JPS58197762A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58197762A JPS58197762A JP8038782A JP8038782A JPS58197762A JP S58197762 A JPS58197762 A JP S58197762A JP 8038782 A JP8038782 A JP 8038782A JP 8038782 A JP8038782 A JP 8038782A JP S58197762 A JPS58197762 A JP S58197762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric constant
- capacitor
- film
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 28
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 18
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板上に容量素子と電極と全形成した半
導体装置に関し、とくに砒化ガリウム基板上に形成した
マイクロ波モノリシック集積回路に関する。特に、高集
積化と、周波数特性の向上とを容易に実現し得るマイク
ロ波モノリシック集積回路に関する。
導体装置に関し、とくに砒化ガリウム基板上に形成した
マイクロ波モノリシック集積回路に関する。特に、高集
積化と、周波数特性の向上とを容易に実現し得るマイク
ロ波モノリシック集積回路に関する。
砒化ガリウム基板上に例えば、従来のＭＥ８ＦＥＴ構造
金有する能動素子と抵抗及び容量等の受動素子と全形成
したマイクロ波モノリシ、り集積回路、（以下、ＭＭＩ
Ｃとよぶ）は、増幅或いは周波数混合等の機能が単一チ
、ブにて実現し得る事から量産効果による低コスト性及
び砒化ガリウムを使用する事による良好な高周波特性の
二つの観点から特に期待されている。低コスト化の実現
のためにはチア１寸法の低減即ち高集積化が必要であり
、個別回路素子自体の小屋化が必要である。
金有する能動素子と抵抗及び容量等の受動素子と全形成
したマイクロ波モノリシ、り集積回路、（以下、ＭＭＩ
Ｃとよぶ）は、増幅或いは周波数混合等の機能が単一チ
、ブにて実現し得る事から量産効果による低コスト性及
び砒化ガリウムを使用する事による良好な高周波特性の
二つの観点から特に期待されている。低コスト化の実現
のためにはチア１寸法の低減即ち高集積化が必要であり
、個別回路素子自体の小屋化が必要である。
又％ＭＭ Ｉ Ｃにおいては普通交差配線（以下クロス
オーバーという）が存在し、配線用金属化層間に不必要
な寄生容量を生ずる。この寄生容量は■訂Ｃの高周波特
性を劣化せしめる大きな要因となる。
オーバーという）が存在し、配線用金属化層間に不必要
な寄生容量を生ずる。この寄生容量は■訂Ｃの高周波特
性を劣化せしめる大きな要因となる。
故に、低コストかつ良好な高周波特性を有する■訂Ｃを
実現するには、個別回路素子の小型化と共に。
実現するには、個別回路素子の小型化と共に。
上記寄生容量の低減をも達成する必要がある。
従来、ＭＭＩＣにおいては、オーバーレイ構造を有する
容！ｉ素子が広く用いられている。これは砒化ガリウム
基板上に形成された第一の金属化（以下、第一層金属化
層という）と、該金属化層の−主表面上に適当な厚さで
形成されり誘電体ＩＩＩ（例えば二酸化ケイ素）と、更
に該Ｉｌｌｌｌ屠体層生表面上に形成された第二の金属
化層（以下、第二層金属化層という）とから成る容量素
子である（以下％ＭＩＭキャパシタという）、ＭＭＩＣ
では、各種個別回路素子のうち、容量素子としての上記
ＭＩＭキャパシタの面積が非常に太き（、ＭＭＩＣチッ
プの小型化ひいては高集積度化を実現するのに大きな欠
点である。一般にＭＩＭキャパシタの容量値は、その面
積と誘電体層を形成する誘電体材料の誘電率とに比例し
、誘電体層厚さに逆比例する。
容！ｉ素子が広く用いられている。これは砒化ガリウム
基板上に形成された第一の金属化（以下、第一層金属化
層という）と、該金属化層の−主表面上に適当な厚さで
形成されり誘電体ＩＩＩ（例えば二酸化ケイ素）と、更
に該Ｉｌｌｌｌ屠体層生表面上に形成された第二の金属
化層（以下、第二層金属化層という）とから成る容量素
子である（以下％ＭＩＭキャパシタという）、ＭＭＩＣ
では、各種個別回路素子のうち、容量素子としての上記
ＭＩＭキャパシタの面積が非常に太き（、ＭＭＩＣチッ
プの小型化ひいては高集積度化を実現するのに大きな欠
点である。一般にＭＩＭキャパシタの容量値は、その面
積と誘電体層を形成する誘電体材料の誘電率とに比例し
、誘電体層厚さに逆比例する。
故にＭＩＭキャパシタの面積上軽減・するには、高誘電
率を有する誘電体材料（例えば窒化ケイ素或いは五酸化
タンタル）の使用、又は誘電体層の厚さ音低減する必要
がある。
率を有する誘電体材料（例えば窒化ケイ素或いは五酸化
タンタル）の使用、又は誘電体層の厚さ音低減する必要
がある。
一方、前述の様にＭＭＩＣにおいては、配線用金属化層
の間でクロスオーバを形成する部分が存在し、高周波特
性を劣化させる寄生容量が生ずる。
の間でクロスオーバを形成する部分が存在し、高周波特
性を劣化させる寄生容量が生ずる。
特に、能動素子として０ＦＥＴにおいては、ＦＥＴの小
塩化のた、め及び高周波特性の劣化を防ぐ虎め。
塩化のた、め及び高周波特性の劣化を防ぐ虎め。
単位フィンガー当シのゲート幅は制限される。従って、
広いゲート幅が必要となる場合、ゲートの７４°ンガー
数管増加する必要があり、ゲート電極とソース電極との
間に必ずクロスオーバーが形成される。上記ゲート・ソ
ース間のクロスオーバーに起因する寄生容量は、ＦＥＴ
の寄生入力容量と成９．その高周波利得特性音大きく劣
化せしめる。
広いゲート幅が必要となる場合、ゲートの７４°ンガー
数管増加する必要があり、ゲート電極とソース電極との
間に必ずクロスオーバーが形成される。上記ゲート・ソ
ース間のクロスオーバーに起因する寄生容量は、ＦＥＴ
の寄生入力容量と成９．その高周波利得特性音大きく劣
化せしめる。
上記、寄生入力容量による利得特性の劣化は特に、超高
周波領斌では無視し得ない、従って、ＭＭＩＣの高集積
化と超高周波化とを実現す漬ためには、前ｅＭＩＭキャ
パシタの小屋化と、クロスオーバーに起因する寄生容量
の低減化と全矛盾なく同時に達成しなければならない。
周波領斌では無視し得ない、従って、ＭＭＩＣの高集積
化と超高周波化とを実現す漬ためには、前ｅＭＩＭキャ
パシタの小屋化と、クロスオーバーに起因する寄生容量
の低減化と全矛盾なく同時に達成しなければならない。
ＭＭＩＣの従来構造においては、上述のＦＥＴクロスオ
ーバ一部は、ＭＩＭキャパシタと同様な構造を有してい
る。即わち、砒化ガリウム基板上に形成されたゲート金
属化層（例えばＡＪ）と、このゲート金属化層の一生表
面上にＭＩＭキャパシタと同一厚さ、及び同一誘電体材
料（例えば二酸化ケイ素）にて形成された単一の誘電体
層とｓ骸鰐電体層の一生表面上に形成された金属化層と
から成る。
ーバ一部は、ＭＩＭキャパシタと同様な構造を有してい
る。即わち、砒化ガリウム基板上に形成されたゲート金
属化層（例えばＡＪ）と、このゲート金属化層の一生表
面上にＭＩＭキャパシタと同一厚さ、及び同一誘電体材
料（例えば二酸化ケイ素）にて形成された単一の誘電体
層とｓ骸鰐電体層の一生表面上に形成された金属化層と
から成る。
上記の従来構造によれば、ＭＩＭキャパシタ小型化のた
め、高誘電率の誘電体材料を用いるか、又は誘電体層厚
さを減じ％皺ＭＩＭキャパシタの単位面積当９の容量値
を増加せしめ九場合、前記、ＰＥＴのクロスオーバ部も
ＭＩＭキャパシタ部と同一材料かつ同一厚さの単一の誘
電体層にて形成されているため％ＰＲＴの寄生入力容量
も増加し、高周波利得特性が劣化する。逆に、ＰＥＴの
寄生入力容量を低減するため、低誘電率の誘電体材料を
使用するか又は誘電体層の厚さを増加した場合。
め、高誘電率の誘電体材料を用いるか、又は誘電体層厚
さを減じ％皺ＭＩＭキャパシタの単位面積当９の容量値
を増加せしめ九場合、前記、ＰＥＴのクロスオーバ部も
ＭＩＭキャパシタ部と同一材料かつ同一厚さの単一の誘
電体層にて形成されているため％ＰＲＴの寄生入力容量
も増加し、高周波利得特性が劣化する。逆に、ＰＥＴの
寄生入力容量を低減するため、低誘電率の誘電体材料を
使用するか又は誘電体層の厚さを増加した場合。
ＭＩＭキャパシタの所要面積が増加し、その結果ＭＭＩ
Ｃのチップサイズが増加する。以上の様に、従来のＭＭ
Ｉ Ｃ構造では％ＭＩＭキャパシタの小型化と、ＦＥ
Ｔの寄生入力容量の低減化とを同時に矛盾なく実現でき
なかった。
Ｃのチップサイズが増加する。以上の様に、従来のＭＭ
Ｉ Ｃ構造では％ＭＩＭキャパシタの小型化と、ＦＥ
Ｔの寄生入力容量の低減化とを同時に矛盾なく実現でき
なかった。
本発明の目的は、オーバーレイ構造含有する容量素子の
小型化と、クロスオーバーに起因する寄生容量の低減と
全同時に達成し得る構造を有する高周波半導体！Ｋｆ１
１ｔ−提供する事にある。
小型化と、クロスオーバーに起因する寄生容量の低減と
全同時に達成し得る構造を有する高周波半導体！Ｋｆ１
１ｔ−提供する事にある。
本発明は高誘電率を有する単一の誘電体層によ〕構成さ
れるオーバレイ構造の容量素子と、高誘電率誘電体層及
び骸誘電体層の一生表面上に形成された低酵電率誘電体
層との二層の誘電体層にょｐ構成されるクロスオーバー
郡とを有する事を特徴とする。
れるオーバレイ構造の容量素子と、高誘電率誘電体層及
び骸誘電体層の一生表面上に形成された低酵電率誘電体
層との二層の誘電体層にょｐ構成されるクロスオーバー
郡とを有する事を特徴とする。
以下、歯面を用いて１本発明の一実施例の詳細な説明を
行なう。纂１図は、本発明を通用したマイクロ波モノリ
シ、り集積回路の一実施例として構成された抵抗帰還型
広帯域増幅器チャプロの平向図管示す、同図において、
手帖縁性砒化ガリウム基板１上には選択イオン注入等の
方法にてＭＥ８ＦＥＴの活性層が形成されている０本実
施例におけるＦｇＴは２本のフィンガーを有し、ゲート
電極２は、ソース電極３とＦＥＴの活性層領域外でクロ
スオーバー７を構成し、更にＭＩＭキャパシタ６の第一
層金属化層を形成している。又、ドレイン電極４とゲー
ト電極２との間には、抵抗素子５とＭＩＭキャパシタ６
とから成る帰還回路が形成されている。クロスオーバー
７に起因するゲート・ソース間寄生容量の増加が、該増
幅器の高周波領域における利得特性を劣化させる事は明
らかである。
行なう。纂１図は、本発明を通用したマイクロ波モノリ
シ、り集積回路の一実施例として構成された抵抗帰還型
広帯域増幅器チャプロの平向図管示す、同図において、
手帖縁性砒化ガリウム基板１上には選択イオン注入等の
方法にてＭＥ８ＦＥＴの活性層が形成されている０本実
施例におけるＦｇＴは２本のフィンガーを有し、ゲート
電極２は、ソース電極３とＦＥＴの活性層領域外でクロ
スオーバー７を構成し、更にＭＩＭキャパシタ６の第一
層金属化層を形成している。又、ドレイン電極４とゲー
ト電極２との間には、抵抗素子５とＭＩＭキャパシタ６
とから成る帰還回路が形成されている。クロスオーバー
７に起因するゲート・ソース間寄生容量の増加が、該増
幅器の高周波領域における利得特性を劣化させる事は明
らかである。
第２図は第１図内の入−Ａ１面における断面図を示す０
Ｍ着及び選択エツチング等の方法で金属化層９が半絶縁
性基板１上に形成され、ゲート電極とＭＩＭキャパシタ
の第一層金属化層とを構成している。同様に、オーム性
金属化層１０が、す７トオフ等の方法で形成され１選択
金メッキ等によりソース電極３が形成されている。又、
金メッキ処理される領域以外には、高誘電率を有する誘
電体層８（例えば、窒化ケイ素或いは五酸化タンタル）
が形成され、ＭＩＭキャパシタは該−一電率一電体層と
第一層金属化層９及び第二層金属化層６とにより構成さ
れる。高誘電率誘電体層の便用に！ｌ１％ＭＩＭキャパ
シタの面積低減は可能であり、更に該面積が減少すると
、ＭＩＭキャパシタの歩留りよシ豊求される上記高誘電
率誘電体層の最小厚さも減じ得るのでＭＩＭキャパシタ
の小型化が−１容易になる０％に、五酸化タンタルは例
えば、二酸化ケイ累に比較して約ｌＯ倍程度大きな誘電
率を有するため、ＭＩＭキャパシタの大幅な小型化を容
易に達成し得る。
Ｍ着及び選択エツチング等の方法で金属化層９が半絶縁
性基板１上に形成され、ゲート電極とＭＩＭキャパシタ
の第一層金属化層とを構成している。同様に、オーム性
金属化層１０が、す７トオフ等の方法で形成され１選択
金メッキ等によりソース電極３が形成されている。又、
金メッキ処理される領域以外には、高誘電率を有する誘
電体層８（例えば、窒化ケイ素或いは五酸化タンタル）
が形成され、ＭＩＭキャパシタは該−一電率一電体層と
第一層金属化層９及び第二層金属化層６とにより構成さ
れる。高誘電率誘電体層の便用に！ｌ１％ＭＩＭキャパ
シタの面積低減は可能であり、更に該面積が減少すると
、ＭＩＭキャパシタの歩留りよシ豊求される上記高誘電
率誘電体層の最小厚さも減じ得るのでＭＩＭキャパシタ
の小型化が−１容易になる０％に、五酸化タンタルは例
えば、二酸化ケイ累に比較して約ｌＯ倍程度大きな誘電
率を有するため、ＭＩＭキャパシタの大幅な小型化を容
易に達成し得る。
これに加えて、ＦＢＴＯクロスオーバ７においては、前
記高誘電率誘電体層８の一生表面上に低誘電率の誘電体
層１１（例えば、二濱化ケイＪ）が十分な厚さ會持って
形成されている。従って、ｓｔｌ記高ｌ１ｌｔ率誘電体
層８の使用によるＦ’ＥＴのゲート・ソース間の寄生入
力容重の増加が容易に防止できる。
記高誘電率誘電体層８の一生表面上に低誘電率の誘電体
層１１（例えば、二濱化ケイＪ）が十分な厚さ會持って
形成されている。従って、ｓｔｌ記高ｌ１ｌｔ率誘電体
層８の使用によるＦ’ＥＴのゲート・ソース間の寄生入
力容重の増加が容易に防止できる。
以上のように、本発明によｎばＭＩＭキャパシタの小型
化が容易に実現され、かつ、ＦＥＴのクロスオーバに起
因する寄生入力容量の増加を容易に防止し得る◆は明ら
かである。又１本発明が、多数のフィンガーを有し、従
って多数のクロスオーバを有する超高周波電力増幅用Ｍ
Ｅ８ ＦＥＴｔ構成ｌｌＩ素として含むモノリシック
超高周波電力増幅器を初め、他の半導体装置においても
有効である事は明白である。
化が容易に実現され、かつ、ＦＥＴのクロスオーバに起
因する寄生入力容量の増加を容易に防止し得る◆は明ら
かである。又１本発明が、多数のフィンガーを有し、従
って多数のクロスオーバを有する超高周波電力増幅用Ｍ
Ｅ８ ＦＥＴｔ構成ｌｌＩ素として含むモノリシック
超高周波電力増幅器を初め、他の半導体装置においても
有効である事は明白である。
第１因は本発明の一実施例を示すマイクロ波モノリシ、
り集積回路の平面図であり、第２図は第１図ムーλ′面
における断面図である。 １・・・・・・半絶縁性砒化ガリウム基板、２・・・・
・・ゲート電極、３・・・・・・ソース電極％４・・・
・・・ドレイン電極。 ５・・・・・・抵抗素子、６・・・・・・ＭＩＭキャパ
シタ、７・・・・・・クロスオーバ、８・・・・・・高
誘電率誘電体層、９・・・・・・金属化ｊ−％ ｌＯ・
・・・・・オーム性金属化層、１１・・・・・・低誘電
率−電体層。
り集積回路の平面図であり、第２図は第１図ムーλ′面
における断面図である。 １・・・・・・半絶縁性砒化ガリウム基板、２・・・・
・・ゲート電極、３・・・・・・ソース電極％４・・・
・・・ドレイン電極。 ５・・・・・・抵抗素子、６・・・・・・ＭＩＭキャパ
シタ、７・・・・・・クロスオーバ、８・・・・・・高
誘電率誘電体層、９・・・・・・金属化ｊ−％ ｌＯ・
・・・・・オーム性金属化層、１１・・・・・・低誘電
率−電体層。
Claims (1)
- ｊｌｌの誘電体層により形成されるオーツ（レイ構造の
容量素子と、前記第１の誘電体層上に形成された第２の
誘電体層との積層構造よりなる電極間クロスオーバ部と
を有する事全特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8038782A JPS58197762A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8038782A JPS58197762A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197762A true JPS58197762A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13716872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8038782A Pending JPS58197762A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008843A1 (de) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte schaltungsstruktur mit einem aktiven mikrowellenbauelement und mindestens einem passiven bauelement |
-
1982
- 1982-05-13 JP JP8038782A patent/JPS58197762A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008843A1 (de) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte schaltungsstruktur mit einem aktiven mikrowellenbauelement und mindestens einem passiven bauelement |
| US5969405A (en) * | 1994-09-14 | 1999-10-19 | Seimens Aktiengesellschaft | Integrated circuit structure having an active microwave component and at least one passive component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4042952A (en) | R. F. power transistor device with controlled common lead inductance | |
| US4837536A (en) | Monolithic microwave integrated circuit device using high temperature superconductive material | |
| US4479100A (en) | Impedance matching network comprising selectable capacitance pads and selectable inductance strips or pads | |
| US6081006A (en) | Reduced size field effect transistor | |
| JPH08172161A (ja) | インダクタ素子とその製法およびそれを用いたモノリシックマイクロ波集積回路素子 | |
| US5739560A (en) | High frequency masterslice monolithic integrated circuit | |
| US5998817A (en) | High power prematched MMIC transistor with improved ground potential continuity | |
| JPH06349676A (ja) | マイクロチップコンデンサ | |
| JPH0661058A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS58197762A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4663049B2 (ja) | 電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを含むモノリシックマイクロ波集積回路、及び設計方法 | |
| JPH05335487A (ja) | 伝送回路素子 | |
| JP3455413B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6800929B1 (en) | Semiconductor device | |
| US4786881A (en) | Amplifier with integrated feedback network | |
| JPS6255721B2 (ja) | ||
| US11842996B2 (en) | Transistor with odd-mode oscillation stabilization circuit | |
| JPS6251509B2 (ja) | ||
| JPS6246551A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02207563A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6255722B2 (ja) | ||
| JPH0218603B2 (ja) | ||
| JP2000357774A (ja) | 複数本導線線路、インダクタ素子及びモノリシックマイクロ波集積回路 | |
| JPH0661422A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH04109604A (ja) | マイクロ波半導体装置 |