JPH0213847B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0213847B2 JPH0213847B2 JP57060023A JP6002382A JPH0213847B2 JP H0213847 B2 JPH0213847 B2 JP H0213847B2 JP 57060023 A JP57060023 A JP 57060023A JP 6002382 A JP6002382 A JP 6002382A JP H0213847 B2 JPH0213847 B2 JP H0213847B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fundamental wave
- oscillation
- transistor
- coupling
- harmonics
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 10
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/007—Generation of oscillations based on harmonic frequencies, e.g. overtone oscillators
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、トランジスタを用いて超高周波を発
生させる発振逓倍器に関するものである。
生させる発振逓倍器に関するものである。
従来技術と問題点
超高周波を発生させる為に、ガンダイオード発
振器が知られているが、効率が低い欠点があつ
た。又トランジスタを用いた発振器の高調波成分
をフイルタにより取出す構成も知られているが、
発振出力に含まれる高調波成分は比較的小さいも
のであるから、充分な大きさの高調波を取出すこ
とが容易でない欠点があつた。
振器が知られているが、効率が低い欠点があつ
た。又トランジスタを用いた発振器の高調波成分
をフイルタにより取出す構成も知られているが、
発振出力に含まれる高調波成分は比較的小さいも
のであるから、充分な大きさの高調波を取出すこ
とが容易でない欠点があつた。
発明の目的
本発明は、トランジスタにより基本波を発振さ
せ、その基本波を逓倍した高調波の超高周波を、
簡単な構成で具つ効率良く発生し得るようにする
ことを目的とするものである。以下実施例につい
て詳細に説明する。
せ、その基本波を逓倍した高調波の超高周波を、
簡単な構成で具つ効率良く発生し得るようにする
ことを目的とするものである。以下実施例につい
て詳細に説明する。
発明の実施例
第１図は本発明の一実施例の説明図であり、
GaAs FET（電界効果トランジスタ）を用いた場
合についてのものである。このGaAs FETを以
下単にトランジスタと称す。このトランジスタＱ
のゲートＧにはオープンスタブ１が接続され、ソ
ースＳにはオープンスタブ２が接続され、ドレイ
ンＤは接地されている。基本波の波長をλ1、出力
すべき高調波の波長をλnとすると、オープンス
タブ１の長さを約λ1／４の長さで、オープンスタ
ブ２の長さを約λ1／２の長さとして、基本波の発
振回路を構成し、オープンスタブ２のλ1／４の長
さの点に結合部を設けて高調波を取出すものであ
る。この結合部はλn／４の長さの結合線路２ａ，
３により構成され、結合線路３は出力端子OUT
に接続されている。
GaAs FET（電界効果トランジスタ）を用いた場
合についてのものである。このGaAs FETを以
下単にトランジスタと称す。このトランジスタＱ
のゲートＧにはオープンスタブ１が接続され、ソ
ースＳにはオープンスタブ２が接続され、ドレイ
ンＤは接地されている。基本波の波長をλ1、出力
すべき高調波の波長をλnとすると、オープンス
タブ１の長さを約λ1／４の長さで、オープンスタ
ブ２の長さを約λ1／２の長さとして、基本波の発
振回路を構成し、オープンスタブ２のλ1／４の長
さの点に結合部を設けて高調波を取出すものであ
る。この結合部はλn／４の長さの結合線路２ａ，
３により構成され、結合線路３は出力端子OUT
に接続されている。
又Ｌ１，Ｌ２はインダクタンス、Ｃ１，Ｃ２は
コンデンサ、Ｒ１，Ｒ２は抵抗であり、−Ｖの電
源電圧が、抵抗Ｒ１、インダクタンスＬ１を介し
てトランジスタＱのソースＳに加えられ、抵抗Ｒ
１の電圧降下分がゲートＧのバイアス電圧として
加えられることになる。
コンデンサ、Ｒ１，Ｒ２は抵抗であり、−Ｖの電
源電圧が、抵抗Ｒ１、インダクタンスＬ１を介し
てトランジスタＱのソースＳに加えられ、抵抗Ｒ
１の電圧降下分がゲートＧのバイアス電圧として
加えられることになる。
オープンスタブ２のλ1／４の長さの点は、基本
波に対してシヨートの位置であるから、結合線路
２ａを設けても、基本波の発振には何ら影響しな
いものとなり、又基本波は、そのシヨート点で全
反射されてトランジスタＱに帰還される。帰還さ
れた基本波は、トランジスタＱの非線形特性によ
り逓倍されて、基本波の整数倍の高調波が発生さ
れることになる。その高調波の中の波長λnのみ
が、λn／４の結合長の結合線路２ａ，３を介し
て取だされることになる。
波に対してシヨートの位置であるから、結合線路
２ａを設けても、基本波の発振には何ら影響しな
いものとなり、又基本波は、そのシヨート点で全
反射されてトランジスタＱに帰還される。帰還さ
れた基本波は、トランジスタＱの非線形特性によ
り逓倍されて、基本波の整数倍の高調波が発生さ
れることになる。その高調波の中の波長λnのみ
が、λn／４の結合長の結合線路２ａ，３を介し
て取だされることになる。
従つてトランジスタＱで発振可能の上限周波数
を基本周波数とすると、出力端子OUTにはその
基本周波数の数倍の周波数を逓倍により出力する
ことができ、例えば40〜50GHz程度の超高周波も
効率良く出力することができることになる。又オ
ープンスタブ１，２や結合線路２ａ，３はマイク
ロストリツプ線路で構成して、マイクロ波集積回
路（MIC）とすることができる。
を基本周波数とすると、出力端子OUTにはその
基本周波数の数倍の周波数を逓倍により出力する
ことができ、例えば40〜50GHz程度の超高周波も
効率良く出力することができることになる。又オ
ープンスタブ１，２や結合線路２ａ，３はマイク
ロストリツプ線路で構成して、マイクロ波集積回
路（MIC）とすることができる。
又トランジスタＱのゲートＧ及びソースＳにオ
ープンスタブ１，２が接続され、出力端子OUT
との間はλn／４の結合長の結合線路を介して接
続されているので、トランジスタＱの直流給電系
と出力端子OUTとの間に特別な直流カツトの手
段を設ける必要がなく、又λn／４の結合長の結
合線路はバンドパスフイルタの特性を示し、且つ
オープンスタブ２のλ1／４の点に設けられている
ので、基本波の発振に影響を与えることなく、逓
倍された波長λnの高調波のみを取出すことがで
きる。更に基本波の発振と高調波とは独立的に調
整できるものとなる。
ープンスタブ１，２が接続され、出力端子OUT
との間はλn／４の結合長の結合線路を介して接
続されているので、トランジスタＱの直流給電系
と出力端子OUTとの間に特別な直流カツトの手
段を設ける必要がなく、又λn／４の結合長の結
合線路はバンドパスフイルタの特性を示し、且つ
オープンスタブ２のλ1／４の点に設けられている
ので、基本波の発振に影響を与えることなく、逓
倍された波長λnの高調波のみを取出すことがで
きる。更に基本波の発振と高調波とは独立的に調
整できるものとなる。
第２図は本発明の他の実施例の説明図であり、
第１図と同一符号は同一部分を示し、直流給電系
は図示を省略している。この実施例はλn／２の
分布結合形バンドパスフイルタ４を設けた場合に
ついてのものであり、オープンスタブ２の基本波
ではシヨートとなる点に形成した結合線路２ａ
に、それぞれλn／２の長さの複数の線路を順次
λn／４の結合長となるように配置した分布結合
形バンドパスフイルタ４を設けたものである。こ
の分布結合形バンドパスフイルタ４により、波長
λnの高調波が取出され、出力端子OUTに出力さ
れる。
第１図と同一符号は同一部分を示し、直流給電系
は図示を省略している。この実施例はλn／２の
分布結合形バンドパスフイルタ４を設けた場合に
ついてのものであり、オープンスタブ２の基本波
ではシヨートとなる点に形成した結合線路２ａ
に、それぞれλn／２の長さの複数の線路を順次
λn／４の結合長となるように配置した分布結合
形バンドパスフイルタ４を設けたものである。こ
の分布結合形バンドパスフイルタ４により、波長
λnの高調波が取出され、出力端子OUTに出力さ
れる。
第３図は本発明の更に他の実施例の説明図であ
り、第１図と同一符号は同一部分を示し、直流給
電系は図示を省略している。この実施例は誘電体
共振器５を設けた場合についてのものである。第
１図及び第２図に示すように、オープンスタブ
１，２をマイクロストリツプ線路で構成した場合
のQ0が100〜200程度であるのに対し、誘電体共
振器５を用いた場合は、Q0が4000〜5000程度と
なるから、周波数の安定化を図ることができる。
又トランジスタＱのソースＳに接続したオープン
スタブ２に設けた結合部は、λn／４の結合長の
結合線路の場合を示しているが、第２図に示すよ
うな分布結合形バンドパスフイルタとすることも
できる。
り、第１図と同一符号は同一部分を示し、直流給
電系は図示を省略している。この実施例は誘電体
共振器５を設けた場合についてのものである。第
１図及び第２図に示すように、オープンスタブ
１，２をマイクロストリツプ線路で構成した場合
のQ0が100〜200程度であるのに対し、誘電体共
振器５を用いた場合は、Q0が4000〜5000程度と
なるから、周波数の安定化を図ることができる。
又トランジスタＱのソースＳに接続したオープン
スタブ２に設けた結合部は、λn／４の結合長の
結合線路の場合を示しているが、第２図に示すよ
うな分布結合形バンドパスフイルタとすることも
できる。
前述の各実施例はドレインＤを接地し、ソース
Ｓ側を出力ポートとした場合についてのものであ
るが、他の接地形式の場合にも適用し得るもので
あり、例えば出力ポートをゲートＧ側とすること
もできる。
Ｓ側を出力ポートとした場合についてのものであ
るが、他の接地形式の場合にも適用し得るもので
あり、例えば出力ポートをゲートＧ側とすること
もできる。
発明の効果
以上説明したように、本発明は、GaAs FET
等のトランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、
トランジスタの入出力端子にそれぞれオープンス
タブを接続して基本波の発振回路を構成し、オー
プンスタブの基本波に対してシヨートとなる位置
に高調波を取出す結合部を設けたもので、簡単な
構成であるからマイクロ波集積回路化することも
容易であり、又数10GHz程度の超高周波をトラン
ジスタによる逓倍で容易に且つ効率良く発生する
ことができる。更に結合部は基本波の発振には何
ら影響しない位置に設けられていることにより、
高調波のみが取出されるので、基本波の発振と高
調波の取出しとを独立的に調整することができ
る。又結合部により直流が遮断されるので、直流
カツトの手段を特に設ける必要がないものとす
る。
等のトランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、
トランジスタの入出力端子にそれぞれオープンス
タブを接続して基本波の発振回路を構成し、オー
プンスタブの基本波に対してシヨートとなる位置
に高調波を取出す結合部を設けたもので、簡単な
構成であるからマイクロ波集積回路化することも
容易であり、又数10GHz程度の超高周波をトラン
ジスタによる逓倍で容易に且つ効率良く発生する
ことができる。更に結合部は基本波の発振には何
ら影響しない位置に設けられていることにより、
高調波のみが取出されるので、基本波の発振と高
調波の取出しとを独立的に調整することができ
る。又結合部により直流が遮断されるので、直流
カツトの手段を特に設ける必要がないものとす
る。
第１図、第２図及び第３図は本発明のそれぞれ
異なる実施例の説明図である。 １，２はオープンスタブ、２ａ，３は結合線
路、４は分布結合形バンドパスフイルタ、５は誘
電体共振器、Ｑはトランジスタ、OUTは出力端
子である。
異なる実施例の説明図である。 １，２はオープンスタブ、２ａ，３は結合線
路、４は分布結合形バンドパスフイルタ、５は誘
電体共振器、Ｑはトランジスタ、OUTは出力端
子である。
Claims (1)
- １ トランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、
前記トランジスタの入出力端子にそれぞれオープ
ンスタブを接続して基本波発振回路を構成し、前
記入出力端子にそれぞれ接続したオープンスタブ
の何れか一方のオープンスタブの基本波に対して
シヨートとなる位置に高調波を取出す結合部を設
け、前記トランジスタの非線形特性により逓倍さ
れた高調波を取出す構成としたことを特徴とする
発振逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060023A JPS58177011A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060023A JPS58177011A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177011A JPS58177011A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0213847B2 true JPH0213847B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=13130048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060023A Granted JPS58177011A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177011A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2646594B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1997-08-27 | ソニー株式会社 | 同調発振器 |
| JPH02194706A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 発振逓倍器および位相同期発振器 |
| US6066997A (en) * | 1996-09-13 | 2000-05-23 | Denso Corporation | Frequency multiplier with fundamental wave reflection |
| JP4179091B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2008-11-12 | 日本電気株式会社 | 電力分配回路及び周波数逓倍器 |
| JP2005286706A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Yokowo Co Ltd | 逓倍発振器およびそれを用いた送受信モジュール |
| JP5288939B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2013-09-11 | 三菱電機株式会社 | 高周波発振源 |
-
1982
- 1982-04-10 JP JP57060023A patent/JPS58177011A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58177011A (ja) | 1983-10-17 |
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