８と、このエレクトロルミネセンス発
光層１８の上に設けられた透明電極２０とを備えている
。

また１本発明のエレクトロルミネセンス薄膜発光素子１
０は、セラミック基板１２と高誘電体セラミック層１６
との間に設けられ下部電極１４と電気的に接触すべき位
置に小孔２２ａを有する絶縁ペースト印刷層から成る絶
縁層２２と、この絶縁層２２の小孔２２ａを介して下部
電極１４に接触するように絶縁層２２の上に印刷して形
成されたセグメント１ｉ８ｉ２４とを更に備えている。

次に１本発明の薄膜エレクトロルミネセンス薄膜発光素
子の製造方法を第２図を参照してのべると、先ず第２図
（Ａ）に示すように、セラミック基板１２としては通常
Ａｌ２Ｏ３を主原料とした約１ｍｍの厚みのセラミック
グリンシートを用意し、このセラミック基板１２の上に
Ａｇ−Ｐｄ　、Ａｕ−Ｐｄ等の導電ペーストを印刷して
下部電極１４を形成する。次いで、第２図（Ｂ）に示す
ように、この下部′心棒１４と接触すべき位置にピアホ
ール（小孔２２ａ）を設けるようなパターンでガラスフ
リットを主成分とした絶縁性ペーストをスクリーン印刷
して２５用の厚みの絶縁層２２を形成する。また、第２
図（Ｃ）に示すように、この絶縁層２２のピアホールに
対応してＡｇ−Ｐｄの導電性ペーストを印刷してセグメ
ント電極２４を形成する。

その後、第２図（Ｄ）に示すように、その上にＢａＴｉ
Ｏ３，５ｒＴｉ０３等１７）Ｍ電率が１００００以ヒの
グリンシートを粒層して８００℃で焼成して高ｊＡｉｔ
Ｅ体セラミック層１６を形成する。エレクトロルミネセ
ンス発光層１８は第２図（Ｅ）に示すようにこの高誘電
体セラミック層１６のＥに稀土類、遷移金属の発光セン
タを０．２乃至２．０ｆｆｉｉ％含むＺｎＳ：Ｍｎ、Ｚ
ｎｓ：Ｔｄ、Ｆ等のｒｒ−ｖｒ族材料をＥＢｉＢｉ１２
パッタリング法、ＭＯ−ＣＶＤ法等によってＩＬＯＯＯ
Ａ乃至１５０００Ａに成膜して形成し、最後に透明電極
は第２図ＣＦ）に示すようにＩＴ○、　Ｓ　ｎ０２　、
　Ｚ　ｎｏ　（Ａ　ｌ）等の材料で印刷によって形成さ
れる。

（発明の効果） 本発明によれば、上記のように、セラミック基板と高誘
電体セラミック層との間に絶縁層の上に印刷して形成さ
れたセグメント電極を設けたので透明電極はエツチング
プロセスを必要とすることなく印刷技術によって形成す
ることができ、従ってセグメント表示用のエレクトロル
ミネセンス発光素子を簡単な工程で安価に得ることがで
きる実益がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るエレクトロルミネセンス薄膜発光
素子の断面図、第２図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明に係る
エレクトロルミネセンス薄膜発光素子の製造工程を順に
示す概略斜視図である。 １０−−−−一エレクトロルミネセンスｆ６　膜５ａ光
素子、１２−−−−−セラミック基板、１４−一一一一
下部電極、１８−−−−−エレクトロルミネセンス発光
層、２０−−−−一透明電極、２２−−−−−絶縁層、
２２ａ−−−−−小孔、２４−−一−−セグメント電極
。 ’Ｍｌ　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　セラミック基板と，前記セラミック基板の上に印刷し
   て形成されたリード用下部電極と，前記下部電極を覆う
   ようにセラミック基板の上に設けられた高誘電体セラミ
   ック層と，前記高誘電体セラミック層の上に設けられた
   エレクトロルミネセンス発光層と，前記エレクトロルミ
   ネセンス発光層の上に設けられた透明電極とを備えたエ
   レクトロルミネセンス薄膜発光素子において，前記セラ
   ミック基板と前記高誘電体セラミック層との間に設けら
   れ前記下部電極と電気的に接触すべき位置に小孔を有す
   る絶縁ペースト印刷層から成る絶縁層と，前記絶縁層の
   小孔を介して前記下部電極に接触するように前記絶縁層
   の上に印刷して形成されたセグメント電極とを更に備え
   たことを特徴とするエレクトロルミネセンス薄膜発光素
   子。