JPS58179001A - 誘電体フイルタ - Google Patents
誘電体フイルタInfo
- Publication number
- JPS58179001A JPS58179001A JP6167982A JP6167982A JPS58179001A JP S58179001 A JPS58179001 A JP S58179001A JP 6167982 A JP6167982 A JP 6167982A JP 6167982 A JP6167982 A JP 6167982A JP S58179001 A JPS58179001 A JP S58179001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- film
- silver
- plating layer
- dielectric filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｖＨＦ帯から比較的低周波のマイクロ波帯に
使用して好適する誘電体フィルタに関する。
使用して好適する誘電体フィルタに関する。
従来の誘電体を用いた誘電体フィルタを第１図に示す。
第１図において、３１は円柱中空部を有する誘電体、３
２は誘電体３１の円柱中空部内表面に銀ペーストで形成
される内導体、３３は誘電体の底面部で銀ペーストで形
成される外導体、３４は誘電体の導体ケースと接する側
面で銀に一ストで形成される外導体、３５は誘電体３ノ
を固定している接合部、３６は周波数ネノ取りつけ部、
３７は周波数調整ネジ、３８は導体ケース、３９は入出
力端子、４０はフィルタを構成する共振器を示す。各共
振器４０の共振周波数と各共振器間の結合量Ｃでより周
波数の選択特性を有し、フィルタとして動作する。入出
力端子３９より印加された電磁波はフィルタにより選択
され伝送又は減衰する。
２は誘電体３１の円柱中空部内表面に銀ペーストで形成
される内導体、３３は誘電体の底面部で銀ペーストで形
成される外導体、３４は誘電体の導体ケースと接する側
面で銀に一ストで形成される外導体、３５は誘電体３ノ
を固定している接合部、３６は周波数ネノ取りつけ部、
３７は周波数調整ネジ、３８は導体ケース、３９は入出
力端子、４０はフィルタを構成する共振器を示す。各共
振器４０の共振周波数と各共振器間の結合量Ｃでより周
波数の選択特性を有し、フィルタとして動作する。入出
力端子３９より印加された電磁波はフィルタにより選択
され伝送又は減衰する。
誘電体３１に金属皮膜を形成する手段として銀波−ス法
を適用しているが、製造段階において、銀皮膜が薄く形
成されると高周波抵抗が増大し共振器の無負荷Ｑｕが低
下する。本構造の内導体には、電流密度の非常に大きな
高周波電流が内導体表面を流れるため、次式で示した表
皮深さδの数倍以上の皮膜厚さが必要である。
を適用しているが、製造段階において、銀皮膜が薄く形
成されると高周波抵抗が増大し共振器の無負荷Ｑｕが低
下する。本構造の内導体には、電流密度の非常に大きな
高周波電流が内導体表面を流れるため、次式で示した表
皮深さδの数倍以上の皮膜厚さが必要である。
たたし、（１）式中ωは使用角周波数、μ０は真空の透
磁率、σは金属皮膜の導電率を示す。
磁率、σは金属皮膜の導電率を示す。
電気的特性を満足する必要な皮膜厚さを得るには、たと
えば８００ Ｍｌ（ｚ帯のフィルタの場合、前記（１）
式より求められた値の数倍である約１５μｍの皮膜厚さ
が必要であるが、銀波−ストを印刷、筆塗りなどによる
１回の塗布及び焼成工程では、皮膜厚さが数μｍしか得
られないために３回以上繰り返さなければならない。ま
た円柱中空部内表面への塗布工程においては自動化が困
難で量産性にむかない。
えば８００ Ｍｌ（ｚ帯のフィルタの場合、前記（１）
式より求められた値の数倍である約１５μｍの皮膜厚さ
が必要であるが、銀波−ストを印刷、筆塗りなどによる
１回の塗布及び焼成工程では、皮膜厚さが数μｍしか得
られないために３回以上繰り返さなければならない。ま
た円柱中空部内表面への塗布工程においては自動化が困
難で量産性にむかない。
また、銀ペーストを浸漬またはスゾレーなどの方法によ
り１回で必要厚さの金属皮膜を形成するには、電極以外
の不用部は、テープなどによるマスキングまたはダイヤ
モンド砥石による研摩が必要となる。あるいは第２図（
ａ）に示すよう皮膜形成時に銀ペーストそのものの保持
力が悪く、ある貴重上の付着をさせた場合溜り２ノが生
じ第２図（ｂ）に示すように焼成時に皮膜に割れ（クラ
、り）２２が起こる。よって高周波抵抗が増大し共振器
の無負荷Ｑｕが低下し、誘電体フィルタの帯域内通過損
失が増大する。
り１回で必要厚さの金属皮膜を形成するには、電極以外
の不用部は、テープなどによるマスキングまたはダイヤ
モンド砥石による研摩が必要となる。あるいは第２図（
ａ）に示すよう皮膜形成時に銀ペーストそのものの保持
力が悪く、ある貴重上の付着をさせた場合溜り２ノが生
じ第２図（ｂ）に示すように焼成時に皮膜に割れ（クラ
、り）２２が起こる。よって高周波抵抗が増大し共振器
の無負荷Ｑｕが低下し、誘電体フィルタの帯域内通過損
失が増大する。
本発明はこれらの欠点を解決することを目的とする。
本発明は、一端が地導体を兼ねたケースの底面に短絡さ
れ他端は開放条件にある所定長の内導体およびこの内導
体と前記ケースとの間に誘電体を有する１／４波長同軸
共振器と、この共振器と外部との間または隣接共振器間
の電気的結合手段とを具備してなる誘電体フィルタにお
いて、前記誘電体上に電気伝導度の大きい金属による無
電解メッキ層を有し、前記無電解メッキ層上に銀の電気
メ、キ層を形成した内導体を有することを特徴とする誘
電体フィルタである。
れ他端は開放条件にある所定長の内導体およびこの内導
体と前記ケースとの間に誘電体を有する１／４波長同軸
共振器と、この共振器と外部との間または隣接共振器間
の電気的結合手段とを具備してなる誘電体フィルタにお
いて、前記誘電体上に電気伝導度の大きい金属による無
電解メッキ層を有し、前記無電解メッキ層上に銀の電気
メ、キ層を形成した内導体を有することを特徴とする誘
電体フィルタである。
第３図は本発明に用いる誘電体であって、５０は円柱中
空部を有する誘電体、５１は誘電体の円柱中空部内表面
にメッキで形成される内導体、５２はメッキで形成され
る誘電体の底面部、５３はメッキで形成される誘電体の
側面部で導体ケースと接する。底面部５２．側面部５３
で外導体を形成している。５４は電気伝導度の大きい金
属による無電解メッキ金属皮膜、５５は銀の電気メッキ
による皮膜である。
空部を有する誘電体、５１は誘電体の円柱中空部内表面
にメッキで形成される内導体、５２はメッキで形成され
る誘電体の底面部、５３はメッキで形成される誘電体の
側面部で導体ケースと接する。底面部５２．側面部５３
で外導体を形成している。５４は電気伝導度の大きい金
属による無電解メッキ金属皮膜、５５は銀の電気メッキ
による皮膜である。
誘電体５ｏの円柱中空部内表面に作られる内導体５１及
び３外部体５２．５３は電気伝導度の大きい金属による
無電解メッキを行ない、その王に銀の電気メッキを行な
う。このようにして得た共振器を複数個導体ケースに収
納して固定させた後密閉して誘電体フィルタとなすこと
によってフィルタ特性は安定し、低価格な誘電体フィル
タを実現できる。
び３外部体５２．５３は電気伝導度の大きい金属による
無電解メッキを行ない、その王に銀の電気メッキを行な
う。このようにして得た共振器を複数個導体ケースに収
納して固定させた後密閉して誘電体フィルタとなすこと
によってフィルタ特性は安定し、低価格な誘電体フィル
タを実現できる。
電気伝導度の大きい金属による無電解メッキは、たとえ
ば銀、銅、金のように導電率が高く、誘電体へのメッキ
性、特に密着力、均一性が良く、また低コストなどから
選択される。銀の電気メッキは、最も導電率が高い金属
で安定した電気的特性が得られる・さらに、導体ケース
への固定においてたとえば半田付けを適用した場合、半
田付は性が良好である。またメッキ浴の管理が容易で作
業性が良いなどから選択される。
ば銀、銅、金のように導電率が高く、誘電体へのメッキ
性、特に密着力、均一性が良く、また低コストなどから
選択される。銀の電気メッキは、最も導電率が高い金属
で安定した電気的特性が得られる・さらに、導体ケース
への固定においてたとえば半田付けを適用した場合、半
田付は性が良好である。またメッキ浴の管理が容易で作
業性が良いなどから選択される。
また、−例として電気伝導度の大きい金属である銅の無
電解メッキを行なった実験によれば、無電解銅皮膜厚さ
は、銀の電気メッキ皮膜厚さを十数μｍ一定のとき、第
４図に示すように無負荷。。と銅皮膜厚さとの関係によ
り設定されるが、銅皮膜厚さは約２μｍ以内において良
好な無負荷。。を得ることができる。
電解メッキを行なった実験によれば、無電解銅皮膜厚さ
は、銀の電気メッキ皮膜厚さを十数μｍ一定のとき、第
４図に示すように無負荷。。と銅皮膜厚さとの関係によ
り設定されるが、銅皮膜厚さは約２μｍ以内において良
好な無負荷。。を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、各金属及膜厚さ
の制御は各メッキ処理条件の処理時間により容易に行な
えるため、電気的特性を満足する必要な皮膜厚さ及び安
定な特性を得ることができる。また、一連の処理工程を
１回行なうことにより、内導体及び外導体を同時に形成
することができ低価格のものとなる。さらに自動機の導
入が可能となり量産化に対応できる。さらに、メッキに
よって皮膜を析出しているため、皮膜に割れ（クラ、り
）が起こることはない。
の制御は各メッキ処理条件の処理時間により容易に行な
えるため、電気的特性を満足する必要な皮膜厚さ及び安
定な特性を得ることができる。また、一連の処理工程を
１回行なうことにより、内導体及び外導体を同時に形成
することができ低価格のものとなる。さらに自動機の導
入が可能となり量産化に対応できる。さらに、メッキに
よって皮膜を析出しているため、皮膜に割れ（クラ、り
）が起こることはない。
第１図は従来の誘電体フィルタの断面図、第２図は銀ペ
ースの溜りを示す断面図、第３図は本発明による誘電体
共振器の一実施例の断面図、第４図は無負荷ｑｕと銅皮
膜厚さとの関係図である。 ５０・・・円柱中空部を有した誘電体、５１・・・内導
体、５２．５３・・・外導体、５４・・・無電解メッキ
による金属皮膜、５５・・・銀の電気メッキによる皮膜
。 第１図 ４ ０ 第２図 （ａ） （ｂ） １２２ 第３図 ２ 第４図 ＣＵ慶慶１心８さ □ 特許庁長官 殿 ２ 発明の名称 誘電体フィルタ ６補正の内容 ■）明細書第１頁特許請求の範囲を別紙のとおり補正す
る。 ２）同書第４頁第１５行に「内導体を有する」とあるの
を削除する。 ３）図面第１図を別紙のとおり補正する。 特許請求の範囲 一端が地導体を兼ねたケースの底面に短絡され他端は開
放条件にある所定長の内導体およびこの内導体と前記ケ
ースとの間に誘電体を有する１／４波長同軸共振器と、
この共振器と外部との同寸たは隣接共振器間の電気的結
合手段とを３Ｖ＃してなる誘電体フィルタにおいて、前
記誘電体トに電気伝導変の大きい金属による無電解メッ
キ層を有し、前記無電解メッキ層」二に銀の電気メッキ
層を形成したことを特徴とする誘電体フィルタ。
ースの溜りを示す断面図、第３図は本発明による誘電体
共振器の一実施例の断面図、第４図は無負荷ｑｕと銅皮
膜厚さとの関係図である。 ５０・・・円柱中空部を有した誘電体、５１・・・内導
体、５２．５３・・・外導体、５４・・・無電解メッキ
による金属皮膜、５５・・・銀の電気メッキによる皮膜
。 第１図 ４ ０ 第２図 （ａ） （ｂ） １２２ 第３図 ２ 第４図 ＣＵ慶慶１心８さ □ 特許庁長官 殿 ２ 発明の名称 誘電体フィルタ ６補正の内容 ■）明細書第１頁特許請求の範囲を別紙のとおり補正す
る。 ２）同書第４頁第１５行に「内導体を有する」とあるの
を削除する。 ３）図面第１図を別紙のとおり補正する。 特許請求の範囲 一端が地導体を兼ねたケースの底面に短絡され他端は開
放条件にある所定長の内導体およびこの内導体と前記ケ
ースとの間に誘電体を有する１／４波長同軸共振器と、
この共振器と外部との同寸たは隣接共振器間の電気的結
合手段とを３Ｖ＃してなる誘電体フィルタにおいて、前
記誘電体トに電気伝導変の大きい金属による無電解メッ
キ層を有し、前記無電解メッキ層」二に銀の電気メッキ
層を形成したことを特徴とする誘電体フィルタ。
Claims (1)
- 一端か地導体を兼ねたケースの底面に短絡され他端は開
放条件にある所定長の内導体およびこの内導体と前記ケ
ースとの間に誘電体を有する１／４波長同軸共振器と、
この共振器と外部との間または隣接共振器間の電気的結
合手段とを具備してなる誘電体フィルタにおいて、前記
誘電体上に電気伝導度の大きい金属による無電解メッキ
層を有し、前記無電解メッキ層上に銀の電気メツキ層を
形成した内導体を有することを特徴とする誘電体フィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167982A JPS58179001A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 誘電体フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167982A JPS58179001A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 誘電体フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179001A true JPS58179001A (ja) | 1983-10-20 |
Family
ID=13178182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6167982A Pending JPS58179001A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 誘電体フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179001A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191317U (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-15 | ||
| US5210511A (en) * | 1990-11-20 | 1993-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator and process for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577201B2 (ja) * | 1971-12-01 | 1982-02-09 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6167982A patent/JPS58179001A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577201B2 (ja) * | 1971-12-01 | 1982-02-09 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191317U (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-15 | ||
| US5210511A (en) * | 1990-11-20 | 1993-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator and process for manufacturing the same |
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