JPS58184745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58184745A JPS58184745A JP6737882A JP6737882A JPS58184745A JP S58184745 A JPS58184745 A JP S58184745A JP 6737882 A JP6737882 A JP 6737882A JP 6737882 A JP6737882 A JP 6737882A JP S58184745 A JPS58184745 A JP S58184745A
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- JP
- Japan
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- resin
- amorphous silica
- cooling fin
- semiconductor
- silica grains
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- Granted
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に係り、冷却フィンを有するモー
ルド型自冷式半導体装置に関する。
ルド型自冷式半導体装置に関する。
熱伝導性の良好なアルミニウム等の冷却フィンの一面に
、絶縁板（セラミック板）を貼付け、その絶縁板の上に
半導体ベレットやリード線等を載せて、モールドレジン
で封止し念従来の構造の半導体装置で、大量生産を行な
う場合は、下記の欠点がある。
、絶縁板（セラミック板）を貼付け、その絶縁板の上に
半導体ベレットやリード線等を載せて、モールドレジン
で封止し念従来の構造の半導体装置で、大量生産を行な
う場合は、下記の欠点がある。
１、絶縁板に使用するセラミック板は非常に割れやすく
、作業条件の変動により、セラミック板が割れる。
、作業条件の変動により、セラミック板が割れる。
２ 半導体装ａ５ｃ構成する部材の線膨張係数を比較す
るとリード線としてのレジン、アルミニウムはあまり大
差ない、しかしセラミック板は約３倍程度異なるため、
ヒートサイクルが加わった時に無理な力が加わって、セ
ラミック板が割れやすい。
るとリード線としてのレジン、アルミニウムはあまり大
差ない、しかしセラミック板は約３倍程度異なるため、
ヒートサイクルが加わった時に無理な力が加わって、セ
ラミック板が割れやすい。
本発明の目的は、冷却フィンの一面と半導体ペレット等
との間に、割れ易く、シかも他の構成部材と比較して、
線膨張係数が大巾に異なる絶縁板全介在させる事なくし
て、半導体ペレット等と冷却フィンの間の絶縁耐圧、熱
抵抗等の所定の性能ケ持たせた半導体装１１ケ提供する
ことにある。
との間に、割れ易く、シかも他の構成部材と比較して、
線膨張係数が大巾に異なる絶縁板全介在させる事なくし
て、半導体ペレット等と冷却フィンの間の絶縁耐圧、熱
抵抗等の所定の性能ケ持たせた半導体装１１ケ提供する
ことにある。
本発明の％徴とするところに冷却フィンと半導気
体ペレット等分一定距離隔てるように配置し、電、的枦
縁性樹脂でモールド封止するに当シ、樹脂に非晶雀シリ
カ粒？含有させたことにある。
縁性樹脂でモールド封止するに当シ、樹脂に非晶雀シリ
カ粒？含有させたことにある。
特に、非晶質シリカ粒は表面に凹凸があシ、６０〜８０
重量％含有させていることが望ましい。
重量％含有させていることが望ましい。
第１図は、本発明の一実施例で全波整流ブリッジの典型
例？示しており、半導体ペレット１．リード線２，３に
よシ全波整流ブリッジ回路を形成された半導体部品は、
熱伝導性の良好な冷却フイ／４の凹部に、電気的絶縁性
啼４脂（モールドレジン）５を注入した後に押込んで収
納される。
例？示しており、半導体ペレット１．リード線２，３に
よシ全波整流ブリッジ回路を形成された半導体部品は、
熱伝導性の良好な冷却フイ／４の凹部に、電気的絶縁性
啼４脂（モールドレジン）５を注入した後に押込んで収
納される。
山、６は半導体（部品の位賃決、沿面長確保のための蓋
部材である。全波整流ブリッジにおいては、直流出力１
［如、によ！ｌ１発生する熱損失は異なるが、例えば直
沖出力Ｓ、ｋが５Ａの時の発生熱損失は、７〜ＩＯＷに
も達し、周囲温度が４０Ｃの時に１子導体装置が正常に
長時間動作するための条件は、半導体ペレット１分、１
５′Ｏ１Ｃ以下に抑える必要かある。半導体ペレツ）Ｉ
Ｋよシ発生する熱は、レジン５にきまれ之非晶質シリカ
粒により確保された、レンン薄膜ケ介して、冷却フィン
４に流れ、冷却フィン表面よシ大気中に放熱される。こ
の時、モールドレジン５により成形された薄膜の熱伝導
性、厚み、及び半導体部品−レジン薄膜−冷却フィンの
三者間の密着具合によシ、本半導体装置の熱抵抗は大き
く左右される。
部材である。全波整流ブリッジにおいては、直流出力１
［如、によ！ｌ１発生する熱損失は異なるが、例えば直
沖出力Ｓ、ｋが５Ａの時の発生熱損失は、７〜ＩＯＷに
も達し、周囲温度が４０Ｃの時に１子導体装置が正常に
長時間動作するための条件は、半導体ペレット１分、１
５′Ｏ１Ｃ以下に抑える必要かある。半導体ペレツ）Ｉ
Ｋよシ発生する熱は、レジン５にきまれ之非晶質シリカ
粒により確保された、レンン薄膜ケ介して、冷却フィン
４に流れ、冷却フィン表面よシ大気中に放熱される。こ
の時、モールドレジン５により成形された薄膜の熱伝導
性、厚み、及び半導体部品−レジン薄膜−冷却フィンの
三者間の密着具合によシ、本半導体装置の熱抵抗は大き
く左右される。
又、２本の入力側リード＋＠２（交流）と、２本の出力
側リード線３（直流）からなっておる外部端子の交流側
には例えば１００〜４００Ｖが印加して使用される。従
って、リード線２，３と冷却フィン４間の絶縁耐圧は、
１５００ＶＲＭＳ以上要求される。レジン薄膜を厚くす
れば、絶縁耐圧は大きくなるが熱抵抗も大きくなる。冷
却フイ／４の外形寸法を同じくしても、熱抵抗を大きく
することなく絶縁耐圧の規定ｆｉをもたせるために框、
モールドレジンの熱伝導率が良い事、絶縁耐圧が大きい
事が必要である。一方、本半導体装＊は、通電時には約
１５０ Ｃ”になり、通電してない時は常温となるため
、常温から１５０Ｃまでのヒートサイクルを受ける拳を
考えると、半導体部品を構成するリード線２．３（材質
は例えば銅でその線膨張係数は１８Ｘ１０−’ ／Ｃ）
、冷却フィン４（材質は例えばアルミニウムでその線膨
張係数は２２Ｘ１０”’／Ｃ１等と大差ない線膨張係数
を有するモールドレジンである事が望ましい。モールド
レジ／中の基本樹脂である例えばエポキシ樹脂の線膨張
係数が約６０Ｘ １０４／Ｃ） 、熱伝導率が約８Ｘ１
０−’ｍｌ／ ｓ −ｃｍ−Ｃ絶縁耐圧が約１５ｋＶ／
ｗである事を考えると、レン／物性＋１ｔ−上述の如く
、熱伝導率が良く、絶縁耐圧が大きく、他の半導体部品
と大差ない＃ｊｌ＃張係数を有するものにするためＫＦ
ｓ、、基本樹脂（エポキシ樹脂）中に、非晶質シリカを
含有させる事と、その含有率が重要である。
側リード線３（直流）からなっておる外部端子の交流側
には例えば１００〜４００Ｖが印加して使用される。従
って、リード線２，３と冷却フィン４間の絶縁耐圧は、
１５００ＶＲＭＳ以上要求される。レジン薄膜を厚くす
れば、絶縁耐圧は大きくなるが熱抵抗も大きくなる。冷
却フイ／４の外形寸法を同じくしても、熱抵抗を大きく
することなく絶縁耐圧の規定ｆｉをもたせるために框、
モールドレジンの熱伝導率が良い事、絶縁耐圧が大きい
事が必要である。一方、本半導体装＊は、通電時には約
１５０ Ｃ”になり、通電してない時は常温となるため
、常温から１５０Ｃまでのヒートサイクルを受ける拳を
考えると、半導体部品を構成するリード線２．３（材質
は例えば銅でその線膨張係数は１８Ｘ１０−’ ／Ｃ）
、冷却フィン４（材質は例えばアルミニウムでその線膨
張係数は２２Ｘ１０”’／Ｃ１等と大差ない線膨張係数
を有するモールドレジンである事が望ましい。モールド
レジ／中の基本樹脂である例えばエポキシ樹脂の線膨張
係数が約６０Ｘ １０４／Ｃ） 、熱伝導率が約８Ｘ１
０−’ｍｌ／ ｓ −ｃｍ−Ｃ絶縁耐圧が約１５ｋＶ／
ｗである事を考えると、レン／物性＋１ｔ−上述の如く
、熱伝導率が良く、絶縁耐圧が大きく、他の半導体部品
と大差ない＃ｊｌ＃張係数を有するものにするためＫＦ
ｓ、、基本樹脂（エポキシ樹脂）中に、非晶質シリカを
含有させる事と、その含有率が重要である。
モールドレジ／中に含まれる非晶質シリカ粒の量が増加
すると、線膨張係数は小さくなシ、熱伝導率が増加して
モールドレジンの物性０１は向上する。しかし、非晶質
シリカ粒の量がある限度を越えると、基本樹脂（エポキ
シ樹脂）が非晶質シリカ粒の全表面に行き渡らなくなり
、空洞が出来て、耐町圧が極端に吐くなる。この限度が
約８０重量％である。一方モールドレジン中に含まれる
非晶質シリカ粒の量か、減少すると、線膨張係数、熱伝
導率、耐電圧共に基本樹脂（エポキシ樹脂）の物性＠に
近づいて来る。即ち、モールドレジンの物性値に低下す
る。非晶質シリカ粒の含有量が約６０重量％を切ったら
半導体封止用としては使用出来なくなる。
すると、線膨張係数は小さくなシ、熱伝導率が増加して
モールドレジンの物性０１は向上する。しかし、非晶質
シリカ粒の量がある限度を越えると、基本樹脂（エポキ
シ樹脂）が非晶質シリカ粒の全表面に行き渡らなくなり
、空洞が出来て、耐町圧が極端に吐くなる。この限度が
約８０重量％である。一方モールドレジン中に含まれる
非晶質シリカ粒の量か、減少すると、線膨張係数、熱伝
導率、耐電圧共に基本樹脂（エポキシ樹脂）の物性＠に
近づいて来る。即ち、モールドレジンの物性値に低下す
る。非晶質シリカ粒の含有量が約６０重量％を切ったら
半導体封止用としては使用出来なくなる。
従って、非晶質シリカ粒はモールドレジ／ＶＣ６０〜８
０重景％含有されていることが良い。
０重景％含有されていることが良い。
非晶質シリカを１重量で約７０％を含有するモールドレ
ジンは、基本樹脂（エポキシ樹脂）そのものの物性値に
比較して、線膨張係数は約３倍。
ジンは、基本樹脂（エポキシ樹脂）そのものの物性値に
比較して、線膨張係数は約３倍。
熱伝導率は約２倍、絶縁耐圧に約１．５倍改善される事
になる。この理由について、以下に述べる。
になる。この理由について、以下に述べる。
押し込みモールド方法（冷却フィン４の凹部に先にレジ
ンを注入してから、半導体部品を押し込んでセットする
モールド方法）で製作した場合の半導体部品と冷却フィ
ン４間に成形されたレジン薄膜の状態は、第２図に示す
如く、非晶質シリカ粒７の上端は、半導□体部品ケ構成
するり一ド［３に接し、下端は冷却フィン４に接する状
態となっていも。即ち、程々の形状をし念無数の非晶質
シリカ粒７牙、冷却フィン４の凹部底全面に薄く敷きつ
め皮上に、半導体部品を載せた状態となっている。そし
て、基本樹脂（例えばエポキシ樹脂）が非晶質シリカ粒
７間の一間に充填されている。従ってこのレジン薄膜に
電圧が印加された場合、非晶質シリカ粒７の絶縁耐圧は
、基七樹脂（エポキシ樹脂）に比較して非常に優れてい
るために非晶質シリカ粒１ｍ通して、導通する事にない
。又非晶質シリカ粒７が冷却フィン４の凹部の底全面に
、薄く敷きつめられた状態となっているためモールドレ
ジン５ｔ−Ｘ通する事もない、従って、導通電流に、非
晶質シリカ粒７とモールドレジ１５の沿面に沿って加れ
る事になる。第２図に示す如く非晶質シリカ粒７の外面
には、凹凸があル、沿面なレジン薄膜の厚みより長いた
めに１絶縁耐圧は約１．５倍増加する。又半導体々ンッ
ト１で発生した熱ｔユ、リード侍３を介して、基本樹脂
（エポキシ樹脂）に比較して非常に熱伝導率の良い非晶
質シリカ粒７内を通って冷却フィン４に流れるため、熱
伝導率に２倍向上する。線膨張係数については基本樹脂
（エポキシ樹脂）と、非晶質シリカの平均さｔ′またも
のとなるため、約３倍低減されることになる。この＠は
いずれも実験にて確認している。この様なモールドレジ
ン５を使用して、半導体部品を押し込んだ時にレジン薄
膜の淳みが例えば０．３〜０．３５ｍとなる様に非晶質
シリカ粒７の大きさを調節する。非晶質シリカ粒が大き
くなると、レジン？Ｉ１１にの厚みは大きくなる。又逆
に非晶質シリカ粒が小さくなると、レジン薄膜の厚みは
小さくなるため、適正なるレジン薄膜を得るためには、
非晶質シリカ粒の大きさ全規定する必要がある。実験に
よって確撃の結果、０．３〜０．３５簡のレジン薄＠１
に得るためには非晶質シリカ粒の最大寸法が２３０μｍ
〜３００μｍのものが２６％含有されており、その他の
非晶質シリカ粒に２３０μｍ以下でもよい事°臥わがっ
た。
ンを注入してから、半導体部品を押し込んでセットする
モールド方法）で製作した場合の半導体部品と冷却フィ
ン４間に成形されたレジン薄膜の状態は、第２図に示す
如く、非晶質シリカ粒７の上端は、半導□体部品ケ構成
するり一ド［３に接し、下端は冷却フィン４に接する状
態となっていも。即ち、程々の形状をし念無数の非晶質
シリカ粒７牙、冷却フィン４の凹部底全面に薄く敷きつ
め皮上に、半導体部品を載せた状態となっている。そし
て、基本樹脂（例えばエポキシ樹脂）が非晶質シリカ粒
７間の一間に充填されている。従ってこのレジン薄膜に
電圧が印加された場合、非晶質シリカ粒７の絶縁耐圧は
、基七樹脂（エポキシ樹脂）に比較して非常に優れてい
るために非晶質シリカ粒１ｍ通して、導通する事にない
。又非晶質シリカ粒７が冷却フィン４の凹部の底全面に
、薄く敷きつめられた状態となっているためモールドレ
ジン５ｔ−Ｘ通する事もない、従って、導通電流に、非
晶質シリカ粒７とモールドレジ１５の沿面に沿って加れ
る事になる。第２図に示す如く非晶質シリカ粒７の外面
には、凹凸があル、沿面なレジン薄膜の厚みより長いた
めに１絶縁耐圧は約１．５倍増加する。又半導体々ンッ
ト１で発生した熱ｔユ、リード侍３を介して、基本樹脂
（エポキシ樹脂）に比較して非常に熱伝導率の良い非晶
質シリカ粒７内を通って冷却フィン４に流れるため、熱
伝導率に２倍向上する。線膨張係数については基本樹脂
（エポキシ樹脂）と、非晶質シリカの平均さｔ′またも
のとなるため、約３倍低減されることになる。この＠は
いずれも実験にて確認している。この様なモールドレジ
ン５を使用して、半導体部品を押し込んだ時にレジン薄
膜の淳みが例えば０．３〜０．３５ｍとなる様に非晶質
シリカ粒７の大きさを調節する。非晶質シリカ粒が大き
くなると、レジン？Ｉ１１にの厚みは大きくなる。又逆
に非晶質シリカ粒が小さくなると、レジン薄膜の厚みは
小さくなるため、適正なるレジン薄膜を得るためには、
非晶質シリカ粒の大きさ全規定する必要がある。実験に
よって確撃の結果、０．３〜０．３５簡のレジン薄＠１
に得るためには非晶質シリカ粒の最大寸法が２３０μｍ
〜３００μｍのものが２６％含有されており、その他の
非晶質シリカ粒に２３０μｍ以下でもよい事°臥わがっ
た。
この結果熱抵抗を大きくすることなく、絶縁耐圧を満足
させる事が出来るため、半導体部品と冷却フィン４間に
割れやすい、絶縁板を貼付ける事なくして、所定の性能
を有した信頼性の高い半導体装？１１ヲ得る事が出来る
。
させる事が出来るため、半導体部品と冷却フィン４間に
割れやすい、絶縁板を貼付ける事なくして、所定の性能
を有した信頼性の高い半導体装？１１ヲ得る事が出来る
。
モールドレジン５の中へ含有させる物質は、非晶質シリ
カの他に、結晶質シリカも考えられるがＪ１晶舊シリカ
と結晶質シリカとの物性＠を比較すると、熱伝導率にお
いて、非晶質シリカは約３３Ｘ １０−’ （ｎｌ／ｃ
ｍ−ｓ −ｒに対して結晶質シリカは約２２Ｘ １０−
’ｔｒＪｔ／ｃｍ・ｓ ・ｔ、 線膨張係数において、
非晶質シリカは約０．８Ｘ１０−”／／Ｃ結晶−シリカ
は約８．６ Ｘ １０−’ ｊ／Ｃ，絶縁耐圧において
、非晶質シリカに約３０ｋＶ／ａｌｌ、結晶質シリカは
約２０ｋＶ／ｗといずれの値も非晶質シリカの方が結晶
質シリカに比較してすぐれている。従って非晶質シリカ
粒？混入したモールドレジンに、結晶質シリカ粒を混入
したモールドレジ／ＶＣ比較して、線膨張係数において
約１２％熱伝導率において約３２％、絶縁耐圧において
約２６％すぐれ念ものとなり、上述の如く、所期の性能
を持つ半導体装置が得られる。
カの他に、結晶質シリカも考えられるがＪ１晶舊シリカ
と結晶質シリカとの物性＠を比較すると、熱伝導率にお
いて、非晶質シリカは約３３Ｘ １０−’ （ｎｌ／ｃ
ｍ−ｓ −ｒに対して結晶質シリカは約２２Ｘ １０−
’ｔｒＪｔ／ｃｍ・ｓ ・ｔ、 線膨張係数において、
非晶質シリカは約０．８Ｘ１０−”／／Ｃ結晶−シリカ
は約８．６ Ｘ １０−’ ｊ／Ｃ，絶縁耐圧において
、非晶質シリカに約３０ｋＶ／ａｌｌ、結晶質シリカは
約２０ｋＶ／ｗといずれの値も非晶質シリカの方が結晶
質シリカに比較してすぐれている。従って非晶質シリカ
粒？混入したモールドレジンに、結晶質シリカ粒を混入
したモールドレジ／ＶＣ比較して、線膨張係数において
約１２％熱伝導率において約３２％、絶縁耐圧において
約２６％すぐれ念ものとなり、上述の如く、所期の性能
を持つ半導体装置が得られる。
以上の説明では全波整流ブリッジに適用した例について
説明したが、この他の半導体装置にも本発明は適用可能
である。
説明したが、この他の半導体装置にも本発明は適用可能
である。
また、凹部分有する冷却フィンをもって示したが、平根
状の冷却フィンにケースを用いて、モールドレジン全注
入し硬化させたのち、このケースを取り去り、あるいは
その′１ま使用するような半導体装置であって本適用で
きる。
状の冷却フィンにケースを用いて、モールドレジン全注
入し硬化させたのち、このケースを取り去り、あるいは
その′１ま使用するような半導体装置であって本適用で
きる。
第１図は本発明の一実施例を示す全波整流ブリッジの部
分的断面図、第２図に第１図の要部拡大図である。
分的断面図、第２図に第１図の要部拡大図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 冷却フィンの一面に一定距離を隔てて半導体ベレ
ットとそのリードＳｔ電気的絶縁性樹脂でモールド封止
した半導体装置において、冷却フィンと半導体ペレット
およびリード線との間の上記樹脂は非晶質シリカ粒を含
有していることｔ−％徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、外表面に凹凸を有
する非晶質シリカ粒？６０〜８０重量％含有する樹脂に
半導体ベレットおよびそのリード線を押し込んで冷却フ
ィンとの間に一定距離を保っていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6737882A JPS58184745A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6737882A JPS58184745A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184745A true JPS58184745A (ja) | 1983-10-28 |
| JPS6322622B2 JPS6322622B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=13343285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6737882A Granted JPS58184745A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057955A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013100172A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | 熱伝導性樹脂組成物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54181877U (ja) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | ||
| JPS5621448U (ja) * | 1979-07-25 | 1981-02-25 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621448B2 (ja) * | 1973-10-29 | 1981-05-19 |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP6737882A patent/JPS58184745A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54181877U (ja) * | 1978-06-13 | 1979-12-22 | ||
| JPS5621448U (ja) * | 1979-07-25 | 1981-02-25 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057955A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6350855B2 (ja) * | 1983-09-09 | 1988-10-12 | Int Rectifier Corp | |
| WO2013100172A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | 熱伝導性樹脂組成物 |
| JPWO2013100172A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-05-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱伝導性樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322622B2 (ja) | 1988-05-12 |
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