JPS58177011A - 発振逓倍器 - Google Patents
発振逓倍器Info
- Publication number
- JPS58177011A JPS58177011A JP57060023A JP6002382A JPS58177011A JP S58177011 A JPS58177011 A JP S58177011A JP 57060023 A JP57060023 A JP 57060023A JP 6002382 A JP6002382 A JP 6002382A JP S58177011 A JPS58177011 A JP S58177011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fundamental wave
- harmonics
- wavelength
- oscillation
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/007—Generation of oscillations based on harmonic frequencies, e.g. overtone oscillators
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、トランジスタを用いて超高周波を発生させる
発振逓倍器に関するものである。
発振逓倍器に関するものである。
従来技術と問題点
超高周波を発生させる為に、ガンダイオード発振器が知
られているが、効率が低い欠点があった。
られているが、効率が低い欠点があった。
又トランジスタを用いた発振器の高調波成分をフィルタ
によシ取出す構成も知られているが、発振出力に含まれ
る高調波成分は比較的小さいものであるから、充分な大
きさの高調波を取出すことが容易でない欠点がおった。
によシ取出す構成も知られているが、発振出力に含まれ
る高調波成分は比較的小さいものであるから、充分な大
きさの高調波を取出すことが容易でない欠点がおった。
発明の目的
本発明は、トランジスタにより基本波を発振させ、この
基本波を逓倍した高調波の超高周波を、簡単な構成で且
つ効率良く発生し得るようにすることを目的とするもの
である。以下実施例について詳細に説明する。
基本波を逓倍した高調波の超高周波を、簡単な構成で且
つ効率良く発生し得るようにすることを目的とするもの
である。以下実施例について詳細に説明する。
発明の実施例
第１図は本発明の一実施例の説明図であシ、ＧｍＡｚ
ＦＥＴ （電界効果トランジスタ）を用いた場合につい
てのものである。このＧａＡｚ ＦＥＴを以下単にトラ
ンジスタと称す。このトランジスタＱのゲートＧにはオ
ープンスタブ１が接続され、ソースＳにはオープンスタ
ブ２が接続され、ドレインＤＩｆＪ接地されている。基
本波の波長を２８．出力すべき高調波の波長をちとする
と、オープンスタブ１の長さを約λ、／４、オープンス
タブ２の長さを約λ１／２として、基本波の発振回路を
栴成し、オープンスタブ２のλ、／４の長さの点に結合
部を設けて高調波を取出すものである。この結合部は２
ル／４の長さの結合線路２α、６にょシ構成され、結合
線路６は出力端子ＯＵＴに接続されている。
ＦＥＴ （電界効果トランジスタ）を用いた場合につい
てのものである。このＧａＡｚ ＦＥＴを以下単にトラ
ンジスタと称す。このトランジスタＱのゲートＧにはオ
ープンスタブ１が接続され、ソースＳにはオープンスタ
ブ２が接続され、ドレインＤＩｆＪ接地されている。基
本波の波長を２８．出力すべき高調波の波長をちとする
と、オープンスタブ１の長さを約λ、／４、オープンス
タブ２の長さを約λ１／２として、基本波の発振回路を
栴成し、オープンスタブ２のλ、／４の長さの点に結合
部を設けて高調波を取出すものである。この結合部は２
ル／４の長さの結合線路２α、６にょシ構成され、結合
線路６は出力端子ＯＵＴに接続されている。
又Ｌ１．Ｌ２はインダクタンス、ＣＩ、Ｃ２ｄコンテン
サ、Ｒ１，Ｒ２は抵抗であシ、−Ｖの電′＃電圧が、抵
抗Ｒ１，インダクタンスＬ１を介してトランジスタ。
サ、Ｒ１，Ｒ２は抵抗であシ、−Ｖの電′＃電圧が、抵
抗Ｒ１，インダクタンスＬ１を介してトランジスタ。
のソースＳに加えられ、抵抗Ｒ１の電圧降下分がゲート
Ｇのバイアス電圧として加えられることになる。
Ｇのバイアス電圧として加えられることになる。
前述の如きオープンスタブ２のλ、／４の長さの点は、
基本波に対してショートの位置であるから、結合線路２
αを設けても基本波の発振に絋何ら影響しないものとな
シ、又基本波は出力されないのでトランジスタＱに帰還
されて逓倍され、その逓倍された波長λルの高調波のみ
がム／４の結合長の結合線路２α、６によって取出され
ることになる。
基本波に対してショートの位置であるから、結合線路２
αを設けても基本波の発振に絋何ら影響しないものとな
シ、又基本波は出力されないのでトランジスタＱに帰還
されて逓倍され、その逓倍された波長λルの高調波のみ
がム／４の結合長の結合線路２α、６によって取出され
ることになる。
従ってトランジスタＱで発振可能の上限周波数を基本周
波数とすると、出力端子０ＵＴＶＣｄ、その基本周波数
の数倍の周波数を逓倍にょシ出カすることができ、例え
ば４０〜５０ＧＨｚ程度の超高周波も効率良く出力する
ことができることになる。又オープンスタブ１．２や結
合線路２α、６はマイクロストリップ線路で構成して、
マイクロ波集積回路（ｉｔｒｃ）とすることができる。
波数とすると、出力端子０ＵＴＶＣｄ、その基本周波数
の数倍の周波数を逓倍にょシ出カすることができ、例え
ば４０〜５０ＧＨｚ程度の超高周波も効率良く出力する
ことができることになる。又オープンスタブ１．２や結
合線路２α、６はマイクロストリップ線路で構成して、
マイクロ波集積回路（ｉｔｒｃ）とすることができる。
又トランジスタＱのゲートＧ及びソースＳにオープンス
タブ１，２が接続され、出力端子□ＵＴとの間はλｔ＆
／４の結合長の結合線路を介して接続されているので、
トランジスタ。の直流給電系と出方端子ＯＵＴとの間に
特別な直流カットの手段を設ける必要がなく、又ム／４
の結合長の結合線路はバントハスフィルタの特性を示し
、且つオープンスタブ２のλ１／４の点に設けられてい
るので、基本波の発振に影響を与えることなく、逓倍さ
れた波長ムの高調波のみを取出すことができる。更に基
本波の発振と高調波とは独立的に調整できるものとなる
。
タブ１，２が接続され、出力端子□ＵＴとの間はλｔ＆
／４の結合長の結合線路を介して接続されているので、
トランジスタ。の直流給電系と出方端子ＯＵＴとの間に
特別な直流カットの手段を設ける必要がなく、又ム／４
の結合長の結合線路はバントハスフィルタの特性を示し
、且つオープンスタブ２のλ１／４の点に設けられてい
るので、基本波の発振に影響を与えることなく、逓倍さ
れた波長ムの高調波のみを取出すことができる。更に基
本波の発振と高調波とは独立的に調整できるものとなる
。
第２図は本発明の他の実施例の説明図であシ、第１図と
同一符号は同一部分を示し、直流給電系は図示を省略し
ている。この実施例はλ３／２の分布結合形バンドパス
フィルタ４を設けた場合についてのもので１１）、オー
プンスタブ２の基本波ではショートとなる点に形成した
結合線路２ａに、それぞれλ４／２の長さの複数の線路
を１１次λル／４の結合長となるように配置した分布結
合形バンドパスフィルタ４を設けたものである。この分
布結合形バンドパスフィルタ４により、波長λ亀の高調
波が取出され、出力端子ＯＵＴに出力される。
同一符号は同一部分を示し、直流給電系は図示を省略し
ている。この実施例はλ３／２の分布結合形バンドパス
フィルタ４を設けた場合についてのもので１１）、オー
プンスタブ２の基本波ではショートとなる点に形成した
結合線路２ａに、それぞれλ４／２の長さの複数の線路
を１１次λル／４の結合長となるように配置した分布結
合形バンドパスフィルタ４を設けたものである。この分
布結合形バンドパスフィルタ４により、波長λ亀の高調
波が取出され、出力端子ＯＵＴに出力される。
第６図は本発明の更に他の実施例の説明図であシ、第１
図と同一符号は同一部分を示し、直流給電系は図示を省
略している。この実施例は誘電体共振器５を設けた場合
についてのものである。第１図及び第２図に示すように
、オープンスタブ１゜２をマイクロストリップ線路で構
成した場合のＱｏが１００〜２００程度であるのに対し
、誘電体共振器５を用いた場合は％Ｑｏが４０００〜５
０００ 程度となるから、周波数の安定化を図ることが
できる。又トランジスタＱのソースＳに接続したオープ
ンスタブ２に設けた結合部は、λ昏／４の結合長の結合
線路の場合を示しているが、第２図に示すような分布結
合形バンドパスフィルタとすることもできる。
図と同一符号は同一部分を示し、直流給電系は図示を省
略している。この実施例は誘電体共振器５を設けた場合
についてのものである。第１図及び第２図に示すように
、オープンスタブ１゜２をマイクロストリップ線路で構
成した場合のＱｏが１００〜２００程度であるのに対し
、誘電体共振器５を用いた場合は％Ｑｏが４０００〜５
０００ 程度となるから、周波数の安定化を図ることが
できる。又トランジスタＱのソースＳに接続したオープ
ンスタブ２に設けた結合部は、λ昏／４の結合長の結合
線路の場合を示しているが、第２図に示すような分布結
合形バンドパスフィルタとすることもできる。
前述の各実施例はドレインＤを接地し、ソースＳ倶］を
出力ポートとした場合についてのものであるが、他の接
地形式の場合にも適用し得るものであシ、例えは出力ポ
ートを、ゲートＧ側とすることもできる。
出力ポートとした場合についてのものであるが、他の接
地形式の場合にも適用し得るものであシ、例えは出力ポ
ートを、ゲートＧ側とすることもできる。
発明の詳細
な説明したように、本発明は、Ｇａ１ｅ ＦＥＴ等のト
ランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、トランジスタ
の入出力端子にそれぞれオープンスタブを接続して基本
波の発振回路を構成し、オープンスタブの基本波に対し
てショートとなる位置に高調波を取出す結合部を設けた
もので、簡単な構成でおるからマイクロ波集積回路化す
ることも容易であり、又数１０ＧＨｚ程度の超高周波を
トランジスタによる逓倍で容易に且つ効率良く発生する
ことができる。更に結合部は基本波の発振には何ら影響
しない位置に設けられていることになシ、高調波のみが
取出されるので、基本波の発振と高調波の取出しとを独
立的に調整することができる。又結合部により直流が遮
断されるので、直流カットの手段を特に設ける必要がな
いものとなる。
ランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、トランジスタ
の入出力端子にそれぞれオープンスタブを接続して基本
波の発振回路を構成し、オープンスタブの基本波に対し
てショートとなる位置に高調波を取出す結合部を設けた
もので、簡単な構成でおるからマイクロ波集積回路化す
ることも容易であり、又数１０ＧＨｚ程度の超高周波を
トランジスタによる逓倍で容易に且つ効率良く発生する
ことができる。更に結合部は基本波の発振には何ら影響
しない位置に設けられていることになシ、高調波のみが
取出されるので、基本波の発振と高調波の取出しとを独
立的に調整することができる。又結合部により直流が遮
断されるので、直流カットの手段を特に設ける必要がな
いものとなる。
第１図、第２図及び第６図は本発明のそれぞれ異なる実
施例の説明図でおる。 １．２はオープンスタブ、２α、６は結合線路、４は分
布結合杉バンドパスフィルタ、５は誘電体共振器、Ｑは
トランジスタ、ＯＵＴは出力端子である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 外６名 第１図 第２図 第 ３ 図
施例の説明図でおる。 １．２はオープンスタブ、２α、６は結合線路、４は分
布結合杉バンドパスフィルタ、５は誘電体共振器、Ｑは
トランジスタ、ＯＵＴは出力端子である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 外６名 第１図 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- トランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、前記トラン
ジスタの入出力端子にそれぞれオープンスタブを接続し
て基本波発振回路を構成し、前記入出力端子にそれぞれ
接続したオープンスタブの何れか一方のオープンスタブ
の基本波に対してショートとなる位置に高論波を取出す
結合部を設け、前記トランジスタによシ逓倍された高調
波を取出す構成としたことを特徴とする発振逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060023A JPS58177011A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060023A JPS58177011A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177011A true JPS58177011A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0213847B2 JPH0213847B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=13130048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060023A Granted JPS58177011A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177011A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157103A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Sony Corp | 同調発振器 |
| JPH02194706A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 発振逓倍器および位相同期発振器 |
| EP0829953A2 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Denso Corporation | Frequency multiplier and voltage controlled oscillator |
| JP2005051499A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Nec Corp | 電力分配回路及び周波数逓倍器 |
| JP2005286706A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Yokowo Co Ltd | 逓倍発振器およびそれを用いた送受信モジュール |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
-
1982
- 1982-04-10 JP JP57060023A patent/JPS58177011A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157103A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Sony Corp | 同調発振器 |
| JPH02194706A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 発振逓倍器および位相同期発振器 |
| EP0829953A2 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Denso Corporation | Frequency multiplier and voltage controlled oscillator |
| EP0829953A3 (en) * | 1996-09-13 | 1998-05-20 | Denso Corporation | Frequency multiplier and voltage controlled oscillator |
| JP2005051499A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Nec Corp | 電力分配回路及び周波数逓倍器 |
| JP2005286706A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Yokowo Co Ltd | 逓倍発振器およびそれを用いた送受信モジュール |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213847B2 (ja) | 1990-04-05 |
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