JPS58194350A - ウエハのストリ−ト検出装置 - Google Patents
ウエハのストリ−ト検出装置Info
- Publication number
- JPS58194350A JPS58194350A JP57077688A JP7768882A JPS58194350A JP S58194350 A JPS58194350 A JP S58194350A JP 57077688 A JP57077688 A JP 57077688A JP 7768882 A JP7768882 A JP 7768882A JP S58194350 A JPS58194350 A JP S58194350A
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- JP
- Japan
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- light receiving
- receiving element
- light
- street
- output
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
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- Control Of Position Or Direction (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＩＣなどを作るときに便うウェハのストリ
ートを検出してウェハのファインアライメントをする装
置についてのものである。
ートを検出してウェハのファインアライメントをする装
置についてのものである。
ウェハは第１図のように外形が円状になっており、直交
するストリート６で各チップを区切り、外形の一部には
位置決めの基準になるオリエンテーションフラット２を
設ける。
するストリート６で各チップを区切り、外形の一部には
位置決めの基準になるオリエンテーションフラット２を
設ける。
第１図のス）リ−）３の部分拡大図を第２図に、第２図
の断面図を第６図に示す。図の６１〜６６はそｎぞｎ直
交するストリートで、その幅はＷであり、４と５はＩＣ
のチップである。
の断面図を第６図に示す。図の６１〜６６はそｎぞｎ直
交するストリートで、その幅はＷであり、４と５はＩＣ
のチップである。
第１図の − 、ウェハ１を
検査＃キ牛するには、ウェハ１の平行合せが必要になる
。このためには、オリエンテーションフラット２を利用
してウェハ１の位ｆ１１を粗調整し、さらにストリート
６に対するファインアライメントをする。
検査＃キ牛するには、ウェハ１の平行合せが必要になる
。このためには、オリエンテーションフラット２を利用
してウェハ１の位ｆ１１を粗調整し、さらにストリート
６に対するファインアライメントをする。
次に、光ビームを利用し友ス） ’Ｊ −ト検出装置の
原理図を第４図に示す。図で、１１は発光素子、１２Ｆ
ｉビームスグリツタ、１６は受光素子である。
原理図を第４図に示す。図で、１１は発光素子、１２Ｆ
ｉビームスグリツタ、１６は受光素子である。
発光素子１１からの光ビームＩＩＡはビームスズリツタ
１２で光ビーム１１Ｂになりウェハ１を照射する。ウェ
ハ１からの反射光１１Ｃはビームスプリッタ１２をとお
って反射光１１Ｌ）になり、受光素子１３に達する。
１２で光ビーム１１Ｂになりウェハ１を照射する。ウェ
ハ１からの反射光１１Ｃはビームスプリッタ１２をとお
って反射光１１Ｌ）になり、受光素子１３に達する。
次に、ウェハ１に対する入射光と反射光の関係を第５図
に示す。１１Ｅ〜１１Ｇは光ビーム１１Ｂのうち、スト
リート３１への入射光であシ、ストリート６１から正反
射する。ＩＩＨはストリート６１とチップ５の界面への
入射光であり、界面で乱反射する。１１にはチップ５へ
の入射光であシ、図のようにランダムに反射する。
に示す。１１Ｅ〜１１Ｇは光ビーム１１Ｂのうち、スト
リート３１への入射光であシ、ストリート６１から正反
射する。ＩＩＨはストリート６１とチップ５の界面への
入射光であり、界面で乱反射する。１１にはチップ５へ
の入射光であシ、図のようにランダムに反射する。
したがって、ス） ＩＪ −） ５１とチップ５の反射
光では、その強さが異なるので、反射光の強弱に １
エリストリート３１の位置を検出することができる。
光では、その強さが異なるので、反射光の強弱に １
エリストリート３１の位置を検出することができる。
この発明は、反射光１１Ｄ’ｉ田の字状に配列した４１
１６１の受光素子とこの４個の受光素子の外側に配置し
た４個の受光素子で検出し、外−の４１−の受光素子出
力からス） ＩＪ −） ３１の向きを知り、内側の４
個のうち２ａずつ組にした受光素子の出力が等しくなる
ようにウェノ・１を移動してストリート６１のファイン
アライメントをするものである。以下、図面によりこの
発明の詳細な説明する。
１６１の受光素子とこの４個の受光素子の外側に配置し
た４個の受光素子で検出し、外−の４１−の受光素子出
力からス） ＩＪ −） ３１の向きを知り、内側の４
個のうち２ａずつ組にした受光素子の出力が等しくなる
ようにウェノ・１を移動してストリート６１のファイン
アライメントをするものである。以下、図面によりこの
発明の詳細な説明する。
ます、この発明による実施例の構成図を第６図に示す。
第６図はス）リ−）３１部分の反射光１１１）と受光素
子１３Ａ〜１３Ｈをオーバーラツプして図示したもので
、受光素子１６Ａ〜１６１１とス） ＩＪ −） ５１
の関係を次の（１）〜（４）ｖようにする。
子１３Ａ〜１３Ｈをオーバーラツプして図示したもので
、受光素子１６Ａ〜１６１１とス） ＩＪ −） ５１
の関係を次の（１）〜（４）ｖようにする。
（リ ４個の受光素子１３Ａ〜１６０を田の字状に配列
する。
する。
（２） 受光素子１３Ａと受光素子１３Ｂ、受光素す
１５Ｃと受光素子１３Ｄがそｒｔ、−ｔ”扛ストリート
６１に平行になるように配置する。
１５Ｃと受光素子１３Ｄがそｒｔ、−ｔ”扛ストリート
６１に平行になるように配置する。
（Ｓ）受光素子１３Ａと受光素子１３１）、受光素子１
５Ｂと受光素子１６Ｃがそｎぞｔしストリー１６１に直
角になる工うに配置する。
５Ｂと受光素子１６Ｃがそｎぞｔしストリー１６１に直
角になる工うに配置する。
（４）受光素子１６Ａ〜１６Ｄの外餞に受光素子１５Ａ
〜１３１）ｉ包む形で４個の受光素子１６Ｅ〜１５Ｈｔ
−配置する。そして、受光素子１３Ａ・１３Ｂに対し受
光素子１３Ｆ・１３Ｈは半行に、受光素子１６Ｂ・１５
Ｇは直角になるようにそ扛ぞ扛装置する。
〜１３１）ｉ包む形で４個の受光素子１６Ｅ〜１５Ｈｔ
−配置する。そして、受光素子１３Ａ・１３Ｂに対し受
光素子１３Ｆ・１３Ｈは半行に、受光素子１６Ｂ・１５
Ｇは直角になるようにそ扛ぞ扛装置する。
第２図のように、ストリート６１とストリート６２は直
交しているので、（６）の条件はストリート６２に平行
になるように配置するといいかえても工い。
交しているので、（６）の条件はストリート６２に平行
になるように配置するといいかえても工い。
受光素子１３Ａ〜１３Ｄは密着させても離してもよく、
各受光素子間の距離Ｌ１ｔ一式で示せば次のようになる
。
各受光素子間の距離Ｌ１ｔ一式で示せば次のようになる
。
Ｌ＋≧０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・（１）第６図の斜線部沙は第５図の界面により乱反
射ス） ＩＪ−ト３１とチップ５の界面にぶる乱反射は
ジップ４＠に現ｎる。すなわち、界面による乱反射はチ
ップ４・５部分による乱反射工りも反射力向が比較的ま
とまっており、斜線部分に受光素子を配置すｎば、反射
光１１Ｄよりは弱いが、第１図の光ビームＩＩＢｔ−あ
てない部分ようは大きな出力をとり出すことができる。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・（１）第６図の斜線部沙は第５図の界面により乱反
射ス） ＩＪ−ト３１とチップ５の界面にぶる乱反射は
ジップ４＠に現ｎる。すなわち、界面による乱反射はチ
ップ４・５部分による乱反射工りも反射力向が比較的ま
とまっており、斜線部分に受光素子を配置すｎば、反射
光１１Ｄよりは弱いが、第１図の光ビームＩＩＢｔ−あ
てない部分ようは大きな出力をとり出すことができる。
受光素子１．５Ｆ・１３Ｈは、この界面の反射光を検出
するためのものである。
するためのものである。
次に、反射光１１Ｄと受光素子１３Ａ〜１３Ｈの部分を
第７図に示す、第７図のＬ２は受光素子１ｔＡ〜１３Ｄ
の外縁間の距離、Ｌ５は受光素子１３Ｅ〜１３Ｈの距離
、Ｄは反射光１１Ｄのビーム径である。
第７図に示す、第７図のＬ２は受光素子１ｔＡ〜１３Ｄ
の外縁間の距離、Ｌ５は受光素子１３Ｅ〜１３Ｈの距離
、Ｄは反射光１１Ｄのビーム径である。
この発明では、ストリート６１の幅Ｗ、反射光１１Ｄの
ビーム径Ｄ、受光素子１５Ａ〜１３１）の距離Ｌ＋、受
光素子１３８〜１３Ｈの距離Ｌ３の間に、次の関係を設
定する。
ビーム径Ｄ、受光素子１５Ａ〜１３１）の距離Ｌ＋、受
光素子１３８〜１３Ｈの距離Ｌ３の間に、次の関係を設
定する。
Ｄ＞Ｗ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・−・・・・・（２）Ｌ
ｓ ） Ｄ ） Ｌ ＋・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ ・・・・・（３）
式（２）から、ビーム径りはストリート６１の幅Ｗ工り
も大きいので、第６図のようにチップ４、ストリート３
１お工びチップ５にまたがって反射光ＩＩＩ）が得らｎ
る。
・・・・・・・・・・・・・・・−・・・・・（２）Ｌ
ｓ ） Ｄ ） Ｌ ＋・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ ・・・・・（３）
式（２）から、ビーム径りはストリート６１の幅Ｗ工り
も大きいので、第６図のようにチップ４、ストリート３
１お工びチップ５にまたがって反射光ＩＩＩ）が得らｎ
る。
また、式（５）から受光素子１５Ａ〜１？６Ｄは同時に
反射光１１Ｄ＝１受光することができる。受光索子１３
ｇと受光素子１５Ｇはビーム径りの外にあるので、反射
光１１Ｄを受光しないが、受光素子１３Ｆと受光素子１
５Ｈは第５図の界凹による乱反射を受光する。
反射光１１Ｄ＝１受光することができる。受光索子１３
ｇと受光素子１５Ｇはビーム径りの外にあるので、反射
光１１Ｄを受光しないが、受光素子１３Ｆと受光素子１
５Ｈは第５図の界凹による乱反射を受光する。
し友がって、受光素子１３Ｅ・１ｔＧに出力がなく、受
光素子１３Ｆ・１３Ｈに出力があるときは、受光素子１
５Ａ〜１３１）がス） ＩＪ −ト３１に対し第６図の
関係になっており、この状態で受光素子１５Ａの出力と
受光素子１５Ｂの出力のオロと、受光素子１６Ｃの出力
と受光素子１５Ｄの出力の相がそれぞ扛等しいときは、
ストリート６１の中心と反射光１１１）の中心が一致し
ていることになる。逆に、この出力の和が異なるときは
、この出力の和が等しくなる工うにウニ・・１を移動さ
せる ｉ’１ことに工り、ストリート６１のファイ
ンアライメントをすることができる。
光素子１３Ｆ・１３Ｈに出力があるときは、受光素子１
５Ａ〜１３１）がス） ＩＪ −ト３１に対し第６図の
関係になっており、この状態で受光素子１５Ａの出力と
受光素子１５Ｂの出力のオロと、受光素子１６Ｃの出力
と受光素子１５Ｄの出力の相がそれぞ扛等しいときは、
ストリート６１の中心と反射光１１１）の中心が一致し
ていることになる。逆に、この出力の和が異なるときは
、この出力の和が等しくなる工うにウニ・・１を移動さ
せる ｉ’１ことに工り、ストリート６１のファイ
ンアライメントをすることができる。
距＠Ｌ２とビーム径りとの関係は任意であるが。
１２牛りのとき検出効率がもっともよい。
第６図はストリート６１を検出する場合であるが、第２
図のストリート３２・６６などの工うにストリート３１
と直交するス） ＩＪ −） ｔ−検出する場合は、受
光素子１３Ｅの出力と受光素子１５Ｇの出力が受光素子
１３Ｆの出力と受光索子１３Ｈの出力よりも大きい状態
で、受光素子１，５Ａの出力と受光素子１３Ｄの出力の
和と、受光素子１３Ｂの出力と受光素子１５Ｃの出力の
和が等しくなる工うにウェハ１ｆ：移動させｎ＃ｉよい
。
図のストリート３２・６６などの工うにストリート３１
と直交するス） ＩＪ −） ｔ−検出する場合は、受
光素子１３Ｅの出力と受光素子１５Ｇの出力が受光素子
１３Ｆの出力と受光索子１３Ｈの出力よりも大きい状態
で、受光素子１，５Ａの出力と受光素子１３Ｄの出力の
和と、受光素子１３Ｂの出力と受光素子１５Ｃの出力の
和が等しくなる工うにウェハ１ｆ：移動させｎ＃ｉよい
。
以上の工うに、この発明に工ｎば外側に配置し７ｈ４１
１ｍの受光素子の出力でストリートとの向きを確認し、
中央に配置した４個の受光素子の出力全ストリートの状
態に応じて２個ずつ加算し、この加算出力を調整するこ
とにより、ウエノ・のファインアライメントをすること
ができる。
１ｍの受光素子の出力でストリートとの向きを確認し、
中央に配置した４個の受光素子の出力全ストリートの状
態に応じて２個ずつ加算し、この加算出力を調整するこ
とにより、ウエノ・のファインアライメントをすること
ができる。
縞１図はウエノ・の外観図、
第２図は第１図のス） ＩＪ−） ５の部分拡大図、第
６図は第２図の断面図。 第４図はストリート検出装置の原理図。 第５図はウェハ１に対する入射光と反射光の関係図。 第６図はこの発明による実施例の構成図、第７図は第６
図の反射光１１１）と受光索子１６Ａ〜１３１−１の部
分図。 １・・・・・ウェハ、２・・・・・・オリエンテーショ
ンフラノ ト 、 ６ ・ ・・・ス ト リ −
ト 、 ４ ・・ ・・・ プ“ ソ プ、 ５ ・
・ ・・ナツフ、１１・・・・・・発光素子、ＩＩＡ〜
ＩＩＫ・・・・・・光ビーム、１２・・・・・・ビーム
スプリッタ、１６・・・・受光素子、１６Ａ〜１３Ｈ・
・・・・・受光素子、６１〜６３・・・・・ストリート
。 代理人 弁理士 小俣欽司 第１１！３ Ｚ 第９因 第８図 第４図 第５図
６図は第２図の断面図。 第４図はストリート検出装置の原理図。 第５図はウェハ１に対する入射光と反射光の関係図。 第６図はこの発明による実施例の構成図、第７図は第６
図の反射光１１１）と受光索子１６Ａ〜１３１−１の部
分図。 １・・・・・ウェハ、２・・・・・・オリエンテーショ
ンフラノ ト 、 ６ ・ ・・・ス ト リ −
ト 、 ４ ・・ ・・・ プ“ ソ プ、 ５ ・
・ ・・ナツフ、１１・・・・・・発光素子、ＩＩＡ〜
ＩＩＫ・・・・・・光ビーム、１２・・・・・・ビーム
スプリッタ、１６・・・・受光素子、１６Ａ〜１３Ｈ・
・・・・・受光素子、６１〜６３・・・・・ストリート
。 代理人 弁理士 小俣欽司 第１１！３ Ｚ 第９因 第８図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェハ（１）に光ビーム（ＩＩＢ）をあて、ウェ
ハ（１）からの反射光（１１Ｄ） ′ｔ−検出すること
に工りウェハ（１）の直交するストリー）（５１）とス
トリー） Ｃ５２）をファインアライメントする装置に
おいて、４個の受光素子（１３Ａ）〜（１３Ｄ）を田の
字状に配列し、 受光素子（１，５Ａ）と受光素子（１６Ｂ）、受光素子
（１３Ｃ）と受光素子（１３Ｄ）がそｎぞＣストリート
（６１）に平行になるように配置するとともに。 受光素子（１３Ａ）と受光素子（１３Ｄ）、受光素子（
１１）と受光素子（１！ｔｃ）がそｎぞｎストリート（
６２）に平行になるように配置し、 受光素子（１３Ａ）〜（１３Ｄ）の外側に受光素子（１
６Ａ）〜Ｃ１６Ｄ） ′ｔ−包む形で４１１＃の受光素
子（１３Ｂ）〜＜１５Ｈ）を配置するとともに、受光素
子（１３Ａ）・（１３Ｄ）に対し受光素子（Ｌ５Ｆ）・
（１３Ｈ）は平行に、ぞ扛装置し１ 、ｘ ） ！Ｊ −ト（３１） ・（３２）ノｍＷ、
反射光（１１Ｄ）ノビーム径り、各受光素子（１６Ａ）
〜（１６Ｄ）の距離Ｌ１、受光素子（１３Ｅ）〜（１３
１（）の距離Ｌ３のとき、Ｄ ） Ｗ 、 Ｌ ３）
Ｄ ：＞ Ｌ ＋、Ｌ ＋ ≧０になるように調節し
、 ストリート（５１１検出するときは、受光素子（１５Ｆ
＞の出力と受光素子（１３Ｈ）の出力が受光素子（１５
ｇ）の出力と受光素子（１３Ｇ）の出力よシも大きい状
態で、受光素子（１５Ａ）の出力と受光素子（１６Ｂ）
の出力の和、受光素子（１，５Ｃ）の出力と受光素子（
１，５Ｄ）の出力の和がそｎぞＣ等しくなるようにウェ
ハ山を移動し。 ス） ！Ｊ −ト（３２）を検出するときは、受光素子
（１６Ｅ）の出力と受光素子（１３Ｇ）の出力が受光素
子（１３Ｆ）の出力と受光素子（１３）１）の出カＬジ
も大きい状態で、受光素子（１５Ａ）の出力と受光素子
（１）Ｄ）の出力の和、受光素子（１６Ｂ）の出力と受
光素子（１６Ｃ）の出力の和がそ扛ぞれ等しくなる工９
） （５２）をファインアライメントすることを特徴と
するウェハのストリート検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077688A JPS58194350A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | ウエハのストリ−ト検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077688A JPS58194350A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | ウエハのストリ−ト検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194350A true JPS58194350A (ja) | 1983-11-12 |
| JPS6142422B2 JPS6142422B2 (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=13640828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57077688A Granted JPS58194350A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | ウエハのストリ−ト検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0254871A2 (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-03 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reverse dark field alignment system for scanning lithographic aligner |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP57077688A patent/JPS58194350A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0254871A2 (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-03 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reverse dark field alignment system for scanning lithographic aligner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142422B2 (ja) | 1986-09-20 |
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