JPS5819471A - セレン蒸着用蒸発源 - Google Patents
セレン蒸着用蒸発源Info
- Publication number
- JPS5819471A JPS5819471A JP11731681A JP11731681A JPS5819471A JP S5819471 A JPS5819471 A JP S5819471A JP 11731681 A JP11731681 A JP 11731681A JP 11731681 A JP11731681 A JP 11731681A JP S5819471 A JPS5819471 A JP S5819471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- selenium
- molten
- evaporation
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン蒸着作業中に蒸着材料の温度を精度よく
制御できるセレン蒸着用蒸発源に関する。
制御できるセレン蒸着用蒸発源に関する。
電子写真用感光体あるいはセレン整流器の製造のために
行われるセレン系材料の蒸着作業において蒸発源の温度
を精度よく制御することは、所望の特性の感光体あるい
は整流器を得るために必要である。セレン蒸発源として
は、菖１１１に示すような構造が知られ、蒸発源外側容
Ｉ１１の内部に収容されたボート２にセレンあるいはセ
レン合金３を入れ、ボート２の上下に配置されたヒータ
４ＩＣよって加熱し【蒸着材料３を融解し容器開口部Ｓ
より蒸発させる。この場合のボート２の中の蒸着材料３
の等温−線は第２図に示す通りで、融解した蒸発材料３
０表面と底部との間に大きな温度差を生じ、底部から表
面に近づくにつれて温度が低くなる。この温度差はボー
ト２の中の蒸着材料３の量、すなわち櫟さの違〜・によ
って変化する。嬉３図はボート底部の温度を一定にした
場合の蒸着進行中の蒸着材料表面の温度変化を示す。こ
のよ５に表面の温度が低いのは、セレンあるいはセレン
合金の放射熱の吸収率が悪いためである。しかも蒸着条
件の均一化のためには、蒸着材料の表面の温度が一定に
なるように制御すべ館であるのに拘らず、温度検出の困
難さから第１図に示すよ５にボート底部の温度な熱電対
６で検出して温度制御を行っていた。従って生成された
蒸着層の特性を精度よく制御することが困難であった。
行われるセレン系材料の蒸着作業において蒸発源の温度
を精度よく制御することは、所望の特性の感光体あるい
は整流器を得るために必要である。セレン蒸発源として
は、菖１１１に示すような構造が知られ、蒸発源外側容
Ｉ１１の内部に収容されたボート２にセレンあるいはセ
レン合金３を入れ、ボート２の上下に配置されたヒータ
４ＩＣよって加熱し【蒸着材料３を融解し容器開口部Ｓ
より蒸発させる。この場合のボート２の中の蒸着材料３
の等温−線は第２図に示す通りで、融解した蒸発材料３
０表面と底部との間に大きな温度差を生じ、底部から表
面に近づくにつれて温度が低くなる。この温度差はボー
ト２の中の蒸着材料３の量、すなわち櫟さの違〜・によ
って変化する。嬉３図はボート底部の温度を一定にした
場合の蒸着進行中の蒸着材料表面の温度変化を示す。こ
のよ５に表面の温度が低いのは、セレンあるいはセレン
合金の放射熱の吸収率が悪いためである。しかも蒸着条
件の均一化のためには、蒸着材料の表面の温度が一定に
なるように制御すべ館であるのに拘らず、温度検出の困
難さから第１図に示すよ５にボート底部の温度な熱電対
６で検出して温度制御を行っていた。従って生成された
蒸着層の特性を精度よく制御することが困難であった。
本発明は、これに対し、蒸発源において、動憤されたセ
レン系蒸着材料の深さ方向の温度差が少なく、かつ蒸着
材料表面の温度を精度よく制御できる蒸発源を提供する
ことを目的とする。
レン系蒸着材料の深さ方向の温度差が少なく、かつ蒸着
材料表面の温度を精度よく制御できる蒸発源を提供する
ことを目的とする。
この目的はセレンまたはセレン合金からなる蒸着材料を
収容した容器の上下に蒸着材料を加熱。
収容した容器の上下に蒸着材料を加熱。
融解させるための熱源が配置されたものにおいて、融解
した蒸着材料にアルミニウム板が浮べられ、そのアルミ
ニウム板は一面に分布した多数の貫通孔を有し、かつ温
度の検出器が取り付けられていることによって達成され
る。
した蒸着材料にアルミニウム板が浮べられ、そのアルミ
ニウム板は一面に分布した多数の貫通孔を有し、かつ温
度の検出器が取り付けられていることによって達成され
る。
以下、図を引用して本発明の実施例について説明する。
第４図において、第１図と共通の部分には同一の符号が
付されている。図示されているように、ボート（内側容
器）２内で融解したセレンあるいはセレン合金３の中に
アルミニウムからなる板７が浮かべられている。これは
セレンの比重が約４．８であるのに対し、アルミニウム
の比重が約２．７であるからである。アルミニウム板？
ＩＣは、第５図に示すように無数の小さい貫通孔８が、
明けられて〜・る、蒸着材料３はこの貫通孔８と表面張
力の作用によりアルミニウム板フの表面を覆い、ヒータ
４よりの放射熱はアルミニウム板７に吸収され、蒸発表
面に近い蒸着材料３に効率よく伝えられる。アルミニウ
ムはセレンと合金し難〜曳のでセレン浴ないしセレン蒸
着層の純度を下げることがない。さらにアルミニウム板
に体熱電対６を容易に取り付けることができるので、こ
の熱電対６を用いて蒸着材料の蒸発表面近傍の温度を精
度よく制御することかできる。このため蒸着条件力ζ一
定に保たれ、蒸着の全期間にわたって均一な蒸着層を得
ることができる。このことは蒸着材料として分留しゃす
いセレン・テルル合金のような合金を用いるときに特に
有利である。第６図は蒸着期間中に生ずる蒸着層のテル
ル濃度の変化を示し、第１図に示すような従来の蒸発源
を用〜た時＆ｉ。
付されている。図示されているように、ボート（内側容
器）２内で融解したセレンあるいはセレン合金３の中に
アルミニウムからなる板７が浮かべられている。これは
セレンの比重が約４．８であるのに対し、アルミニウム
の比重が約２．７であるからである。アルミニウム板？
ＩＣは、第５図に示すように無数の小さい貫通孔８が、
明けられて〜・る、蒸着材料３はこの貫通孔８と表面張
力の作用によりアルミニウム板フの表面を覆い、ヒータ
４よりの放射熱はアルミニウム板７に吸収され、蒸発表
面に近い蒸着材料３に効率よく伝えられる。アルミニウ
ムはセレンと合金し難〜曳のでセレン浴ないしセレン蒸
着層の純度を下げることがない。さらにアルミニウム板
に体熱電対６を容易に取り付けることができるので、こ
の熱電対６を用いて蒸着材料の蒸発表面近傍の温度を精
度よく制御することかできる。このため蒸着条件力ζ一
定に保たれ、蒸着の全期間にわたって均一な蒸着層を得
ることができる。このことは蒸着材料として分留しゃす
いセレン・テルル合金のような合金を用いるときに特に
有利である。第６図は蒸着期間中に生ずる蒸着層のテル
ル濃度の変化を示し、第１図に示すような従来の蒸発源
を用〜た時＆ｉ。
破線６１が示すように蒸着初期の、すなわち基体との界
面に近い蒸着層ではテルル濃闇力を低く、蒸着終期の、
すなわち表面に近い蒸着層で＋ｉテルル澁度が高くなる
。これに対し第４図に示すよ５な本発明による蒸発源を
用いた時には、実線６２が示すように蒸着層の全厚さＫ
わたってほぼ均一のテルル＃１度を有する。
面に近い蒸着層ではテルル濃闇力を低く、蒸着終期の、
すなわち表面に近い蒸着層で＋ｉテルル澁度が高くなる
。これに対し第４図に示すよ５な本発明による蒸発源を
用いた時には、実線６２が示すように蒸着層の全厚さＫ
わたってほぼ均一のテルル＃１度を有する。
以上述べたように、本発明は蒸発源において容器中に融
解されたセレンあるいはセレン合金の表面にそれより比
重の小さいアルミ、ラムの多数の孔の明いた板を浮べ、
その板により上部ヒータよりの放射熱を吸収させるとと
もに、その板に取付けられた温度検出器により蒸着材料
の温度制御を行うことによって蒸発表面の蒸着材料を所
定の温ｆＫ効率よく上昇させる奄ので、得られる蒸１着
層の特性の均−化忙極めて有効であり、＃に電子写真用
感光体のためのセレン・テルル合金感光層の生成に使用
して感光体特性のばらつきを従来の３分の１以下に低減
することができた。
解されたセレンあるいはセレン合金の表面にそれより比
重の小さいアルミ、ラムの多数の孔の明いた板を浮べ、
その板により上部ヒータよりの放射熱を吸収させるとと
もに、その板に取付けられた温度検出器により蒸着材料
の温度制御を行うことによって蒸発表面の蒸着材料を所
定の温ｆＫ効率よく上昇させる奄ので、得られる蒸１着
層の特性の均−化忙極めて有効であり、＃に電子写真用
感光体のためのセレン・テルル合金感光層の生成に使用
して感光体特性のばらつきを従来の３分の１以下に低減
することができた。
第１図は従来の蒸発源の一例の断面図、第２図はそのボ
ートの中で融解した蒸着材料内部の等温曲ｍ図、第３図
はその蒸着期間中の表面温度線図、第４図は本発明によ
るセレン蒸着用蒸発源の一実施例の断面図、第５図はそ
れに用いられたアルミニウム板の拡大斜視図、第６図は
本発明による蒸発源を用いて作成したセレン・テルル合
金蒸着層の厚さ方向のテルル濃度線図である。 １・・・蒸発源外側容器、２・・・内側容器（＋／、−
））、３・・・蒸着材料、４・・・ヒータ、６・・・熱
電対、７・・・アルミニウム板、８・・・Ｘ通孔。
ートの中で融解した蒸着材料内部の等温曲ｍ図、第３図
はその蒸着期間中の表面温度線図、第４図は本発明によ
るセレン蒸着用蒸発源の一実施例の断面図、第５図はそ
れに用いられたアルミニウム板の拡大斜視図、第６図は
本発明による蒸発源を用いて作成したセレン・テルル合
金蒸着層の厚さ方向のテルル濃度線図である。 １・・・蒸発源外側容器、２・・・内側容器（＋／、−
））、３・・・蒸着材料、４・・・ヒータ、６・・・熱
電対、７・・・アルミニウム板、８・・・Ｘ通孔。
Claims (1)
- ｌ）セレンまたはセレノ合金からなる蒸着材料を収容し
た容器の上下に蒸着材料を加熱、融解させるための熱源
が配置されたｔのｋおいて、融解した蒸着材料にアル（
−１ム板が浮べられ、鋏アルｉニウム板は一面に分布し
た多数の貰通孔を有し、かつ温度の検出器が取り付けら
れたことを特徴とするセレン蒸着用蒸発源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11731681A JPS5819471A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | セレン蒸着用蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11731681A JPS5819471A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | セレン蒸着用蒸発源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819471A true JPS5819471A (ja) | 1983-02-04 |
Family
ID=14708728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11731681A Pending JPS5819471A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | セレン蒸着用蒸発源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242850A (ja) * | 1985-06-11 | 1987-02-24 | ドミノ プリンテイング サイエンシズ ピ−エルシ−． | 連続インキジエツト式印刷方法 |
| WO2007023737A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Tokki Corporation | 有機材料の真空蒸着方法およびその装置 |
| US7488966B2 (en) | 2007-03-23 | 2009-02-10 | Fujifilm Corporation | Radiation detector and method for producing photoconductive layer for recording thereof |
| CN109518136A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-03-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 蒸镀结构、蒸镀系统及蒸镀结构的使用方法 |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP11731681A patent/JPS5819471A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242850A (ja) * | 1985-06-11 | 1987-02-24 | ドミノ プリンテイング サイエンシズ ピ−エルシ−． | 連続インキジエツト式印刷方法 |
| WO2007023737A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Tokki Corporation | 有機材料の真空蒸着方法およびその装置 |
| US20090176036A1 (en) * | 2005-08-25 | 2009-07-09 | Eiichi Matsumoto | Method of organic material vacuum evaporation and apparatus thereof |
| US8357241B2 (en) | 2005-08-25 | 2013-01-22 | Canon Tokki Corporation | Method of organic material vacuum evaporation and apparatus thereof |
| US7488966B2 (en) | 2007-03-23 | 2009-02-10 | Fujifilm Corporation | Radiation detector and method for producing photoconductive layer for recording thereof |
| CN109518136A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-03-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 蒸镀结构、蒸镀系统及蒸镀结构的使用方法 |
| WO2020151495A1 (zh) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀结构、蒸镀装置、蒸镀系统及蒸镀结构的使用方法 |
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