JPS58185454A - ハ−ドマスク用ガラス基板 - Google Patents
ハ−ドマスク用ガラス基板Info
- Publication number
- JPS58185454A JPS58185454A JP6526882A JP6526882A JPS58185454A JP S58185454 A JPS58185454 A JP S58185454A JP 6526882 A JP6526882 A JP 6526882A JP 6526882 A JP6526882 A JP 6526882A JP S58185454 A JPS58185454 A JP S58185454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- glass
- potassium ions
- soda
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来、八−ドマスクｌ用ガラス基板として、安−なソー
ダライムガラス醇のナトリウム含４ＩｊＩ＆の多いソー
ダ質のガラス基＆を使用することが一般で好ましいが、
これをへ−ドマスク用基板として加工する揚台・そのパ
ターンｔ’ｔ： ｈｘ、ｈＳｋ中、ボストベークの温Ｉ
！Ｌ１１Ｉｌｌｌクシた揚台１ｃパターン上に！ウスニ
ンプと叶ふ微小欠陥が憂く発生して、マスク歩麺りが低
下する欠点がある。
ダライムガラス醇のナトリウム含４ＩｊＩ＆の多いソー
ダ質のガラス基＆を使用することが一般で好ましいが、
これをへ−ドマスク用基板として加工する揚台・そのパ
ターンｔ’ｔ： ｈｘ、ｈＳｋ中、ボストベークの温Ｉ
！Ｌ１１Ｉｌｌｌクシた揚台１ｃパターン上に！ウスニ
ンプと叶ふ微小欠陥が憂く発生して、マスク歩麺りが低
下する欠点がある。
又使用中、ウェハーとのコンタク）総光中にきすが付き
易（ライ７タイムが勉かい欠ムがある。
易（ライ７タイムが勉かい欠ムがある。
コアＬらの欠点の少ないホウクイ峡ガラス％石英略のナ
トリウムの含有麺の少ない又全＜１１′４＠シない４１
１！−ガラスをハード−ｆスフ用ガラス、ｉＩ＆板とす
ることは烏価であり好ましくない。
トリウムの含有麺の少ない又全＜１１′４＠シない４１
１！−ガラスをハード−ｆスフ用ガラス、ｉＩ＆板とす
ることは烏価であり好ましくない。
本発明は、力・−る安ｉなソーダ賃ガラス會原料として
上記の欠点會改書し次ハードマスク用ガフス屋板倉提供
ｒるもので、ナトリウム書有急の多いカフス基板の＃に
面の大部分又は全部のす訃すウムイオンｔカリウムでｔ
＊良して成る〇次ｒｃ＋発明の実施例ＶＣつき説明する
。
上記の欠点會改書し次ハードマスク用ガフス屋板倉提供
ｒるもので、ナトリウム書有急の多いカフス基板の＃に
面の大部分又は全部のす訃すウムイオンｔカリウムでｔ
＊良して成る〇次ｒｃ＋発明の実施例ＶＣつき説明する
。
ぼ木９゛ノソーダフイムガラス等から成るソーダガラス
蓼板ｆｔωｒ膓工程中又は研島後に、力リウムイオ〉Ｋ
乳む欲亀例えはＫＭＯ，融液中に浸漬し、４６０°Ｃで
数時間乃至２４＃に一保持する。然るときｑ」、この閣
、ソータ”ガラス板のｌｌ向から１０数声〜、、４０μ
の４さまでのナトリウムイオンは法用してＫＭＯ１のカ
リウムイオンと置換する現象か生じる。この衣幽鹸化処
珈終了後外部に取り田し檜ＡＪ既存°Ｊる。かくして、
表向のみがカリ９ムイオンでＩｋ候さｎて、硬化層をも
つソーダガラス基板か旬られる。これをハードマスク用
刈うス基＠ ｒ［ＪＪＩＪ工すべく従来法に従い処珈し
、ハードマスク基板とする。血してこの加り処坦に於て
、フォトマスクを作成したＪＭＩ酋ｑツマウスニップの
生成′に試験したぞｖｋＩ来ｔよ）１衣１の曲りであっ
た。表中「従来＆板」とは、か−る恢化処堆會しないＩ
鴨し組成のソーダカラス板を用い同様にフォトマスクに
作成した基板である０表 １ ホストヘーク時間は５０分、レジストはム２−１３５０
使用、個／−とは、４００ＷＩ光字ｍ微ｍ観峯ＶＣよる
パターン上１ｄ尚りのマウスニップ発生個数を示す。
蓼板ｆｔωｒ膓工程中又は研島後に、力リウムイオ〉Ｋ
乳む欲亀例えはＫＭＯ，融液中に浸漬し、４６０°Ｃで
数時間乃至２４＃に一保持する。然るときｑ」、この閣
、ソータ”ガラス板のｌｌ向から１０数声〜、、４０μ
の４さまでのナトリウムイオンは法用してＫＭＯ１のカ
リウムイオンと置換する現象か生じる。この衣幽鹸化処
珈終了後外部に取り田し檜ＡＪ既存°Ｊる。かくして、
表向のみがカリ９ムイオンでＩｋ候さｎて、硬化層をも
つソーダガラス基板か旬られる。これをハードマスク用
刈うス基＠ ｒ［ＪＪＩＪ工すべく従来法に従い処珈し
、ハードマスク基板とする。血してこの加り処坦に於て
、フォトマスクを作成したＪＭＩ酋ｑツマウスニップの
生成′に試験したぞｖｋＩ来ｔよ）１衣１の曲りであっ
た。表中「従来＆板」とは、か−る恢化処堆會しないＩ
鴨し組成のソーダカラス板を用い同様にフォトマスクに
作成した基板である０表 １ ホストヘーク時間は５０分、レジストはム２−１３５０
使用、個／−とは、４００ＷＩ光字ｍ微ｍ観峯ＶＣよる
パターン上１ｄ尚りのマウスニップ発生個数を示す。
次に本発明ガラス基板と従来りソーダガラス板とｔビッ
カース４ＩＩＩ！ｆ＆Ｃつき試験し下記表２の結果を得
た。試験は葡’３１！ ５．０ 、／ 、庄子保持時聞
２０秒でｆｌなつ喪。
カース４ＩＩＩ！ｆ＆Ｃつき試験し下記表２の結果を得
た。試験は葡’３１！ ５．０ 、／ 、庄子保持時聞
２０秒でｆｌなつ喪。
衣 ２
又本発明ガラス慧板と従来のソーダガラス基板とをコン
タクト廁九時におけるシリコンウェハー ｌ：Ｊ、ｉ欠
配−によりマスク上に発生するキス管−奈り、た。その
結果、ｋ釆基板では６５個前後の発生に見たに対し、本
発明基板でａ１５１５個前後った。即ち１本妬明基板の
マスクツイアは、従来基板より２倍程度に延長し得るこ
とが分った。
タクト廁九時におけるシリコンウェハー ｌ：Ｊ、ｉ欠
配−によりマスク上に発生するキス管−奈り、た。その
結果、ｋ釆基板では６５個前後の発生に見たに対し、本
発明基板でａ１５１５個前後った。即ち１本妬明基板の
マスクツイアは、従来基板より２倍程度に延長し得るこ
とが分った。
上記の表Ｉｋｌ嫁化処理条件を一女検討した所Ｊ）１０
゜の融Ｈ５ｓｂａ℃以上の温度とし数時間以上保持す扛
は！ウスニップ龜発生しないことが分る。
゜の融Ｈ５ｓｂａ℃以上の温度とし数時間以上保持す扛
は！ウスニップ龜発生しないことが分る。
欝ｔｈＩ一度の６咎をよ、ＫｊｌＣｌ、の融液温度５８
０〜４８０”Ｃ，保持時間数〜２０時間の処珈が最適で
ある。
０〜４８０”Ｃ，保持時間数〜２０時間の処珈が最適で
ある。
カリウムイオンによる置換は、ＫＭＯ，が比較的融点が
低く好ましいが、ＫＮＯ３以外のカリウム−〇−液又は
これらの混合融液でも行なうことが出来る０ ナトリウム含Ｎ量の多いガラスとは、ソーダ分がＮ、、
０として全体の５％（ＩｌｌＬｊｌで）以上舊み爽負上
＆向の大部分の面域がす） ＩＪウムイ尊ンで占められ
て居るものを、１１味する。
低く好ましいが、ＫＮＯ３以外のカリウム−〇−液又は
これらの混合融液でも行なうことが出来る０ ナトリウム含Ｎ量の多いガラスとは、ソーダ分がＮ、、
０として全体の５％（ＩｌｌＬｊｌで）以上舊み爽負上
＆向の大部分の面域がす） ＩＪウムイ尊ンで占められ
て居るものを、１１味する。
このように本発明によるときは１ナトリウム１１篇の多
いカフス基板の次面の大幅分又は全部のナトリウムイオ
ンｔカリウムでｔｍ換して成るハードマスク用ガラス基
板１ｔＣより、そのハードマスクの加工時のマウスニッ
プの発生をなくし、パターン作成時比較的高温を必要と
する電子−レジスＦ工編にも適期でき、その表面峡屓の
改ＩＩによる使用寿命の延長をもたらし且つ安価なハー
ドマスク七提供できる塾の効果を有する〇丁続補正書 １イ（ｉｌｌ ５＋７．６． ）Ｈ了 。
いカフス基板の次面の大幅分又は全部のナトリウムイオ
ンｔカリウムでｔｍ換して成るハードマスク用ガラス基
板１ｔＣより、そのハードマスクの加工時のマウスニッ
プの発生をなくし、パターン作成時比較的高温を必要と
する電子−レジスＦ工編にも適期でき、その表面峡屓の
改ＩＩによる使用寿命の延長をもたらし且つ安価なハー
ドマスク七提供できる塾の効果を有する〇丁続補正書 １イ（ｉｌｌ ５＋７．６． ）Ｈ了 。
！１１許庁長官鳳
１、・ｊト件Ｌ７１表小
昭和５７年持重ｉ’Ｌ ’Ｉ＋１１１第 ６５２４８
シＪ２、発明の名称 ハードマスク用ガラス基板 ３、 ？＋ｌ１ｔＩ日をする名 ル件との関係 特許出願人 アルバッタ成農株式会社
シＪ２、発明の名称 ハードマスク用ガラス基板 ３、 ？＋ｌ１ｔＩ日をする名 ル件との関係 特許出願人 アルバッタ成農株式会社
Claims (1)
- ナトリウム含脣蝕の多いガラス基板の表面の大部分又は
全部のナトリウムイオンをカリウムで１１換して成るハ
ードマスク用カラス五似。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6526882A JPS58185454A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | ハ−ドマスク用ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6526882A JPS58185454A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | ハ−ドマスク用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185454A true JPS58185454A (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=13282001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6526882A Pending JPS58185454A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | ハ−ドマスク用ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185454A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6177644A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子線着色を防止したガラス物品 |
| JPS62153148A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子線が照射されるガラスパネル及びその製造方法 |
| JPH11503403A (ja) * | 1996-02-07 | 1999-03-26 | サン−ゴバン ビトラージュ | ガラス基材の処理方法 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6526882A patent/JPS58185454A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6177644A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子線着色を防止したガラス物品 |
| JPS62153148A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電子線が照射されるガラスパネル及びその製造方法 |
| JPH11503403A (ja) * | 1996-02-07 | 1999-03-26 | サン−ゴバン ビトラージュ | ガラス基材の処理方法 |
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