JPS58177010A - 発振逓倍器 - Google Patents
発振逓倍器Info
- Publication number
- JPS58177010A JPS58177010A JP57060022A JP6002282A JPS58177010A JP S58177010 A JPS58177010 A JP S58177010A JP 57060022 A JP57060022 A JP 57060022A JP 6002282 A JP6002282 A JP 6002282A JP S58177010 A JPS58177010 A JP S58177010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fundamental wave
- harmonics
- wavelength
- open stub
- lambdan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/007—Generation of oscillations based on harmonic frequencies, e.g. overtone oscillators
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、トランジスタを用いて超高周波を発生させる
発振逓倍器に関するものである。
発振逓倍器に関するものである。
従来技術と問題点
超高周波を発生させる為に、ガンダイオード発振器が知
られているが、効率力１低い欠点があった。
られているが、効率力１低い欠点があった。
又トランジスタを用いた発振器の高調波成分をフィルタ
によシ取出す構成も知られているが、発振出力に含まれ
る高調波成分は比較的小さいものであるから、充分な大
きさの高調波を取出すことが容易でない欠点があった。
によシ取出す構成も知られているが、発振出力に含まれ
る高調波成分は比較的小さいものであるから、充分な大
きさの高調波を取出すことが容易でない欠点があった。
発明の目的
本発明は、トランジスタによシ基本波を発振させ、その
基本波を逓倍した高調波の超高周波を、簡単な構成で真
っ効率良く発生し得るようにすることを目的とするもの
である。以下実施例について詳細に説明する。
基本波を逓倍した高調波の超高周波を、簡単な構成で真
っ効率良く発生し得るようにすることを目的とするもの
である。以下実施例について詳細に説明する。
発明の実施例
第１図は本発明の一実施例の説明図であシ、ＧｍＡｚ
ＦＥＴ （電界効果トランジスタ）を用いた場合につい
てのものである。このＧｔｘＡｐ ＦＩＩＴを以下単に
トランジスタＱと称す。トランジスタＱのゲートＧＫは
オープンスタブ１が接続され、ソースＳにはオープンス
タブ２が接続され、ドレインＤは接地されている。基本
波の波長を２８．出力すべき高調波の波長を４とすると
、オープンスタブ１は約λ／４の長さで、オープンスタ
ブ２は約λ、／２の長さとする。Ｘ１．Ｌ２１ｄインダ
クタンス、Ｃ１，Ｃ２１４コンデンサ、Ｒ１，Ｒ２は抵
抗でおシ、電源電圧−Ｖを抵抗Ｒ１，インダクタンスＬ
１を介してトランジスタＱのソースＳに加えると共に、
抵抗Ｒ１による電圧降下分を、抵抗Ｒ２，インダクタン
スＬ２ ｆ。
ＦＥＴ （電界効果トランジスタ）を用いた場合につい
てのものである。このＧｔｘＡｐ ＦＩＩＴを以下単に
トランジスタＱと称す。トランジスタＱのゲートＧＫは
オープンスタブ１が接続され、ソースＳにはオープンス
タブ２が接続され、ドレインＤは接地されている。基本
波の波長を２８．出力すべき高調波の波長を４とすると
、オープンスタブ１は約λ／４の長さで、オープンスタ
ブ２は約λ、／２の長さとする。Ｘ１．Ｌ２１ｄインダ
クタンス、Ｃ１，Ｃ２１４コンデンサ、Ｒ１，Ｒ２は抵
抗でおシ、電源電圧−Ｖを抵抗Ｒ１，インダクタンスＬ
１を介してトランジスタＱのソースＳに加えると共に、
抵抗Ｒ１による電圧降下分を、抵抗Ｒ２，インダクタン
スＬ２ ｆ。
介してゲートＧにバイアス電圧として加える。又５はλ
ｎ／４ の結合線路であり、出力端子ＯＵＴに接続さ
れる。
ｎ／４ の結合線路であり、出力端子ＯＵＴに接続さ
れる。
成される。結合線路３はオープンスタブ２のソースＳ＠
に結合され、λｖｖ’４の結合線路長でおることによシ
、波長λルの高調波のみ出力端子０ｒＪＴに出力される
。即ち波長λ、の基本波はトランジスタＱに帰還されて
逓倍され、この逓倍された波長ムの高調波のみがλル／
４の結合線路５によシ取出されることになる。従って例
えは４０ＧＨｚ程度の超高周波を効率良く発生させるこ
とができる。又オープンスタブ２の根元で結合させてい
る為に、他の回路損が含まれないものとなり、又基本波
の発振と高調波の出力の調整は独立にできることになる
。
に結合され、λｖｖ’４の結合線路長でおることによシ
、波長λルの高調波のみ出力端子０ｒＪＴに出力される
。即ち波長λ、の基本波はトランジスタＱに帰還されて
逓倍され、この逓倍された波長ムの高調波のみがλル／
４の結合線路５によシ取出されることになる。従って例
えは４０ＧＨｚ程度の超高周波を効率良く発生させるこ
とができる。又オープンスタブ２の根元で結合させてい
る為に、他の回路損が含まれないものとなり、又基本波
の発振と高調波の出力の調整は独立にできることになる
。
□゛ 第２図は本発明の他の実施例を示し、直流給電
系は図示を省略している。この実施例は、ム／２波長の
分布結合形バンドパスフィルタ４を用いた場合について
のものでおυ、それぞれ２Ｂ／２の長さの結合線路をλ
ル／４の長さで・相互に結合したものである。なお第１
図と同一符号は同一部分を示す。
系は図示を省略している。この実施例は、ム／２波長の
分布結合形バンドパスフィルタ４を用いた場合について
のものでおυ、それぞれ２Ｂ／２の長さの結合線路をλ
ル／４の長さで・相互に結合したものである。なお第１
図と同一符号は同一部分を示す。
第３図は本発明の更に他の実施例を示し、直流給電系は
図示を省略している。この実施例は誘電体共振器５を設
けた場合についてのものであシ、第１図及び第２図に示
すようなオープンスタブ１をストリップ線路で構成した
ときのＱｏが約１００〜２００程度でおるのに対し、誘
電体共振器５はＱ、が約４０００〜５ΩＯＯ程度である
から、周波数の安定化を図ることができる。又ソースＳ
に接続したオープンスタブ２の根元にム／４の結合線路
３を設けた場合を示しているが、第２図に示す実施例の
ように、分布結合形バントパスフィルタとすることもで
きる。なお第１図と同一符号は同一部分を示すものであ
る。
図示を省略している。この実施例は誘電体共振器５を設
けた場合についてのものであシ、第１図及び第２図に示
すようなオープンスタブ１をストリップ線路で構成した
ときのＱｏが約１００〜２００程度でおるのに対し、誘
電体共振器５はＱ、が約４０００〜５ΩＯＯ程度である
から、周波数の安定化を図ることができる。又ソースＳ
に接続したオープンスタブ２の根元にム／４の結合線路
３を設けた場合を示しているが、第２図に示す実施例の
ように、分布結合形バントパスフィルタとすることもで
きる。なお第１図と同一符号は同一部分を示すものであ
る。
前述の各実施例はドレイン接地で出方ボートをソースＳ
側とした場合について示すものであるが。
側とした場合について示すものであるが。
他の接形式及び出力ボートをゲートＧ側とすることも勿
論可能である。
論可能である。
発明の詳細
な説明したように、本発明は、ＧａＡｚ ＦＥＴ等のト
ランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、トランジスタ
の入出力端子にそれぞれオープンスタブを接続して基本
波発振回路を構成すると共に、それぞれのオープンスタ
ブの何れが一方の根元即ちトランジスタ側に高調波を取
出す為の分布結合形バンドパスフィルタ勢の結合部を設
けて、トランジスタによシ逓倍された高論波を取出す構
成としたものであシ、オープンスタブや結合部をマイク
ロストリップ線路によ多形成することにょシマイクロ波
集積回路（ＭＩＣ）化する仁とができる。又トランジス
タの発振可能周波数に対して数倍の高調波を逓倍によっ
て取出すことができると共に、オープンスタブの根元で
結合して高調波を取出すものであるから、効率良く数１
ＱＧＨｚの超高周波を発生することができる利点があ夛
、更に基本波の発振と高調波の取出しとの調整を独立的
に行なうことができる利点がある。又結合部によシ直流
が遮断されるので、直流カットの手段を特に設ける必要
がないものとなる。
ランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、トランジスタ
の入出力端子にそれぞれオープンスタブを接続して基本
波発振回路を構成すると共に、それぞれのオープンスタ
ブの何れが一方の根元即ちトランジスタ側に高調波を取
出す為の分布結合形バンドパスフィルタ勢の結合部を設
けて、トランジスタによシ逓倍された高論波を取出す構
成としたものであシ、オープンスタブや結合部をマイク
ロストリップ線路によ多形成することにょシマイクロ波
集積回路（ＭＩＣ）化する仁とができる。又トランジス
タの発振可能周波数に対して数倍の高調波を逓倍によっ
て取出すことができると共に、オープンスタブの根元で
結合して高調波を取出すものであるから、効率良く数１
ＱＧＨｚの超高周波を発生することができる利点があ夛
、更に基本波の発振と高調波の取出しとの調整を独立的
に行なうことができる利点がある。又結合部によシ直流
が遮断されるので、直流カットの手段を特に設ける必要
がないものとなる。
第１図、第２図及び第６図は本発明のそれぞれ異なる実
施例の説明図でおる。 １．２はオープンスタブ、６は結合線路、４は分布結合
形バンドパスフィルタ、５は誘電体共振器、Ｑはトラン
ジスタ、ＯＵＴは出力端子でおる。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部 外３名
施例の説明図でおる。 １．２はオープンスタブ、６は結合線路、４は分布結合
形バンドパスフィルタ、５は誘電体共振器、Ｑはトラン
ジスタ、ＯＵＴは出力端子でおる。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部 外３名
Claims (1)
- トランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、前記トラン
ジスタの入出力端子にそれぞれオープンスタブを接続し
て基本波発振回路を構成すると共に、前記入出力端子に
それぞれ接続したオープンスタブの何れか一方の前記ト
ランジスタ側に高−波を取出す結合部を設け、前記トラ
ンジスタによシ逓倍された高調波を取出す構成としたこ
とを特徴とする発輝逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060022A JPS58177010A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060022A JPS58177010A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177010A true JPS58177010A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0213846B2 JPH0213846B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=13130019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060022A Granted JPS58177010A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177010A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156404A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | マイクロ波発振器 |
| JPH02211704A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-23 | Nec Corp | ストリップライン型発振器 |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
| WO2016121282A1 (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
| WO2016125417A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
-
1982
- 1982-04-10 JP JP57060022A patent/JPS58177010A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156404A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | マイクロ波発振器 |
| JPH02211704A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-23 | Nec Corp | ストリップライン型発振器 |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
| WO2016121282A1 (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
| JP2016139983A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
| WO2016125417A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
| JP2016146550A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213846B2 (ja) | 1990-04-05 |
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