JPS58186941A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS58186941A JPS58186941A JP6867682A JP6867682A JPS58186941A JP S58186941 A JPS58186941 A JP S58186941A JP 6867682 A JP6867682 A JP 6867682A JP 6867682 A JP6867682 A JP 6867682A JP S58186941 A JPS58186941 A JP S58186941A
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- reaction gas
- electrode
- reaction chamber
- reaction
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
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- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造装置に係り、特に膨張により液化
し易い反応ガスを用いる半導体製造装置に関するもので
ある。
し易い反応ガスを用いる半導体製造装置に関するもので
ある。
従来の半導体製造装置を第１図、第２図により説明する
。
。
！ＩＩ図で、反応室１０には、アース電極１１とベース
電極セとが上下方向に対向して内設されている。
電極セとが上下方向に対向して内設されている。
アース電極１１には、第２図に示すように、アース電極
１１とベース電極認とで形成された空間と連通して、反
応室１０の７ランジ１３を貫通した反応ガス供給用の導
管１４が連結されている。導管１４には、パルプ１５が
設けられ、反応ガス供給ユニット１６に連結されている
。反応室ｌＯには、排気装置１７が導管１８で連結され
、ペース電極νには、高周波電源１９が接続されている
。
１１とベース電極認とで形成された空間と連通して、反
応室１０の７ランジ１３を貫通した反応ガス供給用の導
管１４が連結されている。導管１４には、パルプ１５が
設けられ、反応ガス供給ユニット１６に連結されている
。反応室ｌＯには、排気装置１７が導管１８で連結され
、ペース電極νには、高周波電源１９が接続されている
。
反応室１０内を排気装Ｗ１１７により所定圧まで減圧排
気した後に、ペース電極１２に被加工休刊を載置する。
気した後に、ペース電極１２に被加工休刊を載置する。
その後、パルプ巧を開放し反応ガス供給ユニッ） １６
より導管１４を経て反応室ｌＯ内に反応ガスを供給する
。この反応ガスは、高周波放電によりプラズマ化し、被
加工休園との化学反応を促進させ、反応生成物の昇華に
よって被加工体列な加工する。昇華する反応生成物は、
排気装置ｉ１７により反応室１０から排除される。
より導管１４を経て反応室ｌＯ内に反応ガスを供給する
。この反応ガスは、高周波放電によりプラズマ化し、被
加工休園との化学反応を促進させ、反応生成物の昇華に
よって被加工体列な加工する。昇華する反応生成物は、
排気装置ｉ１７により反応室１０から排除される。
このような半導体製造装置では、反応ガスとしてＣＦ４
．ＣＣＶ、のような液化し易い反応ガスを用いた場合、
この反応ガスが導管１４からアース電極１１とペース電
極戎とで形成された空間に供給される際に急激に膨張し
部分的に液化するため、次のような欠点があった。
．ＣＣＶ、のような液化し易い反応ガスを用いた場合、
この反応ガスが導管１４からアース電極１１とペース電
極戎とで形成された空間に供給される際に急激に膨張し
部分的に液化するため、次のような欠点があった。
（１）高周波放電が不安定となり、被加工物の加工不良
が生じる。
が生じる。
（２）被加工物面上に液化した反応ガスが滴下し、被加
工物の加工不良が生じる。
工物の加工不良が生じる。
（３）被加工物が、液化した反応ガスにより汚染される
。
。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去するこ
とで、被加工物の加工不良並びに汚染を防止できる半導
体製造装置を提供するものである。
とで、被加工物の加工不良並びに汚染を防止できる半導
体製造装置を提供するものである。
本発明の特徴は、反応室に内設された電極に反応室と連
通して膨張手段を設け、該膨張手段に反応ガス供給用の
導管を連結すると共に、膨張手段に加熱手段を具設した
ことで、反応ガスの急激な膨張を抑制して、その液化を
防止しょう左するこ本発明の一実施例を第３図により説
明する。なお、第３図で、第２図と同一部品は同一符号
で示し説明を省略する。
通して膨張手段を設け、該膨張手段に反応ガス供給用の
導管を連結すると共に、膨張手段に加熱手段を具設した
ことで、反応ガスの急激な膨張を抑制して、その液化を
防止しょう左するこ本発明の一実施例を第３図により説
明する。なお、第３図で、第２図と同一部品は同一符号
で示し説明を省略する。
第３図で、アース電極１１には、アース電極１１とベー
ス電極（図示省略）とで形成された空間と連通して、反
応室（図示省略）の７ランジ１３を貫通した膨張手段、
例えば、膨張管２１が設けられている。膨張管ｍは、導
管１４に連結されている。膨張管２１の横断面積は、導
管１４側からアース電極１１側へ緩やかに拡大している
。膨張管乙の外周には、加熱手段、例えば、ヒータηが
具設されている。
ス電極（図示省略）とで形成された空間と連通して、反
応室（図示省略）の７ランジ１３を貫通した膨張手段、
例えば、膨張管２１が設けられている。膨張管ｍは、導
管１４に連結されている。膨張管２１の横断面積は、導
管１４側からアース電極１１側へ緩やかに拡大している
。膨張管乙の外周には、加熱手段、例えば、ヒータηが
具設されている。
反応ガス供給ユニット （図示省略）からパルプ（図示
省略）を介し導管１４を経た反応ガスは、膨張管２１を
流通する間に緩やかに膨張し、かつ、ヒータｎで加熱さ
れ、その後、急激に膨張することなくアース電極１１と
ベース電極校とで形成されたぐ 空間に緩ｊかに供給される。
省略）を介し導管１４を経た反応ガスは、膨張管２１を
流通する間に緩やかに膨張し、かつ、ヒータｎで加熱さ
れ、その後、急激に膨張することなくアース電極１１と
ベース電極校とで形成されたぐ 空間に緩ｊかに供給される。
本実施例のような半導体製造装置では、反応ガスとして
ＣＦ４．ＣＣＩ！、のような液化し易い反応ガスを用い
た場合、反応ガスは、アース電極とベース電極とで形成
された空間に供給される前に膨張管で緩やかに膨張し、
この膨張により反応ガスの一部が液化しても、この液化
した反応ガスは、ヒータでの加熱により再気化されるの
で、アース電極とベース電極とで形成された空間には、
急激に膨張することなく緩やかに反応ガスのみが供給さ
れるため、高周波放電が安定化すると共に、被加工物表
−に液化した反応ガスが滴下することがなくなり、被加
工物の加工不良並びに汚染を防止することができる。
ＣＦ４．ＣＣＩ！、のような液化し易い反応ガスを用い
た場合、反応ガスは、アース電極とベース電極とで形成
された空間に供給される前に膨張管で緩やかに膨張し、
この膨張により反応ガスの一部が液化しても、この液化
した反応ガスは、ヒータでの加熱により再気化されるの
で、アース電極とベース電極とで形成された空間には、
急激に膨張することなく緩やかに反応ガスのみが供給さ
れるため、高周波放電が安定化すると共に、被加工物表
−に液化した反応ガスが滴下することがなくなり、被加
工物の加工不良並びに汚染を防止することができる。
本発明は、以上説明したように、半導体製造装置の反応
室に内設された電極に反応室と連通して膨張手段を設け
、該膨張手段に反応ガス供給用の導管を連結すると共に
、膨張手段に加熱手段を具設したということで、高周波
放電を安定化できると共に、被加工物表面への液化した
反応ガスの滴下を防止できるので、被加工物の加工不良
並びに汚染を防止できる効果がある。
室に内設された電極に反応室と連通して膨張手段を設け
、該膨張手段に反応ガス供給用の導管を連結すると共に
、膨張手段に加熱手段を具設したということで、高周波
放電を安定化できると共に、被加工物表面への液化した
反応ガスの滴下を防止できるので、被加工物の加工不良
並びに汚染を防止できる効果がある。
第１図は、従来の半導体製造装置の構成図、第２図は、
第１図Ａ部の拡大縦断面図、第３図は、本発明による半
導体製造装置の一実施例を示す第２図と同一部分の縦断
面図である。 ｌＯ・・・・・・反応室、１１・・曲アース電極、１３
・・・・・・７ランジ、１４・・・・・・導管、４・・
・・・・膨張管、ｎ・・・・・・ヒータ才１ 図 才２図 才３０
第１図Ａ部の拡大縦断面図、第３図は、本発明による半
導体製造装置の一実施例を示す第２図と同一部分の縦断
面図である。 ｌＯ・・・・・・反応室、１１・・曲アース電極、１３
・・・・・・７ランジ、１４・・・・・・導管、４・・
・・・・膨張管、ｎ・・・・・・ヒータ才１ 図 才２図 才３０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応室に内設された電極に反応ガス供給用の導管が
連結された半導体製造装置において、前記電極に前記反
応室と連通して膨張手段を設け、該膨張手段に前記導管
を連結すると共に、膨張手段に加熱手段を具設したこと
を特徴とする半導体製造装置。 ２、 前記膨張手段を、横断面積が前記導管側から前記
電極側へ緩やかに拡大する形状の膨張管とした特許請求
の範囲第１項記載の半導体製造装置。 ３、 前記加熱手段なヒータとした特許請求の範囲第１
項記載の半導体製造＊Ｗ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6867682A JPS58186941A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6867682A JPS58186941A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58186941A true JPS58186941A (ja) | 1983-11-01 |
| JPH0343773B2 JPH0343773B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=13380551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6867682A Granted JPS58186941A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58186941A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610316B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-08-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016079168A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 塩野義製薬株式会社 | ９員縮合環誘導体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162295A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | Ulvac Corp | Gas introducing device |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP6867682A patent/JPS58186941A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162295A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | Ulvac Corp | Gas introducing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610316B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-08-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343773B2 (ja) | 1991-07-03 |
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